Lab N1: No Dispositivos No hmicos Diodos Semiconductores

Laboratorio de Fsica General III (FS-0411)

Dispositivos No hmicos-Diodos Semiconductores

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ndice
Objetivos.................................................................................................................................... 3 Resultados.................................................................................................................................. 3 Anlisis de Resultados ............................................................................................................... 7 Cuestionario ............................................................................................................................... 8 Conclusiones............................................................................................................................ 10 Bibliografa .............................................................................................................................. 11

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Objetivos
El objetivo general es introducir el concepto de no linealidad en diodo semiconductores, as como familiarizarse con sus propiedades no lineales y su comparacin con un elemento lineal. En particular, interesa lo siguiente:

1. 2. 3. 4. 5.

Comprender el significado de no linealidad en componentes de circuito. Construir un circuito a partir del diagrama esquemtico. Utilizar el digitalizador de seales con control por computadora Elaborar las curvas caractersticas de elementos lineales y no lineales Obtener la resistencia de los elementos.

Resultados
Despus de armar el circuito de la figura 3 (manual de laboratorio), se conectaron los diodos de silicio, germanio y un potencimetro de 10K para obtener las curvas caractersticas de los dispositivos, es decir, las grficas Intensidad de corriente (A) en funcin del Voltaje (V).

Grafico 1: Usando Diodo de silicio y resistencia de 1000

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Grafico 2: Usando Diodo de Germanio y resistencia de 10 k

Grafico 3: Resistencia, se hizo con 30 y 20

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Resistencia del diodo

Despus se procedi a conectar los mismos dispositivos (diodos de germanio, silicio y el potencimetro) para obtener las grficas de Resistencia () en funcin de la Intensidad de corriente (I).

Grafico 4: Diodo de Silicio resistencia de 1000

Grafico 5: Diodo de germanio y resistencia de 10 k

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Grafico 6: Resistencia, se hizo con 30 y 20

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Anlisis de Resultados
En las grficas N1 y N2 (corriente en funcin del voltaje) se puede visualizar el voltaje de conduccin del diodo, que es el voltaje mnimo que requiere para que la corriente del diodo se incremente en forma exponencial. El voltaje de conduccin vara de acuerdo con el diodo a emplear, segn la teora si el diodo es de germanio (Ge), el voltaje ser de 0.3 V, en el caso del silicio (Si) ser de 0.7 V. Si este voltaje de conduccin es menor, la corriente de conduccin ser nula. Es importante notar que aunque el diodo est polarizado a favor solo permite el paso de la corriente cuando el voltaje en entre sus terminales es mayor a cierto valor, adems se tiene que ambas grficas son exponenciales y de ah se puede deducir que la relacin entre voltaje y corriente en un diodo no es lineal. La diferencia entre el voltaje de conduccin terico y el experimental puede ser el resultado de la sensibilidad de los diodos a la temperatura, pues la curva caracterstica de un diodo varia con la con esta ltima, esta dependencia es contemplada en el modelo de Shockley. Por el contrario la funcin que describe la relacin entre el voltaje y la corriente en una resistencia (Ley de Ohm), es lineal, como se observa en la grfica N3. Cabe destacar que en este punto se variaron las instrucciones del manual ya que se utilizaron dos resistencias de 30 y 20 ohmios debido a que con estos valores la grfica apareca de forma ms clara. Las grficas N4 y N5 , son de la resistencia en funcin de la corriente, se tiene que tanto para el diodo de silicio como para el de germanio, esta disminuye de forma exponencial tendiendo a cero, comportndose casi como un corto. En cambio para la grfica N6 que corresponde a la resistencia lo que se obtuvo fue una lnea poco uniforme, sin embargo dicha inestabilidad de la misma puede deberse a factores de error humanos y del mismo equipo que se estaba utilizando.

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Cuestionario
1. Cul es la diferencia en la curva caracterstica del diodo de silicio con el diodo de germanio? ?Qu significa esa diferencia?
La diferencia es el punto en el que empiezan a crecer de forma exponencial, el decir el voltaje de conduccin, esta diferencia quiere decir conducir corriente a voltajes diferentes. El que los diodos empiezan a

de silicio comienza a crecer a un voltaje mayor que en la grfica del germani

2. Determine el valor del potencial de barrera para cada uno de los diodos, compare sus resultados con los valores tericos.
Los valores de las barreras de potencial son 0.3 V para el germanio y 0.7 V para el silicio. Comparando las graficas con los valores tericos podemos decir que para el diodo de silicio la curva tomo forma asntota acercndose al valor de 0.7 voltios y para la grafica del diodo de germanio logro cruzar la barrera porque paso el valor de 0.3 V que es el valor terico.

3. En el caso de la resistencia, Cul es el significado fsico de la pendiente de la grafica? corresponde al valor terico?
Primero la pendiente constante demuestra la relacin constante de la Ley de Ohm en la resistencia, lo cual demuestra que es un material hmico. Por otro lado, mediante la grfica de corriente en funcin del voltaje se puede obtener la resistencia del potencimetro gracias a la pendiente, slo basta calcular la pendiente en el punto especfico donde se quiere conocer la resistencia y listo. Y si debe coincidir al valor terico pero pueden haber algunas variaciones debidas a errores humanos a la hora de trazar la grfica.

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4. Cmo varia la resistencia de un diodo en conduccin cuando aumenta la corriente aplicada en sus terminales? Qu significa esta variacin? Qu
ocurre con la resistencia de la caja? El valor de la resistencia de un diodo en conduccin disminuye a medida que se aumenta el valor de la corriente como lo muestra en el grafico al ser la resistencia mnima del diodo el flujo de corriente que llega a la resistencia R es mucho mayor por lo que en el grafico se muestra una resistencia muy alta que decrece con una pendiente negativa en cuanto se aumenta la corriente que pasa por el diodo.

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Conclusiones
A partir de los objetivos establecidos inicialmente, se concluye que los mismos se cumplieron. Ya que fue posible analizar un elemento que no cumple la ley de ohm, el diodo semiconductor. Se hicieron las grficas que permitieron visualizar la diferencia entre los elementos lineales y elementos no lineales y por otro lado, se reforzaron conceptos y prcticas anteriores de otros laboratorios en cuanto a montaje de circuitos y sus mediciones. El diodo es un dispositivo muy importante en la electrnica, pues puede ser usado para rectificar seales, convirtiendo una seal de corriente alterna en una directa, sin embargo en este laboratorio no se estudio esta funcionalidad, se limit a conocer el tipo la relacin entre corriente y voltaje para un diodo, con este fin se construyeron grficas de corriente en funcin del voltaje y la resistencia en funcin de la corriente. Puntualmente se lleg a las siguientes conclusiones: Un material semiconductor tiene una resistividad cuyo valor oscila entre los valores de los aislantes y de los conductores. Esta caracterstica genera que la conductividad del material vare con la temperatura, de manera que puede reaccionar a las condiciones ambientales como un conductor o como un aislante. Indiferentemente de que un material sea hmico o no, la proporcionalidad lineal de la Ley de Ohm se cumple. El cambio se da en que los componentes no hmicos siguen una relacin no lineal haciendo que su grfica sea con una pendiente curva. En cambio los materiales hmicos tienen valores de resistencia constantes. Los diodos semiconductores no obedecen la Ley de Ohm de forma lineal puesto que su resistencia no es constante para cualquier valor de voltaje /corriente. Una vez que se supera la barrera de potencial en un semiconductor el mismo se convierte en un excelente conductor de corriente elctrica.

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Bibliografa

Ramres, A & Gutirres, H. Manual de practica Laboratorio de Fsica General III. Universidad de Costa Rica. Resnick, Halliday, Krane (2002) Fsica Volumen 2. (5ta. ed.) Mxico:

Editorial CECSA.

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