Electrnica I Catedrtico: Ing.

Hctor Snchez Alumno: Luis Marcelo Portillo

La tecnologa CMOS fue desarrollada por Wanlass y Sah, de Fairchild Semiconductor, a principios de los aos 60. Sin embargo, su introduccin comercial se debe a RCA, con su famosa familia lgica CD4000

Una aplicacin muy efectiva del arreglo complementario es la de un inversor. De la misma manera que se presento para los transistores de conmutacin, un inversor es un elemento lgico que invierte la seal aplicada. niveles lgicos.

los niveles lgicos de operacin 0V (estado 0) y 5V (estado 1), un nivel de entrada 0 dar por resultado un nivel de 5V y viceversa observe en la figura anterior que ambas compuertas estn conectadas con la seal aplicada y que los drenajes de salida vo. La fuente del MOSFET de canal P esta conectado directamente al voltaje aplicado Vss. Mientras que la fuente del MOSFET de canal N esta conectada a tierra.

La aplicacin de 5v aplicados en la entrada debe dar por resultado una salida aproximada de 0v. Con 5v en Vi (con respecto a tierra), Vgs1 = Vi y Q1 esta encendido, lo que origina una resistencia relativamente muy baja entre el drenaje y la fuente. Ya que Vi y Vss estn en 5v, Vgs2= 0v, lo cual es menor que VT, necesario para el dispositivo y resulta en un estado apagado, el nivel de resistencia a entre el drenado y la fuente es muy alto para Q2. una simple aplicacin de la regla de divisor de voltaje indicara que V0 esta muy cerca a 0v o el estado 0 con lo que se establece el proceso de inversin buscado. Para un voltaje aplicado de Vi de 0v, Vgs1=0 y Q1 estar apagado con Vss2 =5v, encendiendo el MOSFET de canal P. el resultado ser que Q2 presentara un pequeo nivel de resistencia Q1 una gran resistencia y V0=Vss=5v (estado 1), debido a que la corriente de drenaje que fluye en cada caso estar limitada por el transistor apagado al valor de fuga, la potencia disipada en cada estado es muy baja.

la familia CMOS (metal oxido semiconductor complementario) no utiliza un transistor bipolar corriente como dispositivo de amplificacin. En su lugar utiliza un transistor FET, especficamente, un transistor de efecto de campo metal oxido semiconductor MOSFET, la figura muestra un diagrama de una puerta NOR CMOS.

Basta con decir que la mayor ventaja de la familia CMOS es su consumo de potencia extremadamente bajo. Una puerta CMOS consume y disipa solamente unos 2nW de potencia cuando es conmutada a 1KHz; esto es menos de la millonsima parte de la potencia disipada por una puerta TTL.

Adems de su minsculo consumo de potencia.la familia Cmos tiene la inmunidad al ruido mejor que la inmunidad de la familia TTL y tan buena como la que posee la familia HTL no es usual encontrar estas dos ventajas en circuito electrnico.

Note que el esquema de la puerta CMOS no muestra ni resistencias ni diodos. Los circuitos CMOS no utilizan sino MOSFETs con componentes del circuito. Esto facilita su fabricacin como Cis mas baratos. Tambin dado que un CI MOSFET requiere menos rea de cristal de silicio que un CI con diodos y resistencias, la densidad de empaquetamiento puede ser mucho mas alta. Esta particularidad permite fabricar circuitos amplios y complejos en un solo chip de CI.

Serie 74HC (CMOS de alta velocidad)

Esta es una versin mejor de la serie 74C. La principal mejora radica en un aumento de diez veces en la velocidad de conmutacin. Otra mejora es una mayor capacidad de corriente en las salidas. Tambin de alta velocidad, y tambin es compatible en lo que respecta a los voltajes con los dispositivos TTL. Esta serie tambin es una serie CMOS de alta velocidad, y est diseada para ser compatible en lo que respecta a los voltajes con los dispositivos TTL, es decir, las entradas pueden provenir de salidas TTL

Serie 74HCT

Esta serie, la ms nueva de los CMOS Funcionalmente equivalente con las diversas series de TTL pero no es compatible con terminales con el TTL. La razn es que las ubicaciones de las terminales en los microcircuitos 74AC o 74ACT se han seleccionado para mejorar la inmunidad al ruido, con lo cual las entradas a dispositivos son menos sensibles a los cambios de seal que las que ocurren en las terminales de otros CI

INVERSOR CMOS

La familia CMOS no puede clasificarse como lgica de emisin de corriente ni como lgica de absorcin de corriente, dado que prcticamente no circula corriente entre la puerta manejadora y la puerta manejada. Esto es consecuencia de alta resistencia de entrada dc de MOSFET, cerca de un trilln de ohmios. La resistencia de entrada de un MOSFET permite que un gran numero de entradas se puedan conectar a una sola salida. En otras palabras la familia CMOS posee un fan-out alto.

La mayora de las puertas CMOS tienen un fan-out por encima 100, dependiendo a la frecuencia a la cual es conmutada la puerta. Esta pues es otra ventaja de esta familia. No es permitida la conexin AND de las puertas CMOS, dado que siempre tienen un FET pull-up en el circuito de salida. Las puertas lgicas CMOS y otros circuitos digitales CMOS son siempre CIs, nunca componentes discretos, son empaquetados en la forma DIP y plana.

De esta forma, cuando un CMOS funciona con VDD = 5 V, acepta voltaje de entrada menor que VIL(mx) = 1.5 V como BAJO, y cualquier voltaje de entrada mayor que VIH (mn) = 3.5 V como ALTO.

El factor de carga de CMOS depende del mximo retardo permisible en la propagacin. Comnmente este factor de carga es de 50 para bajas frecuencias (<1 MHz). Por supuesto para altas frecuencias, el factor de carga disminuye.

Las familias lgicas MOS son especialmente susceptibles a daos por carga electrosttica. Esto es consecuencia directa de la alta impedancia de entrada de estos CI. Una pequea carga electrosttica que circule por estas altas impedancias puede dar origen a voltajes peligrosos. Los CMOS estn protegidos mediante la inclusin en sus entradas de diodos zner de proteccin. Los zner por lo general cumplen con su finalidad, algunas veces no comienzan a conducir con la rapidez necesaria para evitar que el CI sufra daos