Transistores

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TRANSISTORES (Panormica)
BIPOLARES
NPN PNP CANAL N (JFET-N) CANAL P (JFET-P)
TRANSISTORES
UNIN EFECTO DE CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR
CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)
* FET : Field Effect Transistor
LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO
Manuel Rico Secades
TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor) Base (B) Colector (C)
En principio un transistor bipolar est formado por dos uniones PN.
N P N
C E
Emisor (E)
Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1.- La zona de Base debe ser muy estrecha (Fundamental para que sea transistor). 2.- El emisor debe de estar muy dopado.
SMBOLO
B
C NP B N+ E
Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.
IMPORTANTE !!! No es un dispositivo simtrico
ASPECTO MAS REAL DE UN TRANSISTOR BIPOLAR
Descubiertos por Shockley, Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell)
Manuel Rico Secades
CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada +

En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3 corrientes:
IC, IB, IE VCE, VBE, VCB
IC
VCB + VBE
+
VCE
IB
En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y dos tensiones. Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE y VBE. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente:
IE
IC = f(VCE, IB) Caracterstica de salida
IE = IC + IB
VCB = VCE - VBE
Manuel Rico Secades
MOMENTO DE REFLEXIN: Como esperamos de sean las caractersticas de un transistor?

C B E
En principio podemos pensar en un equivalente con 2 diodos
C B E
IB
Entre C y E tenemos dos diodos. La conduccin entre C y E no debera ser posible
IC
VBE Caracterstica de entrada (Diodo)
VCE Caracterstica de salida (Abierto)
CORRECTO
UNIVERSIDAD DE OVIEDO LEONARDO CATALN V.
FALSO
Manuel Rico Secades
CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN: Efecto Transistor
C
C B E B E
Efecto transistor. Conduccin de la unin C-B. La capacidad de conducir corriente es proporcional a la corriente de base. El factor de proporcionalidad se llama Ganancia del Transistor ()
IC
IB = 20 10
El efecto transistor se produce nicamente con zonas de base muy estrechas
VCE
BASE
COMENTARIO: Un smil podra ser un grifo de agua. La corriente de base hace el papel del mando de grifo (aumentar la mxima capacidad de agua - corriente- del grifo).
UNIVERSIDAD DE OVIEDO LEONARDO CATALN V.
Manuel Rico Secades
CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN C B E ZONA DE SATURACIN: Comportamiento como interruptor cerrado. 3000 IC [mA] IB [mA] = 30 ZONA ACTIVA: Comportamiento como Fuente de Corriente.
= 100
2000 1000
20 10 0 VCE
ZONA DE TRANSISTOR INVERSO: Emisor y colector intercambias papeles. Podemos tener una INVERSA, que en el dispositivo ideal consideraremos cero
ZONA DE CORTE: Comportamiento como interruptor abierto.
Manuel Rico Secades
USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor
12 V
3A
12 V 36 W
12 V
3A = 100
12 V 36 W
I
40 mA
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico. Electrnica de Potencia y Electrnica digital
IC
4A PF (ON) 3 A ON
IB = 40 mA OFF
VCE 12 V PF (OFF)
Manuel Rico Secades
USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como fuente de corriente (amplificador) RB 12 V UE IB UC 12 UBIAS UC + RC IC = 100 PF ELECTRNICA ANALGICA
UE
UBIAS
En RC (p.e. altavoz) obtenemos una copia de UE (p.e. msica). El punto de funcionamiento cambia "al ritmo de la msica".
Podremos aplicar el principio de superposicin y linealizar el transistor entorno a su punto de funcionamiento. Hablaremos de circuito de continua (polarizacin) y de circuito de alterna.
Notar la presencia de un indeseable nivel de continua. Necesitamos polarizar el transistor para que siempre se comporte como una fuente de corriente dependiente: IC = f(IB)
Manuel Rico Secades
USOS DEL TRANSISTOR NPN: Saturacin como amplificador
RB
12 V
UE
UC -
+ RC PF
IC IB
UC 12 UBIAS
= 100
UBIAS
El transistor se sale de la zona de fuente de corriente. Las tensiones del circuito no pueden sobrepasar las de alimentacin. Decimos que el amplificador se satura (y distorsiona).
UE
Manuel Rico Secades
TRANSISTOR BIPOLAR PNP (PNP bipolar transistor) Base (B) Colector (C)
P N P
C E
Emisor (E)
Est formado como antes por dos uniones PN. Ahora dos regiones P y una N.
SMBOLO
Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones.
1.- La zona de Base debe ser muy estrecha (Fundamental para que sea transistor). 2.- El emisor debe de estar muy dopado. Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.
B
C PN B P+ E
ASPECTO MAS REAL DE UN TRANSISTOR BIPOLAR
Manuel Rico Secades
CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR PNP IB = f(VEB, VEC) Caracterstica de entrada +

IC, IB, IE VEC, VEB, VBC
IE
VEB + VBC
+
VEC
IB
En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y dos tensiones. Normalmente se trabaja con IC, IB, VEC y VEB. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente:
IC
IC = f(VEC, IB) Caracterstica de salida NOTAR QUE TODO EST AL REVS QUE ANTES LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO
IE = IC + IB
VBC = VEC - VEB
Manuel Rico Secades
MOMENTO DE REFLEXIN: Como esperamos de sean las caractersticas del transistor PNP?
E B C
E B C
IB
Entre C y E tenemos dos diodos. La conduccin entre C y E no debera ser posible
IC
VEB Caracterstica de entrada (Diodo)
VEC Caracterstica de salida (Abierto)
CORRECTO
FALSO
Manuel Rico Secades
CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR PNP: Otra vez el Efecto Transistor E B C B C IC IB = 20 10 El efecto transistor se produce nicamente con zonas de base muy estrechas E
Efecto transistor para este caso. Conduccin de la unin B-C. La capacidad de conducir corriente es proporcional a la corriente de base. El factor de proporcionalidad se llama Ganancia del Transistor ()
VEC
BASE
COMENTARIO (SIMILAR AL ANTERIOR): Un smil podra ser un grifo de agua. La corriente de base hace el papel del mando de grifo (aumentar la mxima capacidad de agua - corriente- del grifo).
Manuel Rico Secades
CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR PNP E B C ZONA DE SATURACIN: Comportamiento como interruptor cerrado. 3000 IC [mA]
IB [mA] = 30 ZONA ACTIVA: Comportamiento como Fuente de Corriente.
= 100
2000 1000
20 10 0 VEC
ZONA DE TRANSISTOR INVERSO: Emisor y colector intercambias papeles. Podemos tener una INVERSA, que en el dispositivo ideal consideraremos cero
ZONA DE CORTE: Comportamiento como interruptor abierto.
Manuel Rico Secades
USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como interruptor
12 V
3A
12 V 36 W
12 V
40 mA I
= 100 3A 12 V 36 W
IC
Al igual que antes, sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base (ahora circula al reves) debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin.
4A PF (ON) 3 A ON
IB = 40 mA OFF
VEC 12 V PF (OFF)
Manuel Rico Secades
USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como fuente de corriente (amplificador) = 100 12 V RB UE UC 12 UBIAS IB UC IC PF RC ELECTRNICA ANALGICA
+
-
UE
UBIAS
VEC
AHORA LA SEAL SALE DESFASADA 180
Como antes, en RC (p.e. altavoz) obtenemos una copia de UE (p.e. msica), ahora desfasada 180. Es decir, cuando UE aumenta, IB disminuye y viceversa.
Manuel Rico Secades
USOS DEL TRANSISTOR: Comentarios Sobre el uso del transistor como interruptor se profundiza en Electrnica de Potencia y en Electrnica Digital. Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrnica Analgica. Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante intercambiables y constructivamente similares. Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos (Mayoritarios del emisor en cada caso). Reacurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos, es decir, el transistor NPN es mas rpido que le PNP en igualdad de condiciones.
Manuel Rico Secades
CARACTERSTICAS REALES DE LOS TRANSISTOR NPN y PNP
Activa
IB
VCE = 0 VCE1 VCE2
IC I
IB6 IB5
CMax
Avalancha Secundaria
Saturacin
IB3 IB2 IB1
IB4
PMax = VCEIC Avalancha Primaria
VBE
IB= 0
Caracterstica de Entrada
1V Corte
VCEMax
VCE
Caracterstica de Salida
Manuel Rico Secades
TRANSISTOR BIPOLAR: PARMETROS SUMINISTRADOS POR LOS FABRICANTES
IC
IC-MAX VCE-MAX PMAX VCE-SAT Corriente mxima de colector Tensin mxima CE Potencia mxima Tensin C.E. de saturacin ICMAX B
E
PMAX
SOAR
HFE
Ganancia
VCE-MAX
VCE
rea de operacin segura (Safety Operation Area)
Manuel Rico Secades
TRANSISTOR BIPOLARES
VCE = 1500 IC = 8 HFE = 20
TOSHIBA
Manuel Rico Secades
FOTOTRANSISTOR (Phototransistor)
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base desempean el papel de corriente de base
C El terminal de Base, puede estar presente o no. No confundir con un fotodiodo. E
Manuel Rico Secades
FOTOTRANSISTORES (Phototransistor)
Manuel Rico Secades
FOTOTRANSISTORES (Phototransistor)
DISTINTOS ENCAPSULADOS
Manuel Rico Secades
ASOCIACIN DE TRANSISTORES OPTOACOPLADOR
Conjunto fotodiodo + fototransistor

OBJETIVO:
Proporcionar aislamiento galvnico y proteccin elctrica.

Deteccin de obstculos.
Manuel Rico Secades
APLICACIN TPICA DE LOS OPTOACOPLADORES: "Encoder" ptico para medida de velocidad y posicionado
Manuel Rico Secades
TRANSISTOR MULTIEMISOR (Multi-emitter transistor)
C
B E2 E3
Transistor muy importante en Electrnica Digital. Base de la Tecnologa Digital TTL Transistor pensado para ser integrado de una forma compacta, bsico para la implementacin de puertas lgicas de varias entradas.
E1
C NP B N+ E1 N+ E2 N+ E3
Manuel Rico Secades
ASOCIACIN DE TRANSISTORES TRANSISTOR o MONTAJE DARLINGTON 1 .2 C E 2 C E TRANSISTOR SCHOTTKY
1
B
OBJETIVO: Aumentar la del transistor.
OBJETIVO:
Manejar corrientes grandes con corrientes de base pequeas.

Uso en fuentes de alimentacin.
Aumentar la rapidez del transistor, impidiendo la saturacin completa del mismo.

Uso en Electrnica Digital
Manuel Rico Secades
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET - Field Effect Transistor)
UNIN
CANAL N (JFET-N)
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE CAMPO
CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)
Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patent el concepto de "Field Effect Transistor". 20 aos antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.
Manuel Rico Secades
JFET de canal N (JFET - Junction Field Effect Transistor) Notar que es un dispositivo simtrico (D y S son intercambiables) D
CANAL
Drenador D (Drain) N D
Puerta (Gate) G
G
S SMBOLO
Fuente (Source)
Manuel Rico Secades
CARACTERSTICAS DE UN JFET DE CANAL N IG = f(VGS, VDS) Caracterstica de entrada +

ID, IS, IG VDS, VDG, VGS
ID
VDG + VGS
+
VDS
IG
En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y dos tensiones. Normalmente se trabaja con ID, IG, VDS y VGS. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente:
IS
ID = f(VDS, VGS) Caracterstica de salida
IS = ID + IG
VDG = VDS - VGS
Manuel Rico Secades
MOMENTO DE REFLEXIN: Como esperamos de sean las caractersticas de un JFET de canal N?
D
G S IG
Aproximacin intuitiva
G
S
Resistencia del canal

ID
Entre G y S tenemos un diodo. La conduccin entre D y S, podemos suponerla en principio resistiva.
VGS Caracterstica de entrada (Diodo)
VDS
CORRECTO
Caracterstica de salida (Resistencia)
FALSO
Manuel Rico Secades
JFET DE CANAL N (SATURACIN DEL CANAL)

Un primer efecto que nos separa del comportamiento ideal es la saturacin del canal. Al ser la seccin del canal muy pequea (micras), el comportamiento resistivo se mantiene hasta determinados lmites de corriente. A partir de un cierto valor, el canal se satura y por mucho que aumentemos la tensin, la corriente no aumenta apreciablemente.
D N G P P SATURACIN
ID
VDS
S
LA CURVA AS OBTENIDA SE PARECE A LA DEL TRANSISTOR BIPOLAR, CON LOS MISMOS USOS Y APLICACIONES
Manuel Rico Secades
JFET DE CANAL N (papel de la zona de transicin) D N G P P G P D N P G P D
N
P
S
PN CON POLARIZACIN DIRECTA
S
PN CON POLARIZACIN INVERSA
S
PN CON POLARIZACIN INVERSA INTENSA
EL CANAL SE VA ESTRANGULANDO (DISMINUYENDO SECCIN) HASTA DESAPARECER

Manuel Rico Secades
JFET DE CANAL N (Caracterstica real de salida) D G S ID

ZONA COMPORTAMIENTO FUENTE DE CORRIENTE
UGS[V]
0 -10 -20 -30
VDS
ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIN DE PUERTA (UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.
Manuel Rico Secades
JFET de canal P (JFET - Junction Field Effect Transistor) Notar que es un dispositivo simtrico (D y S son intercambiables) S
CANAL
Fuente (Source) S P S
Puerta (Gate) G
G
D SMBOLO
D Drenador (Drain)
Manuel Rico Secades
CARACTERSTICAS DE UN JFET DE CANAL P IG = f(VSG, VSD) Caracterstica de entrada +

ID, IS, IG VSD, VGD, VSG
IS
VSG + VGD
+
VSD
IG
En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y dos tensiones. Normalmente se trabaja con ID, IG, VSD y VSG. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente:
ID
ID = f(VSD, VSG) Caracterstica de salida
IS = ID + IG
VGD = VSD - VSG
Manuel Rico Secades
MOMENTO DE REFLEXIN: Como esperamos de sean las caractersticas de un JFET de canal P?
S
G D IG
G
D
Aproximacin intuitiva
Resistencia del canal

ID
Entre G y S tenemos un diodo. La conduccin entre D y S, podemos suponerla en principio resistiva.
VSG Caracterstica de entrada (Diodo)
VSD
CORRECTO
Caracterstica de salida (Resistencia)
FALSO
Manuel Rico Secades
JFET DE CANAL N (SATURACIN DEL CANAL)

Un primer efecto que nos separa del comportamiento ideal es la saturacin del canal. Al ser la seccin del canal muy pequea (micras), el comportamiento resistivo se mantiene hasta determinados lmites de corriente. A partir de un cierto valor, el canal se satura y por mucho que aumentemos la tensin, la corriente no aumenta apreciablemente.
S P G N N SATURACIN
ID
VSD
D
LA CURVA AS OBTENIDA SE PARECE A LA DEL TRANSISTOR BIPOLAR, CON LOS MISMOS USOS Y APLICACIONES
Manuel Rico Secades
JFET DE CANAL P (papel de la zona de transicin) S P G N N G N S P N S P
D
PN CON POLARIZACIN DIRECTA
D
PN CON POLARIZACIN INVERSA
D
PN CON POLARIZACIN INVERSA INTENSA
EL CANAL SE VA ESTRANGULANDO (DISMINUYENDO SECCIN) HASTA DESAPARECER

Manuel Rico Secades
JFET DE CANAL P (Caracterstica real de salida) S G D ID

USG[V]
0 -10 -20 -30
VSD
ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIN DE PUERTA (USG) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.
Manuel Rico Secades
COMENTARIOS SOBRE LOS JFET

LOS JFET TANTO DE CANAL N COMO DE CANAL P SON ACTUALMENTE POCO UTILIZADOS. EN UN COMPORTAMIENTO IDEAL SE PODRA CONSIDERAR CERO LA RESISTENCIA DEL CANAL.
CUIDADO CON EL TERMINO SATURACIN DEL CANAL, NO CONFUNDIR CON REGIN DE SATURACIN EN EL TRANSISTOR BIPOLAR!!!
PUEDE RESULTAR UN POCO CONFUSA LA NOMENCLATURA. AL IGUAL QUE PASA CON LOS TRANSISTORES BIPOLARES, EN IGUALDAD DE CONDICIONES, EL JFET DE CANAL N ES MAS RPIDO QUE EL DE CANAL P. (RAZN: MOVILIDAD DE ELECTRONES MAYOR QUE LA DE HUECOS) LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO
Manuel Rico Secades
TRANSISTORES MOSFET (MOS - Metal Oxide Semiconductor + FET - Field Effect Transistor ) CANAL N (JFET-N) UNIN CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE CAMPO
CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)
Dr Martn Atalla y Dr Dawon Kahng desarrollaron en primer MOSFET en los laboratorios Bell en 1960
Manuel Rico Secades
TRANSISTOR MOSFET - canal N Drenador (Drain) Puerta (Gate)
Aislante (Si O2)

Fuente (Source)
Substrato (Substrate)
N P Canal (Channel)
SECCIN
VISTA SUPERIOR
Manuel Rico Secades
TRANSISTOR MOSFET - canal N G S
Substrato
N P NOTAR:
NOTAR QUE EN PRINCIPIO ES UN DISPOSITIVO SIMTRICO
METAL OXIDO SEMICONDUCTOR

G SMBOLO LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO S
De momento, vamos a olvidarnos del substrato.

Posteriormente veremos que hacer con este terminal "inevitable" para que no afecte a la operacin del dispositivo. Que no moleste!!
Substrato
Manuel Rico Secades
CARACTERSTICAS DE UN MOSFET DE CANAL N IG = f(VGS, VDS) Caracterstica de entrada +

ID, IS, IG VDS, VDG, VGS
ID
VDG IG -
+
VDS
VGS
En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y dos tensiones. Normalmente se trabaja con ID, IG, VDS y VGS. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente:
IS
ID = f(VDS, VGS) Caracterstica de salida
IS = ID + IG
VDG = VDS - VGS
Manuel Rico Secades
MOMENTO DE REFLEXIN:
Como esperamos de sean las caractersticas de un MOSFET de canal N?

D
D G S ID Substrato
Substrato G S
Entre D y S tenemos dos diodos.
ID
La conduccin entre D y S no debera ser posible
VGS Caracterstica de entrada (Abierto) VDS Caracterstica de salida (Abierto)
CORRECTO
Cierto si no actuamos sobre la puerta (G)
Manuel Rico Secades
PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL N UGS = 0 D
Substrato
N
P
Situacin de partida. No es posible la conduccin en ningn sentido
Manuel Rico Secades
PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL N UGS = 5
G +++++ +++++ ----------N
Substrato
Por atraccin electrosttica la zona bajo la puerta (CANAL) se enriquece de cargas negativas (minoritarios de la zona P). El CANAL, as enriquecido, se comporta como una zona N (CANAL N)
Manuel Rico Secades
PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL N UGS = 20
G +++++ +++++
--------------------P N
Substrato
Al aumentar la tensin de puerta (VGS), aumenta el canal. La situacin es parecida al JFET, solo que ahora vamos aumentando el canal a medida que polarizamos positivamente la puerta (G) LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO
Manuel Rico Secades
MOSFET DE CANAL N (Caracterstica real de salida)

D
Substrato G S
ID
UGS[V]
+15 +10 +5 0
VDS
ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO COMO ANTES, LA TENSIN DE PUERTA (UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.
Manuel Rico Secades
MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?) D G

canal
S N
Substrato
P D
Canal. Aparece entre D y S en paralelo a los diodos iniciales
Se observa que los diodos juegan un papel secundario en la operacin del dispositivo.
Substrato S
Debemos asegurar que nunca entren en operacin.
EL SUBSTRATO se conecta al punto mas negativo del circuito.

Para un solo transistor, se conecta a la FUENTE (S). En los circuitos integrados se conectar el SUBSTRATO a la alimentacin negativa
Manuel Rico Secades
MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?) D G

canal
Se une con S Substrato
P D D D
G S
AHORA YA NO ES UN DISPOSITIVO SIMTRICO !!! LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO

Manuel Rico Secades
MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?) D D

COMENTARIO: Aunque a veces se dibuje el smbolo con un diodo, tener en cuenta que NO ES UN COMPONENTE APARTE.
G S
G S Diodo parsito (Substrato - Drenador)
ID
UGS[V]
=+15 V =+10 V =+5 V =0V
VDS
Manuel Rico Secades
MOSFET DE CANAL N (precauciones con la puerta)

La puerta (G) es muy sensible. Puede perforarse con tensiones bastante pequeas (valores tpicos de 30 V). No debe dejarse nunca al aire y debe protegerse adecuadamente.
D ID
- 30 V
+ 30 V
VGS
G S
CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!
Manuel Rico Secades
USOS DEL MOSFET - Canal N: Como interruptor
12 V
3A
12 V 36 W
12 V
3A
12 V 36 W
I
La puerta no puede quedar al aire (debe protegerse)
ID
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA (MUY PEQUEA) !!!
4A PF (ON) 3 A ON
UGS= 12 V OFF
VDS 12 V PF (OFF)
Manuel Rico Secades
MOSFET - N con canal inicial: Cargas Activas D G S N P D ID
CANAL INICIAL
UGS[V]
=+5 V =0V
Acumulacin Deplexin
G
S
=-5 V = -10 V
VDS
Manuel Rico Secades
MOSFET - N con canal inicial: Cargas Activas

Las cargas activas se emplean para sustituir a resistencias en circuitos integrados (polarizacin de amplificadores, etc)
ID UGS[V]
=0V
VDS D D
CARGA ACTIVA
S LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO
Manuel Rico Secades
CURVA DE SALIDA TPICA DE UN MOSFET DE CANAL N DE POCA CORRIENTE
Comportamiento resistivo
Fuente de corriente (aumenta significativamente con la tensin VDS)
Manuel Rico Secades
TRANSISTOR MOSFET - canal P Drenador (Drain) Puerta (Gate)
Aislante (Si O2)

Fuente (Source)
Substrato (Substrate)
P N Canal (Channel)
SECCIN
VISTA SUPERIOR
Manuel Rico Secades
TRANSISTOR MOSFET - canal P G S
Substrato
P N NOTAR:
NOTAR QUE EN PRINCIPIO ES UN DISPOSITIVO SIMTRICO
METAL OXIDO SEMICONDUCTOR

G SMBOLO LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO D
De momento, vamos a olvidarnos del substrato.

Posteriormente veremos que hacer con este terminal "inevitable" para que no afecte a la operacin del dispositivo. Que no moleste!!
Substrato
Manuel Rico Secades
CARACTERSTICAS DE UN MOSFET DE CANAL P IG = f(VSG, VSD) Caracterstica de entrada +

ID, IS, IG VSD, VGD, VSG
IS
VSG IG -
+
VSD
VGD
En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y dos tensiones. Normalmente se trabaja con ID, IG, VSD y VSG. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente:
ID
ID = f(VSD, VSG) Caracterstica de salida
IS = ID + IG
VGD = VSD - VSG
Manuel Rico Secades
MOMENTO DE REFLEXIN: Como esperamos de sean las caractersticas de un MOSFET de canal P?

S
S G D Substrato
Substrato G D
Entre D y S tenemos dos diodos.
ID
ID
La conduccin entre D y S no debera ser posible
VSG Caracterstica de entrada (Abierto) VSD Caracterstica de salida (Abierto)
CORRECTO
Cierto si no actuamos sobre la puerta (G)
Manuel Rico Secades
PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL P USG = 0 D
Substrato
P
N
Situacin de partida. No es posible la conduccin en ningn sentido
Manuel Rico Secades
PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL P USG = 5
G ---------- --------+++++++++++
S P
Substrato
Por atraccin electrosttica la zona bajo la puerta (CANAL) se enriquece de cargas positivas (minoritarios de la zona N). El CANAL, as enriquecido, se comporta como una zona P (CANAL P)
Manuel Rico Secades
PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL P USG = 20
G ---------- --------++++++++++++ ++++++++++++
S P
Substrato
Al aumentar la tensin de puerta (VSG), aumenta el canal. La situacin es parecida al JFET, solo que ahora vamos aumentando el canal a medida que polarizamos negativamente la puerta (G) LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO
Manuel Rico Secades
MOSFET DE CANAL P (Caracterstica real de salida)

S
Substrato G D
ID
USG[V]
+15 +10 +5 0
VSD
ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO COMO ANTES, LA TENSIN DE PUERTA (USG) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.
Manuel Rico Secades
MOSFET DE CANAL P ( Que pasa con el substrato?) D G

canal
S P
Substrato
N S
Canal. Aparece entre D y S en paralelo a los diodos iniciales Se observa que los diodos juegan un papel secundario en la operacin del dispositivo.
Substrato S
Debemos asegurar que nunca entren en operacin. EL SUBSTRATO se conecta al punto mas positivo del circuito. Para un solo transistor, se conecta a la FUENTE (S). En los circuitos integrados se conectar el SUBSTRATO a la alimentacin positiva. Notar que esta es una diferencia importante con el MOSFET de canal N
Manuel Rico Secades
MOSFET DE CANAL P ( Que pasa con el substrato?) D G

canal
Se une con S Substrato
P S S S
G D
AHORA YA NO ES UN DISPOSITIVO SIMTRICO !!! LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO

Manuel Rico Secades
MOSFET DE CANAL P ( Que pasa con el substrato?) S S

COMENTARIO: Aunque a veces se dibuje el smbolo con un diodo, tener en cuenta que NO ES UN COMPONENTE APARTE.
G D
G D Diodo parsito (Substrato - Drenador)
ID
USG[V]
=+15 V =+10 V =+5 V =0V
VSD
Manuel Rico Secades
MOSFET DE CANAL P (precauciones con la puerta)

La puerta (G) es muy sensible. Puede perforarse con tensiones bastante pequeas (valores tpicos de 30 V). No debe dejarse nunca al aire y debe protegerse adecuadamente.
S ID
- 30 V
+ 30 V
VSG
G D
CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!
Manuel Rico Secades
USOS DEL MOSFET - Canal P: Como interruptor
La puerta no puede quedar al aire (debe protegerse)
12 V
I 3A
12 V I 12 V 36 W 3A 12 V 36 W
ID
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA (MUY PEQUEA) !!!
4A PF (ON) 3 A ON
USG= 12 V OFF
VSD 12 V PF (OFF)
Manuel Rico Secades
MOSFET - P con canal inicial: Cargas Activas D G S P N S ID
CANAL INICIAL
USG[V]
=+5 V =0V
Acumulacin Deplexin
G
D
=-5 V = -10 V
VSD
Manuel Rico Secades
MOSFET - P con canal inicial: Cargas Activas

Las cargas activas se emplean para sustituir a resistencias en circuitos integrados (polarizacin de amplificadores, etc)
ID USG[V]
=0V
VSD S S
CARGA ACTIVA
D LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO
Manuel Rico Secades
CURVA DE SALIDA TPICA DE UN MOSFET DE CANAL P
Comportamiento resistivo
Fuente de corriente (aumenta significativamente con la tensin VSD)
Manuel Rico Secades
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
C G
E
Combinacin de MOSFET y transistor Bipolar que ana las ventajas de los dos: La facilidad de gobierno del MOSFET El buen comportamiento como interruptor de BIPOLAR Dispositivo reciente muy importante en Electrnica de Potencia
Inventado por H.W. Becke y C.F. Wheatley en 1982
Manuel Rico Secades
COMENTARIO: Con los MOSFET e IGBT para manejar corrientes elevadas se produce un cambio de tendencia importante.
Un Transistor Bipolar de potencia es un solo dispositivo de dimensiones (Seccin) suficiente para manejar la corriente elevada.
Un Transistor MOSFET o un IGBT de potencia, pensado para manejar corrientes elevadas, est formado por muchos transistores integrados colocados en paralelo
Manuel Rico Secades
C NP N+
Cada punto representa un MOSFET
MOSFET DE POTENCIA
(Muchos pequeos MOSFET en paralelo, realmente es un "Circuito Integrado")
B E BIPOLAR DE POTENCIA LEONARDO CATALN V. UNIVERSIDAD DE OVIEDO
Manuel Rico Secades
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS: PEQUEOS Y GRANDES SEGN LA APLICACIN
EL MAS PEQUEO
UNO GRANDE
Unos de los 12 SCR para un pequeo rectificador trifsico de 500 MW y 500 KV (Inga-Shaba, ZAIRE)
Manuel Rico Secades

Transistores

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

NPN PNP CANAL N (JFET-N) CANAL P (JFET-P)

UNIN EFECTO DE CAMPO

* FET : Field Effect Transistor

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Manuel Rico Secades

Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.

IMPORTANTE !!! No es un dispositivo simtrico

ASPECTO MAS REAL DE UN TRANSISTOR BIPOLAR

Descubiertos por Shockley, Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell)

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Manuel Rico Secades

CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada +

IC = f(VCE, IB) Caracterstica de salida

VCB = VCE - VBE

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Manuel Rico Secades

MOMENTO DE REFLEXIN: Como esperamos de sean las caractersticas de un transistor?

Entre C y E tenemos dos diodos. La conduccin entre C y E no debera ser posible

VBE Caracterstica de entrada (Diodo)

VCE Caracterstica de salida (Abierto)

Manuel Rico Secades

CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN: Efecto Transistor

El efecto transistor se produce nicamente con zonas de base muy estrechas

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ZONA DE CORTE: Comportamiento como interruptor abierto.

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Manuel Rico Secades

USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor

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Manuel Rico Secades

USOS DEL TRANSISTOR NPN: Saturacin como amplificador

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ASPECTO MAS REAL DE UN TRANSISTOR BIPOLAR

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Manuel Rico Secades

CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR PNP IB = f(VEB, VEC) Caracterstica de entrada +

VBC = VEC - VEB

Manuel Rico Secades

Entre C y E tenemos dos diodos. La conduccin entre C y E no debera ser posible

VEB Caracterstica de entrada (Diodo)

VEC Caracterstica de salida (Abierto)

Manuel Rico Secades

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IB [mA] = 30 ZONA ACTIVA: Comportamiento como Fuente de Corriente.

ZONA DE CORTE: Comportamiento como interruptor abierto.

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USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como interruptor

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AHORA LA SEAL SALE DESFASADA 180

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CARACTERSTICAS REALES DE LOS TRANSISTOR NPN y PNP

PMax = VCEIC Avalancha Primaria

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