Facultad de

Ingeniera
Ingeniera de
materiales
Profesor: M. C. Gerardo Alonzo Medina
Unidad II. Enlaces y
estructura cristalina
Objetivos
Explicar la clasificacin de los materiales
en base a los arreglos atmicos/inicos
Describir los arreglos en los slidos
cristalinos en funcin de las estructuras de
la red, base y cristalina.
Indice de la clase
1. Orden de corto alcance versus Orden de largo
alcance
2. Materiales Amorfos: Principios y Aplicaciones
Tecnologicas
3. Red, Celda Unitaria, Base y estructura
Cristalina
4. Transformaciones Alotrpicas o Polimorficas
5. Puntos, Direcciones y Planos en la Celda
unitaria
6. Sitios Intersticiales
7. Estructuras Cristalinas principales
8. Estructuras covalentes
Orden de corto alcance Arreglo de tomos que slo se
extiende sobre distancias cortas.
Orden de largo alcance Patrones tridimensionales repetitivos
segn los cuales se ordenan los tomos o iones en los materiales
cristalinos.
Condensado de Bose-Einstein (BEC) Un nuevo estado de la
materia (ya verificado experimentalmente por Wolfgang y Wieman)
que consiste en que un grupo de tomos enfriados a temperaturas
muy bajas, logran tener el mismo estado cuntico fundamental o
de baja energa.
1. Orden de corto alcance versus
Orden de largo alcance.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figure 3.1 Levels of atomic
arrangements in materials:
(a) Inert monoatomic gases
have no regular ordering of
atoms: (b,c) Some
materials, including water
vapor, nitrogen gas,
amorphous silicon and
silicate glass have short-
range order. (d) Metals,
alloys, many ceramics and
some polymers have regular
ordering of atoms/ions that
extends through the
material.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
Learning
Figure 3.2 Basic Si-0
tetrahedron in silicate glass.
Figure 3.3 Tetrahedral
arrangement of C-H bonds in
polyethylene.
Monocristal.- Material cristalino formado por un solo
cristal grande.
Policristal.- Material formado por muchos cristales
pequeos con diversas orientaciones en el espacio.
Grano(cristalito).- Porcin del material dentro de la cual
el arreglo de los tomos es casi idntico.
Frontera de grano.- Bordes entre los cristalitos donde
los cristalitos estn desalineados entre si.
Cristal lquido.- Polmeros que en un inicio son amorfos
pero al aplicarles un voltaje o un cambio de temperatura
algunas molculas se alinean y forman pequeas
regiones cristalinas.
Figure 3.4 (a) Photograph of a silicon
single crystal. (b) Micrograph of a
polycrystalline stainless steel showing
grains and grain boundaries (Courtesy Dr.
M. Hua, Dr. I. Garcia, and Dr. A.J. Deardo.)
Figure 3.5 Liquid crystal display. These materials are amorphous in one
state and undergo localized crystallization in response to an external
electric field and are widely used in liquid crystal displays. (Courtesy of
Nick Koudis/PhotoDisc/Getty Images.)
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
Learning
Figure 3.7 Classification of materials based on the type of atomic order.
Materiales Amorfos - Materiales, incluyendo al vidrio, que solo
tienen ordenamiento de corto alcance.

Vidrios - Solidos, no cristalinos (tipicamente derivado de la
fundicin de varios xidos) solo tienen ordenamiento de corto
alcance.

Vitro-cermicos- familia de materiales derivados de la fundicin
de vidrios inorgnicos, los cuales pueden tener hasta en casi el
100% una estructura cristalina.
2. Materiales Amorfos: Principios
y Aplicaciones Tecnologicas
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figure 3.9 (b) Esquema del proceso de formado por soplado y estirado para
fabricar una botella normal de 2 litros (tereftalato de polietileno) a partir de una
preforma. El esfuerzo inducido en la cristalizacin causa la formacin de
cristales pequeos que contribuyen a reforzar el resto de la matriz amorfa
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
Learning
Figure 3.10 Atomic arrangements in crystalline silicon and amorphous
silicon. (a) Amorphous silicon. (b) Crystalline silicon. Note the variation in the
inter-atomic distance for amorphous silicon.
Red Coleccin de puntos(puntos de red) que dividen al espacio en
pequeos segmentos de igual tamao.
Base Grupo de uno o ms tomos ubicados en forma determinada
entre s, y asociados con cada punto de red
Celda unitaria- Subdivisin de una red que sigue conservando las
caractersticas generales de toda la red.
Radio atmico- Radio aparente de un tomo calculado en las
dimensiones de la celda unitaria usando direcciones compactas.
Depende del nmero de coordinacin
Factor de empaquetamiento Fraccin del espacio que ocupan los
tomos en una celda unitaria.
Redes de Bravais.- son la catorce redes posibles que se forman con
puntos de red
3. Red, Celda Unitaria, Base y
estructura Cristalina
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figure 3.11 The
fourteen types of
Bravais lattices
grouped in seven
crystal systems. The
actual unit cell for a
hexagonal system is
shown in Figures 3.12
and 3.16.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figura 3.12 Definicin de
los parmetros de red y
su aplicacin en los
sistemas cristalinos
cbico, ortorrmbico y
hexagonal
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figure 3.13 (a)
Illustration showing
sharing of face and
corner atoms. (b) The
models for simple cubic
(SC), body centered
cubic (BCC), and face-
centered cubic (FCC)
unit cells, assuming only
one atom per lattice
point.
Calcule la cantidad de puntos de red en sistemas cristalinos cbicos. Si
solo hay un tomo en cada punto de red, calcule la cantidad de tomos
por celda unitaria.

Ejemplo 3.1 SOLUCIN

El nmero de tomos por celda unitaria ser: 1, 2, y 4, para las celdas
unitarias cbica simple, cbica centrada en el cuerpo y cbica centrada
en las caras.
Ejemplo 3.1. Determinacin de la
cantidad de puntos de red en sistemas
cristalinos cbicos.
Determine la relacin entre el radio tomico y el parmetro de
red a
0
en las estructuras SC, BCC y FCC cuando se tiene un
tomo en cada punto de red.
Ejemplo 3.2. Determinacin de la
relacin entre el radio tmico y los
parmetros de red.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
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Figure 3.14 The relationships between the atomic radius and the Lattice
parameter in cubic systems (for Example 3.2).
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
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Figura 3.15 Ilustracin de los nmeros de coordinacin en (a) SC y (b) BCC
celdas unitarias. 6 primeros vecinos en la SC, 8 primeros vecinos en la BCC.
Nmero de coordinacin.- Cantidad de tomos que tocan a
determinado tomo, osea la cantidad de vecinos ms
cercanos (primeros vecinos) a ese tomo en particular.
Ejemplo 3.3. Clculo del factor
de empaquetamiento.
Calcula el factor de empaquetamiento de la celda FCC.
Ejemplo 3.3 SOLUCIN
En la FCC hay 4 puntos de red por celda; si hay un tomo
por punto de red, tambin hay 4 tomos por celda.

Ejemplo 3.4. Determinacin de la
densidad del hierro BCC
Determine la densidad del hierro BCC, que tiene un
parmetro de red de 0.2866 nm.

Ejemplo 3.4 SOLUCIN
Estructura HCP
Forma especial de la estructura hexagonal
Su celda unitaria es un prisma oblicuo con
parmetros a
0
y c
0
que se relacionan por: c
0
=
1.633a
0

Tiene un punto de red por celda pero a cada
punto se le asocian 2 tomos, uno en el vrtice
y otro dentro de la celda unitaria.
Nmero de coordinacin de 12.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
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Figura 3.16 The hexagonal close-packed (HCP) structure (left) and its unit
cell.
Alotropa Caracterstica de un elemento de ser
capaz de existir en ms de una estructura cristalina,
dependiendo de la presin y de la temperatura
Polimorfismo Compuestos que tienen ms de una
estructura cristalina
4. Transformaciones Alotrpicas
o Polimorficas
(a) Estructura cristalina del
grafito, (b) estructura cristalina
del diamante
Calcule el cambio porcentual en el volumen cuando la zirconia
pasa de una estructura tetragonal a una monoclnica. Las
constantes de red para una celda monoclnica son: a = 5.156, b =
5.191, and c = 5.304 , respectively. El ngulo para la celda
unitaria monoclnica es 98.9. las constantes de red para la celda
unitaria tetragonal son a = 5.094 and c = 5.304 , respectively.
Durante la transformacin se expande o contrae la zirconia?
Cuals son los efectos de esa transformacin sobre las
propiedades mecanicas de la zirconia?
Ejemplo 3.5. Clculo de cambios de
volumen en polimorfos de zirconio
Indices de Miller- Notacin abreviada para describir ciertas
direcciones y planos cristalogrficos en una material. Se anotan entre
corchetes, llaves o parentesis segun el caso.
Familia de direcciones- Direcciones cristalogrficas, todas con las
mismas caractersticas, aunque su sentido sea diferente. Se indican
con <>
Distancia de repeticin-Distancia de un punto de red al punto de red
adyacente, a lo largo de una direccin
Densidad lineal- Cantidad de puntos de red por unidad de longitud a
lo largo de una direccin.
Fraccin de empaquetamiento-Fraccin de una direccin o de un
plano ocupada realmente por tomos o iones. Cuando un tomo est
en cada punto de red la fraccin de empaquetamientio lineal a lo
largo de una direccin es el producto de la densidad lineal por 2r
5. Puntos, Direcciones y Planos
en la Celda unitaria
Figura 3.18. Coordenadas de puntos
seleccionados en la celda unitaria. El nmero
indica la distancia al origen, en terminos de
parmetros de red.
Determine los indices de Miller en la direcciones A, B y C en
la Figura 3.19.
Ejemplo 3.7 Calculo de los indices de
Miller de direcciones
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /
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Figure 3.19 Crystallographic directions
and coordinates (for Example 3.7).
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figure 3.20 Equivalency of crystallographic directions of a form in cubic
systems.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figure 3.21 Determinacin
de la distancia de
repeticin, densidad lineal
y fraccin de
empaquetamiento para
una direccin [110] en el
cobre FCC.
Determine los indices de Miller de los planos A, B, and C en la Figura
3.22.
Ejemplo 3.8. Determinacin de los
indices de Miller de planos.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /
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Figure 3.22 Crystallographic
planes and intercepts (for
Example 3.8)
Densidad planar.- es las cantidad de tomos
cuyos centros estn en el plano por unidad de
rea.

Fraccin de empaquetamiento planar.-
fraccin del rea de ese plano que realmente
esta cubierta por esos tomos.
Calcule la densidad planar y la fraccin de empaquetamiento
planar para los planos (010) and (020) en el polonio cbico
simple, cuyo parmetro de red es 0.334 nm.
Ejemplo 3.9. Clculo de la densidad
planar y la fraccin de
empaquetamiento
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /
Thomson Learning
Figure 3.23 The planer
densities of the (010)
and (020) planes in SC
unit cells are not
identical (for Example
3.9).
Ejemplo 3.9 SOLUCION

Sin embargo, no hay tomos con centros en los
planos (020). Por lo tanto la densidad planar y el factor
de empaquetamiento planar son cero. Los planos
(010) y (020) no son equivalentes.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
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Figura 3.25. En las celdas HCP se
obtienen los indices de Miller-Bravais
usando un sistema coordenado de 4
ejes. Los planos A y B y las
direcciones identificadas con A y B y
las direcciones identificadas con C Y
D son los del ejemplo 3-11
Indice de Miller-Bravais.-
Notacin abreviada especial para
describir los planos
cristalogrficos en las celdas
HCP.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figura 3.26 Typical directions in the HCP unit cell, using both three-and-four-
axis systems. The dashed lines show that the [1210] direction is equivalent to a
[010] direction.
Determine los indices de Miller-Bravais para los planos A y B y
para las direcciones C y D de la Figura 3.25.
Ejemplo 3.11. Determinacin de
los indices de Miller-Bravais para
planos y direcciones
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /
Thomson Learning
Figure 3.25 Miller-Bravais indices
are obtained for crystallographic
planes in HCP unit cells by using a
four-axis coordinate system. The
planes labeled A and B and the
direction labeled C and D are those
discussed in Example 3.11.
Example 3.11 SOLUTION

Plane A
1. a
1
= a
2
= a
3
= , c = 1
2. 1/a
1
= 1/a
2
= 1/a
3
= 0, 1/c = 1
3. No hay fracciones por simplificar
4. (0001)

Plane B
1. a
1
= 1, a
2
= 1, a
3
= -1/2, c = 1
2. 1/a
1
= 1, 1/a
2
= 1, 1/a
3
= -2, 1/c = 1
3. No fractions to clear
4.

Direction C
1. Two points are 0, 0, 1 and 1, 0, 0.
2. 0, 0, 1, -1, 0, 0 = 1, 0, 1
3. No fractions to clear or integers to reduce.
4.

) 1 2 11 (
113] 2 [ or ] 01 1 [
Example 3.11 SOLUTION (Continued)

Direction D
1. Two points are 0, 1, 0 and 1, 0, 0.
2. 0, 1, 0, -1, 0, 0 = -1, 1, 0
3. No fractions to clear or integers to reduce.
4. 100] 1 [ or ] 10 1 [
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
Learning
Figura 3.27 La secuencia de
aplilamiento ABABAB de planos
compactos produce la estructura
HCP
Direcciones compactas.-
direcciones de un cristal a lo largo
de las cuales los tomos estn en
contacto.

Plano basal.- Nombre especial
que se le da al plano de
empaquetamiento ms compacto
en las celdas unitarias HCP
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figure 3.28 La secuencia de apilamiento ABCABCABC de planos
compactos produce la estructura FCC
Comportamiento isotrpico y
anisotrpico y distancia interplanar
Material anisotrpico.- cuando sus propiedades
dependen de la direccin cristalogrfica en la cual se
mide la propiedad. Ejemplo: modulo de elasticidad del
Al.
Material isotrpico.- Cuando las propiedades son
identicas en todas las direcciones del material.
Distancia interplanar.- Distancia entre dos planos
paralelos adyacentes de tomos con los mismos ndices
de Miller (h,k,l).

d
hkl
=
a
0
h
2
+ k
2
+ l
2
Sitios Intersticiales Lugares entre los tomos o ines
normales de un cristal, en los que se coloca otro tomo o
in (distinto). Normalmente ese lugar intersticial es de
menor tamao que el tomo introducido
Sitio cbico- Posicin intersticial cuyo nmero de
coordinacin es 8.
Sitio octadrico Posicin intersticial que tiene nmero
de coordinacin 6
Sitio tetradrico Posicin intersticial que tiene nmero
de coordinacin 4
6. Sitios intersticiales.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figura 3.29. Localizacin de los sitios intersticiales en las celdas unitarias cbicas.
Solo se muestran sitios representativos.
Ejemplo 3.12. Clculo de sitios
octadricos
Calcule la cantidad de sitios octadricos que pertenezcan en
forma exclusiva a una celda unitaria FCC
Ejemplo 3.12 SOLUCIN
Los sitios octadricos incluyen las 12 aristas de la celda unitaria,
con las coordenadas:
2
1
1, , 0
2
1
1, , 1
2
1
0, , 1
2
1
, 0 , 0
,1
2
1
, 0 ,1
2
1
, 1 ,0
2
1
, 1 ,0
2
1
, 0
1,1 ,
2
1
0,1 ,
2
1
1,0 ,
2
1
0,0 ,
2
1
Ms la posicin central: 1/2, 1/2, 1/2.
Ejemplo 3.12 SOLUCION (Continued)

Cada uno de los sitios en la arista de la celda unitaria
se comparte entre cuatro celdas unitarias, por lo que
solo de cada sitio pertenece exclusivamente a cada
celda unitaria. La cantidad de sitios para cada celda
es:


(12 aristas) (1/4 por celda) + 1 en el centro = 4
octahedral sites
Se desea producir una pared absorbente de radiacin formada por 10000 esfras
de plomo, cada una de 3 cm de dimetro, en arreglo FCC. Se decide que habr
mejor absorcin si se llenan con esfras ms pequeas los sitios intersticiales
entre las esfras de 3 cm. Disee el tamao de las esfras de plomo pequeas y
cuantas se necesitan.
Ejemplo 3.13. diseo de una pared
absorbente de radiacin
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /
Thomson Learning
Figure 3.30 Calculation of an
octahedral interstitial site (for
Example 3.13).
Ejemplo 3.13 SOLUCION

Primero calculamos el dimetro de cada sitio octadrico
localizado entre las esfras de 3 cm de dimetro. De la
figura 3.20 tenemos que:


Del ejemplo 3-12, tenemos que hay 4 sitios octadricos en
un arreglo FCC, que tambin tiene 4 puntos de red. Por lo
tanto se necesitan el mismo nmero de esfras pequeas
que de esfras grandes.
Para entender la estructura cristalina de un cristal
inico se deben de tomar en cuenta los siguientes
factores:
Radio inico
Neutralidad elctrica
Coneccin entre poliedros de Anin
Visualizacin de estructuras cristalinas usando
simulacin computacional
7. Estructura cristalina de
materiales inicos.
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figure 3.32 (a) The cesium chloride structure, a BCC unit cell with two ions
(Cs
+
and CI
-
) per lattice point. (b) The sodium chloride structure, a FCC unit
cell with two ions (Na
+
+ CI
-
) per lattice point. Note: Ion sizes not to scale.
Para el KCl, verificar que el compuesto tiene la estructura del CsCl y
calcula tabin el factor de empaquetamiento.

Ejemplo 3.14 SOLUCION
a. Del apndice B, r
K
+ = 0.133 nm and r
Cl
- = 0.181 nm, por lo tanto:
r
K
+/ r
Cl
- = 0.133/0.181 = 0.735
Como 0.732 < 0.735 < 1.000, el numero de coordinacin para cada
tipo de in es 8 por lo tanto la estructura ms probable es la del
CsCl.
Ejemplo 3.14. Relacin de radios
para el KCl
Demuestre que MgO tiene la estructura cristalina del NaCl y calcule
la densidad del MgO
Example 3.15 SOLUTION
Del apndice B, r
Mg
+2 = 0.066 nm and r
O
-2 = 0.132 nm, entonces:
r
Mg
+2 /r
O
-2 = 0.066/0.132 = 0.50
como 0.414 < 0.50 < 0.732, el numero de coordinacin para cada
tipo de in es 6, los iones de Mg ocupan el centro y los sitios
octadricos y el in O los vrtices del cubo, por lo tanto la
estructura ms probable es la del NaCl.
Ejemplo 3.15. Ilustracin de una
estructura cristalina y clculo de
su densidad
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figure 3.33 (a) The zinc blende unit cell, (b) plan view.
La constante de red del GaAs es 5.65 .
Demuestra que la densidad terica del GaAs is
5.33 g/cm
3
.
Ejemplo 3.16 SOLUCION:
Ejemplo 3.16. Clculo de la
densidad terica del GaAs
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
Learning
Figure 3.34 (a) Fluorite unit cell, (b) plan view.
(
c
)

2
0
0
3

B
r
o
o
k
s
/
C
o
l
e

P
u
b
l
i
s
h
i
n
g

/

T
h
o
m
s
o
n

L
e
a
r
n
i
n
g

Figure 3.35 The perovskite unit cell showing the A and B site cations and oxygen
ions occupying the face-center positions of the unit cell. Note: Ions are not show
to scale.
(
c
)

2
0
0
3

B
r
o
o
k
s
/
C
o
l
e

P
u
b
l
i
s
h
i
n
g

/

T
h
o
m
s
o
n

L
e
a
r
n
i
n
g

Figure 3.37 Corundum structure of alpha-alumina (-AI
2
0
3
).
Figure 3.36 Crystal structure of a new high T
c
ceramic
superconductor based on a yttrium barium copper oxide. These
materials are unusual in that they are ceramics, yet at low
temperatures their electrical resistance vanishes. (Source:
ill.fr/dif/3D-crystals/superconductor.html; M. Hewat 1998.)
Materiales enlazados covalentemente.-
Frecuentemente tienen estructuras complicadas para
satisfacer las reestricciones direccionales que
imponen los enlaces.
Estructura cbica del diamante Un tipo especial
de FCC, materiales como el Si, Ge, el carbono en su
forma diamante estn unidos por 4 enlaces
covalentes que producen un tetraedro. Tiene nmero
de coordinacin de 4.
8. Estructuras covalentes
(
c
)

2
0
0
3

B
r
o
o
k
s
/
C
o
l
e

P
u
b
l
i
s
h
i
n
g

/

T
h
o
m
s
o
n

L
e
a
r
n
i
n
g

Figure 3.38 (a) Tetrahedron and (b) the diamond cubic (DC) unit cell.
This open structure is produced because of the requirements of covalent
bonding.
Determine el factor de empaquetamiento del Si Cbico.
Ejemplo 3.17. Determinacin del
factor de empaquetamiento del Si tipo
diamante.
(
c
)

2
0
0
3

B
r
o
o
k
s
/
C
o
l
e

P
u
b
l
i
s
h
i
n
g

/

T
h
o
m
s
o
n

L
e
a
r
n
i
n
g

Figure 3.39 Determining the
relationship between lattice
parameter and atomic radius
in a diamond cubic cell (for
Example 3.17).
Ejemplo 3.18. Clculo del radio r y
la densidad del Si
La constante de red del Si es 5.43 Cul ser el radio
del tomo de Si?Calcule la densidad terica del Si. La
masa atmica del Si es 28.1 gm/mol.
Ejemplo 3.18 SOLUCION
(
c
)

2
0
0
3

B
r
o
o
k
s
/
C
o
l
e

P
u
b
l
i
s
h
i
n
g

/

T
h
o
m
s
o
n

L
e
a
r
n
i
n
g

Figure 3.40 The silicon-oxygen tetrahedron and the resultant -
cristobalite form of silica.
(
c
)

2
0
0
3

B
r
o
o
k
s
/
C
o
l
e

P
u
b
l
i
s
h
i
n
g

/

T
h
o
m
s
o
n

L
e
a
r
n
i
n
g

Figure 3.41 The unit cell of crystalline polyethylene.
Cuntos tomos de C y H hay en cada celda unitaria de polietileno
cristalino. La densidad del poliethileno es 0.9972 g/cm
3
.
Ejemplo 3.19 SOLUCION

Ejemplo 3.19. Clculo de la cantidad
de tomos de C y H en el polietileno
cristalino
x = 4 carbon atoms per cell
2x = 8 hydrogen atoms per cell
Los defectos puntuales son interrupciones localizadas en
los arreglos atmicos o inicos, que si no fuera por ellos, se
tendran estructuras cristalinas perfectas.
An cuando se les llama defectos puntuales, la alteracin
afecta la regin donde intervienen varios tomos o iones.
Vacancia. Se produce cuando falta un tomo o ion en su
sitio normal de la estructura cristalina.
Ejemplos de aplicaciones: Los semiconductores como el
Silicio se les agrega fsforo boro.
Defectos puntuales
Defectos puntuales
Ejemplos de defectos puntuales en las estructuras de los metales y semiconductores
Defectos puntuales
Ejemplos de defectos puntuales en las estructuras de los metales y semiconductores
Proceso de solidificacin de
un metal
Schematic illustration of the stages during solidification of molten metal; each
small square represents a unit cell. (a) Nucleation of crystals at random sites
in the molten metal; note that the crystallographic orientation of each site is
different. (b) and (c) Growth of crystals as solidification continues. (d)
Solidified metal, showing individual grains and grain boundaries; note the
different angles at which neighboring grains meet each other.
Proceso de solidificacin de
un metal
La ecuacin de Arrhenius est dada por:


en donde:
n
v
es la cantidad de vacancias por cm
3

n es la cantidad de tomos por cm
3
;
Q
v
es la energa necesaria para producir un mol de vacancias, en
cal/mol o en joules/mol;
R es la constante ideal de los gases: 1.987 cal/ mol-K; 8.31
joules/mol-K;
T es la temperatura en grados K
Ecuacin de Arrhenius
|
.
|

\
|

=
RT
Q
n n
v
v
exp
(1)
Un defecto intersticial se forma cuando se inserta un
tomo o ion adicional a la estructura cristalina en una
posicin normalmente desocupada.
Los tomos o iones intersticiales, aunque son mucho
menores que los tomos o iones que estn en los puntos
de red, son mayores que los sitios intersticiales que
ocupan; en consecuencia comprimen o distorsionan la
regin cristalina vecina (de su alrededor).
Ejemplo: agregar carbono al hierro para formar acero.
Defectos intersticiales
Defectos puntuales
El nmero de coordinacin es el nmero de tomos o
iones adyacentes que rodean a determinado in (o tomo)
de referencia.
Nmero de coordinacin
El mayor nmero de iones de radio R que pueden coordinar un tomo de radio r es 3, cuando la
relacin de radios es de r/R=0.2.
Nmero de coordinacin
La relacin mnima de radios r/R, que pue producir coordinacin de 3 es 0.155.
Nmero de coordinacin
Se introduce un defecto sustitucional cuando un tomo o
ion es sustituido por otro distinto.
Defecto sustitucional
Un defecto Frenkel es un par de vacancia-intersticial que
se forma cuando un in salta de un punto normal de red a
un sitio intersticial.
Aunque esto se describe en los enlaces inicos tambin
pueden estar presentes en los metales y materiales con
enlaces covalentes.
Un defecto Shottky es exclusivo de los materiales inicos
y suele encontrarse mucho en los materiales cermicos.
En este defecto, las vacancias se presentan en el material
con enlaces inicos; donde debe de faltar un nmero
estequiometrico de aniones y cationes en el cristal para
conservar en el la neutralidad elctrica.
Defecto Frenkel y Shottky
Defecto Frenkel y Shottky
Los defectos lineales que son unidimensionales estan
asociados principalmente con la deformacin mecnica del
material.
Los defectos lineales tambin se les conoce como
dislocaciones.
Un defecto lineal suele designarse mediante una T invertida
() que representa el borde de un semiplano extra de
tomos.
El vector de Burgers (b), es el vector de desplazamiento
necesario para cerrar el circuito realizado paso a paso
alrededor del defecto.
Defecto lineales o dislocaciones:
imperfecciones unidimensionales
Defectos unidimensionales
Vector de Burgers
Defectos unidimensionales
Dislocacin helicoidal.
Cuyo nombre procede del
apilamiento en espiral de los
planos cristalinos a lo largo
de la lnea de dislocacin.
En el caso de la dislocacin
helicoidal, b es paralelo a la
lnea de dislocacin.
La magnitud de b es la
distancia de repeticin a lo
largo de la mayor densidad
atmica (la direccin en la
que los tomos se hallan en
contacto).
Defectos unidimensionales
Dislocacin mixta. El
vector b no es ni
perpendicular ni
paralelo a la lnea de
dislocacin, pero
mantiene la orientacin
fija en el espacio, que
es compatible con las
definiciones de
dislocacin lneal y
helicoidal.
Los defectos lineales son una muestra de que los
materiales cristalinos no pueden estar libre de
imperfecciones, estas imperfecciones existen en el interior
de cada material.
Sin embargo, debe de tenerse en cuenta que el material es
finito y que esta contenido dentro de alguna superficie
frontera.
Esta discontinuidad en el apilamiento se le llama defectos
superficiales.
Defecto de superficie: imperfecciones
bidimensionales
Defectos unidimensionales
Lmite de macla
Una macla separa dos regiones cristalinas que son, estructuralmente , imagen
especular una de la otra. Esta discontinuidad en estructura, altamente simtrica
puede producirse por deformacin (por ejemplo en los metales) y por recocido (por
ejemplo en los metales FCC).
El defecto de superficie ms importante que se considera
es el defectos de borde de grano.
Al describir la microestructura, es til usar un ndice
llamado tamao de grano. Un parmetro usado con
frecuencia por la ASTM (American Society for Testing
Materials), definido como G y esta dado por:

donde N es el nmero de granos que se observan en un
rea de 1 in
2
(645 mm
2
) en una microfotografa tomada de
100 aumentos (100X).
Defecto de superficie: imperfecciones
bidimensionales
1
2

=
G
N
(2)
Defectos bidimensionales
Numero de granos:
21 granos completos
22 granos cortados por la circunferencia
Por tanto:

21+ (22/2) = 32 granos

Entonces N es



De la ecuacin (2), despejando G:


2 2 2
in
granos
04 . 8
in ) 2 / 25 . 2 (
32
= =
t
N
01 . 4 1
2 ln
) 04 . 8 ln(
1
2 ln
ln
2
1
= + = + =
=

N
G
N
G
Acero de bajo carbono
Dimetro: 2.25 in
Defectos tridimensionales
Modelo de Bernal de la estructura de un metal amorfo. La disposicin irregular de
tomos esta representada por un conjunto de poliedros conectados. Cada poliedro
se obtiene trazando lneas rectas entre los tomos adyacentes.