ALUMNO: JONATHAN BRAVO HERRERA PROFESOR: JUAN MENDOZA NOLORBE CARRERA: INGENIERIA DE SISTEMAS CURSO: FISICA ELECTRONICA UNIVERSIDAD

PRIVADA TELESUP

Semiconductor intrnseco: Intrnseco indica un material semiconductor extremadamente puro, contiene una cantidad insignificante de tomos de impurezas. A simple vista es imposible que un semiconductor permita el movimiento de electrones a travs de sus bandas de energa Idealmente, a T=0K, el semiconductor es un aislante porque todos los e- estn formando enlaces. Pero al crecer la temperatura, algn enlace covalente se puede romper y quedar libre un e- para moverse en la estructura cristalina.

Representacin bidimensional de la estructura cristalina del Si

El hecho de liberarse un e- deja un hueco (partcula ficticia positiva) en la estructura cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor encontramos el electrn libre(e-), pero tambin hay un segundo tipo de portador: el hueco(h+).

 Modelo de bandas de energa: Conduccin intrnseca

Banda de conduccin

Banda prohibida
Banda de valencia

Cristal perfecto a T= 0K

Cristal imperfecto a T> 0K

 Modelo de bandas de energa: conduccin intrnseca o En un semiconductor perfecto, las concentraciones de electrones Y huecos son iguales:

Modelo de bandas de energa: conduccin intrnseca

Dependencia con la temperatura: grafito

Semiconductor Extrnseco: En la practica nos interesa controlar la concentracin de portadores en un semiconductor (n o p). De este modo se pueden modificar las propiedades elctricas: conductividad Para ello se procede al proceso de DOPADO: un pequeo porcentaje de tomos del SC intrnseco se sustituye por tomos de otro elemento (impurezas o dopantes). Estas impurezas sustituyen a los tomos de silicio en el cristal formando enlaces. De este modo podemos favorecer la aparicin de electrones ( semiconductores Tipo N: donde n>p) Favorecer la aparicin de huecos (semiconductores tipo P: donde p>n).

Caso particular del Silicio

Material extrnseco tipo n: Se ha dopado con elementos pentavalentes (As,p o Sb) que tienen 5 electrones en la ultima capa: Impureza donadora. Al formarse la estructura cristalina, el quinto electrn no estar ligado en ningn enlace covalente. Con muy poca energa (solo la trmica, 300k) el 5 electrn se separa del tomo y pasa la banda de conduccin. La impureza fija en el espacio quedara ionizada ( cargada positivamente) En un semiconductor tipo n, los dopantes contribuyen a la existencia extra de electrones, lo cual aumenta enormemente la conductividad debida a electrones.

Caso particular del Silicio

Material extrnseco tipo p: Cuando se sustituye un tomo de Si por un tomo como (Boro, Galio) que tienen 3 electrones en la ultima capa: impureza aceptadora. Al formarse el cristal, los tres electrones forman el enlace covalente con los tomos de Si, pero queda un hueco (un enlace vacante). a ese hueco se pueden mover electrones que dejaran a su vez otros huecos en la banda de valencia. La impureza fija en el espacio quedara cargada negativamente. En un semiconductor tipo p, los dopantes contribuyen a la existencia extra de huecos sin haber electrones en la banda de conduccin.

Caso particular del silicio

 Resumiendo, semiconductores extrnsecos

Material extrnseco Tipo N: Impurezas del grupo V de la tabla peridica. Con muy poca energa se ionizan (pierden un electrn. Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son electrones libres

Material extrnseco Tipo P: Impurezas del grupo III de la tabla peridica. A T = 300 K todos los tomos de impureza han captado un electrn. Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son Huecos: actan como portadores de carga positiva.