Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.

Tema VII.
Dispositivos semiconductores de potencia.
Interruptores.
Leccin 19
19.1 Construccin y encapsulado
19.2 Funcionamiento en bloqueo
19.2.1 Bloqueo directo
19.2.2 Bloqueo inverso
19.2.3 Caractersticas elctricas y prdidas
19.3 Funcionamiento en conduccin
19.3.1 Circuito equivalente y caractersticas elctricas
19.3.2 Clculo de prdidas
El rectificador controlado de silicio.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.4 Disparo del tiristor
19.4.1 Por tensin excesiva
19.4.2 Por derivada de tensin
19.4.3 Por radiacin electromagntica
19.4.4 Por impulso de puerta. Caractersticas de puerta
y tiempos de disparo
19.4.5 Circuitos de disparo. Dispositivos, transformadores
de impulsos y optoacopladores
19.5 Bloqueo del tiristor
19.5.1 Formas de bloqueo: Esttico y dinmico
19.5.2 Mtodos de bloqueo: Por fuente inversa de tensin
y por fuente inversa de corriente

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.6 Otros tiristores
19.6.1 Tiristor bidireccional (TRIAC)
19.6.2 Tiristor de apagado por puerta (GTO)
19.6.3 Fototiristor
19.6.4 Tiristor controlado por estructura MOS (MCT)
19.7 Uso de los datos de catlogo de fabricantes
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.1 Construccin y encapsulado.
CARACTERSTICAS GENERALES:
-Estructura de cuatro capas (PNPN) con dos
estados estables (conduccin y bloqueo).
ESTRUCTURA:
p2
n2
n1
p1
G
K
A
J3
J2
J1
I
A
p2
n2
p1
n1
K
A
G
J1: Unin andica.
J2: Unin de control.
J3: Unin catdica.
(Ctodo)
(Puerta)
K
G
A
(nodo)
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.1 Construccin y encapsulado.
TCNICAS DE CONSTRUCCIN: - Difusin.
- Crecimiento epitaxial.
DIFUSIN
Capa de bloqueo
P
N
0
Capa andica
P1 N1
N
(substrato tipo N)
DIFUSIN
P2
N2
A
K
G
Capa
Catdica
Capa de
control
P1
P2 N1
u
n
i

n

a
n

d
i
c
a
u
n
i

n

d
e

c
o
n
t
r
o
l
u
n
i

n

c
a
t

d
i
c
a
N2
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.1 Construccin y encapsulado.
ENCAPSULADOS
Cobre
Tugsteno
Au - Sb
Pastilla
Cpsula
metlica
Aluminio
Tugsteno
Cobre
Ctodo
nodo
Puerta
Cierre
aislante
DO 208 AC
- Aislamiento
- Conexin Elctrica
- Disipacin trmica
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.1 Construccin y encapsulado.
500 V
24A
1300 V
1800A
500 V
100A
TO 200 AF
B 20
TO 209 AD
B 7
TO 208 AC
B 2
ENCAPSULADOS
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.2 Funcionamiento en bloqueo.
Bloqueo directo:
A
K
G
V
AK
i
G
=0A
i
A
CARGA
A
K
G
V
AK
i
G
=0A
i
A
CARGA
A
K
G
CARGA
P1
N1
P2
N2
La unin de control est
polarizada inversamente.

Corriente de fugas directa.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.2 Funcionamiento en bloqueo.
Bloqueo inverso:
A
K
G
V
AK
i
G
=0A
i
A
CARGA
A
K
G
V
AK
i
A
CARGA
i
G
=0A
A
K
G
CARGA
P1
N1
P2
N2
La unin andica est
polarizada inversamente.

Corriente de fugas inversa.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.2 Funcionamiento en bloqueo.
Caractersticas elctricas en bloqueo.
V
AK
V
BR
V
RSM
V
RRM
V
RWM
V
DWM
V
DRM
V
DSM
V
BO
i
A
(en conduccin)
(en bloqueo inverso)
(en bloqueo directo)
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.2 Funcionamiento en bloqueo.
Caractersticas elctricas en bloqueo inverso.
Parmetros:
Tensin de trabajo inversa(V
RWM
):
Mxima tensin inversa que puede ser soportada de forma
continuada sin peligro de calentamiento por avalancha.

Tensin de pico repetitivo inversa(V
RRM
):
Mxima tensin inversa que puede ser soportada en picos de
1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensin de pico nico inversa(V
RSM
):
Mxima tensin inversa que puede ser soportada por una sola
vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.

Tensin de ruptura inversa (V
BR
):
Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede
destruirse o al menos degradar sus caractersticas elctricas.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.2 Funcionamiento en bloqueo.
Tensin de trabajo directa(V
DWM
):
Mxima tensin directa que puede ser soportada de forma
continuada sin peligro de calentamiento por avalancha.

Tensin de pico repetitivo directa(V
DRM
):
Mxima tensin directa que puede ser soportada en picos de
1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensin de pico nico directa(V
DSM
):
Mxima tensin directa que puede ser soportada por una sola
vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.

Tensin de ruptura directa (V
DO
):
Si es alcanzada, el diodo entra en conduccin sin daarse.

Caractersticas elctricas en bloqueo directo.
Parmetros:
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.2 Funcionamiento en bloqueo.
Clculo de prdidas:
Son muy pequeas en comparacin a las
producidas en conduccin.
El fabricante proporciona el valor mximo de la
corriente de fugas (I
fugasmax
).
Es suficiente con acotar las mximas prdidas
producidas en bloqueo, tomando I
fugasmax
.
dt (t) v
T
1
I dt (t) i (t) v
T
1
P
T
0
AK fugasmax
T
0
A AK dis
s =
} }
AKm fugasmax dis
V I P s
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.3 Funcionamiento en conduccin.
Circuito equivalente:
A
K
G
V
AK
i
G
i
A
CARGA
A
K
G V
AK
i
A
CARGA
V
T(TO)
r
T
A
K
G
CARGA
P1
N1
N2
P2
+
-
-
+
-
+
-
Parte del aporte de electrones
realizado por la corriente de
puerta llegan a la zona N1, se
aceleran y crean pares e-hueco.
Estos nuevos huecos son
atrados por el ctodo.
Mantenindose el proceso.
(V
T(TO)
~1,3V).
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.3 Funcionamiento en conduccin.
Caractersticas elctricas:
Intensidad media nominal (I
TAV
):
Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos
senoidales de 180 que el tiristor puede soportar con la
cpsula mantenida a determinada temperatura (85 C
normalmente).

Intensidad de pico repetitivo (I
TRM
):
Intensidad mxima que puede ser soportada cada 20 ms
por tiempo indefinido, con duracin de pico de 1ms a
determinada temperatura de la cpsula.

Intensidad de pico nico (I
TSM
):
Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez
cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.3 Funcionamiento en conduccin.
Caractersticas elctricas:
Corriente de mantenimiento(I
H
):
Es la corriente mnima de nodo que se requiere para que el
tiristor siga mantenindose en conduccin.

Corriente de enclavamiento(I
L
):
Es la corriente de nodo mnima que se requiere para que el
tiristor siga mantenindose en conduccin inmediatamente
despus de que el dispositivo haya entrado en conduccin y
la seal de puerta haya desaparecido (pulso en la puerta de 10
s).


Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.3 Funcionamiento en conduccin.
Caractersticas elctricas:
I
T
V
T
I
L
I
H
V
H
V
BO
i
A
V
AK
V
BR
i
G
> 0
i
G
= 0
Corr. de mantenimiento
Corr. de enclavamiento
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
Clculo de prdidas:
P
dis
= V
T(TO)
I
Tm
+r
T
(I
Tef
)
2


V
T(TO)
: Tensin umbral.
I
Tm
: Corriente media.
r
T
: Resistencia dinmica.
I
Tef
: Corriente eficaz.
i
T
i
T
V
T(TO)
r
T
v
T
}
=
T
0
T T dis
dt (t) (t)
T
1
P i v
19.3 Funcionamiento en conduccin.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.4 Disparo del tiristor.
Disparos
no-deseados
Disparo
deseado
-Por exceso de tensin.
-Por derivada de tensin.
-Por impulso de puerta.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.4 Disparo del tiristor.
Por exceso de tensin:
A
K
G
CARGA
P1
N1
P2
N2
Si la tensin soportada por la unin de control se acerca al valor
de ruptura en sentido directo, la corriente de minoritarios
aumenta considerablemente (proceso de avalancha). Si la
corriente de fugas se eleva por encima del valor de
mantenimiento el dispositivo es capaz de mantener el estado de
conduccin.
Unin
de control
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.4 Disparo del tiristor.
Por derivada de tensin:
A
K
G
CARGA
P1
N1
P2
N2
A
K
G
CARGA
P1
N1
P2
N2
Si se produce un cambio brusco de polarizacin inversa a
directa, no hay tiempo para la organizacin de cargas. La
tensin soportada por la unin control ser elevada, acelerando
los portadores minoritarios. Si la corriente de minoritarios se
eleva por encima del valor de mantenimiento, el dispositivo es
capaz de mantener el estado de conduccin.
Dato del fabricante: (du/dt)
max

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.4 Disparo del tiristor.
Por radiacin electromagntica:
La accin combinada de tensin directa, temperatura y radiacin
electromagntica de longitud de onda apropiada puede
incrementar la corriente de minoritarios. Si la corriente de fugas
se eleva por encima del valor de mantenimiento, el dispositivo es
capaz de mantener el estado de conduccin.
A
K
G
CARGA
P1
N1
P2
N2
I
fugas

o
(poco poder
energtico)
(poco poder
de penetracin)
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.4 Disparo del tiristor.
Por impulso de puerta:
Los huecos inyectados por la puerta producen la inyeccin de una nube
de electrones desde el ctodo. Algunos electrones son captados y son
acelerados hacia la unin de bloqueo, generando pares e-hueco. Estos
huecos generados se dirigen hacia el ctodo introduciendo ms
electrones. Si la corriente generada se eleva por encima del valor de
enclavamiento, el dispositivo es capaz de mantener el estado de
conduccin aunque desaparezca la corriente de puerta.
A
K
G
CARGA
P1
N1
N2
P2
+
-
-
+
-
+
-
MANTENIMIENTO DE LA
CORRIENTE TRAS EL DISPARO
Corriente mn.
de puerta
Tiempo min.
de disparo
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.4 Disparo del tiristor.
Tiempos de disparo. Circuito resistivo
A
K
G
V
AK
i
G
i
T
R
V
B
t
r
t
s
t
d
10%
90%
100%
V
B
i
G
V
AK
i
T
t
r
: Tiempo de retardo a la excitacin.
t
s
: Tiempo de subida.
t
d
: Tiempo de disparo (0,5...3s)
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.4 Disparo del tiristor.
Tiempos de disparo. Circuito inductivo
A
K
G
V
AK
i
G
i
T
R
V
B
L
t
min
: Tiempo mnimo de disparo.
(tiempo que I
T
tarda en alcanzar el
valor de enclavamiento, I
L
)
t
min
V
B
i
G
V
AK
i
T
I
L
|
|
.
|

\
|
=
t
t
-
B
T
e 1
R
V
I
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.4 Disparo del tiristor.
Caractersticas de puerta
V
GK
i
G
I
Gmx
I
GmnCD
I
GmxSD
V
GKmx
V
GKmnCD
V
GKmxSD
(
r
e
c
t
a

d
e

c
a
r
g
a
)
P
m

x
caract. lmite
caract. lmite
caract. real
DISPARO
SEGURO
DISPARO
INCIERTO
DISPARO
IMPOSIBLE
Q
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.4 Disparo del tiristor.
Caractersticas de puerta

V
GKmxSD
: Mxima tensin puerta-ctodo sin disparo de ningn
tiristor a determinada temperatura.

V
GKmnCD
: Mnima tensin puerta-ctodo con disparo de todos
los tiristores a determinada temperatura.

I
GmxSD
: Mxima corriente de puerta sin disparo de ningn
tiristor a determinada temperatura.

I
GmnCD
: Mnima corriente de puerta con disparo de todos los
tiristores a determinada temperatura.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.4 Disparo del tiristor.
Circuitos de disparo
TIPOS DE ACOPLAMIENTO: - DIRECTO.
- MAGNTICO.
- PTICO.
Acoplamiento directo:
CIRCUITO
DE
CONTROL
+V
CC
Ctodo
referido
a masa
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.4 Disparo del tiristor.
Acoplamiento magntico:
CIRCUITO
DE
CONTROL
+V
CC
DIODO DE LIBRE
CIRCULACIN
Ctodo
NO referido
a masa
i
mag
(ideal)
D
z1
D
z2
L
mag
La desmagnetizacin del
ncleo es muy lenta
utilizando un diodo.
Utilizando un diodo zener
es mucho ms rpida.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.4 Disparo del tiristor.
Acoplamiento ptico:
Optoacopladores
Fibra ptica
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.4 Disparo del tiristor.
Acoplamiento ptico
(+V
CC
)
Ctodo
NO referido
a masa
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Bloqueo del tiristor.
Formas de bloqueo: - Bloqueo esttico.
- Bloqueo dinmico.
Bloqueo esttico
CIRCUITO
i
T
V
AK
i
T
I
H
V
AK
(1)
(2)
(3)
i
T
V
AK
t
t
I
H
Evolucin suave
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Bloqueo del tiristor.
Bloqueo dinmico
CIRCUITO
i
T
V
AK
i
T
V
AK
(1)
(2)
i
T
V
AK
t
t
t
a
Evolucin brusca
t
a
: tiempo de apagado.

(Tiempo mnimo que debe transcurrir
desde que se anula la corriente para
que una nueva polarizacin directa no
lo meta en conduccin.)

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Bloqueo del tiristor.
Bloqueo forzado por fuente inversa de tensin (FIT)
i
T
V
AK
i
S
L
V
TH
R
TH
V
C
+
-
i
C
CIRCUITO
DE BLOQUEO
V
AK
i
T
t
t V
C
t
i
C
t
I
I
V
TH
t
b
V
i
Un circuito externo (no
mostrado) mantiene cargado
un condensador con una
tensin inversa V
i
.
t
b
> t
a
i
b
V
t I
1,47 C

=
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Bloqueo del tiristor.
Bloqueo forzado por fuente inversa de corriente (FII)
i
T
V
AK
L
I
TH
R
TH
V
C
i
C
CIRCUITO
DE BLOQUEO
i
D
i
T
V
AK
t
t V
C
t
i
C
t
I
V
i
I
p
i
D
t
B
I
TH
= i
A
i
D
+ i
C
t
b
> t
a
i
b
U
t I
0,893 C

=
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Otros tiristores.
Tiristor bidireccional (TRIAC)
T1 T2
G
n1
n2 n3
n4 n4
T2
T1
G
P1
P2
V
BO
-V
BO
V
T1T2
i
T
I
III
I
L
I
H
Smbolo
Estructura Caracterstica
Conduccin
bidireccional
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Otros tiristores.
Tiristor bidireccional (TRIAC)
Entrada en conduccin:
- Forma controlada:
- Inyeccin de corriente en puerta,
tanto positiva como negativa.
- Forma no controlada:
- Derivada de tensin dv/dt.
- Tensin excesiva entre A-K.
T2
T1
G
Carga
V
T2T1
i
T
R
G
i
G
V
e
MODO I+: V
T2T1
> 0, i
G
> 0 (FCIL).
MODO I- : V
T2T1
> 0, i
G
< 0 (DIFCIL).
MODO III+: V
T2T1
< 0

, i
G
> 0 (MUY DIFCIL).
MODO III-: V
T2T1
< 0, i
G
< 0 (FCIL).
Aplicaciones:

Regulacin de alterna media - baja potencia
Control de velocidad motores
Control de flujo luminoso
Electrodomsticos de baja potencia
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Otros tiristores.
DIAC
V
BO
-V
BO
V
A1A2
i
T
I
H
I
L
CARACTERSTICA:
Dispositivo de disparo de tiristores
Proporciona picos de corrientes de 2A
Tensin de cebado 33V
Diac comercial DB3
A
1
A
2
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Otros tiristores.
Ejemplo de aplicacin del TRIAC
Carga
R1
R2
R3
C
TRIAC controlado por DIAC
T2
T1
G
i
G
R1 = 0 , mxima potencia
R1 = Elevada, mnima potencia
V
carga
V
DIAC
i
G
o
V
BO
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Otros tiristores.
GTO
- Interruptor unidireccional controlado por puerta.

- Entrada en conduccin:
- Inyeccin de corriente en puerta.
- Salida de conduccin:
- Extraccin de corriente de puerta.

- Soporta tensiones inversas bajas (20V).

- La corriente de apagado es del orden de 1/3 de la corriente
que maneja el dispositivo.
A
K
G
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Otros tiristores.
El fototiristor (LASCR)

- Son Tiristores activados por luz.
- Utilizados en alta tensin.
- Frecuencias de conmutacin de hasta 2KHz.
- Tensiones elevadas 6000V y 1500A.

A K
G
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Otros tiristores.
MCT (Tiristor Controlado por Mos)
K
G
A
- Puesta en conduccin por tensin negativa en puerta.
- Apagado por tensin positiva en puerta.
- Ganancia elevada de tensin de control.
- Disponibles hasta 1000V y 100A.
- Potencias medias bajas.

Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.6 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.
Leccin 19. El rectificador controlado de silicio.
19.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes.