UNIVERSIDAD NACIONAL DE CRDOBA FACULTAD DE CIENCIAS EXACTAS, FSICAS Y NATURALES

ELECTRNICA ANALGICA TRABAJO PRCTICO DE LABORATORIO N2

INTEGRANTES: AO: 2012

INTRODUCCIN En el presente informe se da finalizacin a la descripcin de un circuito de amplificacin de emisor comn, sobre el mismo se realizaron los clculos correspondientes, la simulacin del circuito con los datos calculados, y posteriormente la implementacin y las respectivas mediciones en el circuito. El circuito consta de 6 resistencias (una de carga), 3 capacitores y transistor 2N2222. Los valores de los mismos se sealarn posteriormente. Ser muy til la utilizacin de instrumentacin de medicin, tales como: osciloscopio y tster. Y las fuentes que se dispondrn sern: una fuente de alimentacin de alterna (generador) y una de continua.

OBJETIVOS Con el proceso ya indicado, se tratar de llegar a conclusiones coherentes y concretas respecto a las comparaciones de los distintos valores obtenidos tanto en la simulacin como en la prctica.

DESARROLLO Se presenta el circuito (realizado con Multisym).

Se utiliza un osciloscopio virtual durante la simulacin. Medimos sobre la resistencia de carga RL. Los datos del circuito son: Vcc= 15 V. Rc= RL= 1 K. Re= 500 . R1= 40 k. R2= 17.5 k. Vg= 3,5 mV RMS. f= 1000 Hz. Rg= 50 . C1=C2=C3= 100micro Faradays.

Diseo del amplificador Se deben encontrar las resistencias R1 y R2, para las cuales el transistor funcione en su ptima condicin para este caso, un punto Q real que posea Mxima Excursin Simtrica. Desarrollo matemtico: -Para el circuito Ideal: Icq(MES) = Vcc (Rc + Re) + Rc//RL Icq = 7,61 mA condiciones tanto en cc como en ac

Vceq = Icq * (Rc//RL) Vceq = 3.8 V

Rb ( R1//R2) = Re *( +1) 10 Vbb = Ib*RB + VBE + Ie * Re Vbb = Ic * RB + VBE + Ie * Re Vbb = 4.86 V

= 12.7 K

Por el divisor de voltaje: Vbb = Vcc * R1 R1 + R2

Entonces: R1 = Rb 1 - Vbb / Vcc R2 = Rb * Vcc Vbb Obtenidas las resistencias del paralelo, se contina el planteo para la obtencin de las ganancias de corriente y tensin. Usando las frmulas: hie = n * hfe * VT Icq iL ib ib ii = = -hfe RL Rg//Rb//hie hie = 0,053 * (RL//Rc) = -135 = 887 = 18.42 k = 41,26 k

i =

iL ib

ib ii

= - 7,18 veces = 20log() = 17.12 dB

v = RL * i = -143,6 veces = 20log(107,4) = 43.14 dB Rg

-Para el circuito real: Los valores obtenidos tericamente de R1 y R2 no se encuentran disponibles en el mercado, por este motivo se utilizaron valores estndares de resistencias prximos a los calculados. R1= 40 k R2= 17.5 k

Icq(Mes) =

Vcc (Rc + Re) + Rc//RL

Icq = 7,44 mA

Vceq = (Vce-0.5)/2 +0.5 Vceq = 4,05 V

Rb ( R1//R2) = Re *( +1) 10 Vbb = Ib*RB + VBE + Ie * Re Vbb = Ic * RB + VBE + Ie * Re Vbb =4.45V

= 1.113 k

Para obtener la ganancia del circuito real, se procede a utilizar las siguientes frmulas: hie = n * hfe * VT Icq = 907.25

iL ib ib ii

-hfe RL

* (RL//Rc) =

-135

Rg//Rb//hie hie

= 0,05

i =

iL ib

ib ii

= - 6.76 veces = 20log() = 16.6 dB

v = RL * i = -135 veces = 20log(107,4) = 42.6 dB Rg Clculos para Icq y Vceq en continua: Se comparan los valores de Icq y Vceq en continua para observar si estos valores calculados, simulados y medidos son similares. Para calcular Vceq se utiliza la frmula: Vceq = Vcc/2 Vceq= 7.5 V.

Para calcular Icq: Icq= Vceq/ (Rc+Re) Icq= 5 mA.

Luego de realizar todos los clculos se procede a analizar el circuito por medio de la simulacin en computadora. Se utiliza el programa Multisym.

SIMULACIN: Se midi VRL con el osciloscopio, y se obtuvo la siguiente grfica:

Luego con el valor de VL se pudo obtener la ganancia del circuito en V. Esta medicin arroj los siguientes resultados: Vi= 9,822 mV. VL= 960 mV. Ganancia (V): VL/Vi= 97.74 Estos valores se utilizaron para compararlos con la ganancia dada por el circuito armado, se comprob que son similares, y se obtuvo as el resultado deseado.

Se utiliza el simulador tambin para realizar mediciones en el circuito dejando nicamente el circuito alimentado por la fuente de continua, tal como lo muestra la figura: Interesa medir Icq y Vceq, para ello se coloca un multmetro: Para Vceq:

El valor de Vceq es de 4.933 V, el cual es similar al obtenido en el circuito real (Vceq=4.05V). Para medir Icq, se procede a utilizar el multmetro para medir la cada de potencial sobre Rc, y luego se calcula Icq, dividiendo VRc por la resistencia total:

Icq=6,697V/ 1000 ohm Icq= 6.69 mA. El valor calculado con el simulador de Icq es similar al calculado y al medido en el circuito real, quedando justificados los datos.

MEDICIONES
El circuito armado es el siguiente:

Medimos VL con el osciloscopio, para obtener luego la ganancia, dividiendo la amplitud de VL, por Vg:

Se utiliz una escala de 200 mV/divisin en el osciloscopio; as se toma como valor pico a pico: VL= 500 mVp Vg=9,89 mVpp. v = VL/Vg v = veces. CALCULAR BIEN La ganancia es CALCULAR veces. Para medir Icq, se utiliz la medicin del voltaje en la rama emisor- colector, dicho valor fue de 6,16 V. Luego para sacar Icq se hace: Icq= 4.4 V / 1500 = mA. COMPLETAR!!!

Se midi Vceq para continua: Vceq= 2,86 V.

EXPLICACIN:
70% 500mV= 350mV f1= 210 Hz f2= 1.95 MHz ( frecuencias que nos dieron antes) PERO FIJATE POR LAS DUDAS EN LAS FOTOS

CONCLUSIN Al finalizar el presente trabajo podemos concluir que los valores calculados, simulados y medidos en el circuito amplificador, dan resultados muy similares; tanto para la corriente como para la tensin. En lo que respecta a la ganancia del circuito, se midi la tensin sobre la resistencia de carga, Lo que mas interesa es la comparacin de la ganancia del circuito, para eso se mide VL, y se utiliza la relacin con Vg; midiendo la ganancia en voltaje del circuito; la ganancia del circuito en clculos arroja un valor de 107,64, este valor es un tanto diferente al de la ganancia simulada y medida: la primera da un valor de 77,9, mientras que la segunda un valor de 74,9 . La diferencia con la ganancia calculada se debe a que se utilizo un hfe=100 en los clculos, mientras que el transistor 2N2222 utilizado para realizar el circuito real, posee un hfe=166 aproximadamente, lo que hace variar la ganancia; el transistor 2N2222 utilizado en la simulacin posee un hfe similar al verdadero, por ello es que los valores de ganancia dados son prcticamente iguales. Haciendo variar el voltaje Vg de entrada del generador de seales, se puede observar que al aumentar Vg, se produce una saturacin en la parte baja de la seal, esto es seguramente debido al alto hfe del transistor utilizado, lo que no resulta significante para el prctico en cuestin.