TTL----------------CMOS

FAMILIA LOGICA TTL

TTL
Sigla en ingls de transis tor-transistor logic
LOGICA DE TRANSITOR a TRANSISTOR

Sus elementos de entrada y salida son transistores bipolares

TTL
Rangos de voltaje de alimentacin y temperatura

Voltaje nominal de 5V. La serie 74 de 4.75 a 5.25 V La serie 54 de 4.5 hasta 5.5 V. La serie 74 temperaturas de 0C hasta 70 C La serie 54 temperaturas de -55C a 125 C. La serie 54 tiene un costo mayor dada su mayor tolerancia.
Esta serie se emplea solo en aplicaciones donde debe mantenerse la operacin confiable sobre un amplio margen de condiciones externas.

TTL Disipacin de Potencia

Una compuerta NAND TTL estndar disipa una potencia promedio de 10 mW. ICC(promedio) = 8 mA y una PD(promedio) = 8mA x 5 V = 40 mW. Esta es la potencia total requerida por las cuatro compuertas del encapsulado De este modo, una compuerta NAND requiere una potencia promedio de 10 mW

TTL Retrasos de propagacin

La compuerta NAND TTL estndar tiene retrasos de propagacin caractersticos de tPLH = 11 ns tPHL = 7 ns Con un promedio es de tpd(prom) = 9 ns.

TTL Factor de carga de salida

Es una medida del nmero de entradas que una compuerta puede controlar sin exceder las especificaciones de la misma. El flujo de corriente en una de entrada o salida se considera positivo si fluye hacia adentro y se considera negativa si fluye hacia afuera de la terminal. Cuando conectamos una salida con una o ms entradas, la suma algebraica de las corrientes debe dar cero.

TTL
Entradas no conectadas(flotantes): cualquier entrada en un circuito TTL que se deja desconectada acta como un 1 lgico aplicado a esa entrada, debido a que en cualquier caso la unin o diodo base-emisor de la entrada no ser polarizado en sentido directo.

TTL Transitorios de Corriente

Este efecto global se puede resumir como sigue: Siempre que una salida TTL tipo ttem pasa de BAJO a ALTO, se consume una espiga de corriente de la amplitud de la fuente de alimentacin VCC. En un circuito o sistema digital puede haber muchas salidas TTL cambiando de estado al mismo tiempo, cada una consumiendo una espiga angosta de corriente de la fuente de poder.

TTL
Serie 74L y 74H Proporciona TTL de baja potencia y alta velocidad La serie 74L es una versin de baja potencia que consume aproximadamente 1mW pero a costa de un retraso de propagacin mucho mayor. La serie 74H versin de alta velocidad que tiene un retraso de propagacin reducido, un mayor consumo de potencia. Serie 74S TTL Schottky La serie 74S disminuye el retraso de tiempo por almacenamiento , se logra conectando entre la base y el colector del transmisor un diodo de barrera Schottky. Emplea resistencias de bajo valor

TTL
TTL Schottky de bajo consumo de potencia, Series 74LS(LS-TTL)
La serie 74LS es una versin de la serie 74S con un menor consumo de potencia y velocidad. Utiliza el transistor Schottky Resistencia mas grandes Requerimiento de potencia del circuito reducida

TTL avanzada Schottky , Series 74AS(AS-TTL)

Proporciona una mejora en la velocidad sobre las 74S Con un requerimiento de consumo de potencia mucho menor. Incluye bajos requerimientos de corrientes de entrada

TTL
TTL avanzada Schottky de bajo consume de potencia, Series 74ALS
Esta serie ofrece mejoras tanto en velocidad como en disipacin de potencia Tiene el menor producto velocidad-potencia de todas las series TTL Alto costo ha ocasionado que no remplace la 74LS

TTL 74F, FAST

Utiliza una nueva tcnica de fabricacin de circuito integrado, para reducir las capacitancias interdispositivos a fin de lograr demoras reducidas en la propagacin.

TTL
74LS 74ALS 4 ns 1.2 mW 4.8 pJ

Retraso de Propagacin Disipacin de Potencia Producto VelocidadPotencia

9.5 ns 2 mW 19 pJ

74
PARAMETROS DE FUNCIONAMIENTO Retraso de Propagacin (ns) Disipacin de Potencia (mW) Producto Velocidad-Potencia(Pj) Mxima Frecuencia de Reloj (MHz) Factor de carga de la salida para la misma serie PARAMETROS DE VOLTAJE

74S

74LS

74AS 74ALS

74F

9 10 90 35 10

3 20 60 125 20

9.5 2 19 45 20

1.7 8 13.6 200 40

4 1.2 4.8 70 20

3 6 18 100 33

VOH (min) VOL (max) VIH (min) VIL (max)

2.4
0.4 2

2.7
0.5 2

2.7
0.5 2

2.5
0.5 2

2.5
0.4 2

2.5
0.5 2

0.8

0.8

0.8

0.8

0.8

0.8

NAND TTL

INVERSOR TTL

NOR TTL

OTRAS COMPUERTAS TTL

FAMILIA LOGICA CMOS

CMOS
Complementary metal-oxide-semiconductor, "estructuras semiconductor-xido-metal complementarias La utilizacin conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de tal forma que, en estado de reposo, el consumo de energa es nicamente el debido a las corrientes parsitas.

CMOS
La tecnologa CMOS fue desarrollada por Wanlass y Sah, de Fairchild Semiconductor, a principios de los aos 60. Sin embargo, su introduccin comercial se debe a RCA, con su famosa familia lgica CD4000

CMOS VOLTAJE DE ALIMENTACIN

Las series 4000 y 74C funcionan con valores de VDD, que van de 3 a 15 V Las series 74HC y 74RCT funcionan con un menor margen de 2 a 6 V. Cuando se emplean dispositivos CMOS y TTL, juntos, es usual que el voltaje de alimentacin sea de 5 Si los dispositivos CMOS funcionan con un voltaje superior a 5V para trabajar junto con TTL se deben de tomar medidas especiales.

CMOS NIVELES DE VOLTAJE

Cuando las salidas CMOS manejan slo entradas CMOS, los niveles de voltaje de la salida pueden estar muy cercanos a 0V para el estado bajo, y a VDD para el estado alto. Los requerimientos de voltaje en la entrada para dos estados lgicos se expresa como un porcentaje del voltaje de alimentacin

CMOS NIVELES DE VOLTAJE

VOL (MAX) VOH (MIN) 0V VDD

VIL (MAX)
VIH (MIN)

30% VDD
70% VDD

De esta forma, cuando un CMOS funciona con VDD = 5 V, acepta voltaje de entrada menor que VIL(mx) = 1.5 V como BAJO, y cualquier voltaje de entrada mayor que VIH (mn) = 3.5 V como ALTO.

CMOS INMUNIDAD AL RUIDO

Ruido : cualquier perturbacin involuntaria que puede originar un cambio no deseado en la salida del circuito. Los circuitos lgicos deben tener cierta inmunidad al ruido la cual es definida como la capacidad para tolerar fluctuaciones en la tensin no deseadas en sus entradas sin que cambie el estado de salida. En la Figura tenemos los valores crticos de las tensiones de entrada y salida de una puerta lgica y los mrgenes de ruido a nivel alto y bajo.

CMOS INMUNIDAD AL RUIDO

Los mrgenes de ruido son los mismos en ambos estados y dependen de VDD. En VDD = 5 V, los mrgenes de ruido son 1.5 V. Observamos una mayor inmunidad al ruido que las TTL

CMOS DISIPACIN DE POTENCIA

Tal y como comentamos, uno de los principales motivos del empleo de la lgica CMOS es su muy bajo consumo de potencia. Cuando un circuito lgico CMOS se encuentra en esttico u disipacin de potencia es extremadamente baja, aumentando conforme aumenta la velocidad de conmutacin. se produce una disipacin de potencia dc tpica del CMOS de slo 2.5 nW por compuerta cuando VDD = 5 V an en VDD = 10 aumentara slo 10 nW. Con estos valores de PD es fcil observar por qu la familia CMOS se usa ampliamente en aplicaciones donde el consumo de potencia es de inters primordial.

CMOS FACTOR DE CARGA

El factor de carga de CMOS depende del mximo retardo permisible en la propagacin. Comnmente este factor de carga es de 50 para bajas frecuencias (<1 MHz). Por supuesto para altas frecuencias, el factor de carga disminuye.

CMOS VELOCIDAD DE CONMUTACIN

Los CMOS, al igual que N-MOS y P-MOS, tiene que conducir capacitancias de carga relativamente grandes, su velocidad de conmutacin es ms rpida debido a su baja resistencia de salida en cada estado. Los valores de velocidad de conmutacin dependen del voltaje de alimentacin que se emplee, por ejemplo en una a compuerta NAND de la serie 4000 el tiempo de propagacin es de 50 ns para VDD = 5 V y 25ns para VDD = 10 V.

CMOS ENTRADAS CMOS

Las entradas CMOS nunca deben dejarse desconectadas, ya que son muy sensibles a la electricidad esttica y al ruido Tienen que estar conectadas a un nivel fijo de voltaje alto o bajo (0 V o VDD) o bien a otra entrada. Esta regla se aplica an a las entradas de otras compuertas lgicas que no se utilizan en el mismo encapsulado.

CMOS
SUSCEPTIBILIDAD A LA CARGA ESTTICAS
Las familias lgicas MOS son especialmente susceptibles a daos por carga electrosttica. Esto es consecuencia directa de la alta impedancia de entrada de estos CI. Una pequea carga electrosttica que circule por estas altas impedancias puede dar origen a voltajes peligrosos. Los CMOS estn protegidos mediante la inclusin en sus entradas de diodos zner de proteccin. Los zner por lo general cumplen con su finalidad, algunas veces no comienzan a conducir con la rapidez necesaria para evitar que el CI sufra daos

Caractersticas de las Series

CMOS

CMOS
Series 4000/14000
La serie 4000A es la lnea ms usada de CI CMOS. Algunas caractersticas ms importantes de esta familia lgica son: La disipacin de potencia de estado esttico de los circuitos lgicos CMOS es muy baja. Los niveles lgicos de voltaje CMOS son 0 V para 0 lgico y VDD para 1 lgico. VDD puede estar entre 3 V a 15 V Todas las entradas CMOS deben estar conectadas a algn nivel de voltaje. Serie 74C Es compatible terminal por terminal y funcin por funcin, con los dispositivos TTL que tienen el mismo nmero Esto hace posible remplazar algunos circuitos TTL por un diseo equivalente CMOS. Por ejemplo, 74C74 puede remplazar al CI TTL 7474

CMOS
Serie 74HC (CMOS de alta velocidad)
Esta es una versin mejor de la serie 74C. La principal mejora radica en un aumento de diez veces en la velocidad de conmutacin. Otra mejora es una mayor capacidad de corriente en las salidas. Tambin de alta velocidad, y tambin es compatible en lo que respecta a los voltajes con los dispositivos TTL.

Serie 74HCT
Esta serie tambin es una serie CMOS de alta velocidad, y est diseada para ser compatible en lo que respecta a los voltajes con los dispositivos TTL, es decir, las entradas pueden provenir de salidas TTL

CMOS
74AC/ACT CMOS Avanzado Esta serie, la ms nueva de los CMOS Funcionalmente equivalente con las diversas series de TTL pero no es compatible con terminales con el TTL. La razn es que las ubicaciones de las terminales en los microcircuitos 74AC o 74ACT se han seleccionado para mejorar la inmunidad al ruido, con lo cual las entradas a dispositivos son menos sensibles a los cambios de seal que las que ocurren en las terminales de otros CI

INVERSOR CMOS

NAND CMOS

NOR CMOS

Diferencias entre las familias CMOS y TTL

a) En la fabricacin de los circuitos integrados se usan transistores bipolares par el TTL y transistores MOSFET para la tecnologa CMOS b) Los CMOS requieren de mucho menos espacio (rea en el CI) debido a lo compacto de los transistores MOSFET. Adems debido a su alta densidad de integracin, los CMOS estn superando a los CI bipolares en el rea de integracin a gran escala, en LSI - memorias grandes, CI de calculadora, microprocesadores-, as como VLSI. c) Los circuitos integrados CMOS es de menor consumo de potencia que los TTL.

PARAMETR TTL estndar O

Tiempo de propagacin de puerta

TTL 74L

TTL Schottky de baja potencia (LS)

Fairchild 4000B CMOS (con Vcc=5V)

Fairchild 4000B CMOS (con Vcc=10V)

10ns

33ns

5ns

40ns

20ns

Frecuencia mxima de funcionamiento

35 MHz

3 MHz

45 MHz

8 MHz

16 MHz

Potencia disipada por puerta

10 mW 1 mW

2 mW

10 nW

10 nW

Margen de ruido admisible

1V 10

1V 10

0.8 V 20

2V 50*

4V 50*

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