UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERIA QUIMICA Y TEXTIL

TEMAS
Diodos Semiconductores, Polarizacin Directa, Polarizacin
Inversa, Tipos de diodos semiconductores, Aplicaciones ,
Rectificadores
DIODOS SEMICONDUCTORES
CONTROLES ELECTRICOS Y AUTOMATIZACION
EE - 621
Representacin del componentes elctricos en diagrama V-I
+
-
V
I I
V
Corto
(R = 0)
+
-
V
I I
V
Abierto
(R = )
+
-
V
I I
V
Batera
+
-
I I
V
Resistencia
(R)
V
I
+
-
V
V
Fuente
Corriente
I
Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si)
Compuestos IV: SiC y SiGe
Compuestos III-V:
Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y InSb
Ternarios: GaAsP, AlGaAs
Cuaternarios: InGaAsP
Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y CdTe
Son materiales de conductividad intermedia entre la de los metales y la de los
aislantes, que se modifica en gran medida por la temperatura, la excitacin
ptica y las impurezas.
Materiales semiconductores
Estructura atmica del Carbono (6 electrones)
1s
2
2s
2
2p
2
Estructura atmica del Silicio (14 electrones)
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
10


4s
2
4p
2
Estructura atmica del Germanio (32 electrones)
4 electrones en la ltima capa
Materiales semiconductores (II)
A 0K, tanto los aislantes como los semiconductores no conducen, ya que
ningn electrn tiene energa suficiente para pasar de la banda de valencia
a la de conduccin. A 300K, algunos electrones de los semiconductores
alcanzan este nivel. Al aumentar la temperatura aumenta la conduccin en
los semiconductores (al contrario que en los metales).
E
g
Banda de valencia
Banda de
conduccin
Aislante
E
g
=5-10eV
Diagramas de bandas de Energa
Semiconductor
E
g
=0,5-2eV
E
g
Banda de valencia
Banda de
conduccin
Banda de valencia
Conductor
No hay E
g
Banda de
conduccin
No hay enlaces covalentes rotos. Esto equivale a que los electrones de la
banda de valencia no pueden saltar a la banda de conduccin.
Representacin plana del Germanio a 0 K
ATE-UO Sem 09
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Ge Ge Ge Ge
Ge Ge Ge Ge
-
-
-
-
Hay 1 enlace roto por cada 1,710
9
tomos.
Un electrn libre y una carga + por cada
enlace roto.
ATE-UO Sem 10
Situacin del Ge a 0K
Ge Ge Ge Ge
Ge Ge Ge Ge
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
300 K
(I)
ATE-UO Sem 11
Situacin del Ge a 300 K (II)
Ge Ge Ge Ge
Ge Ge Ge Ge
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
Generacin
-
-
+
Recombinacin
Generacin
Siempre se estn rompiendo (generacin) y reconstruyendo (recombinacin) enlaces.
La vida media de un electrn puede ser del orden de milisegundos o microsegundos.
-
+ +
-
-
Recombinacin
Generacin
Muy
importante
+
-
+

+

+

+

+

+

+


-
-
-
-
-
-
-
ATE-UO Sem 12
-
Ge Ge Ge Ge
Ge Ge Ge Ge
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
Aplicacin de un campo externo (I)
El electrn libre se mueve por accin del campo.
Y la carga + ?.
-
-
-
-
Ge Ge Ge Ge
Ge Ge Ge Ge
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
-
+

+

+

+

+

+

+


-
-
-
-
-
-
-
ATE-UO Sem 13
Aplicacin de un campo externo (II)
-
+
-
-
La carga + se mueve tambin. Es un nuevo portador de carga, llamado
hueco.
Muy
importante
j
p

j
n

Existe corriente elctrica debida a los dos portadores de carga:
j
p
=q
p
pE es la densidad de corriente de huecos.
j
n
=q
n
nE es la densidad de corriente de electrones.




Movimiento de cargas por un campo elctrico
exterior (I)
E

+

+

+

+

+

-
-
-
-
-
ATE-UO Sem 15
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados Semiconductores
Intrnsecos, en los que:
No hay ninguna impureza en la red cristalina.
Hay igual nmero de electrones que de huecos n = p = n
i
Ge: n
i
= 210
13
portadores/cm
3
Si: n
i
= 10
10
portadores/cm
3
AsGa: n
i
= 210
6
portadores/cm
3
(a temperatura ambiente)
Pueden modificarse estos valores?
Puede desequilibrarse el nmero de electrones y de huecos?
La respuesta son los Semiconductores Extrnsecos
Semiconductores Intrnsecos
A 0K, habra un electrn
adicional ligado al tomo de
Sb
Tiene 5 electrones en la ltima
capa
Semiconductores Extrnsecos
Introducimos pequeas cantidades de impurezas del grupo V
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Ge Ge Ge
Ge Ge Ge Ge
-
-
-
-
Sb
-
-
-
1
2
3
4
5
0K
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Ge Ge Ge
Ge Ge Ge Ge
-
-
-
-
Sb
-
-
-
1
2
3
4
5
0K
Semiconductores Extrnsecos
300K
Sb
+

5
-
A 300K, todos electrones adicionales de los tomos de Sb estn
desligados de su tomo (pueden desplazarse y originar corriente
elctrica). El Sb es un donador y en el Ge hay ms electrones que huecos.
Es un semiconductor tipo N.
-
E
n
e
r
g

a

E
g
=0,67eV
4 electr./atm.
4 est./atm.
0 electr./atm.
E
Sb
=0,039eV
-
-
-
-
0K
El Sb genera un estado permitido en la banda prohibida, muy cerca de la banda
de conduccin. La energa necesaria para alcanzar la banda de conduccin se
consigue a la temperatura ambiente.
Semiconductores Extrnsecos
Interpretacin en diagrama de bandas de un semiconductor
extrnseco Tipo N
ATE-UO Sem 20
3 est./atm.
1 electr./atm.
-
+
300K
A 0K, habra una falta de
electrn adicional ligado al
tomo de Al
Tiene 3 electrones en la ltima
capa
Semiconductores Extrnsecos
Introducimos pequeas cantidades de impurezas del grupo III
ATE-UO Sem 21
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Ge Ge Ge
Ge Ge Ge Ge
-
-
-
-
Al
-
1
2
3
0K
A 300K, todas las faltas de electrn de los tomos de Al estn cubiertas con un
electrn procedente de un tomo de Ge, en el que se genera un hueco. El Al es un
aceptador y en el Ge hay ms huecos que electrones. Es un semiconductor tipo P.
Semiconductores Extrnsecos
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Ge Ge Ge
Ge Ge Ge Ge
-
-
-
-
Al
-
1
2
3
0K
300K
Al
-

+
-
4 (extra)
E
n
e
r
g

a

E
g
=0,67eV
4 electr./atom.
0 huecos/atom.
4 est./atom.
E
Al
=0,067eV
-
-
-
-
0K
+
-
3 electr./atom.
1 hueco/atom.
300K
Interpretacin en diagrama de bandas de un semiconductor
extrnseco Tipo P
Semiconductores Extrnsecos
El Al genera un estado permitido en la banda prohibida, muy cerca de la banda de
valencia. La energa necesaria para que un electrn alcance este estado permitido se
consigue a la temperatura ambiente, generando un hueco en la banda de valencia.
Semiconductores intrnsecos:
Igual nmero de huecos y de electrones
Semiconductores extrnsecos:
Tipo P:
Ms huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
Impurezas del grupo III (aceptador)
Todos los tomos de aceptador ionizados -.
Tipo N:
Ms electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
Impurezas del grupo V (donador)
Todos los tomos de donador ionizados +.
Resumen
Muy
importante
DIODO SEMICONDUCTOR (Diode)
-
-
-
-
+
P N
+
+
+
ZONA
TRANSICIN
NODO
CTODO
NODO CTODO
SMBOLO
Zona libre de cargas.
Solo quedan los iones fijos.
Fue descubierto accidentalmente el los laboratorios Bell por Russel Ohl
en 1940
I
P
N
POLARIZACIN DIRECTA:
LA CONSIDERACIN INTUITIVA ES BASTANTE CIERTA
+
-
Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se ven
empujados a "invadir" la zona de transicin.

La zona de transicin se ve reducida drsticamente.

La corriente se debe a mayoritarios y la corriente directa
puede llegar a ser importante.

La aproximacin de una resistencia pequea (idealmente un
cable es razonable)
P
N
POLARIZACIN INVERSA:
FALLA LA INTUICIN.
I
P
N
P
N
-
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se ven
empujados a "escapar" de la zona de transicin.

La zona de transicin aumenta drsticamente.

La corriente se debe a minoritarios y la corriente directa ser
muy pequea (idealmente nula).

La mejor aproximacin es un cable roto (falla la intuicin)
Caractersticas. Smbolo
Diodo semiconductor: unin PN. Referencia: diodos de silicio (Si)
Elemento UNIDIMENSIONAL.
+
Ctodo
nodo

Polarizacin directa Polarizacin inversa
+
+
E
I
+
+
E
I



+
-
V
I
P
N
I
V
CARACTERSTICA DEL DIODO (CONCLUSIONES)
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o
no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)
PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!
ANCDOTA
Un smil hidrulico podra ser una vlvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un nico sentido.
Diodo rectificador
Relacin exponencial
Curva reales de las caractersticas corriente/tensin
+
V
D
I
D
I
D
I.P. D.P.
0,7 V
V
D
I
D
P.I. corriente de saturacin (pocos nA)
P.D. tensin umbral
P.I.: ruptura
I
D
= I
S
e
qV
D
KT
|
\


|
.
|
|
1
|
\


|
.
|
|
p n
nodo ctodo
A K
Smbolo
I
S
= Corriente Saturacin Inversa
K = Cte. Boltzman
V
D
= Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
I
D
= Corriente diodo

Silicio
Germanio
DIODO REAL
|
|
.
|

\
|
=

1
T K
q V
S D
D
e I I
V [Volt.]
0
1
0.25 -0.25
i [mA]
0.5
Ge
Si
V [Volt.]
0
1
0.25 -0.25
i [mA]
0.5
Ge
Si
0 1 -4
30
i [mA]
V [Volt.]
Ge
Si
DIODO REAL (Distintas escalas)
-0.8
-0.5
0
i [A]
V [Volt.]
-10
-0.5
0
i [pA]
V [Volt.]
Ge
Si
Ge: mejor en conduccin
Si: mejor en bloqueo
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES
I
V
Solo tensin
de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6
I
V
Tensin de codo y
Resistencia directa
I
V
Ideal
I
V
Corriente de fugas con
Tensin de codo y
Resistencia directa
I
V
Curva real
(simuladores,
anlisis
grfico)
DIODO: LIMITACIONES
I
V
Corriente mxima

Lmite trmico,
seccin del
conductor
Tensin inversa
mxima

Ruptura de la Unin
por avalancha
600 V/6000 A
200 V /60 A
1000 V /1 A
V
R
= 1000V Tensin inversa mxima
I
OMAX (AV)
= 1A Corriente directa mxima
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 50 nA Corriente inversa

V
R
= 100V Tensin inversa mxima
I
OMAX (AV)
= 150mA Corriente directa mxima
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 25 nA Corriente inversa
DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes
V
d
i
d
i
S
V
R
I
Omax
NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener
las hojas de caractersticas de un
diodo (p.e. 1N4007). Normalmente
aparecern varios fabricantes para el
mismo componente.
Diodo rectificador
En P.D. conduce corriente. En P.I. no conduce.
Diodo LED
En P.D. conduce corriente y emite luz.
En P.I. no conduce corriente y no emite luz.
Fotodiodo
Opuesto al anterior. En P.I. absorbe luz detectada
y conduce corriente
Diodo Zener
En P.D. como el diodo rectificador
En P.I., si se supera cierta tensin (tensin Zener)
conduce tambin.

Tipos de diodos
DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)
La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).

En la zona Zener se comporta
como una fuente de tensin
(Tensin Zener).

Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.

Podemos aadir al modelo
lineal la resistencia Zener.

Aplicaciones en pequeas
fuentes de tensin y
referencias.
I
V
Tensin
Zener
(V
Z
)

Lmite mximo

Normalmente, lmite
de potencia mxima
DIODOS ESPECIALES
Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode
El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unin PN
polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de
onda. (p.e. Luz roja)
A K A K
DIODOS ESPECIALES
Fotodiodos (Photodiode)
0
i
V
i
opt
Los diodos basados en compuestos III-V, presentan
una corriente de fugas proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de
onda).

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante. Siendo
su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones
COMENTARIO
Los diodos normales presentan variaciones en la corriente
de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser
usados como sensores trmicos
i
0
V
T
1
T
2
>T
1
El modelo puede ser una fuente de
corriente dependiente de la luz o de
la temperatura segn el caso
I = f(T)
DIODOS ESPECIALES
Clulas solares (Solar Cell)
i
V V
CA
i
CC
Cuando incide luz en una unin PN, la
caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4
cuadrante.

En este caso, el dispositivo puede usarse como
generador.
Paneles de clulas
solares
Zona
uso
DIODOS ESPECIALES
Diodo Varicap
(Varicap , Varactor or Tuning diode)
P
N
-
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
d
Dielctrico
La unin PN polarizada inversamente puede
asimilarse a un condensador de placas
planas (zona de transicin).

Esta capacidad se llama Capacidad de
Transicin (C
T
).

Notar, que al aumentar la tensin inversa
aumenta la zona de transicin. Un efecto
parecido al de separar las placas de un
condensador (C
T
disminuye).

Tenemos pues una capacidad dependiente de
la tensin inversa.

Un diodo Varicap tiene calibrada y
caracterizada esta capacidad.

Uso en equipos de comunicaciones (p.e.
Control automtico de frecuencia en
sintonizadores)
C
T

V
I

30 pF
10 V
DIODOS ESPECIALES
Diodo Schottky (Schottky diode)
Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado efecto
schottky.

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas).

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores tensiones de ruptura.

Cadas directas mas bajas (tensin de codo ~ 0.2 V).

Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de Potencia

El efecto Schottky fue predicho tericamente
en 1938 por Walter H. Schottky
DIODOS ESPECIALES
Diodo tunel y diodo GUNN (Gunn diode and Tunnel diode)
I
D

V
D

Zona de resistencia
negativa.
Efecto Tnel
Tienen dopadas mucho las dos zonas del diodo (10
5

veces mayor).

Aparece un efecto nuevo conocido como efecto tnel.
(Descubierto por Leo Esaki en 1958).

Un efecto parecido (GUNN) se produce en una cavidad
tipo N de Ga As.

El diodo GUNN fue descubierto por Ian Gunn en 1962.

Los efectos se traducen en una zona de resistencia
negativa en la caracterstica directa del diodo.

Esta zona se aprovecha para hacer osciladores de
microondas.

(El diodo GUNN aparece en el oscilador local del receptor
del radar. Est presente en todos los radares marinos
actuales).
Diodo GUNN
ASOCIACIN DE DIODOS
DISPLAY
Diodo de alta tensin
(Diodos en serie)
Puente rectificador
+
-
+
-
Monofsico
Trifsico
APLICACIONES DE DIODOS
Detectores reflexin de espejo
Detectores reflexin de objeto
Detectores de barrera
APLICACIONES DE DIODOS
Sensores de luz: Fotmetros
Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color
LED
Fotodetector
LED azul

LED verde

LED rojo

Fotodiodo

Objetivo


LED

Generador de tensin continua o fuente de alimentacin




Una aplicacin del diodo: el rectificador
220 V
50 Hz
6 V
50 Hz
5 V
Fuente de al ime ntaci n
T
r
a
n
s
f
o
r
m
a
d
o
r
R
e
c
t
i
f
i
c
a
d
o
r
F
i
l
t
r
o
R
e
g
u
l
a
d
o
r
COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS
Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos) son dispositivos
no lineales.

Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposicin!
Cuidado, no se puede aplicar el anlisis con complejos
V
E

V
S

V
E

R
V
MAX
MAX
V
EJEMPLO TPICO:
RECTIFICADOR
+
-
I
D

V
D

V
E

t
t
V
S

t
1. Transformador
seal de
c.a.
seal de c.a.
ms pequea
Transformador
+

v
E
+

v
S
2.a Rectificador de media onda


c.a.
(positiva y
negativa)
c. pseudocontinua
+

+

Rectificador
v
E
v
S
> 0
v
S
D
+
Entrada Salida
+
Rectificador


v
E
v
S
= v
R
R
L
1.- V
E
> 0 i > 0 0 t T/2



D
+
+


R
L
v
S
= v
E
> 0
v
E
> 0
i
2.- V
E
< 0 i < 0 T/2 t T



D
+
+


R
L
v
E
s 0
i = 0
v
S
= 0
+

>0

T
T
2
v
E
v
S
t
t
2.b Rectificador de onda completa: primera opcin
+
+
+
R
L

v
S


v
EA
v
EB
v
EA
= v
E
v
EB
= v
E
D
A
D
B
+
+
+

v
S
R
L
D
A
D
B
v
EA
v
EB
1.- V
EA
> 0 y V
EB
< 0



2.- V
EA
< 0 y V
EB
> 0




+
+

v
EA
R
L

v
S
D
A
+
+


v
S
R
L
v
EB
D
B


T
t
t
v
E
v
S
v
EA
v
EB
3. Filtro
D
+
Entrada Salida
+
Rectificador
Filtro
C


v
E
v
S
= v
R
T
4
5
T
4
v
S
t
v
E
v
E
= v
C
v
E
= v
C
T
4
3
T

4
t
v
S
v
EA
v
EB
v
EA
= v
C
v
EB
= v
C
Filtro con rectificador de media onda




Filtro con rectificador de onda completa




4. Regulador
D
+
Entrada Salida
+
Regulador
C

R
L
v
S
= v
R
v
E

V
Z
V
min
t
v
S
Regulador con rectificador de media onda

Regulador con rectificador de onda completa
V
Z
V
min
v
S
t