DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

FABIAN DURAN PACHECO RODOLFO MARTINEZ SANTOYA YEISER MONTERO

DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Introduccin Caractersticas de diodos Caractersticas de recuperacin inversa Tipos de diodos de potencia Diodos conectado en serie Diodos conectados en paralelo Ejemplos Bibliografa

INTRODUCCION
la evolucin de la electrnica de potencia ha seguido un camino paralelo al desarrollo de los semiconductores de potencia. Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel muy importante en los circuitos electrnicos de potencia. Un diodo funciona como un interruptor, a fin de llevar a cabo varias funciones como las de interruptores en los rectificadores, de marcha libre en los reguladores conmutados etc.

DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

El diodo es un dispositivo basado en Silicio Mono cristalino de Alta Pureza, cuya caracterstica principal es que puede permitir el paso de la corriente elctrica a travs de l, en determinadas condiciones, mientras que puede interrumpirla en otras.

CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS

un diodo de potencia es un dispositivo de unin pn de dos terminales.

cuando el potencial del nodo es positivo con respecto al ctodo, se dice que el diodo tiene polarizacin directa o positiva se dice que el diodo conduce. y cuando el potencial del ctodo es positivo con respecto al nodo, se dice que el diodo tiene polarizacin inversa

ECUACION SCHOCKLEY DEL DIODO

ECUACION SCHOCKLEY DEL DIODO

REGIONES DE OPERACION

regin de polarizacin directa, donde vd>0 regin de polarizacin inversa, donde vd<0 regin de ruptura, donde vd<-vzk

CARACTERISTICAS DE RECUPERACION INVERSA

se le denomina tiempo de recuperacin inversa al tiempo que requieren los portadores minoritarios para recombinarse con cargas opuestas y neutralizarse. trr=ta + tb ta = representa el tiempo entre el cruce por cero y la corriente inversa pico irr. tb= es debido al almacenamiento de carga en el material del cuerpo del semiconductor.

CARGA DE RECUPERACION INVERSA

Es la cantidad de portadores de carga que fluyen a travs del diodo en direccin inversa debido a un cambio de la conduccin directa a la condicin de bloque inverso. La carga de almacenamiento, que es el rea envuelta por la trayectoria de la corriente de recuperacin, es aproximadamente.

EJEMPLO
La cada de voltaje directa de un diodo de potencia es VD=1.2 V, a ID=300 A , suponiendo que n=2 y que Vt = 25.8mV, encuentre la corriente de saturacin Is.

TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

Idealmente, un diodo no debera tener tiempo de recuperacin inversa. Sin embargo, el costo de fabricacin de un diodo semejante seria bastante elevado. En muchas aplicaciones es de poca importancia este tiempo de recuperacin inversa y se pueden utilizar diodos poco costosos.

TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

Dependiendo de las caractersticas de recuperacin y de las tcnicas de fabricacin, los diodos de potencia se pueden clasificar en 3 categoras:

Diodos de uso general Diodos de recuperacin rpida Diodos Schottky

DIODOS DE USO GENERAL

Los diodos de rectificacin de uso general tienen un tiempo de recuperacin inversa relativamente alto, tpicamente de 25us, y se utilizan en aplicaciones de baja velocidad en las que el tiempo de recuperacin no es critico. Por ejemplo los rectificadores.

DIODOS DE RECUPERACION RAPIDA

Tienen un tiempo de recuperacin bajo, por lo general menor de 5us, se utilizan en circuitos convertidores cd-cd y cd-ca, en los que la velocidad de recuperacin es a menudo de importancia critica.

DIODOS SCHOTTKY
En un diodo Schottky se puede eliminar o minimizar el problema de almacenamiento de carga de una unin pn. Esto se lleva a cabo estableciendo una barrera de potencial con un contacto entre un metal y un semiconductor. Sobre una capa delgada epitaxial de silicio tipo n se deposita una capa de metal. La barrera de potencial simula el comportamiento de una unin pn.

DIODOS DE CARBURO DE SILICIO (SiC)

El SiC. Es un nuevo material que se esta utilizando en la electrnica de potencia. Sus propiedades mejoran a las de silicio (Si.) y de Arseniuro de galio (GaSi). Tenemos tres variantes para este tipo de diodos: diodos Schottky, diodos JBS, diodos PIN.

DIODOS CONECTADOS EN SERIE

En muchas aplicaciones de alto voltaje, un diodo comercialmente disponible no puede dar la especificacin de voltaje requerida, por lo que los diodos se conectan en serie para aumentar las capacidades de bloqueo inverso.

Una solucin sencilla, es que se comparta el voltaje con una resistencia a travs de cada diodo. Debido a esta distribucin de voltajes iguales. La corriente de fuga en cada diodo sera diferente.

Los valores de VD1 Y VD2 los podemos encontrar con las siguientes ecuaciones

DIODOS EN PARALELO
En aplicaciones de alta potencia, los diodos se conectan en paralelo para aumentar la capacidad de conduccin de corriente, a fin de llenar las especificaciones de corriente deseadas. La distribucin de corriente de los diodos estar de acuerdo con sus respectivas cadas de voltaje directas.

EJEMPLO

BIBLIOGRAFIA

ELECTRONICA DE POTENCIA: circuitos, dispositivos y aplicaciones. MUHAMMAD H. RASHID. Segunda edicin.