Master en Fsica Aplicada

Especialidad:

Fsica Electrnica

Departamento de Fsica Aplicada III

1

Asignaturas Obligatorias:
Mecnica Cuntica Fsica del Estado Slido Fsica de Semiconductores

Asignaturas Optativas:
Electrnica II Propiedades elctricas de los materiales Fsica de Dispositivos Laboratorio de Dispositivos Optoelectrnicos Materiales Semiconductores Fundamentos de Tecnologa Electrnica Integracin de Procesos Tecnolgicos Fsica y Tecnologa del Silicio Heteroestructuras y Electrnica de Baja Dimensionalidad Espintrnica Dispositivos Electrnicos Avanzados

Propiedades elctricas de los materiales

Objetivos: Se discutirn las propiedades elctricas a partir de los parmetros que entran en las relaciones constitutivas, tanto en conductores, como en superconductores y aislantes. Profesor: Francisco Snchez Quesada Carcter: Optativa ETCS: 6
3

Descripcin breve de los contenidos:

- El Campo electromagntico en medios materiales. Relaciones constitutivas - Dielctricos: Comportamiento esttico y Dinmico - Propiedades de Conduccin - Superconductores - Materiales y Aplicaciones

Sustrato dielrctrico de permitividad 3.5 soporte de un conjunto de antenas

Bibliografa: R. Coelho. "Physics of dielectrics for engineers". Elsevier (1979). C.J.F. Botteher. "Theory of Electric Polarization". Vols. I y II. Elsevier (1978). N.E. Hill y otros. "Dielectric properties and molecular behavior". Van Nostrand (1966). A.R. Von Hippel. "Dielectric materials and applications". M.I.T. Press (1954). N. W. Ashcroft and N. D. Mermin "Solid State Physics" HRW International Editions, 1987 Propiedades elctricas de los materiales 4

Observaciones:
Esta asignatura se imparte con el mismo nombre y contenido en el plan 2003 de la licenciatura de Fsicas (4 Curso).
The Meissner effect: The ability of a superconductor to expel magnetic fields from its interior is used to levitate a magnet above a superconducting disk.

Propiedades elctricas de los materiales 5

Fsica de Semiconductores
Objetivos:
Se dotar al alumno de los conocimientos necesarios para comprender la estructura de bandas y el transporte de portadores en un semiconductor. Esta asignatura es bsica tanto para comprender los dispositivos desde un punto de vista fundamental como para entender el comportamiento de los electrones en un semiconductor.

Profesor: Jacobo Santamara Carcter: Obligatoria ETCS: 6

6

Descripcin breve de los contenidos: Estadstica de portadores en equilibrio Estadstica de portadores fuera del equilibrio Transporte de portadores con concentracin de equilibrio Transporte de portadores en ausencia de equilibrio La unin P-N ideal La unin P-N real

Bibliografa:
-. R. H. Bube, Electronic Properties of Crystalline Solids, An Introduction to Fundamentals, Academic Press 1974 -. D. A. Neamen, Semiconductor Physics and Devices Irwing, 1992 -. J. Singh, Semiconductor Devices, an Introduction, John Wiley & Sons1994 -. S. Wang, Fundamental of Semiconductor Theory and Device Physics, Prentice Hall International, 1989 -. P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamental of semiconductors,. Springer, 1996.
Fsica de Semiconductores
7

Observaciones:
Esta asignatura se imparte con el mismo nombre y contenido en el plan 2003 de la licenciatura de Fsicas (4 Curso). Es recomendable que se curse con anterioridad Fsica del Estado Slido

Corral Cuntico

Fsica de Semiconductores

Fsica de Dispositivos
Objetivos: Los dispositivos de semiconductor son los componentes bsicos de los circuitos integrados y los responsables del espectacular crecimiento de la industria electrnica en todo el mundo. En esta asignatura se estudian las propiedades fsicas de los transistores de silicio: el transistor bipolar de unin y los transistores de efecto campo (JFET y MOSFET).
Ley de Moore

Primer Transistor construido en 1948

Profesoras: M Luisa Luca, Margarita Llamas Carcter: Optativa ETCS: 6

9

Se estudian los modelos ideales y reales en rgimen estacionario y en pequea seal, y efectos de pequea dimensin. Todos los temas acaban con la simulacin de cada dispositivo con el programa PSPICE: se estudia as la correspondencia entre los parmetros de simulacin y los parmetros fsicos de los dispositivos.

A set of HEMT transistors and test elements on GaAs/GaAlAs ( MBE) heterostructures - left, (diameter of the contacting wire = 25 m ), detail of the II-V cell - center, channel region of the II-II cell - right:

Descripcin breve de los contenidos: - Unin PN real - Transistor bipolar ideal. Transistor bipolar integrado. Modelos equivalentes de pequea seal del transistor bipolar - Transistor JFET. Estructura MOS. TransistorMOSFET
Fsica de Dispositivos 10

Bibliografa: Introduction to Semiconductor Materials and Devices, M.S. Tyagi. J. Wiley & Sons, 1991. Semiconductor Physics and Devices, D.A. Neamen. Irwin, 1997. Semiconductor Devices: Physics and Technology, S.M. Sze. J. Wiley & Sons, 2002. Theory of Modern Semiconductor Devices, K.F. Brennan, A.S. Brown. J. Wiley & Sons, 2002. Complete Guide to Semiconductor Devices, K. Kwok. J. Wiley & Sons, 2002 Observaciones: Esta asignatura se imparte con el mismo nombre y contenido en el plan 2003 de la licenciatura de Fsicas (4 Curso). Es recomendable que se curse con posterioridad a la asignatura Fsica de Semiconductores.

Tecnologa Silicio sobre aislante

Fsica de Dispositivos

11

Laboratorio de Dispositivos Optoelectrnicos

Objetivos: En esta asignatura se pretende que los alumnos conozcan los mtodos experimentales de caracterizacin de dispositivos electrnicos de gran relevancia en microelectrnica y optoelectrnica.

Caracterizacin de una clula solar

Profesora: Margarita Snchez Balmaseda Carcter: Optativa ETCS: 6

12

Descripcin breve de los contenidos: I. CARACTERIZACIN DE SEMICONDUCTORES: Caracterizacin elctrica y ptica de un semiconductor. II. CARACTERIZACIN ELCTRICA DE DISPOSITIVOS: Caracterizacin AC y DC de dispositivos de unin. Caracterizacin electro-ptica de una clula solar. Caracterizacin electro-ptica de LEDs. Caracterizacin de un transistor bipolar. III. CARACTERIZACIN PTICA DE DISPOSITIVOS Detectores PSD y CCD. Emisores y detectores de luz. Fibras pticas. Acustoptica Bibliografa: K.V. Shalimova, Fsica de Semiconductores, Ed. Mir (1975). S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Systems, John Wiley, (1981) J. Wilson, JFB Hawkes, Optoelectronics, an Introduction Prentice Hall NY (1998).
Laboratorio de Dispositivos Optoelectrnicos

13

Observaciones: Esta asignatura se imparte con el mismo nombre y contenido en el plan 2003 de la licenciatura de Fsicas (4 Curso).

Caracterizacin transistor bipolar

Laboratorio de Dispositivos Optoelectrnicos

14

Materiales Semiconductores

Objetivos: El estudio de las propiedades fsicas de los materiales semiconductores y sus aplicaciones en el desarrollo de dispositivos electrnicos representan una de las revoluciones cientfico-tcnicas de mayor impacto en nuestra sociedad. En esta asignatura se pretende dar una ideal real de la magnitud de esta revolucin: no slo ser conscientes de la tecnologa que nos rodea si no tambin entender cmo opera. Para ello se clasificarn los semiconductores de acuerdo con su composicin qumica, su enlace, su estructura cristalina y su estructura de bandas. Profesora: M Luisa Luca Carcter: Optativa ETCS: 6
15

Descripcin breve de los contenidos: - Familias de materiales semiconductores - Absorcin de luz en semiconductores - Tecnologas de crecimiento - Introduccin a las heterouniones - Unin metal-semiconductor - Introduccin a la ingeniera de bandas

Bibliografa: R.H., Electronic Properties of Crystalline Solids. An Introduction to Fundamentals, Academic Press 1992 Einspruch N.G., Heterostructures and Quantum Devices Prentice Hall, 1994 Neamen D.A., Semiconductor Physics and Devices, Irwin 1997 Bhattacharya P., Semiconductor Optoelectronic Devices, Prentice Hall 1998 Bube Sze S.M., Semiconductor Devices. Physics and Technology, John Wiley Sons, 2002 Wang S., Fundamentals of Semiconductor Theory and Device Physics, Prentice Hall International 1989.
Materiales Semiconductores
16

Observaciones: Esta asignatura se imparte con el mismo nombre y contenido en el plan 2003 de la licenciatura de Fsicas de 4 curso.

Materiales Semiconductores

17

Fundamentos de Tecnologa Electrnica

Cmo se fabrica un dispositivo electrnico?
Simulacin del dopado en funcin de la profundidad

Plot de concentraciones en un MOS

Profesor: Antonio Hernndez Cachero Carcter: Optativa ETCS: 6

18

Contenidos Etapas para el proceso en Semiconductores

Bibliografa: G.S. May y S.M. Sze Fundamentals of Semiconductor Fabrication. Wiley 2004
Fundamentos de Tecnologa Electrnica
19

Observaciones: Esta asignatura se imparte con el mismo nombre y contenido en el plan 2003 de la licenciatura de Fsicas (4 Curso) y en Ingeniera electrnica. Es recomendable que se curse con anterioridad a las siguientes asignaturas: Integracin de procesos tecnolgicos. Fsica y Tecnologa del Silicio. Es muy recomendable tambin tener conocimientos de Fsica de dispositivos.

Direcciones Internet www.semiconductor.net ITRS RoadMap http://public.itrs.net/

Fundamentos de Tecnologa Electrnica

20

Integracin de Procesos Tecnolgicos

Cmo se fabrica un chip?

Tecnologa SOI IBM

Profesor: Antonio Hernndez Cachero

Pentium4 Intel

Carcter: Optativa

ETCS: 6
21

Descripcin breve de los contenidos: Integracin de Procesos: Tecnologa Bipolar Aislamiento dielctrico SOI (Silicon on Insulator) Tecnologa CMOS Componentes Pasivos Tecnologas AsGa (MESFET, dispositivos optoelectrnicos, etc) Tecnologa MEMS (Micromachining, etc)

Bibliografa:
G.S. May y S.M. Sze, Fundamentals of Semiconductor Fabrication, Wiley 2004 H. Xiao, Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology, PrenticeHall 2001

Integracin de Procesos Tecnolgicos

22

Observaciones:
Esta asignatura se imparte con el mismo nombre y contenido en el plan 2003 de la licenciatura de Fsicas (4 Curso). Es recomendable que se curse con posterioridad a las siguientes asignaturas: Fundamentos de Tecnologa Electrnica

Direcciones Internet www.semiconductor.net ITRS RoadMap http://public.itrs.net/

Integracin de Procesos Tecnolgicos

23

Fsica y Tecnologa del Silicio

Objetivos:
En esta asignatura se pretende proporcionar al alumno un conocimiento de los procesos tecnolgicos ms all del punto de vista terico mediante: La simulacin por ordenador Una Experiencia real en diversas tcnicas habituales en el procesado y la caracterizacin de dispositivos a travs de la realizacin prctica de estos procesos. .

Sistema de pulverizacin catdica de alta presin

Profesores: Juan A. de Agapito, Germn Gonzlez, lvaro del Prado Carcter: Optativa ETCS: 6
Mdulo de Nanoelectrnica
24

Descripcin breve de los contenidos:

- Simulacin de procesos tecnolgicos - Realizacin de procesos tecnolgicos (implantacin y recocido, metalizacin de contactos, depsito de pelculas dielctricas, litografa, etc.) - Caracterizacin de los procesos realizados (medida de resistividad, caracterizacin de uniones p-n, etc.)

Can de electrones con 4 Kw.

Bibliografa: S. Wolf, Silicon Processing for the VLSI era, Vol. 1-4, Lattice Press

Fsica y Tecnologa del Silicio

25

Observaciones:
Esta asignatura se imparte con el mismo nombre y contenido en el plan 2003 de la licenciatura de Fsicas (4 Curso). Es recomendable poseer conocimientos de Fsica de Dispositivos Se proporcionarn programas de simulacin adecuados. Se dispone de las instalaciones y equipos necesarios para la realizacin de los procesos tecnolgicos y la caracterizacin de los dispositivos fabricados. Se dispone de bibliografa avanzada en el tema para consulta del alumno

Sistema de depsito de capas dielctricas. (capas de xidos, nitruros y oxinitruros de Si) para ser usadas como pasivante o bien como aislante de puerta en dispositivos MISFET

Fsica y Tecnologa del Silicio

26

Heteroestructuras y Electrnica de Baja Dimensionalidad

La nueva era de la nanoelectrnica se nutre de materiales semiconductores crecidos y manipulados a escala atmica, englobados en lo que se ha definido como una ingeniera de bandas. Se aborda aqu el estudio de los denominados pozos cunticos, lneas cunticas y puntos cunticos en los que la fsica que explica su funcionamiento debe revisarse teniendo en cuenta fenmenos cunticos no contemplados por la microelectrnica. Las heteroestructuras de materiales semiconductores constituyen el ncleo fundamental en muchos de los dispositivos cunticos avanzados, pudiendo hablar de dos aproximaciones al estudio de esta asignatura: - Nanotecnologa por mtodo de fabricacin: se refiere a la tecnologa que hace posible la construccin de estructuras y dispositivos cada vez ms pequeos - Nanotecnologa por operacin: se investiga sobre nuevas caractersticas de los materiales mediante su maniopulacin a escala atmica o molecular.
Profesores: M Luisa Luca y Jos Juan Jimnez Carcter: Optativa ETCS: 6

Mdulo de Nanoelectrnica 27

Descripcin breve de los contenidos: Propiedades generales de las heteroestructuras Crecimiento de heteroestructuras. Epitaxias Ingeniera de bandas. Sistemas de baja dimensin: superredes, lneas, puntos Gas bidimensional de electrones. Transistores de alta movilidad.

Bibliografa: Einspruch N.G., Heterostructures and Quantum Devices Prentice Hall, 1994 Kelly M.J., Low Dimensional Semiconductors, Oxford Science Publications, 1995 Korkin, A., Nanotechnology for electronic materials and devices,2006 Martnez-Duart J., Nanotechnology for microelectronics and optoelectronics,2006 Sze S.M., High-Speed Semiconductor Devices John Wiley Sons, 1990
Hetero-estructuras y Electrnica de baja dimensionalidad
28

Observaciones:
Esta asignatura se imparte por vez primera en el curso 2006-07 Es recomendable que se curse con posterioridad a las siguientes asignaturas: Fsica de Dispositivos Materiales Semiconductores

Hetero-estructuras y Electrnica de baja dimensionalidad

29

Espintrnica
Imagen STM de un tomo de Mn en una superficie
From IBM website

Objetivos: Describir los procesos fsicos que dan lugar al transporte electrnico dependiente de espn en materiales y en heteroestructuras. Describir el funcionamiento de los principales dispositivos basados en el transporte de espn electrnico. Profesores: Carlos Len, Jacobo Santamara, Zouhair Sefrioui Carcter: Optativa ETCS: 6

Mdulo de Nanoelectrnica

30

Descripcin breve de los contenidos: Transporte polarizado en espn. Magnetorresistencia. Generacin de polarizacin de espn: Inyeccin y relajacin. Uniones: F/N, F/N/F, F/I/S, F/I/F. Dispositivos de espn: filtros, diodos, transistores. Bibliografa: Nanoelectronic and Information Technology. Rainer Waser. Wiley-VCH. (2005) Spintronics: Fundamentals and Applications. I. Zutic, J. Fabian and S. Das Sarma. Rev. Mod. Phys. 76, 323 (2004) Concepts in Spin Electronics. Ed. S. Maekawa. Oxford Univ. Press (2006) An Introduction to Spintronics. S. Bandyopadhyay and M. Cahay. Taylor and Francis CRC Press (2007)
Espintrnica
31

Observaciones: Esta asignatura se imparte por vez primera en el curso 2006-07 Es recomendable que se curse con posterioridad a las siguientes asignaturas: Fsica de Estado Slido, Fsica de Semiconductores, Fsica Estadstica. La evaluacin consistir en la realizacin de un examen con cuestiones tericas y problemas.

Espintrnica

32

Dispositivos Electrnicos Avanzados

Objetivos: Estudio del CMOS, TFT, CCDs, LEDs, LCD y Lseres Semiconductores. Nuevos y cada vez ms pequeos dispositivos basados en Si, as como nuevos materiales compiten en la frontera del desarrollo tecnolgico. El futuro, con dispositivos cuya funcin es controlada por un solo electrn (SET) o elaborados con una molcula est casi al alcance de la mano.

Sistema de 7 CCDs de la cmara EPICMOS del satlite XMM-Newton

Profesores: Ignacio Mrtil, M del Carmen Prez y Margarita Snchez Carcter: Optativa ETCS: 6
Mdulo de Nanoelectrnica
33

Contenidos:
Dispositivos Optoelectrnicos: PIN, LEDs, Lseres de diodo y Clulas Solares Dispositivos Electrnicos: Memorias, MOS, CCDs, RTD y SET Dispositivos de tecnologas emergentes: Electrnica molecular y Nanotubos
SET: single-electron transistor Bell Laboratories

Bibliografa: P. Bhattacharya, Semiconductor Optoelectronic Devices, Prentice Hall, 1994 R. Waser (ed), Nanoelectronics and Information Technology, Wiley-VCH, 2005 http://public.itrs.net/
Dispositivos ElectrnicosAvanzados
34

Observaciones: Esta asignatura se imparte por vez primera en el curso 2006-07 Es recomendable que se curse con posterioridad a las siguientes asignaturas, tambin incluidas en el mster: Fsica de Dispositivos Heteroestructuras y Electrnica de Baja Dimensionalidad

Direcciones de Internet: http://public.itrs.net/ (International Road Map for Semiconductors)

Dispositivos Electrnicos Avanzados

35