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Sumrio

Memrias volteis

Memrias SRAM e DRAM Estrutura interna uma RAM Organizao da memria RAM

Memrias no volteis

ROM E PROM EPROM, EEPROM e FLASH EEPROM

Memrias

Tipos de Memrias

Memrias do tipo RAM Random-access memory

Volteis a informao perde-se quando se deixa de fornecer energia elctrica Utilizadas para leitura e escrita da informao

Memrias do tipo ROM Read-only memory

No-volteis a informao continua armazenada quando se deixa de fornecer energia elctrica Inicialmente utilizadas apenas para leitura da informao guardada

Mas actualmente existem memrias derivadas da ROM que so programveis, algumas delas utilizadas tanto para leitura como para escrita
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Memrias RAM

Estticas SRAM (Static RAM)

Clulas de memria:

Latches / flip-flops

Rpidas tempos de acesso baixos para leitura e para escrita Utilizadas tipicamente como memrias cache (associadas ao processador)
Clula de memria Din R/W S D Q Dout

Memrias RAM

Dinmicas DRAM (Dynamic RAM)

Clulas de memria:

Pares transistor-condensador, que conseguem manter o nvel lgico armazenado durante curtos espaos de tempo Necessitam por isso de ciclos de refrescamento peridicos para reposio dos nveis lgicos nos condensadores

Valor a escrever / lido


S

Transistor

Seleco da clula
Condensador
Clula de memria

Memrias RAM

Dinmicas DRAM (cont.)

Mais lentas que as SRAMs

Devido amplificao dos nveis de tenso nos condensadores e ao refrescamento

Maior capacidade de armazenamento a menor custo


GND Condensador S B

Integrao de uma clula DRAM


Transistor

Utilizadas como memria principal de um computador


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Memrias RAM

Alguns tipos de DRAM

SDRAM (Synchronous DRAM)

Sncronas com o relgio de sistema

DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM)


Reagem a ambos os flancos do sinal de relgio Muito utilizadas em PCs Evoluo: DDR (2000) DDR-2 (2003) DDR-3 (2007)

RDRAM (Rambus DRAM)


Tm esta designao porque os mdulos de memria esto ligadas em srie num barramento (bus) prprio Eficientes em leituras e escritas por blocos Pouco utilizadas em PCs, usadas na Playstation 2 e Nintendo 64
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Memrias RAM

Acesso e capacidade de uma RAM

k linhas de endereo c/ n bits por endereo


2k endereos ou palavras 1 palavra = n bits Capacidade = 2k palavras = 2k x n bits

k linhas de endereo n linhas de dados de entrada Sinais de controlo


2k x n RAM

n linhas de dados de sada

Leitura / escrita

Enables

Memrias RAM
Data1
D Q

Data0
D C Q

Estrutura interna (SRAM)


A0 A1

4x2 RAM Dados (input) Endereos Leitura / Escrita Enable (Chip Select)
2

Data ADDR R/W CS

Dados (output)

D E S C O D I F I C A D O R

D C

D C

D C

D C

D C

D C

CS R/W

O0 O1

Memrias RAM

Sadas Tri-state
Enable

Modelos:
Enable = 0

A Y fica isolado de A (alta impedncia)

Enable 0 1 1

A x 0 1

Y ? (alta impedncia) 0 1
A Y=A Y Enable = 1

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Memrias RAM

Organizao da memria

possvel projectar memrias com maior capacidade associando vrios blocos de memria.

Exemplo a partir de RAMs 64K x 8 projectar:


RAM 64K x 16 RAM 256K x 8

64Kx8 RAM Dados (input) Endereos Leitura / Escrita Enable (Chip Select)
8 16

Data ADDR R/W CS

Dados (output)

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Memrias RAM
64K x 16 RAM
D8...D15
8

D0...D7
8

64Kx8 RAM A0...A15 R/W CS


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64Kx8 RAM Data ADDR R/W CS

Data ADDR R/W CS

O8...O15

O0...O7
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Memrias RAM
256K x 8 RAM
Dados (input) D0...D7 8 64Kx8 RAM Data ADDR R/W CS 64Kx8 RAM Endereos DEC 2/4 A16 A17 X0 X1 Y0 Y1 Y2 Y3 Data ADDR R/W CS 64Kx8 RAM Data ADDR R/W CS 64Kx8 RAM Data ADDR R/W R/W CS O0...O7 8

A0...A15

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Memrias ROM

ROM
Read-only memory

Construdas pelo fabricante, mediante especificao fornecida pelo cliente. Sem flexibilidade para alterao do contedo s permite leitura da informao armazenada. Utilizao

Guardar informao necessria ao arranque de sistemas Tabelas de converso de cdigos (e.g. binrio natural -> BCD) Tabelas de operaes aritmticas (e.g. logaritmos, divises) Etc.

k linhas de endereo Sinais de controlo

2k x n ROM

n linhas de dados de sada

Enables
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Memrias ROM

ROM (exemplo)
Dec 3/8

A0 A1 A2

B3

B2

B1

B0

Endereo 000 001 010 011 100 101 110 111

Contedo 0110 1010 1100 0001 0011 0101 1111 1000

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Memrias ROM

PROM
Programmable read-only memory

Permite uma nica programao


Permite que o utilizador especifique o contedo da ROM Pouca flexibilidade uma nica programao

A programao geralmente feita atravs de rebentamento de fusveis nas ligaes entre as linhas de endereos descodificados e as linhas de sada

Uma vez rebentados os fusveis, as ligaes so quebradas permanentemente

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Memrias ROM

EPROM
Erasable programmable read-only memory

Permite mltiplas programaes A reprogramao feita atravs de impulsos elctricos Para apagar o contedo armazenado, a EPROM tem que ser submetida a radiao ultra-violeta. Custo mais elevado que uma ROM, mas maior flexibilidade Pouco usadas, uma vez que actualmente h alternativas melhores

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Memrias ROM

EEPROM
Electrically erasable programmable read-only memory

Utilizao idntica EPROM, mas consegue-se apagar o contedo atravs de impulsos elctricos Maior flexibilidade por reunir as funcionalidade de uma RAM e uma ROM simultaneamente Comparando com uma RAM:

Operaes de escrita muito mais lentas (devido s operaes de apagar e reprogramar) As operaes de leitura podem ser da mesma ordem de grandeza

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Memrias ROM

FLASH EEPROM

Variantes de memrias EEPROM, habitualmente utilizadas em electrnica de consumo

Exemplos: cartes de memria e pen-disks

Incluem toda a lgica necessria para reprogramao, e esta muito mais rpida do que numa EEPROM convencional

No entanto, as operaes de escrita continuam a ser muito mais lentas do que as de leitura

O tempo de vida dos dados armazenados superior a 10 anos, e pode ser reprogramada milhes de vezes

O que suficiente para as aplicaes a que se destinam

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