Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
Introduccin: definicin y tipos de transistores Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor tipo PNP Transistor tipo NPN Caractersticas elctricas de un transistor bipolar Conclusiones
TRANSISTORES
C
NP
B N+ E
TIPOS DE TRANSISTORES
NPN
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR
UNIPOLAR (UJT)
TRANSISTORES DE POTENCIA
FET : Field Effect Transistor UJT: Uni-Juntion Transistor
Equivalente de diodos
Corriente base-emisor
Corriente colector-emisor
Transistor en saturaci
Transistor en activa Transistor en corte
+ -
+ + -
+ +
+ +
+ +
P
Concentracin de huecos
+ -
Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en serie: el funcionamiento de la primera unin no afecta al de la segunda
El terminal central (base) maneja una fraccin de la corriente que circula entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR
Base
Emisor
Colector
Transistor PNP
P N P
El terminal de base acta como terminal de control manejando una fraccin de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector. El emisor tiene una concentracin de impurezas muy superior a la del colector: emisor y colector no son intercambiables
Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente se debe mayoritariamente al movimiento de electrones.
En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y base circula en sentido opuesto a la de un PNP.
Base
Emisor
Colector
Transistor NPN
N P N
La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las caractersticas del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de forma y tamao equivalente. Los NPN se emplean en mayor nmero de aplicaciones.
IC
+ VCB + VBE
IC, IB, IE
VCE, VBE, VCB En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y 2 tensiones. Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE y VBE. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente: IE = I C + I B
IB
VCE
IE
IC + IB
+ VBE
VCE
VBE
Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo. La caracterstica de este diodo depende de VCE pero la variacin es pequea.
IC + IB
IC
IB VCE
+ VBE
VCE
La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de base IB.
DEL
TRANSISTOR
IC (mA)
40
IB
VCE
30
20 10 1 2
300
200 100 0 VCE (V)
Zona de corte
El parmetro fundamental que describe la caracterstica de salida del transistor es la ganancia de corriente .
CARACTERSTICAS ELCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de entrada
VCE IC + + VBE VBE IB
IB
VCE
Ideal
La caracterstica de entrada corresponde a la de un diodo y se emplean las aproximaciones lineales vistas en el tema anterior.
CARACTERSTICAS ELCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR Transistor NPN: zonas de funcionamiento del transistor ideal
IC IC + + VBE IB VCE -
Zona activa
VBE
+ + IB IB
VCE -
IC
IC
Zona de saturacin
IB VBE
+ + IC=0 IB
IC<IB VCE=0
+
VCE
Zona de corte
VBE
IB
VCE -
12 V 36 W 3A 12 V I 40 mA
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico. Electrnica de Potencia y Electrnica digital
12 V
3A = 100
ON
IC
VEB +
IB
VEC VEB +
Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN. Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es saliente.
IC
-
IC
VEB +
IB
IB VEC
VEC
La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante la corriente de base IB.
= 100
3A 12 V 36 W
3A
12 V I
IC
Al igual que antes, sustituimos interruptor principal por un transistor. el
4A PF (ON) 3 A OFF ON
IB = 40 mA
La corriente de base (ahora circula al reves) debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin.
VEC 12 V PF (OFF)
IB
VCE = 0 VCE1 VCE2
IC I
IB6 IB5
CMax
Avalancha Secundaria
Saturacin
IB3 IB2 IB1
IB4
VBE
IB= 0
Caracterstica de Entrada
1V Corte
VCEMax
VCE
Caracterstica de Salida
PMAX
VCE-SAT HFE
Potencia mxima
Tensin C.E. de saturacin Ganancia
SOAR
VCE-MAX
VCE
rea de operacin segura (Safety Operation Area)
MONTAJES
Amplificador de sonido
MONTAJES
CONCLUSIONES
Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN. Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones: La zona de Base debe ser muy estrecha. El emisor debe de estar muy dopado. Generalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor. Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrnica Analgica.
Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante intercambiables y constructivamente similares.
Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos (Mayoritarios del emisor en cada caso). Reacurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos, es decir, el transistor NPN es mas rpido que le PNP en igualdad de condiciones.