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ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS

Memorias

Bit, Byte, Nibble


BIT: el computador se compone de dispositivos electrnicos digitales responden a 0 y 1. Estas unidades de informacin se denomina BIT.

El nmero de combinaciones posibles depende del nmero de bits que tenga disponibles. Con 1 bit tengo 2 posibilidades (0 y 1). Con dos bits tengo 4 combinaciones (00, 01, 10, 11) y as sucesivamente

BYTE: cada grupo de 8 bits se conoce como byte u octeto. Es la unidad de almacenamiento en memoria. La cantidad de memoria de que dispone un sistema se mide en Kilobytes (1 Kb = 1024 bytes), en Megabytes (1 Mb = 1024 Kb), Gigabytes (1 Gb = 1024 Mb), Terabytes (1 Tb = 1024 Gb) Los bits en un byte se numeran de derecha a izquierda y de 0 a 7. Un byte nos permite representar 256 estados (de 0 a 255) segn la combinacin de bits que tomemos

NIBBLE: cada grupo de cuatro bits de un byte constituye un nibble Los dos nibbles de un byte se llaman nibble superior (el compuesto por los bits 4 a 7) e inferior (el compuesto por los bits 0 a 3)

DIRECCIONES DE MEMORIA
La memoria de un computador almacena informacin. Es una coleccin de registros de almacenamiento y circuitos adicionales necesarios La unidad de memoria que se comunica directamente con la CPU se denomina memoria principal La memoria principal de un computador es una coleccin de celdas que almacenan datos e instrucciones para ser ejecutadas

Cada celda est identificada unvocamente por un nmero o direccin de memoria. La informacin que se almacena en cada celda es un byte, que es la unidad mnima de almacenamiento de datos e instrucciones Para poder acceder a una ubicacin especfica de la memoria, la CPU genera seales en el bus de direccin
k lneas de direccin

MEMORIA
R/W CS

mxn

n lneas de datos

Organizacin de las Memorias


Direccin Contenido de la celda

Ejemplo de operacin de lectura: 1. Cdigo binario del registro de direcciones al bus de direcciones - Decodificacin de ese cdigo 2. Orden de lectura 3. Copia del byte (no destructiva) se carga al registro de datos

Si una memoria tiene m direcciones de 0 hasta m - 1

celdas,

tendr

Todas las celdas de una memoria tienen el mismo nmero de bits. Si una celda tiene n bits, podr tener cualquiera de sus 2n combinaciones de bits

La seleccin de una palabra especfica dentro de la memoria se hace colocando el valor de la direccin binaria en las lneas de direccin Si la memoria tiene k lneas de direccin puede seleccionar una de las 2k = m palabras

El nmero de bits de la direccin est relacionado con el nmero mximo de celdas direccionables directamente en la memoria y es independiente del nmero de bits por celda Debido a la estructura de 32 bits de un procesador comn como los de Intel, las direcciones de memoria se expresan a menudo en hexadecimal Por ejemplo, para no tener que escribir 111111010100000000000010101100 podemos escribir 3F5000AC en hexadecimal

El tiempo de acceso de una memoria se define como la diferencia de tiempo entre el instante en que la unidad de memoria recibe una seal de lectura y el instante en que la informacin leda de la memoria est disponible en la salidas
En una memoria de acceso aleatorio, el tiempo de acceso es siempre el mismo independiente de la localizacin particular de la palabra En una memoria secuencial el tiempo de acceso si depende de la posicin de la palabra

CLASIFICACION DE LAS MEMORIAS

TIPOS DE MEMORIA PRINCIPAL ROM y RAM ROM: La informacin almacenada en ella no se pierde aunque se corte la energa PROM: es una ROM, excepto que puede programarse(una sola vez) EPROM: puede borrarse aplicando luz ultravioleta potente y programarse nuevamente EEPROM: son EPROM, pero el borrado se lo hace aplicando impulsos elctricos

RAM: se pueden utilizar para leer o escribir informacin, y retienen la misma mientras estn conectadas a una fuente de alimentacin RAM ESTATICAS(SRAM): Se compone de celdas formadas por flip-flops (biestables) construidos generalmente con transistores MOSFET y circuitera adicional RAM DINAMICAS(DRAM): Se compone de celdas de memoria construidas con condensadores. Las celdas de memoria son de fabricacin ms sencillas en comparacin a las SRAM, lo cual permite construir memorias de gran capacidad.

Las memorias SRAM y DRAM se fabrican en una tecnologa denominada CMOS (semiconductor de xido metlico con salida complementaria), cuya principal caracterstica es que su consumo de corriente es extremadamente bajo salvo cuando hay conmutacin de estado lgico La celda bsica de una DRAM se consigue con un nico transistor del tipo MOSFET, y es la capacidad existente entre el terminal de puerta y el de la fuente la que constituye el elemento de almacenamiento de informacin

Las ventajas de las memoria DRAM con respecto a las SRAM son: mayor capacidad, menor costo y menor consumo de energa

Las desventajas son: ms lentas y con el tiempo pierden informacin


La memoria cach est construida generalmente con chips de memoria esttica(SRAM), de muy alta velocidad, pero ms costosas

Las ventajas de las memoria DRAM con respecto a las SRAM son: mayor capacidad, menor costo y menor consumo de energa

Las desventajas son: ms lentas y con el tiempo pierden informacin


La memoria cach est construida generalmente con chips de memoria esttica(SRAM), de muy alta velocidad, pero ms costosas

Estructura Interna de una RAM

Memoria Esttica de 32 X 8

AMPLIACION DE PALABRA Y NUMERO DE PALABRAS DE UNA MEMORIA

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