AMPLIFICADOR RF DE PEQUEA SEAL PREINFORME PRCTICA No. 4 DE LABORATORIO COMUNICACIONES ANALGICAS John Fredy Pieros Hernndez.

Cdigo: 20061005100 Edgar Alejandro Rodrguez Hernndez. Cdigo: 20042005094 Hugo Ernesto Gutirrez Vanegas. Cdigo: 20061005103

Se propone realizar un amplificador de pequea seal a una frecuencia de 10MHz y una ganancia mxima posible segn diseo. Observaciones: Debido a la escasez de dispositivos electrnicos para RF en el mercado, optamos por realizar el diseo del amplificador con un encapsulado CA3086 que tiene un producto ganancia ancho de banda igual a 550MHz (G*BW=550MHz) y los parmetros Y definidos en su hoja de datos. Para una frecuencia de 10MHz el transistor en configuracin emisor comn y con un punto de polarizacin e , presenta los siguientes parmetros Y (para comprobar estos parmetros por favor revisar la hoja de datos del encapsulado CA3086 adjunta):

Siendo | |

calculamos el factor de estabilidad de Linvill. | [ | ]

Como C>1 el transistor sera potencialmente inestable, ahora se analizar el factor de Stern teniendo en cuenta la fuente y la carga a conectar en el circuito a disear.

Como K>1 el transistor es estable para esa fuente y carga. Luego, hallando la mxima ganancia: | | | |

Para disear el amplificador con acoplamiento conjugado simultneo y de esta forma obtener mxima transferencia de potencia de la carga y la fuente se tiene:

Gs=Conductancia de la fuente Bs=Susceptancia de la fuente Gl=Conductancia de la carga Bl=Susceptancia de la carga [ [ [ ] | | ]] | |

Como el clculo de Gs da un valor imaginario, se llega a la conclusin de que de todas maneras el transistor debe ser neutralizado para tener estable el transistor y el acoplamiento correcto de fuente y carga. Con neutralizacin

Fig. No. 1. Esquema general de amplificador. Detalle de admitancias de entrada y salida vistas por el transistor. Posteriormente, para disear la red de acople de entrada y salida utilizando la Carta de Smith, es necesario normalizar por un factor N=1000 y N=2000 respectivamente. Para una impedancia de fuente de 50 (con N=1000) seria:

Diseando el acople respectivo mostrado en la figura No. 2 (pgina 6), segn Carta de Smith se tiene: Arco X Zs =3.7 Bobina paralelo Arco Rs X=0.3 Condensador serie

Del mismo modo, se disea la red de acople de salida (con N=2000), ver figura No.3 (pgina 7) con resultado Carta de Smith:

Arco Y Zl=2.07 Bobina paralelo Arco Rl Y=0.6 Condensador serie

Luego de tener las redes de acople de entrada y salida, se procede a disear el circuito de polarizacin universal segn parmetros DC del transistor. Tomando

Asumiendo

Luego de hallar los componentes necesarios para polarizar el transistor, se muestra a continuacin el circuito final incluyendo las redes de acople de entrada y salida.
Vcc

R2
148k

RC
14k

CB
0.1uF

CC
0.1uF

LI
4uH

LO
15uH

CO
13.26pF A B C D

RL RI
50

CI
53.05pF

Q1
NPN

100

AM FM

R1
37k

RE
3k

CE
0.1uF

Fig. No. 4. Esquema completo de amplificador RF de pequea seal. Los condensadores CC, CO y CE son de desacople con valor nominal de 0.1F para HF.

RESULTADOS DE SIMULACION El resultado de simulacin mostro una ganancia de 670 veces (28.26dB), lo que corresponde al 10.9% de la MAG (6091.5=37.84dB). Como se utiliz un transistor ideal no hubo desfase alguno entre la seal de salida y la seal de entrada. Sin embargo, la seal resultante en simulacin no se pudo visualizar a 10MHz debido a la resolucin del dispositivo virtual de prueba (en este caso del osciloscopio mostrado en la parte derecha del esquema anterior). De otra parte, el transistor no se pudo modelar exactamente en simulacin segn parmetros Y y del CA3086. Se utilizo un transistor muy parecido en caractersticas al citado.

A continuacin se presenta la imagen resultante de la simulacin.

Fig. No. 5. Resultado de la simulacin. El osciloscopio virtual permiti ver una ganancia de 760 veces con respecto a la entrada.

CONCLUSIONES Al realizar los clculos tericos se obtuvieron resultados satisfactorios. La neutralizacin del transistor caus una reduccin de ganancia considerable (90% con respecto a la MAG aproximadamente). En la simulacin del diseo se presentaron problemas para modelar completamente al transistor en sus parmetros Y y . Del mismo modo, el osciloscopio virtual no permiti visualizar perfectamente la seal resultante a 10MHz. Se espera que en la prctica todos los dispositivos y equipos necesarios para el montaje y anlisis de este diseo sean los indicados. Se seguirn todas las pautas tericas indicadas para ensamblar este circuito RF.