1.

Illustrare cosa si intende per solido cristallino, dare alcuni esempi di celle unitarie e stimare, a partire dal passo reticolare la densit atomica del solido. 2. Illustrare il modello atomico di Bohr, ricavando lespressione del raggio medio delle orbite. Utilizzare questo risultato per stimare il passo atomico del cristallo di Sodio. 3. Illustrare lapparente contraddizione tra la II legge della dinamica e la legge di Ohm. Introdurre il modello a rilassamento per la velocit di deriva e la mobilit. 4. Discutere la conducibilit in un conduttore metallico e la sua dipendenza dalla temperatura. 5. Illustrare le propriet dei semiconduttori del IV gruppo (reticolo, concentrazione intrinseca, sua dipendenza dalla temperatura, la lacuna). 6. Stimare la conducibilit del Silicio/Germanio puro a temperatura ambiente (commentare lespressione, quantificare i termini) 7. Introdurre il concetto di drogante, illustrare linfluenza dei droganti sulla conducibilit del semiconduttore a partire dal modello ad orbitali di legame. 8. Stimare sulla base del modello di Bohr, lenergia di legame dellelettrone del Fosforo, quando immerso nel reticolo di Silicio. 9. Illustrare la legge di azione di massa, i concetti di maggioritari e minoritari. 10. Illustrare la dipendenza della mobilit dal drogaggio di un semiconduttore. 11. Illustrare la dipendenza della conducibilit di un semiconduttore drogato al variare della temperatura distinguendo tra i regimi di freeze-out/conducibilit estrinseca/ conducibilit intrinseca. 12. Illustrare, partendo dallesempio della distribuzione di un gas in una colonna isoterma, i risultati fondamentali della statistica di Boltzmann (distribuzione in energia, rapporto della concentrazione a due quote, dipendenza dalla temperatura). 13. Illustrare le caratteristiche rettificanti di una giunzione p-n. Valutare la differenza di potenziale all'equilibrio e giustificare qualitativamente leffetto della polarizzazione sulla estensione della zona di carica spaziale e sulla caduta di potenziale. 14. Tracciare il profilo di energia potenziale ai morsetti di una giunzione p-n allequilibrio ed in polarizzazione diretta/inversa e giustificare le dipendenze attese per la espressione della corrente. 15. Ricavare landamento dettagliato di campo elettrico e profilo di potenziale in una giunzione p-n con drogaggi uniformi polarizzata allequilibrio. Dare le espressioni esplicite del campo elettrico massimo e della estensione della zona di carica spaziale. 16. Introdurre la corrente di diffusione e ricavare la Legge di Fick giustificando il lagame tra coefficiente di diffusione e mobilit (relazione di Einstein). 17. Ricavare lequazione di continuit, discutendo le espressioni dei termini di generazione/ricombinazione.

19. Integrare lequazione di continuit per ricavare landamento del profilo di portatori minoritari iniettati in una zona neutra ai capi di una giunzione p-n polarizzata direttamente. 20. Ricavare lespressione della corrente totale che attraversa una giunzione p-n in polarizzazione diretta. Tracciare e giustificare landamento della densit di corrente di lacune e di elettroni. 21. Si consideri una giunzione p-n polarizzata inversamente: ricavare landamento del profilo di minoritari in una delle zone neutre adiacenti. 22. Discutere la risposta capacitiva di una giunzione p-n in polarizzazione diretta (capacit di diffusione) e illustrare il corrispondente circuito per piccoli segnali del diodo. 23. Discutere la risposta capacitiva di una giunzione p-n in polarizzazione inversa (capacit di svuotamento) e illustrare il corrispondente circuito per piccoli segnali del diodo. 24. Fenomeni di breakdown di una giunzione p-n: illustrare il fenomeno di breakdown per effetto Zener, stimarne il campo elettrico critico sulla base di un semplice modello di legame. 25. Fenomeni di breakdown di una giunzione p-n: illustrare il fenomeno di breakdown per ionizzazione ad impatto e stimare il campo critico sulla base di un semplice modello. Discutere la dipendenza del campo critico dal drogaggio. 26. Illustrare la formazione delle bande di livelli energetici in un solido cristallino con particolare riferimento ai solidi degli elementi del IV gruppo della tavola periodica. 27. Illustrare e la statistica di occupazione dei livelli energetici e introdurre la definizione di livello di Fermi. 28. Definire le densit di stati equivalenti in banda di conduzione e valenza. Illustrarne il legame con la concentrazione intrinseca ed il gap. 29. Illustrare landamento del diagramma a bande in una giunzione p-n allequilibrio. 30. Definire il potenziale di contatto tra due materiali. Illustrare le condizioni per cui un contatto metallo-semiconduttore rettificante. 31. Illustrare lelettrostatica di una struttura MOS, identificando le cadute di potenziale in condizione di banda piatta. 32. Struttura MOS: definire le condizioni di svuotamento e forte inversione. Ricavare lespressione della tensione di soglia. 33. Struttura MOS: illustrare lelettrostatica del sistema in condizioni di svuotamento, ricavando la densit superficiale dei portatori liberi allinterfaccia e la sua dipendenza dalla tensione di controllo. 34. Transistore MOSFET: ricavare lespressione della corrente di conduzione in zona ohmica, chiarendo le approssimazioni che si compiono. 35. Transistore MOSFET: ricavare lespressione della corrente di conduzione in saturazione, chiarendo le approssimazioni che si compiono.

36. Transistore MOSFET: chiarire lorigine e la definizione di coefficiente di effetto body. Discuterne limpatto sulla capacit di corrente del transistore. 37. Transistore MOSFET: discutere la variazione della corrente di saturazione al variare della polarizzazione di drain. Chiarirne la fisica e limpatto sulle prestazioni del componente. 38. Introdurre la fenomenologia della saturazione della velocit di deriva nei semiconduttori. Definire e valutare lordine di grandezza del campo critico. Illustrare leffetto sulla base di un modello a rilassamento delle grandezze dinamiche delle particelle (quantit di moto ed energia) 39. Discutere la dipendenza della frequenza di taglio del MOSFET dalla lunghezza di canale. 40. Illustrare i passi di processo principali di un processo CMOS.