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SCR
Rectificador Controlado de Silicio
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1.- Introduccin
Definicin: El tiristor (SCR, Silicon
Controlled Rectifier o Rectificador Controlado
de Silicio), es un dispositivo semiconductor
biestable formado por tres uniones PN con la
disposicin PNPN. Est formado por tres
terminales, llamados Anodo, Ctodo y
Puerta. El instante de conmutacin, puede
ser controlado con toda precisin actuando
sobre el terminal de puerta. Es un elemento
unidireccional, conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez.


SCR
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En la curva caracterstica idealizada del
tiristor podemos apreciar tres zonas bien
diferenciadas:













a) V
AK
positiva. El dispositivo se comporta
como un circuito abierto.

b) V
AK
positiva. El elemento est en estado
de conduccin.

c) V
AK
negativa. El dispositivo equivale a un
circuito abierto.
0
a
b
c
I
A

V
AK

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La caracterstica real V I del tiristor est
representada en la figura:

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V
DWM
= Tensin mx. directa de trabajo

V
DRM
= Valor mx. de voltaje repetitivo
directo.

V
RRM
= Valor mx. de voltaje repetitivo
inverso.

V
T
= Cada de tensin de trabajo

I
T
= Intensidad de trabajo

I
H
= Intensidad de mantenimiento

I
DRM
= Intensidad directa en estado de
bloqueo. (Intensidad de fugas)

I
RRM
= Intensidad inversa en estado de
bloqueo. (Intensidad de fugas)

I
L
= Intensidad de enganche
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.2.- Estructura

En la fabricacin se emplean tcnicas de
difusin y crecimiento epitaxial. El material
bsico es el Si. En la figura estn
representados algunos tipos de encapsulado:
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3.- Principio de Funcionamiento

Tensin de nodo negativa respecto a
ctodo (V
AK
< 0):

Los diodos U
1
y U
3
quedan polarizados en
inverso y U
2
en directo. La corriente del diodo
viene dada por:



( )
S
kt qv
S S3 S1 A
I 1 e I I I I ~ = = =
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Tensin de nodo positiva respecto a
ctodo (V
AK
> 0), sin excitacin de puerta:

Sin seal en la puerta (G), las uniones U
1
y
U
3
estarn polarizadas en directo y U
2
en
inverso. La nica corriente que circula por el
dispositivo es la inversa de saturacin del
diodo formado en la unin U
2
. A esta corriente
de saturacin la llamamos I
S2
.



) I ( I I I
K 1 A 2 S2 2
+ + = o o
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Teniendo en cuenta que la corriente neta ha
de ser la misma en todas las uniones:



y sustituyendo:



de donde:




El transistor formado por la capas P
1
N
1
P
2
se
encuentra en bloqueo directo, por lo que se
coporta como un cto abierto, puesto que el
valor de I
A
es muy pequeo. Esto supone que
o
1
+ o
2
<< 1 con lo que la expresin anterior
se reduce a:




K A 2
I I I = =
A 2 A 1 S2 A
I I I I o o + + =
( )
2 1
S2
A
1
I
I
o o +
=
S2 A
I I =
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Tensin de nodo positiva respecto a
ctodo (V
AK
> 0), con excitacin de puerta:

El tiristor, idealmente, se comporta como un
cortocircuito (V
AK
del orden de 1 a 2 V).

4.- Modelo de dos transistores:


CO E C
I I I + =o
( )
CO E B
I I 1 I = o
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Del modelo anterior, obtenemos las
siguientes expresiones:







Finalmente obtenemos: (teniento en cuenta:
I
B1
= I
C2
)







Cuando (o
1
+ o
2
) se aproxima a 1, la
divisin tiende a , por lo que I
A
tiende a
aumentar sin lmite, pasando el
dispositivo al estado ON.



( )
CO1 A 1 B1
I I 1 I = o
CO2 K 2 C2
I I I + =o
G A K
I I I + =
( )
2 1
CO2 CO1 G 2
A
1
I I I
I
o o
o
+
+ +
=
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Si ahora operamos en el circuito de forma
que la suma ((o
1
+ o
2
) sea menor que 1, el
dispositivo estar en estado OFF,
mantenindose la I
A
muy pequea.

Si aumentamos I
G
, la corriente de nodo
tiende a incrementarse y por tanto, tiende a
aumentar o
1
y o
2
produciendose un efecto de
realimentacin positiva. De aqu podemos
deducir los dos tipos de disparo del SCR:

1.- Por tensin suficientemente elevada
aplicada entre A K, lo que provocara que
ste entrara en conduccin por efecto de
"avalancha";

2.- Por intensidad positiva de polarizacin
en la puerta.

Tanto para el estado de bloqueo directo,
como para el estado de polarizacin
inversa, existen unas pequeas corrientes
de fugas.

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5.- Nomenclatura y Caractersticas:










V
DRM

Tensin de pico repetitivo en bloqueo
directo. (Repetitive peak off-state voltage).

V
DSM

Tensin de pico no repetitivo en
bloqueo directo. (Non -repetitive peak off -
state voltage).

V
DWM

Tensin mxima directa en estado de
trabajo. (Crest working off - state voltage).
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V
RRM

Tensin inversa de pico repetitivo.
(Repetitive peak reverse voltage).

V
RSM

Tensin inversa de pico no repetitivo.
(Non - repetitive peak reverse voltage).

V
RWM

Tensin inversa mxima de trabajo.
(Crest working reverse voltage).

V
T

Tensin en extremos del tiristor en
estado de conduccin. (Forward on - state
voltage).

V
D

Tensin en extremos del tiristor en
estado de bloqueo directo. (Continuous off -
state voltage).

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V
R

Cada de tensin inversa en extremos
del tiristor. (Reverse off - state voltage).

V
GT

Tensin de disparo de puerta. (Ten-
sin de encendido). (Gate voltage to trigger).

V
GNT

Tensin de puerta que no provoca el
disparo. (Non - triggering gate voltage).

V
RGM

Tensin inversa de puerta mxima.
(Peak reverse gate voltage).
V
BR

Tensin de ruptura. (Breakdown
voltage).

I
T(AV)

Corriente media. (Average on - state
current).
I
T(RMS)

Intensidad directa eficaz. (R.M.S. on
state current).
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I
TSM

Corriente directa de pico no repetitiva.
(Peak one cycle surge on - state current).

I
TRM

Corriente directa de pico repetitivo.
(Repetitive peak on - state current).

I
RRM

Corriente inversa mxima repetitiva.
(Corriente inversa). (Reverse current).

I
L

Corriente de enganche. (Latching
current).
I
H

Corriente de mantenimiento. (Holding
current).

I
DRM

Corriente directa en estado de
bloqueo. (Off - state current).
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I
GT

Corriente de disparo de puerta. (Gate
current to trigger).

I
GNT

Corriente de puerta que no provoca el
disparo. (Non-triggering gate current).

I
TC

Corriente controlable de nodo.
(Controllable anode current). (Para el caso de
tiristores GTO).

I
2
t
Valor lmite para proteccin contra
sobreintensidades. (I
2
t Limit value).
Capacidad de soportar un exceso de
corriente durante un tiempo inferior a
medio ciclo. Permite calcular el tipo de
proteccin. Debemos elegir un valor de I
2
t
para el fusible de forma que:
(tiristor) t I (fusible) t I
2 2
<
18/131
P
GAV

Potencia media disipable en la puerta.
(Average gate power dissipation).

P
GM

Potencia de pico disipada en la puerta.
(Peak gate power dissipation).

P
tot

Potencia total disipada. (Full power
dissipation).

T
stg

Temperatura de almacenamiento.
(Storage temperature range).

T
j

Temperatura de la unin. (Juntion
temperature).

R
th j-mb
;

R
j-c
; R
uJC

Resistencia trmica unin -
contenedor. (Thermal resistance, Junction to
ambient).

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R
th mb-h
; R
c-d

Resistencia trmica contenedor -
disipador. (Thermal resistance from mounting
base to heatsink).
R
th j-a
; R
j-a
; R
uJA

Resistencia trmica unin - ambiente.
(Termal resistance juntion to ambient in free
air).

Z
th j-mb
; Z
j-c
; Z
uJC(t)

Impedancia trmica transitoria unin -
contenedor. (Transient thermal impedance,
juntion - to - case).

Z
th j-a
; Z
j-a
; Z
uJA(t)

Impedancia trmica transitoria unin -
ambiente. (Transient thermal impedance,
juntion - to - ambient).

t
d
Tiempo de retraso. (Delay time).

t
r
Tiempo de subida (Rise time).
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t
gt
; t
on

Tiempo de paso a conduccin. (Gate -
controlled turn on time).

t
q
; t
off

Tiempo de bloqueo, (Circuit -
commutated turn - off time).

di/dt
Valor mnimo de la pendiente de la
intensidad por debajo del cual no se
producen puntos calientes.

dv/dt
Valor mnimo de la pendiente de
tensin por debajo del cual no se produce el
cebado sin seal de puerta.

(dv/dt)
C

Valor mnimo de la pendiente de
tensin por debajo del cual no se produce el
nuevo cebado del SCR cuando pasa de
conduccin a corte.
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Caractersticas:

Interruptor casi ideal.
Amplificador eficaz (pequea seal de
puerta produce gran seal A K).
Fcil controlabilidad.
Caractersticas en funcin de situaciones
pasadas (Memoria).
Soporta altas tensiones.
Capacidad para controlar grandes poten-
cias.
Relativa rapidez.

Caractersticas estticas:

Las caractersticas estticas corresponden a
la regin nodo - ctodo y son los valores
mximos que colocan al elemento en en
lmite de sus posibilidades: V
RWM
, V
DRM
, V
T
,
I
TAV
, I
TRMS
, I
FD
, I
R
, T
j
, I
H
.
22/131

Caractersticas de control:

Determinan la naturaleza del cto de mando
que mejor responde a las condiciones de
disparo.

Para la regin puerta - ctodo los fabricantes
definen entre otras las siguientes
caractersticas: V
GFM
, V
GRM
, I
GM
, P
GM
, P
GAV
,
V
GT
, V
GNT
, I
GT
, I
GNT

Entre los anteriores destacan:

V
GT
e I
GT
que determinan las
condiciones de encendido del
dispositivo semiconductor.

V
GNT
e I
GNT
, que dan los valores
mximos de corriente y de tensin,
para los cuales en condiciones
normales de temperatura, los tiristores
no corren el riesgo de dispararse de
modo indeseado.
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El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un
diodo de rectificacin en los siguientes
puntos:

Una cada de tensin en sentido directo
ms elevada.

Mayor dispersin para un mismo tipo de
tiristor.


Construccin de la curva caracterstica de
puerta:

La unin puerta ctodo se comporta como
un diodo, por lo que representamos la
caracterstica directa de dicho diodo. Para
una misma familia de tiristores existe una
gran dispersin. Para no complicar
demasiado el proceso, se dibujan nicamente
las dos curvas extremas, puesto que todas
las dems quedan comprendidas entre
ambas.
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Analisis grfico del concepto de
disipacin mxima.

Para ello tomamos un tiristor tpico con los
valores nominales y las caractersticas de
puerta siguientes:

V
RGM max
= 5V
P
GAV max
= 0.5W
P
GM max
= 5W
V
GT
> 3.5V
I
GT
> 65mA
Tensin insuficiente para disparar ningn
elemento < 0.25V.
26/131

La curva de mxima disipacin de potencia
de pico representa el lugar geomtrico de V
e I, de manera que:

















Para el punto A, tenemos:
I V P
MAX
=
14W 7V 2A V I P
FG FG FG
= = =
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Valor superior a los dados por el
fabricante ( > 0.5W de potencia media; > 5W
de potencia de pico).














En la figura podemos ver tres puntos
tomados sobre la curva de mxima disipacin
de potencia que cumplen con todas las
especificaciones expuestas anteriormente en
los datos del dispositivo.

28/131

De la misma obtenemos la curva de potencia
media. Para nuestro caso consideramos un
valor de P
GAV mx
= 0.5W. Entre las curvas
P
GAV
= continua y P
GM
= de pico alterna se
encuentra una zona idnea para trabajar con
impulsos.

Ciclo de trabajo (o): Cociente entre la
potencia media y la potencia de pico:





Para nuestro caso:



De todo lo visto hasta ahora, deducimos que
las tensiones e intensidades vlidas para
producir el disparo deben estar comprendidas
en la zona rayada de la figura siguiente:
GM
G(AV)
P
P
= o
1 . 0
5
0.5
= = o
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Dentro de esta zona encontramos una parte
en la cual el disparo resulta inseguro Esta
corriente mnima disminuye al aumentar la
temperatura:

30/131

Caractersticas dinmicas:

Tensiones Transitorias

Son valores de tensin que van
superpuestos a la seal sinusoidal de la
fuente de alimentacin. Son de escasa
duracin, pero de amplitud considerable.

Ejemplo 1:

Si tenemos una fuente de alimentacin de
220V de tensin eficaz, con picos de
tensin de,
determinar las caractersticas mnimas de
disparo que debe reunir el tiristor.

Para disponer de un margen de seguridad del
50%, elegimos un tiristor que se dispare con
una tensin superior a 311V 1.5 = 470V.
Elegiramos un tiristor con un valor de V
DRM
>
470V y V
DSM
>>> V
DRM

311V 2 220 =
31/131

Impulsos de Corriente

El fabricante proporciona curvas que dan la
cantidad de ciclos durante los que se pueden
tolerar determinados valores de corriente de
pico. El comienzo de la curva representa el
valor de pico de una corriente senoidal, para
la cual el semiciclo tiene una duracin de 10
ms. Cuanto mayor sea el valor del impulso
de corriente, menor ser la cantidad de
ciclos durante los cuales podr admitirse
este valor.

32/131

La grfica siguiente muestra la corriente de
pico no repetitivo mximo admisible en
estado de conduccin, basada en
corrientes sinusoidales (f = 50Hz). Antes del
impulso: T
j
< 125 C.











Segn la grfica, el tiristor podra soportar
200A de pico durante 20ms una vez por
segundo; 150A tres veces por segundo, o
75A durante cincuenta ciclos por segundo.

La temperatura media en la unin debe
conservarse por debajo del mximo.
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Angulo de Conduccin

La corriente y la tensin media de un tiristor
variarn en funcin del instante en el que
se produzca el disparo, es decir, todo va a
depender del ngulo de conduccin. La
potencia entregada y la potencia consumida
por el dispositivo, tambin dependern de l:
cuanto mayor sea ste, mayor potencia
tendremos a la salida del tiristor










Cuanto mayor es el ngulo disparo, menor es
el de conduccin:
180 = ng conduccin + ng disparo
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Ejemplo 2:

El cto de la figura representa un control
simple de potencia con carga resistiva,
calcular:

1.- Tensin de pico en la carga.
2.- Corriente de pico en la carga.
3.- Tensin media en la carga.
4.- Corriente media en la carga.
5.- Realizar un estudio mediante PsPice,
obteniendo las formas de onda para un
ngulo de conduccin u = 60. Comprobar
que los apartados calculados en el
ejercicio, coinciden con las simulaciones.
Datos: V
e (RMS)
= 120V f = 50Hz o = 60
R
L
= 10O



35/131

1.-


2.-


3.-


4.-


5.-
169.7V 2 V V V
e(RMS) mx p(carga)
= = =
16.97V
10
169.7
R
V
I
L
p(carga)
p(carga)
= = =
( ) V 5 . 40 cos60 1
2
7 . 169
V
med
= +
|
.
|

\
|

=
t
( ) A 051 . 4 cos 1
2
I
I
mx
med
= +

= o
t
36/131

Caractersticas de conmutacin:

Los tiristores necesitan un tiempo para
pasar de bloqueo a conduccin y
viceversa. Para frecuencias inferiores a
400Hz podemos ignorar estos efectos. En la
mayoria de las aplicaciones se requiere una
conmutacin ms rpida, por lo que ste
tiempo debe tenerse en cuenta.

A.- Tiempo de Encendido (t
ON
)

El tiempo de encendido (paso de corte a
conduccin) t
ON
, lo dividimos en dos partes:

A1.- Tiempo de retardo. (t
d
)
A2.- Tiempo de subida. (t
r
)

A1.- TIEMPO DE RETARDO O PRECONDI-
CIONAMIENTO

Es el que trascurre desde que el flanco de
ataque de la corriente de puerta alcanza el
50% de su valor final, hasta que I
A
alcanza el
10% de su valor mximo para una carga
resistiva.
37/131

El tiempo de retardo depende de la
corriente de mando, de la tensin nodo -
ctodo y de la temperatura (t
d
disminuye
si estas magnitudes aumentan).

38/131
A2.- TIEMPO DE SUBIDA

Es el tiempo necesario para que I
A
pase del
10% al 90% de su valor mximo para una
carga resistiva. Podramos tambien
considerar el paso de la cada de tensin en
el tiristor del 90% al 10% de su valor inicial.

La amplitud de la seal de puerta y el
gradiente de la corriente de nodo, juegan
un papel importante en la duracin del t
r

que aumenta con los parmetros ante-
riores.

El tiempo de cebado (encendido), debe ser lo
suficientemente corto, como para no ofrecer
dificultades en aplicaciones de baja y de
mediana frecuencia.

En la figura siguiente podemos ver el tiempo
de retardo en funcin de la tensin de nodo
e intensidad de puerta:


39/131

Parmetros que influyen sobre t
d
:

Tiempo de subida.

Amplitud de la corriente de nodo.

Tensin de nodo

40/131

B.- Tiempo de Apagado (t
OFF
)
Es el tiempo de paso conduccin a corte























Conclusiones:
-Si en t
1
, descebamos el tiristor, la
corriente disminuye siguiendo la
pendiente dI/dt. La tensin en el tiristor
(que era V
A
) disminuye ligeramente.
41/131

-En t
2
, se invierte la corriente; si el
tiristor fuera perfecto, se bloqueara
instantaneamente. Entre t
2
y t
3
se
comporta como un cortocircuito, blo-
quendose bruscamente en t
3
.

-En este momento podemos ver como
se produce un salto de tensin.

-Para poder aplicar una nueva tensin
directa deberemos esperar hasta
llegar al punto que representa el
tiempo t
6
.

La extincin del tiristor se producir por
dos motivos: Por reduccin de la corriente
de nodo por debajo de la corriente de
mantenimiento y por anulacin de la
corriente de nodo.

Dividimos el tiempo de apagado en dos:

B1.- T de recuperacin inversa. (t
rr
).
B2.- T de recuperacin de puerta. (t
gr
).
42/131

B1.- TIEMPO DE RECUPERACION
INVERSA

Si la tensin aplicada al elemento cambia de
sentido y lo polariza inversamente, la
corriente directa se anula, alcanzndose un
valor dbil de corriente inversa, (i
r
). Las
cargas acumuladas en la conduccin del
tiristor se eliminan entonces parcialmente,
pudiendose as definir un tiempo t
rr
, de
recuperacin inversa (desde t
1
a t
3
)

B2.- TIEMPO DE RECUPERACIN DE
PUERTA

El resto de las cargas almacenadas se
recombinan por difusin. Cuando el nmero
de cargas es suficientemente bajo, la puerta
recupera su capacidad de gobierno: puede
entonces volver a aplicarse la tensin directa
sin riesgo de un nuevo cebado. Este tiempo
se denomina tiempo de recuperacin de
puerta y se simboliza como t
gr
.

43/131

La duracin total del proceso de bloqueo
ser:


Parmetros que influyen sobre t
off
:

Corriente en conduccin (I
T
).
Tensin inversa (V
R
).
Velocidad de cada de la corriente
de nodo dI/dt.
Pendiente de tensin dV
D
/dt.
Temperatura de la unin T
j
o del
contenedor T
c
.
Codiciones de puerta.
gr rr off
t t t + =
44/131

Caractersticas trmicas:

Dependiendo de las condiciones de trabajo
de un tiristor, ste disipa una cantidad de
energa que produce un aumento de la
temperatura en las uniones del semi-
conductor. Este aumento de la temperatura
provoca un aumento de la corriente de fugas,
que a su vez provoca un aumento de la
temperatura, creando un fenmeno de
acumulacin de calor que debe ser evitado.
Para ello se colocan disipadores de calor.
















6.- Mtodos de disparo:

Para que se produzca el cebado de un
tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar
polarizada en directo y la seal de mando
debe permanecer un tiempo suficiente-
mente largo como para permitir que el tiristor
alcance un valor de corriente de nodo mayor
que I
L
, corriente necesaria para permitir que
el SCR comience a conducir.

45/131
Para que, una vez disparado, se mantenga
en la zona de conduccin deber circular una
corriente mnima de valor I
H
, marcando el
paso del estado de conduccin al estado de
bloqueo directo.

Los distintos mtodos de disparo de los
tiristores son:

6.1.- Por puerta.
6.2.- Por mdulo de tensin. (V)
6.3.- Por gradiente de tensin (dV/dt)
6.4.- Disparo por radiacin.
6.5.- Disparo por temperatura.


El modo usado normalmente es el disparo
por puerta. Los disparos por mdulo y
gradiente de tensin son modos no
deseados, por lo que los evitaremos en la
medida de lo posible.
46/131
6.1.- Disparo por puerta

Es el proceso utilizado normalmente para
disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin
en la puerta de un impulso positivo de
intensidad, entre los terminales de puerta
y ctodo a la vez que mantenemos una
tensin positiva entre nodo y ctodo.

Una vez disparado el dispositivo,
perdemos el control del mismo por puerta. En
estas condiciones, si queremos bloquearlo,
debemos hacer que V
AK
< V
H
y que I
A
< I
H





47/131
Al disparar el elemento debemos tener
presente que el producto entre los valores de
corriente y tensin, entre puerta y ctodo,
deben estar dentro de la zona de disparo
seguro y no exceder los lmites de disipacin
de potencia de puerta.

El valor de la resistencia (R) vendr
determinado por la pendiente de la recta
tangente a la curva de mxima disipacin
de potencia de la curva caracterstica de
puerta del tiristor como podemos observar
en la figura.
48/131
El valor de R vendr determinado por:





Debemos tener en cuenta tambin que
existe un nivel mnimo por debajo del cual
el disparo resulta inseguro.

Ejemplo 3:

Dado un cto simple de control de potencia
que utiliza un tiristor como elemento de
control de una carga resistiva.

1.- Determinar el valor de Vcc, necesario
para producir el disparo del tiristor.
2.- Suponiendo que se abre el interruptor,
una vez disparado el tiristor, calcular el
valor mnimo de tensin (Ve) que provoca
el apagado del mismo.

Datos: V
E
= 300V; R = 500O; R
L
= 20O;
SCR: V
H
= 2V I
H
= 100mA V
G
= 0.75V
I
G
= 10mA
FG
FG
I
V
R =
49/131









1.-

2.-


Esta corriente debe ser menor que la
corriente de mantenimiento para que el
tiristor conmute a apagado, por lo que
deducimos que:





5.75V I R V V
G G cc
= + =
14.94A
R
V V
I
L
H e
L
=

=
4V V R I V
H L H e
= + <
50/131
6.2.- Disparo por mdulo de tensin

Este mtodo podemos desarrollarlo
basndonos en la estructura de un transistor:
si aumentamos la tensin colector - emisor,
alcanzamos un punto en el que la energa de
los portadores asociados a la corriente de
fugas es suficiente para producir nuevos
portadores en la unin de colector, que hacen
que se produzca el fenmeno de avalancha.



Esta forma de disparo no se emplea para
disparar al tiristor de manera inten-
cionada; sin embargo ocurre de forma for-
tuita provocada por sobretensiones anor-
males en los equipos electrnicos.


51/131
6.3.- Disparo por gradiente de tensin

Si a un tiristor se le aplica un escaln de
tensin positiva entre nodo y ctodo con
tiempo de subida muy corto, los portadores
sufren un desplazamiento para hacer frente a
la tensin exterior aplicada. La unin de
control queda vaca de portadores
mayoritarios; aparece una diferencia de
potencial elevada, que se opone a la tensin
exterior creando un campo elctrico que
acelera fuertemente a los portadores
minoritarios produciendo una corriente de
fugas.
52/131
Para aumentar la inmunidad del dispositivo
ante estas variaciones tan bruscas, algunos
fabricantes recurren a cortocircuitar
parcialmente la zona de control y la zona
de ctodo.

En tiristores de baja potencia es aconsejable
conectar entre puerta y ctodo una resis-
tencia por la que se derive parte de la
intensidad de fugas antes comentada.

6.4.- Disparo por radiacin

La accin de la radiacin electromagntica de
una determinada longitud de onda provoca la
elevacin de la corriente de fugas de la
pastilla por encima del valor crtico, obligando
al disparo del elemento.

Los tiristores fotosensibles (llamados LASCR
o Light Activated SCR) son de pequea
potencia y se utilizan como elementos de
control todo - nada.
53/131
6.5.- Disparo por temperatura

El disparo por temperatura est asociado al
aumento de pares electrn - hueco genera-
dos en las uniones del semiconductor. As, la
suma (o
1
+o
2
) tiende rpidamente a la unidad
al aumentar la temperatura. La tensin de
ruptura permanece constante hasta un cierto
valor de la temperatura y disminuye al
aumentar sta.

7.- Condiciones necesarias para el con-trol
de un SCR

Disparo

Polarizacin positiva nodo - ctodo.

La puerta debe recibir un pulso positivo
(respecto a la polarizacin que en ese
momento tengamos en el ctodo) durante
un tiempo suficiente como para que I
A
sea
mayor que la intensidad de enganche.


54/131
Corte

Anular la tensin que tenemos aplicada
entre nodo y ctodo.

Incrementar la resistencia de carga
hasta que la corriente de nodo sea
inferior a la corriente de mantenimiento
(I
H
), o forzar a que I
A
< I
H
.

8.- Limitaciones del tiristor

Las ms importantes son debidas a:

8.1.- Frecuencia de funcionamiento.
8.2.- Pendiente de tensin (dV/dt).
8.3.- Pendiente de intensidad (dI/dt).
8.4.- Temperatura.

8.1.- Frecuencia de funcionamiento

No podemos superar ciertos valores de
frecuencia, que vendrn impuestos por la
propia duracin del proceso de apertura y
cierre del dispositivo.
55/131
El hecho de trabajar a frecuencias altas,
imponen al tiristor restricciones de dI/dt;
podramos decir que el dispositivo "conserva
en la memoria" el calentamiento producido
por esta dI/dt. Esto es debido a la
imposibilidad para poder disipar el exceso de
calor producido en su interior.

Podemos afirmar que para valores muy
altos de dI/dt y con frecuencias crecientes,
se denota una fuerte disminucin de la
capacidad de conduccin del elemento.

8.2.- Limitaciones de la pendiente de ten-
sin (dV/dt)

Los picos transitorios de tensin que apare-
cen a travs de un semiconductor son gene-
ralmente de corta duracin, gran amplitud
y elevada velocidad de crecimiento.

Una velocidad excesiva del crecimiento de la
tensin aplicada entre nodo y ctodo
(dV/dt), amenaza con provocar el cebado
56/131
indeseado del tiristor, anteriormente
bloqueado, en ausencia de seal de puerta.
Este fenmeno se debe a la capacidad
interna del tiristor que se carga con una
corriente i = C(dV/dt) la cual, si dV/dt es
grande, puede ser suficiente para provocar el
cebado.

Causas:

a.-) Alimentacion principal.

b.-) Los contactores existentes entre la
fuente de alimentacin y el equipo.

c.-) La conmutacin de otros tiristores
cercanos.

Efectos:

Si se aplica una elevada dV/dt al dispositivo,
se puede producir el disparo indeseado del
mismo, sin aplicar una seal en la puerta.
Este lmite lo podemos observar en la figura:
57/131













Protecciones:

El diseo de las redes de proteccin
depender en una gran medida de los lmites
de los semiconductores, as como de los
fenmenos permanentes y transitorios a los
que estn sometidos.

Debemos adoptar soluciones de
compromiso, puesto que con la mejora de
la relacin dV/dt se tiende a producir un
aumento de la dificultad para producir el
cebado del dispositivo electrnico.
58/131
Uno de los mtodos para mejorar la relacin
dV/dt, es colocar una resistencia en paralelo
con la puerta del tiristor, pero por contra,
debemos tener en cuenta que este mtodo
produce una reduccin de la sensibilidad del
tiristor.

Otro mtodo es aplicar una polarizacin
negativa de puerta. Este mtodo desempea
el mismo papel que el mtodo anterior
aunque aumenta la inmunidad a los ruidos
del elemento, pero como anteriormente, se
plantea la disyuntiva de que es una tcnica
poco cmoda de llevar a cabo.
59/131
En ctos donde el valor de dV/dt sea superior
al valor dado por el fabricante, se pueden
utilizar ctos supresores de transitorios. Se
conectan en bornes de la alimentacion, en
paralelo con el semiconductor o en paralelo
con la carga.

Podemos clasificarlos en cinco grupos:

1.- Grupos RC o grupos L
2.- Supresores de Selenio
3.- Resistencias no lineales
4.- Descargadores de chispas
5.- Circuitos electrnicos de potencia

Una de las formas de lograr que del valor de
la dV/dt no sobrepase ciertos lmites, es
colocar una bobina en serie con el tiristor.

60/131
En el cto anterior se harn las siguientes
suposiciones:

El tiristor se sustituye por una
resistencia cuyo valor es el de la
resistencia en estado de bloqueo
directo R
AK
.
Se suprime R, porque se considera
despreciable frente a R
AK
.

El valor de la tensin es:





El valor mximo (t = 0) ser:




Conforme aumentamos el valor de la in-
ductancia, disminuimos el valor de
dV
AK
/dt.
|
|
.
|

\
|
=

L
R
t
AK
AK
e 1 V V
V
L
R
(mx)
dt
dV
AK AK
=
61/131
De manera prctica, sta solucin no es
viable debido a que las inductancias dise-
adas para estas aplicaciones con caras y
voluminosas.

Una solucin muy utilizada en la prctica es
conectar en paralelo con el tiristor un cto
RC (Red SNUBBER), para evitar variaciones
bruscas de tensin en los extremos del
semiconductor:








Puede presentarse un inconveniente: la ener-
ga disipada en la resistencia snubber sea
elevada si esta resistencia es muy pequea.
Debemos llegar a una solucin de compro-
miso que nos permita limitar el valor de dV/dt.

62/131
Estas redes RC, actan como integradores
absorbiendo la energa transitoria y
reduciendo al mismo tiempo el valor de dV/dt.

Los ctos ms utilizados son una combinacin
de los anteriores, es decir, formados por la
red RC en paralelo con el tiristor y una bobina
en serie con el elemento semiconductor. El
valor de los dispositivos que forman stas
redes ser calculado posteriormente, aunque
podemos tomar como valores aproximados
los siguientes:

-R
S
= 10O
-C
S
= 0.2F

Ejemplo 4:

El SCR del cto de la figura puede soportar
una dV
AK
/dt = 50V/s. La descarga inicial
del condensador sobre el SCR debe ser
limitada a 3A. En el momento en que se
cierra el interruptor S es conectada la
fuente de tensin V
S
al circuito.
63/131
Si en ese momento se aplica un impulso
apropiado a la puerta del elemento,
calcular:

1) Valor del condensador de la red de
proteccin.
2) Valor de la resistencia de proteccin.

Datos: dV/dt = 50V/s; R = 20O; I
mx
= 3A











1.- Cuando la fuente de tensin alcanza el
valor mximo (V
Smx
= 220\2 = 311V)
cerramos el interruptor S.
64/131
Suponiendo que en el instante inicial, el
condensador est descargado:



Como:



El valor de la cte de tiempo es 6.22s. El
tiempo para que se estabilice el valor de la
tensin en el SCR estar comprendido entre
15 y 20s, tiempo suficientemente corto para
que la fuente de tensin no cambie
apreciablemente los valores de pico.

2.- Si el SCR es disparado en el momento en
que tenemos la tensin mxima, con C
cargado a 311V, el valor necesario de la
resistencia para limitar la corriente a 3A ser:

5.55A 1
20
311V
R
V
(0) I
L
mx S
C
=
O
= =
F 311 . 0
s / V 50
15.55A
dt
dV
C I
C

= = = C
O = = = 100 103.6
3A
311V
R
65/131
MTODOS PARA EL CLCULO DE LOS
ELEMENTOS DE PROTECCIN:

A.- Mtodo de la constante de tiempo (ms
utilizado).
B.- Mtodo resonante.


A.- Mtodo de la constante de tiempo

Con ste mtodo tratamos de buscar el valor
mnimo de la constante de tiempo (t) de la
dV/dt del dispositivo. Para ello, nos basamos
en la figura:
66/131
De donde deducimos que:





siendo:
t = Constante de tiempo
V
DRM
= Tensin directa de pico
repetitivo.

En condiciones normales, tomaremos
V
DRM
= V
mx

El valor de los elementos que forman la red
RC (red Snubber) los determinamos a partir
de:




min
DRM
dt
dV
V 0.63
(

= t
L
R
C
t
=
( ) K I I
V
R
L TSM
Amx

=
67/131
donde:

V
Amx
= Tensin de nodo mxima.
I
L
= Intensidad en la carga.
K = F de seguridad. (0.4 ... 0.1)

cuando se produce la descarga
instantnea del condensador al inicio de la
conduccin.
La misin de la resistencia calculada es
proteger al SCR


Para el peor de los casos, si el valor de t
ON
es
igual a cero, el valor que debe tener la
resistencia viene dado por la ecuacin:

C
dt
dI
V
R
Amx
min

|
.
|

\
|
=
68/131
B.- Mtodo de la resonancia

Con este mtodo de clculo de los valores de
R, L y C, trataremos de lograr que el cto
entre en resonancia. La forma de onda
obtenida para dV/dt ser la representada en
la figura:









Para el clculo, el valor de dV/dt debe ser
relacionado con el valor de la frecuencia.
Esto lo conseguimos basndonos en la
ecuacin de la tensin senoidal:
( ) senwt V t V
P
=
69/131
Derivando y despejando la frecuencia:






El valor de dV/dt es el mximo valor en
estado de conduccin especificado por el
fabricante.

Basndonos en la ecuacin de definicin de
la frecuencia de resonancia, y una vez
conocido el valor de la frecuencia




podremos deducir que:

Amx
V 2
dt
dV
f

=
t
C L 2
1
f

=
t
( ) L f 2
1
C
2

=
t
C
L
R =
70/131
Mediante la utilizacin de ste mtodo,
podremos elegir el valor de la bobina que nos
interese (normalmente 50H), por lo que el
diseo de la red ser ms econmico que el
anterior.


8.3.- Limitaciones de la pendiente de
intensidad (dI/dt)

Una variacin rpida de la intensidad
puede dar lugar a una destruccin del
tiristor.

Inicialmente, el rea de conduccin estar
limitada al rea de la puerta, por lo que la
unin entera no conduce instantneamente.
Como el cristal no es totalmente homogneo
existen zonas donde la resistividad es ms
baja y por tanto la concentracin de
intensidad es mayor (puntos calientes). En
la figura se muestra el proceso de
conduccin en funcin del tiempo.
71/131







El descenso de la cada de tensin en el
tiristor durante el paso del estado de bloqueo
al de conduccin, no se efecta de forma
instantnea, por lo que habr momentos en
que se presenten simultneamente valores
elevados de corriente y de tensin.

Protecciones:

Para evitar la formacin de los puntos
calientes durante el proceso de disparo del
elemento se introduce una corriente por
puerta mayor de la necesaria sin
sobrepasar el valor mximo dado en las
hojas de caractersticas.
72/131
Otro procedimiento posible es aadir una
inductancia L para conseguir que la
pendiente de la intensidad (dI/dt) no
sobrepase el valor especificado en las
caractersticas del estado de
conmutacin.







Este es un cto de frenado, en el cual la
inductancia controla el efecto provocado por
la dI/dt.

El caso ms desfavorable se produce
cuando se aplica una tensin continua. Si el
tiristor entra en conduccin, I
A
se regir por la
expresin:

|
|
.
|

\
|
=

L
t R
A
e 1
R
V
I
73/131
Si derivamos la expresin anterior, para t = 0
obtenemos el valor mximo. Despejando
obtenemos el valor de L. El valor obtenido
debe ser menor al expresado en la hoja de
caractersticas.





Ejemplo 5:

En la figura anterior se representaba un
circuito de proteccin del SCR contra
dI/dt. Con los datos siguientes, calcular el
valor de la inductancia L, para limitar la
corriente de nodo a un valor de 5 A/s.

Datos: V
S
= 300V; R
L
= 5O

Solucin:




mx
A
dt
dI
V
L =
s
A
10 5
L
V
dt
dI
6
S A
= =
H 60 L =
74/131
Ejemplo 6:

Supongamos que el tiristor est colocado
segn la figura. Calcular aplicando el
mtodo de la cte de tiempo el cto de
proteccin contra dV/dt y dI/dt.

Datos: V
RMS
= 208V; I
L
= 58A; R = 5O;

SCR: V
DSM
= 500V; I
TSM
= 250A;dI/dt = 13.5
A/s; dV/dt = 50V/s





75/131
Para la resolucin del problema adoptaremos
un factor de seguridad K = 0.4. El valor
mximo de tensin ser:








El valor de C ser:

Calculando la resistencia, obtenemos:



Vamos a comprobar el valor anterior con el
valor correspondiente a R
min
:
294V 2 208 V
Amx
= =
s 3 . 6
dt
dV
V 0.63
min
DSM
t =
(

=
F 26 . 1
R
C
t
= =
( )
O =

= 83 . 3
K I I
V
R
L TSM
Amx
S
O =

|
.
|

\
|
= 15 . 4
C
dt
dI
V
R
Amx
min
76/131
Como el valor obtenido para R
S
es inferior a
la R
min
que se debe colocar, elegimos para
nuestro cto R = 4.15O.

El valor mnimo de la inductancia L para
dI/dt se calcula de la siguiente forma:






Ejercicio Propuesto 1:

Calcular, con los mismos datos del
ejemplo anterior, el circuito de proteccin
contra dV/dt y dI/dt. (Aplicar el mtodo de
la resonancia).

Realizar la simulacin del circuito
mediante PsPice representando las
formas de onda obtenidas.
H 7 . 21
dt
dI
V
L
Amx
= =
77/131
8.4.- Limitaciones de la temperatura

En los semiconductores de potencia, se
producen prdidas durante el
funcionamiento que se traducen en un
calentamiento del dispositivo.

Si los perodos de bloqueo y de conduccin
en un tiristor son repetitivos, la potencia
media disipada en un tiristor ser:




La potencia disipada en los tiristores
durante la conduccin, es >> que la
disipada durante el bloqueo y que la
potencia disipada en la unin puerta - ctodo.

Podemos decir que las prdidas con una
tensin de alimentacin dada y una carga
fija, aumentan con el ngulo de
conduccin (o).
puerta. de Potencia dt I V
T
1
P
T
0
A AK AV
+ =
}
78/131
Si la conduccin se inicia en t
1
y termina en
t
2
, la potencia media de perdidas ser:



Si representamos la V
AK
en funcin de la I
A
,
tendremos la siguiente relacin:

}
=
2
1
t
t
A AK AV
dt I V
T
1
P
R I V V
A 0 AK
+ =
79/131
V
0
y R son valores aproximadamente
constantes para una determinada familia de
tiristores y para una determinada temperatura
de la unin. En ste caso nos encontraremos
dentro de la zona directa de la curva
caracterstica.

Operando con las ecuaciones anteriores:



Esta ecuacin se encuentra representada
mediante curvas para distintas formas de
onda (sinusoidal, rectangular,...) y para
distintos ngulos de conduccin en la figura
siguiente.

La potencia que se disipa, depende del
valor medio de la corriente y del valor
eficaz depender del factor de forma:
( )
2
A(RMS) A(AV) 0 AV
I R I V P + =
A(AV)
A(RMS)
I
I
f a = =
80/131













Una vez elegido el tiristor y teniendo en
cuenta los parmetros ms importantes como
son la potencia total disipada y temperatura,
y calculada tambin la potencia media que
disipa el elemento en el caso ms
desfavorable, procederemos a calcular el
disipador o radiador ms apropiado para
poder evacuar el calor generado por el
elemento semiconductor al medio ambiente.
81/131
Ejemplo 7:

Un SCR (BTY 91) con R
jc
= 1.6C/W y con
R
cd
= 0.2C/W, alimenta a una carga
resistiva de 10O a partir de una seal
alterna de 220V
RMS
. Si la conduccin del
SCR es completa (o = 0). Calcular el
disipador para una temperatura ambiente
de 40C utilizando la grfica representada
en la figura.












82/131
En primer lugar vamos a calcular el ngulo de
conduccin (u):


El valor medio de la intensidad ser:




Si observamos la grfica, vemos como en la
parte izquierda aparece un cuadro con el que
se relaciona el ngulo de conduccin con el
factor de forma.
u = 180 f = 1.6
Para un valor de I
TAV
= 10A f = 1.6
corta en un valor de 16.7W. Sustituyendo en
las ecuaciones los valores dados para el
tiristor del circuito:
R
jc
= 16.7W; R
cd
= 0.2W;



180 0 - 180 disparo de ngulo 180 = = = u
( ) A 10 cos 1
R 2
2 220
I
TAV
= +

= o
t
( ) C/W 3.29 R R
P
T T
R
cd j c
AV
a j
d
= +

=
83/131
Elegimos un disipador con una resistencia
trmica menor de la calculada:



Este clculo lo podemos hacer grficamente.
En primer lugar seguiremos los mismos
pasos que anteriormente para calcular la
potencia media; a partir de aqu llevaremos
una horizontal hacia la derecha de la figura
hasta cortar con la vertical que se levanta
desde los 40C que en los datos se expres
como valor de la temperatura ambiente.
Estas dos rectas se cortan en un punto que
se corresponde con una R
ca
= 3.35C/W.
Despejando de la siguiente expresin
podremos calcular el valor de la R
d
:


Si trabajamos en rgimen transitorio, (p.e.
impulsos), es necesario el uso de la
impedancia trmica (Z
th
) para que el clculo
del disipador sea correcto.
C/W 3.29 R
d
s
C/W 3 C/W 3.15 0.2 3.35 R R R
cd ca d
~ = = =
84/131
9.- Extincin del tiristor. Tipos de con-
mutacin.

Entenderemos por extincin, el proceso
mediante el cual, obligaremos al tiristor que
estaba en conduccin a pasar a corte. En el
momento en que un tiristor empieza a
conducir, perdemos completamente el control
sobre el mismo.

El tiristor debe presentar en el tiempo ciertas
condiciones para pasar de nuevo a corte.
Este estado implica simultneamente dos
cosas:

1.- La corriente que circula por el
dispositivo debe quedar completamente
bloqueada.

2.- La aplicacin de una tensin positiva
entre nodo y ctodo no debe provocar
un disparo indeseado del tiristor.

85/131
Existen diversas formas de conmutar un
tiristor, sin embargo podemos agruparlos en
dos grandes grupos:



9.1.- Conmutacin Natural

-a.-) Libre
-b.-) Asistida

9.2.- Conmutacin Forzada

-a.-) Por contacto mecnico
-b.-) Por cto resonante
-Serie
-Paralelo

-c.-) Por carga de condensador
-d.-) Por tiristor auxiliar

86/131
9.1.- Conmutacin natural.

La conmutacin se produce bien de forma
espontnea debido a la propia alimentacin
principal o bien provocada automticamente
por la siguiente fase de la alimentacin.

a.-) Conmutacin libre

Se produce cuando la intensidad por el
tiristor se anula por si misma, debido al
comportamiento natural de la fuente de
tensin. Para poder comprender mejor este
tipo de conmutacin nos basaremos en el cto
de la figura:
87/131
Las formas de onda correspondientes al cto
de la figura anterior son las siguientes

















88/131
b.-) Conmutacin asistida

Se caracteriza por la aplicacin sobre el
tiristor de un voltaje negativo entre el nodo y
el ctodo. Este voltaje inverso aparece de
una forma natural debido a la secuencia
lgica de funcionamiento de la fuente
primaria, por ejemplo, en el caso del
rectificador trifsico.

9.2.- Conmutacin forzada.

Para provocar la conmutacin del tiristor,
ser necesario anular la corriente andica
durante un tiempo suficiente para que el
tiristor pueda pasar a corte. Este intervalo de
tiempo tiene una gran importancia, puesto
que si su duracin es inferior a un valor
determinado por t
off
(valor intrnseco al tiristor
utilizado) no tendr lugar la conmutacin del
dispositivo.
89/131
a.-) Conmutacin por contacto mecnico

Produce la extincin del semiconductor por
medio de un interruptor en paralelo con los
terminales de nodo y ctodo del tiristor.












Si en un instante determinado cerramos el
interruptor, el condensador queda conectado
en paralelo con el tiristor provocando dos
procesos diferentes en el circuito:



90/131
1.- La corriente que circula por el tiristor,
ser transferida temporalmente al
condensador, con lo que la corriente que
circula por el tiristor quedar reducida a
cero.

2.- La tensin que inicialmente tena el
condensador constituir una tensin
inversa para el tiristor que ir
disminuyendo conforme se descarga el
mismo.


91/131
Generalmente, se requiere que la carga y
descarga de C se produzca de forma
cclica. Por tanto, el tiempo de carga y
descarga afectar a la mxima frecuencia
de funcionamiento del cto.

La importancia de este mtodo depender en
gran medida del tamao y del voltaje de C,
as como del turn - off del tiristor. C se
descarga a un ritmo determinado por el valor
de la intensidad de carga, por lo que la carga
deber ser capaz de mantener inversamente
polarizado el tiristor, hasta transcurrido un
perodo de tiempo "t
off
".


Ejemplo 8:

Sea el circuito de la figura. Para un tiempo
de apagado del tiristor de t
off
= 15s,
determinar si se podr producir la
conmutacin ptima del mismo para el
valor de capacidad adoptado.

Datos: E = 100V; R
0
= 5O; C = 5F
92/131









Si despreciamos el valor de la corriente de
nodo (I
A
= 0) una vez producido el cierre del
interruptor, podremos dibujar el circuito
anterior de la forma:

93/131
Para este circuito se verifica que:





Si igualamos a cero el valor de la tensin en
el condensador para un tiempo t
q
, tendremos:







Sustituyendo los valores del enunciado del
problema en la ecuacin anterior, tendremos:



Como el valor del tiempo t
q
es mayor que
el valor de t
off
, el tiristor pasar a corte sin
ninguna dificultad.


|
|
.
|

\
|
+ =

C R
t
C R
t
C C
0 0
e 1 E e V V
|
|
.
|

\
|
+ =

C R
t
C R
t
0
q
0
q
e 1 E e E 0
C R 0.693 t
0 q
=
s 33 . 17 10 5 5 0.693 C R 0.693 t
-6
0 q
= = =
94/131
b.-) Conmutacin por cto resonante


95/131
Partimos de la premisa de que ambos
tiristores se encuentran en corte. Si se
dispara T
1
, se producir la descarga de C a
travs de C T
1
L. Cuando la corriente se
anule, C quedar cargado en sentido
contrario al inicial. La extincin de la corriente
circulante provocar el paso a corte de T
1
. La
energa almacenada en C ha sido transferida
temporalmente a la bobina, para luego ser
devuelta de nuevo al condensador. Esta
nueva carga en C se puede mantener ya que
no existe ninguna otra va de descarga (T
1
se
encuentra bloqueado).

Si a continuacin T
2
se dispara, se reptir
de forma similar lo expuesto con anterioridad.

Para que el cto entre en resonancia, se debe
verificar:
0
wC
1
Lw =
|
.
|

\
|

96/131
Por lo que la frecuencia de resonancia
ser:




Para hallar los valores de intensidad
circulante por el tiristor, as como la tensin
en extremos de C, se deber recurrir a la
siguiente ecuacin diferencial donde se han
despreciado la resistencia interna del cto, as
como las cadas de tensin adicionales
producidas en los tiristores. Tambin se ha
supuesto que inicialmente no circula ninguna
intensidad por la bobina.


Si v
C
(t = 0) = +V
C
, entonces:


LC 2
1
t
= f
}
= = + + 0 0) (t v idt
C
1
dt
di
L
C
senwt
L
C
V i(t)
C
+ =
97/131



V
C
representa la carga inicial de C. T
1
se
puede constituir como el tiristor principal,
mientras que T
2
puede ser el auxiliar, cuyo
principal objetivo ser el de apoyar la
conmutacin del tiristor principal. De esta
forma, permitir que C se cargue de nuevo a
su tensin inicial, estando de nuevo en
condiciones de provocar la conmutacin de
T
1
en el siguiente ciclo.

En los ctos de conmutacin forzada hay
que considerar que los condensadores
que participan en la conmutacin deben
ser cargados antes de que se recurra a
ellos para provocar el paso a corte del
tiristor. Una carga insuficiente resultar en
el fracaso del apagado del tiristor.

coswt V (t) v
C C
+ =
98/131
Ejemplo 9:

En el circuito de la figura anterior, T
1
entra
en conduccin en t = 0. Determinar:

a) T
ON
del tiristor T
1
.
b) Tensin existente en C para t = T
ON
.
c) Corriente de pico del cto.
d) Tensin en extremos de C si se supone
que en el tiristor se produce una caida de
tensin en conduccin de 0.8V.
e) Obtener con PsPice las formas de onda
de la intensidad circulante por el circuito,
as como la tensin en C y en L.

Datos: L = 100H. C = 10F. v
C
(0) = 100V.
I
L
(0) = 0A.

Solucin: T
ON
= 0.1ms; v
C
= -100V; I
MX
=
31.62A; v
C
= -98.4V


99/131
b.1.-) Conmutacin por circuito resonante
serie

La caracterstica fundamental es la de
permitir que tanto la tensin como la
intensidad que circula por estos dispositivos
adopte una evolucin oscilante a lo largo
del tiempo, es decir, la corriente que circula
cuando el tiristor se dispara excita al cto LC.
Transcurrido el primer semiciclo, la corriente
se invierte descebando de esta forma al
tiristor.
100/131
El modo de operacin del cto anterior es el
siguiente: Cuando el tiristor entre en
conduccin, la ecuacin que define el
comportamiento del cto ser:



Derivando con respecto al tiempo y
resolviendo:


donde:



Para el clculo de A
1
y A
2
consideraremos
que para t = 0; i = 0. Sustituyendo en la
ecuacin de la intensidad resulta que A
1
= 0.
Por tanto, esta ecuacin queda reducida a la
siguiente expresin:

}
= + + + = 0) (t V idt
C
1
dt
di
L i R E
C 0
( ) t senw A t cosw A e i
r 2 r 1
t
+ =
c
LC
1
w w w
2L
R
2 2
r
0
= = = c c
t senw e A i
r
t
2
c
=
101/131
Como ya se ha dicho, la intensidad verifica
una evolucin senoidal, de tal forma que a
su paso por cero se producir la
conmutacin del tiristor. Teniendo en cuenta
sto ltimo se puede calcular el tiempo de
conduccin del tiristor, T
ON
.



El tiempo de conduccin es un parmetro
fijo definido por los diferentes elementos
que configuran el cto. Por tanto, para
controlar la tensin de salida ser
necesario que el convertidor opere a
frecuencia variable.


Anlisis Matemtico:

Suponemos que para t = 0:


r
ON ON r
T
2
w
T T senw e A 0
ON
t
c
= =

0 0) (t i V 0) (t v
1 C C
= = = =
102/131
Las ecuaciones que definen al cto,
suponiendo que la carga es resistiva pura,
quedan de la siguiente manera:








Siendo:






Una vez que el tiristor pasa al estado de
bloqueo no ser posible volver a
dispararlo. Este hecho se debe a que una
vez que el tiristor pasa a corte, el
condensador no encuentra ningn camino
de descarga.


|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
+ + =

t senw
L w
V
L w
E
R w
E
t cosw
R
E
e
R
E
i
0
0
C
0 0 0
0
0
t
0
1
o
o
( ) ( )
|
|
.
|

\
|
+ + = =

t senw V E
w
t cosw V E e E
dt
di
L E v
0 C
0
0 C
t
1
0
o
o
2
0
2RC
1
LC
1
w
2RC
1
|
.
|

\
|
= = o
103/131
Vamos a realizar la simulacin del cto de la
figura para as poder observar lo
anteriormente comentado.









Formas de onda obtenidas:
104/131
Para poder subsanar los problemas
planteados anteriormente, haremos unas
pequeas modificaciones en el cto. Estas
modificaciones se pueden apreciar en la
figura:










Cuando el tiristor pase a corte el
condensador contina descargandose a
travs de la carga. Cuando la tensin en el
condensador sea menor que la tensin de la
fuente, aparece sobre el tiristor una tensin
directa, momento en el cual se encuentra en
condiciones de volver a ser disparado.
105/131
El tiempo de conduccin del tiristor viene
determinado en exclusiva por la duracin
de un semiperiodo del cto oscilante, no
pudiendo ser variado, puesto que ste
viene fijado por los parmetros
intrnsecos del cto.



106/131
b.2.-) Conmutacin por cto resonante
paralelo
Este proceso minimiza las pronunciadas
variaciones de intensidad observadas para
el cto de conmutacin resonante serie.









En el anlisis nos basaremos en las formas
de onda de la figura siguiente, adems de
tener presente las siguientes considera-
ciones:
- C se encuentra cargado inicialmente a
una tensin igual a la de la batera E.

- La intensidad que circula inicialmente
por el tiristor es nula.
107/131
108/131
Aplicamos un impulso, provocando que el
tiristor entre en conduccin. La intensidad de
carga presenta un valor de E/R
o.
C
(inicialmente cargado con un valor de tensin
E) empieza a descargarse a travs del cto LC
y de T. Entre t
o
y t
1
, la intensidad de C se
sumar a la de la carga que ser la
intensidad que circula por el tiristor. A partir
de t
1
, el valor de la intensidad de descarga de
C se hace positiva: la intensidad por el tiristor
ser la diferencia entre la intensidad de C y la
intensidad por la carga.

En el instante en que la intensidad de C se
iguala a la de la carga (t = t
2
), se produce el
corte. C se encontrar cargado con una
tensin inferior a -E.

109/131
Al estar ahora la carga conectada al cto LC,
la intensidad en la misma empezar a decaer
exponencialmente hasta anularse por
completo. En este momento, C empezar a
cargarse de nuevo hasta el valor de tensin
de la batera, quedando el cto en condiciones
de comenzar un nuevo ciclo.


Este cto presenta el mismo inconveniente
que el de conmutacin resonante serie, es
decir, el tiempo de conduccin T
ON
sigue
siendo fijo y depende de manera exclusiva
de los parmetros del cto. De nuevo, la
nica forma de controlar la tensin de
salida es variando el instante de disparo.
Otro inconveniente que podemos atribuir
al cto ser la considerable intensidad que
circula por el tiristor. Este valor es
superior al valor de intensidad que circula
a travs de la carga.
110/131
Es importante para el perfecto funciona-
miento del cto que las cargas y descargas
de C se lleven a efecto sin
complicaciones.

Cuando el tiristor pase a corte, C deber
cargarse a la tensin de la bateria antes de
que se produzca el siguiente disparo. Para
conseguir sto, hay que tener en cuenta que
una vez que se provoca la conmutacin del
tiristor, la intensidad circulante por E, C, R
0
,
y L puede ser a) subamortiguada, b) con
amortiguamiento crtico, c)
sobreamortiguada. A nosotros nos interesa
que sta decaiga con la mxima celeridad
posible, por lo que elegiremos el tercer caso.
El condensador se cargar, en un tiempo
mnimo, a una tensin E.

Para que el cto sea sobreamortiguado
deber verificarse:
C
L
2 R
0
>>
111/131
Las formas de onda vistas con anterioridad
se referan al caso particular en el que el cto
era criticamente amortiguado, o lo que es
lo mismo:




Si R
0
aumenta de forma apreciada, entonces
la carga del condensador C ser
considerablemente lenta, lo cual afectar al
intervalo T-T
ON
mnimo del convertidor, y en
definitiva a la frecuencia mxima de
operacin del mismo. Por otro lado si R
0

disminuye en demasa se puede dar el caso
de que la intensidad en la carga sea, durante
todo el tiempo de conduccin, superior a la
intensidad oscilante proveniente de la
descarga de C, evitndose por tanto que sta
pueda igualar a la intensidad de carga y que
la conmutacin del tiristor se lleve a cabo.

En el funcionamiento del cto cabe destacar
dos estados claramente diferenciados.
C
L
2 R
0
=
112/131
a) T
1
en conduccin

En t = t
0
el tiristor pasa a conducir, con lo que,
aparte de la malla de carga, se tiene otra
malla conformada por C-L-T. La ecuacin que
define a la misma, despre-ciando la cada de
tensin en el tiristor es la siguiente:




La solucin de la ecuacin anterior es:







donde







0
LC
1
dt
d
2
2
i
C
= +
senwt
L
C
E senwt
C
L
E
i
C
= =
LC
1
w =
113/131
Para que se produzca la conmutacin:




La solucin de esta expresin tiene como
resultado T
ON
= t
2








En la forma de onda de la intensidad por el
tiristor se puede apreciar:

a) I
0
= intensidad media por la carga.
b) El intervalo t
0
-t
1
constituye un semiciclo
resonante.
c) A partir de t
1
, la intensidad en C se
opone a la de la carga.
d) en t = t
2
la intensidad por el tiristor se
anula pasando ste a corte.
senwt
L
C
E
R
E
i I 0 i i
C 0 1 T
+ = = = =
|
|
|
|
.
|

\
|
+ =
0
ON
R
C
L
arcsen LC T t
114/131
b) T
1
bloqueado

La malla a considerar ahora est configurada
por E, C, L y R
0
la cual tiene como ecuacin:





La solucin de la ecuacin anterior,
considerando el cto sobreamortiguado es:







Si esta exponencial decrece rapidamente,
R
0
/2L >> 1/(LC)
1/2
, C se cargar, en un corto
intervalo de tiempo, a la tensin nominal de la
fuente, con lo que estar en condiciones de
comenzar un nuevo ciclo.
0
LC
i
dt
di
L
R
dt
d
0 0 0
2
2
i
0
= + +
|
|
.
|

\
|
+ =

LC
1
4L
R
t
LC
1
4L
R
t
L
t R
0
2
2
0
2
2
0
0
Be Ae e i
115/131
Ejercicio Propuesto 2:

Realizar la simulacin del cto de la figura y
obtener las formas de onda corres-
pondientes a la tensin en extremos del
tiristor y del condensador, as como las
intensidades por el tiristor, por la carga y
por el condensador.


116/131
c.-) Conmutacin por carga de conden-
sador
La extincin del tiristor se consigue con el
circuito de la figura:












En el cto anterior podemos distinguir 2
partes: cto de potencia constituido por la
fuente E, el tiristor T
1
y la carga R
O
(resistiva
pura); y el cto auxiliar de bloqueo formado
por R, C y un tiristor auxiliar T
2
.

El cto puede se comparado con un biestable
asimtrico de potencia, en el que los
tiristores conducen de forma alternada.
117/131
La ventaja de este cto: T
ON
no est sujeto
a los parmetros intrnsecos del sistema;
solo depender del instante en el que se
produzca el disparo del segundo tiristor.

Inconveniente: La presencia de R, en la
que se provoca una disipacin de
potencia y por tanto prdidas.

A) T
1
en conduccin y T
2
al corte (0 < t <
T
ON
)
Suponemos que para t = 0 no conduce
ninguno de los tiristores, en este momento se
dispara el tiristor T
1
establecindose en la
malla principal formada por la fuente E, el
tiristor T
1
y la resistencia R
O
, una corriente
de valor:




C se cargar a travs de R hasta un valor de
tensin (E) dado por la fuente de la entrada.
L
o
R
E
I =
118/131
Para que el cto funcione correctamente, C
debe alcanzar el 100% del valor de carga:


El cto equivalente ser:










La intensidad por R verificar:



La tensin en C se puede expresar como:


ON
T C R <<<
ON
RC
t
R
T t 0 e
R
2E
i < < =

|
|
.
|

\
|
= =

RC
t
R C
2e 1 E Ri E v
119/131
120/131
B) T
1
en corte y T
2
en conduccin (T
ON
< t <
T)
Un instante posterior a T
ON
, se dispara T
2
.
Como consecuencia de la carga alcanzada
anteriormente por C, T
1
conmuta. En este
momento es la resistencia R la que estar
conectada a la batera, mientras que a travs
de R
o
se produce la nueva carga de C hasta
un valor de -E.

El cto equivalente para esta etapa de
funcionamiento ser:
121/131

Los valores respectivos de la intensidad en la
carga, as como la tensin en el condensador
son los siguientes:









Para que durante este intervalo, T
ON
< t < T,
C disponga del tiempo necesario para la
carga hasta v
C
= -E, se deber verificar:




Para conseguir una perfecta conmutacin de
T
1
, el intervalo de tiempo t
q
debe superar al
tiempo t
off
, de lo contrario se provocara un
autocebado, permaneciendo en conduccin.
C R
t
0
0
0
e
R
2E
i

=
|
|
.
|

\
|
=

C R
t
C
0
2e 1 E v
ON 0
T - T CR <<
122/131

Vamos a calcular el valor de t
q
ya que el
conocimiento de este parmetro reviste de
una gran importancia en la eleccin del
tiristor apropiado.

La tensin nodo - ctodo de T
1
ser:





Para t = t
q
la tensin v
T1
= 0. Podemos
calcular t
q
a partir de la expresin anterior:



Como R
0
= E/I
0
, siendo I
0
la corriente media
de carga, tendremos que:
|
|
.
|

\
|
= =

C R
t
C T1
0
2e 1 E v v
C 0.69R Cln2 R t
0 0 q
= =
0
q
I
E
C 0.69 t =
123/131

Para que t
q
> t
off
deber colocarse un
condensador de conmutacin que verifique:




En la eleccin de C deber tenerse en cuenta
la mxima corriente de carga.

Al cumplirse el periodo del cto de conmu-
tacin para t = T, dispararemos de nuevo a
T
1
, mientras que T
2
conmutar debido a la
tensin inversa de C, inicindose un nuevo
ciclo igual al anteriormente descrito.


Ejercicio Propuesto 3:

Realizar la simulacin del cto de conmu-
tacin por carga de C mediante PsPice y
comprobar el funcionamiento anterior-
mente comentado.
E
I
1.45t
0.69E
I t
C
0
off
0 off
= >
124/131
Obtener las formas de onda de la inten-
sidad en la puerta de cada uno de los
tiristores, as como la intensidad directa y
la tensin entre A K. Obtener de igual
modo la tensin en extremos de C, la
intensidad por C, por R
0
, por R y la
intensidad I
E
. Determinar el tiempo para el
que la tensin del tiristor es negativa (t
q
).
Estudiar el comportamiento para distintos
valores de R (1O, 5O y 10O)


d.-) Conmutacin por cto L - C en paralelo
y tiristor auxiliar

En los mtodos de conmutacin resonan-
te anteriores, tenemos el inconveniente,
de que una vez fijados los valores de los
componen-tes del cto, no podemos
modificar el tiempo de conduccin, T
ON
.

Con el cto representado en la figura siguiente
podemos obtener las siguientes mejoras:


125/131
Tiempo de conduccin variable.

El valor de la carga de C durante el
tiempo de conduccin es independiente
de la intensidad en la carga.

Al no incluir la resistencia auxiliar R, se
eliminan las prdidas que se producan en
ella.











T
2
es disparado en primer lugar para as
asegurar que en el tiempo precedente al
instante de tiempo t = 0, C se cargue hasta
un valor de tensin +E.
126/131
A partir de este instante (t = 0) producimos el
disparo de T
1
. Al dispararse, circular por la
carga una corriente de valor I
O
= E/R
O
. C se
descarga a travs del cto resonante formado
por C, T
1
, L y D, con una intensidad que
crece sinusoidalmente desde un valor cero
hasta que alcanza un valor de pico (I
P
) en el
tiempo t
1
.




La descarga de C se mantendr hasta el
momento en que i
C
haga su primer paso por
cero, (t
2
), ya que D impedir la circulacin de
corriente negativa. Como la tensin en C
estar retrasada con respecto a la intensidad,
cuando esta se anula, la tensin en el mismo
ser negativa, quedando a -E. Al mismo
tiempo, desde su cebado, T
1
permite la
aplicacin de la tensin de la fuente (E) sobre
la carga, por lo que la corriente que atraviesa
el tiristor en el instante t
1
tendr el valor:
L
C
E I
P
=
P 0 T1(mx)
I I I + =
127/131
Un instante despues a t
2
, la corriente por T
1
=
la corriente por la carga, mientras que T
2
se
encuentra directamente polarizado
esperando la aplicacin de un pulso en la
puerta.

Para t
3
= T
ON
, disparamos T
2
con lo que C
quedar conectado entre los terminales de
nodo y ctodo de T
1
. Al estar C cargado
negativamente, la polaridad de la tensin
existente entre estos dos terminales se
invertir, pasando el tiristor a bloqueo. El
disparo de T
2
provoca adems que el valor
de la tensin en la carga aumente
bruscamente hasta alcanzar un valor 2E. A
partir de este instante, C se descarga
volviendo a cargarse de nuevo hasta
alcanzar el valor de la tensin de la fuente E,
segn una cte de tiempo dada por R
O
C, y a
travs de la red formada por E, C, T
2
y R
O
.
De esta forma C quedar cargado
positivamente y listo para el siguiente ciclo de
conduccin y bloqueo.
128/131
Para el instante t
4
, T
2
quedar bloqueado,
puesto que la intensidad a travs de l
quedar reducida a un nivel inferior a la de
mantenimiento, anulndose de esta forma la
tensin en la carga.

El tiempo t
q
debe superar el valor de t
off
,
para forzar la conmutacin. El clculo de C
se realizar aplicando:





Ejercicio Propuesto 4:

Realizar la simulacin del cto de conmu-
tacin por cto L C y tiristor auxiliar y
comprobar el funcionamiento comentado.
Obtener las formas de onda de la
intensidad en la puerta de cada uno de los
tiristores, as como la intensidad directa y
la tensin entre A K. Obtener la tensin
en extremos de C, la intensidad por C, por
R
0
as como la tensin en la carga.
E 0.69
I t
C
0 off

>
129/131
Las formas de onda correspondientes al
anlisis anterior son:
130/131
AGUILAR PEA, DOMENECH MARTNEZ, A.;
GARRIDO SNCHEZ, J.: Simulacin
Electrnica con PSPICE. Ed. RA-MA. Madrid,
1995.

AGUILAR PEA, J.D.: Tiristores:
Fundamentos y Elementos de Disparo.
Universidad de Jan. Servicio de Publicaciones
e Intercambio Cientfico. 1994

FISHER, M.J.: Power Electronics. Ed. Pws-
Kent Publishing Company. Boston, 1991.
131/131
HONORAT, R. V.: Dispositivos Electrnicos de
Potencia: Tiristores, Triacs y GTO. Ed.
Paraninfo. 1995.

LANDER, C.: Power Electronics .Ed. Mc Graw
Hill.

LILEN, HENRY.: Tiristores y Triacs. Ed.
Marcombo S.A. 1976.

MOHAN, N.: Power Electronics. Ed. Jhon
Wiley & Sons, INC. 2 Edicin. 1995.

RAMSHAW, R. S.: Power Electronics
Semiconductor Switches. Ed. Champam & Hall.

RASHID, M. H.: Power Electronics. Circuits,
Devices and Applications. Ed. Prentice Hall
International Editions. 1993.


fin