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ASSUNTO

1- IMPERFEIES CRISTALINAS
- Defeitos pontuais - Defeitos de linha (discordncias) - Defeitos de interface (gro e maclas) - Defeitos volumtricos (incluses, precipitados)
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O QUE UM DEFEITO?
uma imperfeio ou um "erro" no arranjo peridico regular dos tomos em um cristal. Pode envolver uma irregularidade na posio dos tomos no tipo de tomos O tipo e o nmero de defeitos dependem do material, do meio ambiente, e das circunstncias sob as quais o material foi processado.
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IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Apenas uma pequena frao dos stios (ou posies) atmicos so imperfeitos Menos de 1 em 1 milho Menos sendo poucos eles influenciam muito as propriedades dos materiais e nem sempre de forma negativa

IMPERFEIES ESTRUTURAIS - IMPORTNCIADEFEITOS

INTRODUO SELETIVA

CONTROLE DO NMERO

ARRANJO

Permite desenhar e criar novos materiais com a combinao desejada de propriedades


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IMPERFEIES ESTRUTURAIS

Exemplos de efeitos da presena de imperfeies


O processo de dopagem em semicondutores visa criar imperfeies para mudar o tipo de condutividade em determinadas regies do material o A deformao mecnica dos materiais promove a formao de imperfeies que gera um aumento na resistncia (processo conhecido como encruamento) o Wiskers de ferro (sem imperfeies do tipo discordncias) apresentam resistncia maior que 70GPa, enquanto o ferro comum rompe-se a aproximadamente 270MPa.
o
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IMPERFEIES ESTRUTURAIS

So classificados de acordo com sua geometria ou dimenses

IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Defeitos Pontuais associados c/ 1 ou 2 posies atmicas
uma dimenso (fronteiras) duas dimenses trs dimenses
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Defeitos lineares

Defeitos planos ou interfaciais

Defeitos volumtricos

1- DEFEITOS PONTUAIS
Vacncias ou vazios tomos Intersticiais Schottky Ocorrem em slidos inicos Frenkel

1- DEFEITOS PONTUAIS
influem principalmente as propriedades pticas e eltricas dos materiais; influem em processos como difuso, transformao de fases, fluncia, etc tomos de soluto geram defeitos ponstuais

VACNCIAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um tomo So formados durante a solidificao do material cristalino ou como resultado das vibraes atmicas (os tomos deslocam-se de suas posies normais) A energia livre do material depende do nmero ou concentrao de vacncias presentes
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VACNCIAS OU VAZIOS EM EQUILBRIO


O nmero de vacncias aumenta exponencialmente com a temperatura
Nv= N exp (-Qv/KT) Nv= nmero de vacncias N= nmero total de stios atmicos Qv= energia requerida para formao de vacncias K= constante de Boltzman = 1,38x1023J/at.K ou 8,62x10-5 eV/ at.K
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INTERSTICIAIS
Envolve um tomo extra no interstcio (do prprio cristal) Produz uma distoro no reticulado, j que o tomo geralmente maior que o espao do interstcio A formao de um defeito intersticial implica na criao de uma vacncia, por isso este defeito menos provvel que uma vacncia

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INTERSTICIAIS devido a adio de soluto

tomo intersticial grande


tomo intersticial pequeno Gera maior distoro na rede
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FRENKEL
Ocorre em slidos inicos Ocorre quando um on sai de sua posio normal e vai para um interstcio

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SCHOTTKY
Presentes em compostos que tem que manter o balano de cargas Envolve a falta de um nion e/ou um ction
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CONSIDERAES GERAIS
Vazios e Schottky favorecem a difuso Estruturas de empacotamento fechado tem um menor nmero intersticiais e Frenkel que de vazios e Schottky

Porque necessria energia adicional para forar os tomos para novas posies
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IMPUREZAS NOS SLIDOS


Um metal considerado puro sempre tem impurezas (tomos estranhos) presentes
99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3

A presena de impurezas promove a formao de defeitos pontuais


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LIGAS METLICAS
Algumas impurezas (chamadas elementos de liga) so adicionadas intencionalmente com a finalidade: aumentar a resistncia mecnica aumentar a resistncia corroso Aumentar a condutividade eltrica Etc.
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A ADIO DE ELEMENTOS DE LIGA PODE FORMAR


Solues slidas

Segunda fase

% elemento < limite de solubilidade % elemento > limite de solubilidade

A solubilidade depende : Temperatura Tipo de elemento (ou impureza) Concentrao do elemento (ou impureza)
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Termos usados
Elemento de liga ou Impureza soluto (< quantidade)

Matriz ou Hospedeiro

solvente (>quantidade)
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SOLUES SLIDAS

A estrutura cristalina do material que atua como matriz mantida

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SOLUES SLIDAS
Nas solues slidas as impurezas ou elementos de liga podem ser do tipo:
- Intersticial - Substitucional

Ordenada Desordenada

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SOLUES SLIDAS INTERSTICIAIS

INTERSTICIAL

Os tomos de impurezas ou os elementos de liga ocupam os espaos dos interstcios Ocorre quando a impureza apresenta raio atmico bem menor que o hospedeiro Como os materiais metlicos tem geralmente fator de empacotamento alto as posies intersticiais so relativamente pequenas Geralmente, no mximo 10% de impurezas so incorporadas nos interstcios
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EXEMPLO DE SOLUO SLIDA INTERSTICIAL


Fe + C solubilidade mxima do C no Fe 2,1% a 910 C (Fe CFC)

O C tem raio atmico bastante pequeno se comparado com o Fe rC= 0,071 nm= 0,71 A rFe= 0,124 nm= 1,24 A
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INTERSTICIAIS NA CCC E CFC


Nessas estruturas existem 2 tipos de intersticiais, um stio menor e um maior A impureza geralmente ocupa o stio maior

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INTERSTICIAIS NA CFC
Existem 13 posies intersticiais (octaedros- formados por 6 tomos) e 8 posies intersticiais (tetraedros formados por 4 tomos)= 21
O Stio maior o octadrico

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INTERSTICIAIS (octaedros) NA CFC


Existem 13 posies intersticiais

(octaedros)
1 Centro do octaedro de coordenadas (, , ) 12 localizado no centro das arestas (, 0,0)

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INTERSTICIAIS (tetraedros) NA CFC


Existem 8 posies intersticiais (tetraedros)
1 Centro do tetraedro de coordenadas (1/4, 1/4, 1/4)

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Calcule o raio da impureza que se ajusta perfeitamente no stio intersticial maior (octadrico) para a estrutura cfc

r= 0,41R

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INTERSTICIAIS NA CCC
Existem 18 posies intersticiais (octaedros) e 24 posies intersticiais (tetraedros)= 42 O Stio maior o tetradrico
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INTERSTICIAIS (octaedro) NA CCC


Existem 18 posies intersticiais (octaedro) 6 Centro das faces posies (, , 0) 12 Centro de arestas (, 0,0)

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INTERSTICIAIS (tetraedros) NA CCC


Existem 24 posies intersticiais (tetraedros)
4 tetraedros Para cada uma das seis faces (1/2, 1/4, 0)

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Calcule o raio da impureza que se ajusta perfeitamente no stio maior (tetradrico) para a estrutura ccc

r= 0,29R

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Carbono intersticial no Ferro


O carbono mais solvel no Ferro CCC ou CFC, considerando a temperatura prxima da transformao alotrpica?
ccc

cfc
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Carbono intersticial no Ferro cccferrita


Na ferrita os espaos intersticiais so menores
rFe= 0,124 nm rC= 0,071 nm Espao intersticial octradrico= 0,019 nm - 0,052 nm

rFe= 0,124 nm rC= 0,071 nm Espao intersticial tetradrico= 0,035 nm - 0,036 nm

ccc

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Carbono intersticial no Ferro cfcaustenita

rFe= 0,124 nm rC= 0,071 nm Espao intersticial octradrico= 0,052 nm - 0,019 nm

cfc

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SOLUBILIDADE DO CARBONO NO FERRO


Apesar da clula unitria CCC apresentar diversas posies intersticiais, a solubilidade de carbono no Fe maior em clulas CFC, pois as mesmas concentram o espao vazio da clula, nas posies intersticiais octadricas.
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INTERSTICIAIS NA HC
Existem 6 posies intersticiais (octaedros) e 8 posies intersticiais (tetraedros)= 14 O Stio maior o octadrico
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INTERSTICIAIS (octaedros) NA HC
Existem 6 posies intersticiais (octaedros)

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INTERSTICIAIS (tetraedros) NA HC
Existem 8 posies intersticiais (tetraedros)

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SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS (TIPOS)


SUBSTITUCIONAL ORDENADA SUBSTITUCIONAL DESORDENADA

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SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS

As solues slidas substitucionais formam-se mais facilmente quando o elemento de liga (impureza) e matriz apresentam estrutura cristalina e dimenses eletrnicas semelhantes

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FATORES QUE DETERMINAM A FORMAO DE SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS

REGRA DE HOME-ROTHERY
Raio atmico deve ter uma diferena de no mximo 15%, caso contrrio pode promover distores na rede e assim formao de nova fase Estrutura cristalina mesma Eletronegatividade prximas Valncia mesma ou maior que a do hospedeiro
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EXEMPLO DE SOLUO SLIDA SUBSTICIONAL


Cu + Ni so solveis em todas as propores
Cu Raio atmico Estrutura 0,128nm=1,28 A CFC Ni 0,125 nm=1,25A CFC

Eletronegatividade

1,9

1,8

Valncia

+1 (as vezes +2)

+2
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2- DEFEITOS LINEARES: DISCORDNCIAS


As discordncias esto associadas com a cristalizao e a deformao (origem: trmica,

mecnica e supersaturao de defeitos pontuais)


A presena deste defeito a responsvel pela deformao, falha e ruptura dos materiais

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2- DEFEITOS LINEARES: DISCORDNCIAS


Podem ser:
- Cunha - Hlice - Mista

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VETOR DE BURGER (b)


D a magnitude e a direo de distoro da rede
Corresponde distncia de deslocamento dos tomos ao redor da discordncia

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2.1- DISCORDNCIA EM CUNHA


Envolve um SEMIplano extra de tomos O vetor de Burger perpendicular direo da linha da discordncia Envolve zonas de trao e compresso
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DISCORDNCIAS EM CUNHA

Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ

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DISCORDNCIAS EM CUNHA

Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ

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2.2- DISCORDANCIA EM CUNHA (Tenses)

Campo de tenses envolve componentes de trao e compresso

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2.2- DISCORDANCIA EM HLICE


Produz distoro na rede O vetor de burger paralelo direo da linha de discordncia

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DISCORDANCIA EM HLICE

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2.2- DISCORDANCIA EM HLICE

DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS SO DEGRAUS DE ESCORREGAMENT SUPERFICIAIS. (Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).
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2.2- DISCORDANCIA EM HLICE (Tenses)


Campo de tenses simtrico e paralelo ao vetor de burger (no envolve componentes de trao ou compresso)

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Energia e Discordncias
A energia associada a uma discordncia depende do vetor de Burger (varia com o quadrado do vetor de Burger) Discordncia com alto vetor de Burger tende a se dissociar em duas ou mais discordncias de menor vetor de Burger (como o vetor menor que o vetor da rede chamado de falha de empilhamento-stacking fault)
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Dissociao de Discordncias
stacking fault

A reao de dissociao energeticamente favorvel se: b12 > b22 + b32


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Exerccio 15
O vetor de Burger (b) para estruturas cbicas de face centrada (CFC) e cbica de corpo centrado (CCC) pode ser expresso como: b= a/2 [hkl] onde [hkl] a direo cristalogrfica de maior densidade atmica. Quais so as representaes para o vetor de Burgers para as estruturas CFC e CCC? Se a magnitude do vetor de de Burges b igual a a/2 (h2+k2+l2)1/2, determine o valor de bpara o Alumnio.
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OBSERVAO DAS DISCORDANCIAS


Diretamente TEM ou HRTEM

Indiretamente SEM e microscopia ptica (aps ataque qumico seletivo)

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DISCORDNCIAS NO TEM

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DISCORDNCIAS NO HRTEM

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DISCORDNCIAS NO HRTEM

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FIGURA DE ATAQUE PRODUZIDA NA DISCORDNCIA VISTA NO SEM

Plano (111) do InSb

Plano (111) do GaSb


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MOVIMENTO DE DISCORDNCIAS
GLIDE: ocorre a baixas temperaturas e envolve quebra de ligaes localizadas. A discordncia se move no plano que contm a linha de discordncia e o vetor de burger
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MOVIMENTO DE DISCORDNCIAS
CLIMB: ocorre a altas temperaturas (pois ocorre por difuso e migrao de vacncias) e envolve adio e remoo de tomos do semi-plano extra. A discordncia se move perpendicular ao plano que contm a linha de discordncia e o vetor de burger
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CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias podem ser controlados pelo grau de deformao (conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmicos Com o aumento da temperatura h um aumento na velocidade de deslocamento das discordncias favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e formao de discordncias nicas Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em torno das discordncias formando uma atmosfera de impurezas
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CONSIDERAES GERAIS
A densidade das discordncias depende da orientao cristalogrfica, pois o cisalhamento se d mais facilmente nos planos de maior densidade atmica As discordncias geram vacncias As discordncias influem nos processos de difuso A formao de discordncias contribuem para a deformao plstica
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3- DEFEITOS PLANOS OU INTERFACIAIS


Envolvem fronteiras (defeitos em duas dimenses) e normalmente separam regies dos materiais de diferentes estruturas cristalinas ou orientaes cristalogrficas

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3- DEFEITOS PLANOS OU INTERFACIAIS


Superfcie externa Contorno de gro Fronteiras entre fases Maclas ou Twins Defeitos de empilhamento
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3.1- DEFEITOS NA SUPERFCIE EXTERNA


o mais bvio Na superfcie os tomos no esto completamente ligados Ento o estado energia dos tomos na superfcie maior que no interior do cristal Os materiais tendem a minimizar esta energia A energia superficial expressa em erg/cm2 ou J/m2)

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3.2- CONTORNO DE GRO

Corresponde regio que separa dois ou mais cristais de orientao diferente um cristal = um gro
No interior de cada gro todos os tomos esto arranjados segundo um nico modelo e nica orientao, caracterizada pela clula unitria 71

Monocristal e Policristal
Monocristal: Material com apenas uma orientao cristalina, ou seja, que contm apenas um gro

Policristal: Material com mais de uma orientao cristalina, ou seja, que contm vrios gros

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LINGOTE DE ALUMNIO POLICRISTALINO

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GRO
A forma do gro controlada: - pela presena dos gros circunvizinhos
O tamanho de gro controlado - Composio qumica - Taxa (velocidade) de cristalizao ou solidificao
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FORMAO DOS GROS

A forma do gro controlada: - pela presena dos gros circunvizinhos

O tamanho de gro controlado - Composio - Taxa de cristalizao ou solidificao

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CONSIDERAES GERAIS SOBRE CONTORNO DE GRO


H um empacotamento ATMICO menos eficiente H uma energia mais elevada Favorece a nucleao de novas fases (segregao) Favorece a difuso O contorno de gro ancora o movimento das discordncias
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Discordncia e Contorno de Gro


A passagem de uma discordncia atravs do contorno de gro requer energia
DISCORDNCIA

O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois constitui um obstculo para a passagem da mesma, LOGO QUANTO MENOR O TAMANHO DE GRO 77 .........A RESISTNCIA DO MATERIAL

CONTORNO DE PEQUENO NGULO


Ocorre quando a desorientao dos cristais pequena formado pelo alinhamento de discordncias

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OBSERVAO DOS GROS E CONTORNOS DE GRO


Por microscopia (TICA OU ELETRNICA) utiliza ataque qumico especfico para cada material

O contorno geralmente mais reativo

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GROS VISTOS NO MICROSCPIO TICO

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TAMANHO DE GRO
O tamanho de gro influi nas propriedades dos materiais Para a determinao do tamanho de gro utiliza-se cartas padres

ASTM ou ABNT
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DETERMINAO DO TAMANHO DE GRO (ASTM)


Tamanho: 1-10 Aumento: 100 X
Quanto maior o nmero menor o tamanho de gro da amostra

N= 2 n-1
N= nmero mdio de gros por polegada quadrada n= tamanho de gro
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Existem vrios softwares comerciais de simulao e determinao do tamanho de gro

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CRESCIMENTO DO GRO com a temperatura

Em geral, por questes termodinmicas (energia) os gros maiores crescem em detrimento dos menores 84

3.3- TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
um tipo especial de contorno de gro Os tomos de um lado do contorno so imagens especulares dos tomos do outro lado do contorno A macla ocorre num plano definido e numa direo especfica, dependendo da estrutura cristalina
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ORIGENS DOS TWINS


MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
O seu aparecimento est geralmente associado com A PRESENA DE: - tenses trmicas e mecnicas - impurezas - Etc.
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4- IMPERFEIES VOLUMTRICAS

So introduzidas no processamento do material e/ou na fabricao do componente

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4- IMPERFEIES VOLUMTRICAS
- Incluses - Precipitados - Fases
Impurezas estranhas so aglomerados de partculas cuja composio difere da matriz forma-se devido presena de impurezas ou elementos de liga (ocorre quando o limite de solubilidade ultrapassado)

- Porosidade
formao de gases

origina-se devido a presena ou

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Incluses

INCLUSES DE XIDO DE COBRE (Cu2O) EM COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%) LAMINADO A FRIO E RECOZIDO A 800o C.
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Incluses

SULFETOS DE MANGANS (MnS) EM AO RPIDO.


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Porosidade
As figuras abaixo apresentam a superfcie de ferro puro durante o seu processamento por metalurgia do p. Nota-se que, embora a sinterizao tenha diminudo a quantidade de poros bem como melhorado sua forma (os poros esto mais arredondados), ainda permanece uma porosidade residual.

COMPACTADO DE P DE FERRO,COMPACTAO UNIAXIAL EM MATRIZ DE DUPLO EFEITO, A 550 MPa

COMPACTADO DE P DE FERRO APS SINTERIZAO A 1150oC, POR 120min EM


ATMOSFERA DE HIDROGNIO
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EXEMPLOS DE SEGUNDA FASE

A MICROESTRUTURA COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITA SOBRE UMA MATRIZ PERLTICA. CADA GRO DE PERLITA, POR SUA VEZ, CONSTITUDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE DUAS FASES: FERRITA (OU FERRO-A) E CEMENTITA (OU CARBONETO DE FERRO). 92

microestrutura da liga Al-Si-Cu + Mg mostrando diversas fases precipitadas

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Micrografia da Liga Al-3,5%Cu no Estado Bruto de Fuso

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