Cap 5

Obteno de Cristais de Si
Jacobus W. Swart
CCS e FEEC - UNICAMP
Sumrio
Introduo
Obteno de Si policristalino grau eletrnico
Crescimento cristalino pelo processo Czochralski, CZ
Crescimento cristalino pelo processo Fuso Zonal, FZ
Comparao CZ x FZ
Caracterizao de cristais de Si
Obteno de lminas (wafers)
5.1 Introduo
1
os
transistores (1947) Ge
Apresenta limitaes:
E
g
baixo (0.66 eV)
Corrente reversa de juno alta
T max de operao baixa (<100 C)
No apropriado para tecnologia planar, que requer
xido protetor na superfcie. GeO
2
difcil de ser
obtido, dissolve em gua e dissocia-se a 800 C
T
fuso
(Ge) = 936 C << T
fuso
(Si) = 1414 C.
Esta vantagem do Ge pequena comparada s
vantagens do Si.
Si
apresenta:
E
g
mais apropriado (1.12 eV)
Menor corrente de fuga de juno
Operao at 150 C
oxidvel termicamente permitiu desenvolvimento
da tecnologia planar base dos processos de CIs.
Abundncia da matria prima. Si o 2
o
em abundncia
(1
o
oxignio). Si compem 25.7 % da crosta terrestre.
Custo reduzido para obteno da matria prima em grau
eletrnico (~1/10 do custo de Ge tipo G.E.)
Atualmente o Si o semicondutor mais importante para
componentes (>95% do mercado).
GaAs
Algumas propriedades superiores ao Si:

e
superior (~6x)
n
i
inferior (~10
6
cm
-3
) substrato S.I.
Band gap direto optoeletrnica
Porm:
Custo de obteno muito elevado (~ 20 x do Si)
frgil
Condutividade trmica inferior (~1/3 x do Si)
No se oxida termicamente maior
dificuldade p/ processo planar de CIs.
Passos na fabricao de cristais e lminas de Si:
Matria Prima
(quartzito)
Si policristalino
Si monocristalino
Lminas
Reduo, destilao e CVD
Fuso e crescimento de cristal
Modelar, serrar e polir
5.2 Obteno de Si Policristalino GE
Requer-se pureza a nvel ppba ~ 10
13
cm
-3

Utiliza-se 4 estgios de processamento:
Reduo do quartzo Si GM pureza ~98%
Converso do Si GM SiHCl
3

Purificao do SiHCl
3
por destilao SiHCl
3
GE
CVD de Si GE a partir do SiHCl
3
.

Nota: GE = Grau Eletrnico
GM = Grau Metalrgico
Reduo do Quartzo
SiO
2
+2C Si+2CO |
(~ 1700 C)
Brasil possui uma das
maiores reservas de
quartzo e quartzita de
alta qualidade.
Si GM tem maior consumo em produo de ligas
metlicas e de polmeros como silicones.
Converso do Si GM em SiHCl
3
:
Si GM triturado em p
reagido com HCl
a ~ 300 C:

Si + 3HCl (gs)
SiHCl
3
(gs) + H
2
(gs).
Purificao do SiHCl
3
por destilao fracionada
CVD de Si GE a partir de SiHCl
3
:
2SiHCl
3
+ 2H
2


2Si + 6 HCl
T ~ 1000 C
Taxa ~ 5 a
15 m/min.
5.3 Crescimento de Cristal
pelo Processo CZ
D se por processo de
solidificao gradual do
material lquido em contato
com o monocristal, pela
retirada contnua de calor.
Processo CZ:

Inveno 1918;

Aperfeioamento
para Si 1952
(Teal & Buehler)
12 a 24 h por
puxamento
300 mm estado da arte
(reduz custo/die em 30 a 40%)
preo de lmina ~ US$ 1000.

400 mm demonstrado: 438kg

450 mm uma promessa
(2015) e dvidas?
Incorporao de Impurezas (Dopantes e outros):
H impurezas no Si fundido:
Adio de dopante desejado
Oxignio proveniente do cadinho de quartzo
Carbono das peas de grafite
Nitrognio de gs (proposital)
Eles so incorporados no cristal seguindo o
efeito de segregao:
Duas solues em contato e equilbrio:
k
0
= coef. de segregao, caracte-
rstico para cada combinao:
elemento + sol.1 + sol.2
lquido
slido
C
C
C
C
k = =
2
1
0
C
1

C
2

x
Valores de k
0
de alguns elementos no Si:
Afeta a incorporao de impurezas
Se k
0
<0 incio C
s
+ medida
que cristal cresce, C
l
|.
Como C
l
| C
s
|.
Assumindo simplificaes:

Onde:
x = frao do lquido consumido
C
0
= conc. inicial no lquido.
Elem
.
K
0

Al 0.002
As 0.3
B 0.8
C 0.07
Cu 4E-4
Fe 8E-6
O 1.25
P 0.35
Sb 0.023
1
0 0
0
) 1 ( ) (

=
k
s
x C k x C
Dissoluo de
Oxignio do Cadinho:
v = vel. do lquido
em relao ao
cadinho.


Solues: 1) cadinho de Si
3
N
4

2) Campo magntico, suprime
correntes de conveco trmica.
Valores tpicos de incorporao de O, C, N:
O: [5x10
17
a 10
18
cm
-3
]
Tem forte influncia sobre rigidez mecnica
Pode dar origem a estado doador (depende de
recozimento)
Pode formar precipitados: se fora da regio
ativa, atuam como centros de gettering.
C: [10
16
a 5x10
17
cm
-3
]
N: [~ 10
14
cm
-3
]
aumenta rigidez
reduz defeitos
auxilia precipitao de [O] gettering.
Engenharia de
defeitos:
-tcnica de
gettering
intrnseca.
5.4 Crescimento
Cristalino por
Process FZ
Aplica-se RF na
bobina.
Si lquido confinado
por fora de tenso
superficial e por
levitao eletrosttica.
Purifica o Si de
elementos c/ k
0
<1
Uma passada s
200 O.cm
Mltiplas passadas
~ 30.000 O.cm.
Incorporao de Impurezas em FZ (dopantes e outros)
1) Adicionar gs contendo dopante
2) Bombardeio de neutrons:
Si = 92.21%
28
Si + 4.70%
29
Si + 3.09%
30
Si.

30
Si + neutron
31
Si (2.6h)
31
P + |
-

O material deve ser muito puro (CZ tem [O]||
Processo caro
Dopagem muito uniforme
S se aplica para tipo n.
Praticamente no incorpora O e C.
Valores tpicos: O : [5 a 15 x 10
15
cm
-3
]
C: [5 a 50 x 10
15
cm
-3
]
Aprox. 2 ordens de grandeza menor que em CZ.
5.5 Comparao CZ x FZ
FZ mais caro
Mais difcil obter |
grande.
FZ obtm-se material
mais puro.
Importante p/ certos
dispositivos (potncia
e detetores)
CZ mais apropriado
p/ CI. [O] |
robusto e gettering.
Ano | [mm]
1995 200
2001 300
2015 (?) 450
5.6 Caracterizao de Cristais
A) Tipo de condutividade: p ou n.
b) Resistividade
N q p n q
p n

1
) (
1
~
+
=
I
V
s
A
= t 2
c) Propriedades mecnicas:
Tamanho
Massa
Densidade.
d) Perfeio cristalina:
Inspeo visual
Revelao qumica
XRD.
TEM
e) Contaminantes
Fourier Transform Infrared Spectroscopy FTIR
Tempo de vida de portadores
5.7 Obteno de Lminas
A) Ajuste mecnico do dimetro:
B) Corte de Chanfros (Identificao e Orientao)
C) Corte das Lminas

Orientao e Espessura
d) Polimento Mecnico
Mistura de partculas de Al
2
O
3
e glicerina
planaridade de ~ 2 tm.
e) Arredondamento de bordas
f) Corroso Qumica
Remove defeitos e contaminao (~ 20 m)

Soluo: HNO
3
+ HF + HC
2
H
3
O
2
= 4 : 1 : 3
g) Polimento Final: Mecnico e Qumico
Tecido artificial + soluo coloidal de
partculas de SiO
2
(~ 10 nm) e NaOH em
gua
h) Limpeza das lminas

i) Caracterizao e C.Q.