ELECTRONICA DE POTENCIA

TEMA : EL OSCILADOR DE RELAJACIN POR UJT EL OSCILADOR DE RELAJACIN POR PUT

OBJETIVO: AL FINALIZAR LA SESION EL PRATICIPANTE ESTARA EN CONDICIONES DE MONTAR, Y REPARAR CIRCUITOS A BASE DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS PARA EL MANTENIMIENTO DE TABLEROS DE CONTROL AUTOMATICO DE MOTORES ELECTRICOS, OBSERVANDO LAS NORMAS DE SEGURIDAD Y LA CONSERVACIN DEL MEDIO AMBIENTE.
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OSCILADOR DE RELAJACION POR UJT

Transistor uniunin

23/08/2013

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OSCILADOR DE RELAJACION POR UJT Historia Estructura Modelo Equivalente. Funcionamiento. Aplicaciones.

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HISTORIA DE UJT
Unijunction transistor circuits were popular in hobbyist electronics circuits in the 70s and early 80s because they allowed simple oscillators to be built using just one active device. Later, as integrated circuits became more popular, oscillators such as the 555 timer IC became more commonly used.

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El Transistor UJT (transistor de unijuntura)

Mltiples dispositivos reales se utilizan en la implementacin de Osciladores de Relajacin, los mas usuales son: UJT Transistores Unijuntura PUT Transistores Unijuntura Programables SUS Llaves Unilaterales de Silicio SBS Llaves Bilaterales de Silicio DIAC Diodos para Corriente Alterna Tambien llamado transistor monounin, ununin. Este es un dispositivo de conmutacin del tipo ruptura. Es un dispositivo semiconductor unipolar, con un funcionamiento diferente al de otros dispositivos. Es un dispositivo de disparo
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OSCILADOR DE RELAJACION POR UJT

Teora de Operacin El UJT es un dispositivo de tres terminales denominados emisor (E), Base Uno (B1) y Base Dos (B2). Su smbolo, caracterstica, tensiones y corrientes se indican en la figura

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Transistor UJT
Estructura
El transistor de uni-unin ( unijuntion transistor) o UJT est constituido por dos regiones contaminadas, con tres terminales externas: 2 bases 1 emisor

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Transistor UJT
Estructura

El emisor est fuertemente dopado con impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto).

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Transistor UJT
Esquemticos

Transistor UJT. a) Estructura fsica, b) modelo equivalente, c) circuito equivalente, d) smbolo

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Transistor UJT
Modelo equivalente El modelo equivalente est constituido por un diodo que excita la unin de dos resistencias internas, R1 y R2, que verifican RBB=R1+ R2. Cuando el diodo no conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar como:

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Transistor UJT
Modelo equivalente en donde VB2B1 es la diferencia de tensin entre las bases del UJT y es el factor de divisin de tensin conocido como relacin intrnseca.

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Transistor UJT
Modelo equivalente El modelo de este dispositivo utilizando transistores tiene una estructura muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conduccin los transistores la cada de tensin en R1 es muy baja.

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Transistor UJT
Funcionamiento
El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. La grfica describe las caractersticas elctricas de este dispositivo a travs de la relacin de la tensin de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE).

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Transistor UJT
Funcionamiento
Se definen dos puntos crticos: Punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-point (VV, IV), ambos verifican la condicin de dVE/dIE=0. Estos punto a su vez definen tres regiones de operacin: Regin de corte, regin de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a continuacin:

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Transistor UJT
Funcionamiento
Regin de corte. En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin:

donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V .

El UJT en esta regin se comporta como un elemento 23/08/2013 resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.

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Transistor UJT
Funcionamiento
Regin de corte. En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin:

donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V .

El UJT en esta regin se comporta como un elemento 23/08/2013 resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.

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Transistor UJT
Funcionamiento
Regin de resistencia negativa. Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinacin. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor est comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).

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Transistor UJT
Funcionamiento
Regin de saturacin. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrar de forma natural a la regin de corte.

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Transistor UJT
Aplicaciones
Sus caractersticas lo hacen muy til en muchos circuitos industriales, incluyendo temporizadores, osciladores, generadores de onda, y ms importante an, en circuitos de control de puerta para SCR y TRIACs.

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Transistor UJT
Aplicaciones
Oscilador de relajacin con UJT Una de las aplicaciones ms tpicas del UJT es la construccin de osciladores de relajacin que se utilizan en muchos casos como circuito de control de SCRs y TRIACs.

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Transistor UJT
Aplicaciones
Rectificador de media onda controlado por UJT

Control de una onda completa en la carga

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TRANSISTOR PUT
(PUT) transistor uni juntura programable (Programmable Unijunction Transistor, PUT) es un dispositivo compuesto de 4 capas semiconductoras, similar a un SCR. Sin embargo, el disparo del mismo es respecto del nodo en vez del ctodo. Mediante un divisor de tensin resistivo se establece precisamente la tensin de disparo (tensin de pico, Vp, del PUT). Los PUTs se utilizan casi exclusivamente para control de fase en circuitos de rectificacin controlada, y en algunos casos, se los utiliza como osciladores.

TRANSISTOR PUT

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TRANSISTOR PUT

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El PUT tiene 3 terminales, un nodo (A), un ctodo (K) y una compuerta (G). El smbolo del PUT y su correspondiente circuito equivalente se ven en la figura

En la figura puede verse que el PUT es como un SCR disparado por nodo, esto es, si la compuerta se hace negativa respecto del nodo, el dispositivo pasar del estado de bloqueo (o de corte) al estado de conduccin.

El trmino programable es usado porque los valores de Rbb, n y Vp pueden controlarse mediante una red externa.

Mientras la tensin Vak no alcance el valor Vp, el PUT estar abierto, por lo cual los niveles de corriente sern muy bajos. Una vez se alcance el nivel Vp, el dispositivo entrar en conduccin presentando una baja impedancia y por lo tanto un elevado flujo de corriente. El retiro del nivel aplicado en compuerta, no llevar al dispositivo a su estado de bloqueo, es necesario que el nivel de voltaje Vak caiga lo suficiente para reducir la corriente por debajo de un valor de mantenimiento

El periodo de oscilacin T esta dada de forma aproximada por:

TRANSISTOR PUT

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OSCILADOR DE RELAJACION POR UJT

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