Conductores En los conductores slidos la corriente elctrica es transportada por el movimiento de los electrones; y en disoluciones y gases, lo hace por

los iones. Conductores slidos: Metales

Caractersticas fsicas: estado slido a temperatura normal, excepto el mercurio que es lquido. opacidad, excepto en capas muy finas. buenos conductores elctricos y trmicos. brillantes, una vez pulidos, y estructura cristalina en estado slido. dureza o resistencia a ser rayados; resistencia longitudinal o resistencia a la rotura; elasticidad o capacidad de volver a su forma original despus de sufrir deformacin; maleabilidad o posibilidad de cambiar de forma por la accin del martillo; (puede batirse o extenderse en planchas o laminas) resistencia a la fatiga o capacidad de soportar una fuerza o presin continuadas ductilidad: permite su deformacin forzada, en hilos, sin que se rompa o astille.

Caractersticas qumicas: Valencias positivas: Tienden a ceder electrones a los tomos con los que se enlazan. Tienden a formar xidos bsicos. Energa de ionizacin baja: reaccionan con facilidad perdiendo electrones para formar iones positivos o cationes Caractersticas elctricas: mucha resistencia al flujo de electricidad. todo tomo de metal tiene nicamente un nmero limitado de electrones de valencia con los que unirse a los tomos vecinos. superposicin de orbitales atmicos de energa equivalente con los tomos adyacentes

La elevada conductividad elctrica y trmica de los metales se explica as por el paso de electrones a estas bandas con defecto de electrones, provocado por la absorcin de energa trmica. Ejemplos de metales conductores, Cobre. Este material es un excelente conductor de las seales elctricas y soporta los problemas de corrosin causados por la exposicin a la intemperie, por eso se usa para los cables. Tambin el aluminio es un buen conductor. La ms baja conductividad elctrica la tiene el bismuto, y la ms alta (a temperatura ordinaria) la plata.

Conductores lquidos:

El agua, con sales como cloruros, sulfuros y carbonatos que actan como agentes reductores (donantes de electrones), conduce la electricidad. Algunos otros lquidos pueden tener falta o exceso de electrones que se desplacen en el medio. Son iones, que pueden ser cationes, (+) o aniones (-). Conductores gaseosos:

Valencias negativas (se ioniza negativamente) En los gases la condicin que implica el paso de una corriente se conoce como el fenmeno de descarga o "ruptura" elctrica del gas: paso de un comportamiento no conductor (baja corriente) a conductor. Tienden a adquirir electrones Tienden a formar xidos cidos. Ejemplos: Nitrgeno, cloro, Nen (ionizados)

Semiconductores Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos qumicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el telururo de plomo.

Para incrementar el nivel de la conductividad se provocan cambios de temperatura, de la luz o se integran impurezas en su estructura molecular. Estos cambios originan un aumento del nmero de electrones liberados (o bien huecos) conductores que transportan la energa elctrica. Los cuatro electrones de valencia (o electrones exteriores) de un tomo estn en parejas y son compartidos por otros tomos para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido.

Para producir electrones de conduccin, se utiliza energa adicional en forma de luz o de calor (se maneja como temperatura), que excita los electrones de valencia y provoca su liberacin de los enlaces, de manera que pueden transportar su propia energa. Cada electrn de valencia que se desprende de su enlace covalente deja detrs de s un hueco, o dicho en otra forma, deja a su tomo padre con un electrn de menos, lo que significa entonces que en ese tomo existir un protn de ms. Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). ste es el origen fsico del incremento de la conductividad elctrica de los semiconductores a causa de la temperatura. Los cristales semiconductores de dividen en intrnsecos y extrnsecos. Un cristal intrnseco es aqul que se encuentra puro (aunque no existe prcticamente un cristal 100% puro); es decir, no contiene impurezas; mientras que un cristal extrnseco es aqul que ha sido impurificado con tomos de otra sustancia. Al proceso de impurificacin se le llama tambin dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de transportar la energa elctrica a otros puntos del cristal. Los dispositivos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la ingeniera elctrica. Los ltimos avances de la ingeniera han producido pequeos chips semiconductores que contienen cientos de miles de transistores. Estos chips han hecho posible un enorme grado de miniaturizacin en los dispositivos electrnicos.

Energa trmica y creacin de hueco Si se eleva la temperatura del monocristal de silicio por encima de 0 K, parte de la energa trmica permite liberar alguno de los electrones. Ello produce dos efectos: Aparece un electrn libre capaz de moverse a travs de la red en presencia de un campo elctrico. En el tomo al que se asociaba el electrn aparece un defecto de carga negativa, es decir, una carga positiva, que se denomina hueco. Globalmente, el cristal mantiene la neutralidad elctrica, ya que no ha ganado ni perdido cargas. Cuando se producen electrones libres en un semiconductor nicamente por agitacin trmica, existen huecos y electrones en nmeros iguales, porque cada electrn trmicamente excitado deja detrs de s un hueco. Un semiconductor con un nmero igual de huecos y electrones se denomina intrnseco.

Corriente de hueco El campo elctrico aplicado ejerce una fuerza sobre los electrones asociados a los enlaces covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn perteneciente a un enlace cercano a la posicin del hueco salte a ese espacio. As, el hueco se desplaza una posicin en el sentido del campo elctrico. Si este fenmeno se repite, el hueco contina desplazndose. Aunque este movimiento se produce por los saltos de electrones, se puede suponer que es el hueco el que se est moviendo por los enlaces.

La carga neta del hueco vacante es positiva y, se puede pensar en el hueco como una carga positiva movindose en la direccin del campo elctrico. Se puede ver en la figura anterior que los electrones individuales del enlace se involucran en el llenado de los espacios vacantes por la propagacin del hueco, no muestran movimiento continuo a gran escala. Cada uno de estos electrones se mueve nicamente una vez durante el proceso migratorio. En contraste, un electrn libre se mueve de forma continua en la direccin opuesta al campo elctrico. Anlogamente al caso de los electrones libres, la densidad de corriente de los huecos viene dada por:

Donde: J p: Densidad de corriente de los huecos [A / cm2] p : Movilidad de los huecos en el material [cm2/ V *s] p: Concentracin de huecos [cm-3] q : Carga elctrica [1,6 * 10 C]

E : Campo elctrico aplicado. [ V/ cm] La movilidad p es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de movimiento del hueco a travs de los enlaces de la red cristalina. La "facilidad" de desplazamiento de los huecos es inferior a la de los electrones. Se puede considerar el caso de un semiconductor que disponga de huecos y electrones, el cual se somete a la accin de un campo elctrico. Los electrones se mueven en el sentido opuesto al campo elctrico, mientras que los huecos se mueven segn el campo. El resultado es un flujo neto de cargas positivas en el sentido indicado por el campo, o bien un flujo neto de cargas negativas en sentido contrario. En definitiva, la densidad de corriente total es la suma de las densidades de corriente de electrones y de huecos:

Recombinacin El hueco es un enlace covalente "no satisfecho". Si un electrn atraviesa la zona en la que se encuentra el hueco puede quedar atrapado en l. A este fenmeno se le denominare combinacin, y supone la desaparicin de un electrn y de un hueco. Sin embargo, como en el caso anterior, el material mantiene su neutralidad elctrica.

Impurificacin Una impureza donadora o aceptora se transforma en un in positivo o negativo. Este est unido por enlaces covalentes con cada uno de los cuatro tomos adyacentes y queda fijo en la red. El electrn o el hueco sobrante quedan muy dbilmente unidos al in, en un pozo de potencial cuantizado. Su nivel fundamental, n = 1, nivel donador ED o aceptor, EA est muy prximo al fondo o al techo de la BC o de la BV. La agitacin trmica, a temperatura ambiente T = 300 K es del orden kBT = 0,025 eV y es suficiente para ionizar la impureza de forma que salga del pozo el portador y entre en la BC o en la BV el electrn o el hueco, segn se trate, y se mueva por el interior del cristal en forma de portador semilibre deslocalizado. La concentracin de impurezas regula la concentracin de estos portadores, si sta es muy grande, mayor que 1023 m-3, se dice que el semiconductor est degenerado y se forma un gas de portadores anlogo al de Fermi en los metales. Todo ello se esquematiza en la figura siguiente:

Semiconductores tipo P Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de compuesto, normalmente trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos, huecos). Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptador. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto, haciendo que, por difusin, uno de los tomos vecinos le ceda un electrn completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los huecos. Cada hueco est asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve expuesto y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural

Semiconductores tipo N Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de compuesto, normalmente pentavalente, es decir con 5 electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso, negativos, electrones libres). Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donador ya que cede uno de sus electrones al semiconductor. El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de electrones libres en el material. Para ayudar a entender como se produce el dopaje tipo N considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de electrones libres, el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que dar, son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero

Polarizacin de diodo directa En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que: El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la

energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera. De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin de diodo inversa En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin: El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera. En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la

superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.

El comienzo de la electricidad y antecedentes histricos y descubrimientos que dieron origen al estudio de la naturaleza elctrica HISTORIA DE LA ELECTRICIDAD Thales de Miletus (630-550 AC) fue el primero, que cerca del 600 AC, conociera el hecho de que el mbar, al ser frotado adquiere el poder de atraccin sobre algunos objetos. Sin embargo fue el filsofo Griego Theophrastus (374-287 AC) el primero, que en un tratado escrito tres siglos despus, estableci que otras sustancias tienen este mismo poder, dejando as constancia del primer estudio cientfico sobre la electricidad. En 1600, la Reina Elizabeth I ordena al Fsico Real Willian Gilbert (15441603) estudiar los imanes para mejorar la exactitud de las Brjulas usadas en la navegacin, siendo ste trabajo la base principal para la definicin de los fundamentos de la Electrosttica y Magnetismo. Gilbert fue el primero en aplicar el trmino Electricidad del Griego "elektron" = mbar. Gilbert es la unidad de medida de la fuerza magnetomotriz. En 1752, Benjamn Franklin (1706-1790) demostr la naturaleza elctrica de los rayos. Desarroll la teora de que la electricidad es un fluido que existe en la materia y su flujo se debe al exceso o defecto del mismo en ella. Invento el pararrayos. En 1780 inventa los lentes Bifocales. En 1776, Charles Agustn de Coulomb (1736-1806) invent la balanza de torsin con la cual, midi con exactitud la fuerza entre las cargas elctricas y corrobor que dicha fuerza era proporcional al producto de las cargas individuales e inversamente proporcional al cuadrado de la distancia que las separa. Coulomb es la unidad de medida de Carga elctrica. En 1800, Alejandro Volta (1745-1827) construye la primera celda Electrosttica y la batera capaz de producir corriente elctrica. Su inspiracin le vino del estudio realizado por el Fsico Italiano Luigi Galvani (1737-1798) sobre las corrientes nerviosas-elctricas en las ancas de ranas. Galvani propuso la teora de la Electricidad Animal, lo cual contrari a Volta, quien crea que las contracciones musculares eran el resultado del contacto de los dos metales con el msculo. Sus investigaciones posteriores le permitieron elaborar una celda qumica capaz de producir corriente continua, fue as como desarrollo la Pila. Volt es la unidad de medida del potencial elctrico (Tensin). Desde 1801 a 1815, Sir Humphry Davy (1778-1829) desarrolla la electroqumica (nombre asignado por l mismo), explorando el uso de la pila de Volta o batera, y tratando de entender como sta funciona. En 1801 observa el arco elctrico y la incandescencia en un conductor energizado con una batera.

Entre 1806 y 1808 publica el resultado de sus investigaciones sobre la electrlisis, donde logra la separacin delMagnesio, Bario, Estroncio, Calcio, Sodio, Potasio y Boro. En 1807 fabrica una pila con ms de 2000 placas doble, con la cual descubre el Cloro y demuestra que es un elemento, en vez de un cido. En 1815 inventa la lmpara de seguridad para los mineros. Sin ningn lugar a duda, el descubrimiento ms importante lo realiza ese mismo ao, cuando descubre al joven Michael Faraday y lo toma como asistente. En 1819, El cientfico Dans Hans Christian Oersted (1777-1851) descubre el electromagnetismo, cuando en un experimento para sus estudiantes, la aguja de la brjula colocada accidentalmente cerca de un cable energizado por una pila voltaica, se movi. Este descubrimiento fue crucial en el desarrollo de la Electricidad, ya que puso en evidencia la relacin existente entre la electricidad y el magnetismo. Oersted es la unidad de medida de la Reluctancia Magntica. En 1823, Andre-Marie Ampere (1775-1836) establece los principios de la electrodinmica, cuando llega a la conclusin de que la Fuerza Electromotriz es producto de dos efectos: La tensin elctrica y la corriente elctrica. Experimenta con conductores, determinando que estos se atraen si las corrientes fluyen en la misma direccin, y se repelen cuando fluyen en contra. Ampere produce un excelente resultado matemtico de los fenmenos estudiados por Oersted. Ampere es la unidad de medida de la corriente elctrica. En 1826, El fsico Alemn Georg Simon Ohm (1789-1854) fue quien formul con exactitud la ley de las corrientes elctricas, definiendo la relacin exacta entre la tensin y la corriente. Desde entonces, esta ley se conoce como la ley de Ohm. Ohm es la unidad de medida de la Resistencia Elctrica. R= V / I Ohm = Volt / Amper En 1831, Michael Faraday (1791-1867) a los 14 aos trabajaba como encuadernador, lo cual le permiti tener el tiempo necesario para leer y desarrollar su inters por la Fsica y Qumica. A pesar de su baja preparacin formal, dio un paso fundamental en el desarrollo de la electricidad al establecer que el magnetismo produce electricidad a travs del movimiento. Faradio es la unidad de medida de la Capacitancia Elctrica. La tensin inducida en la bobina que se mueve en campo magntico no uniforme fue demostrada por Faraday, en un aparato como el que se muestra. En 1835, Simule F.B. Morse (1791-1867), mientras regresaba de uno de sus viajes, concibe la idea de un simple circuito electromagntico para transmitir informacin, El Telgrafo. En 1835 construye el primer telgrafo. En 1837 se asocia con Henry y Vail con el fin de obtener financiamiento del Congreso de USA para su desarrollo, fracasa el intento, prosigue solo, obteniendo el xito en 1843, cuando el congreso le aprueba el desarrollo de una lnea de 41 millas desde Baltimor hasta el Capitolio en Washington D.C. La cual construye en 1844.

En 1840-42, James Prescott Joule (1818-1889) Fsico Ingls, quien descubri la equivalencia entre trabajo mecnico y la calora, y el cientfico Alemn Hermann Ludwig Ferdinand Helmholtz (1821-1894), quien defini la primera ley de la termodinmica demostraron que los circuitos elctricos cumplan con la ley de la conservacin de la energa y que la Electricidad era una forma de Energa. Adicionalmente, Joule invent la soldadura elctrica de arco y demostr que el calor generado por la corriente elctrica era proporcional al cuadrado de la corriente. Joule es la unidad de medida de Energa. En 1845, Gustav Robert Kirchhoff (1824-1887) Fsico Alemn a los 21 aos de edad, anunci las leyes que permiten calcular las corrientes, y tensiones en redes elctricas. Conocidas como Leyes de Kirchhoff I y II. Estableci las tcnicas para el anlisis espectral, con la cual determin la composicin del sol. En 1854, El matemtico Ingls William Thomson (Lord Kelvin) (1824-1907), con su trabajo sobre el anlisis terico sobre transmisin por cable, hizo posible el desarrollo del cable transatlntico. En 1851 defini la Segunda Ley de la Termodinmica. En 1858 Invent el cable flexible. Kelvin es la unidad de medida de temperatura absoluta. En 1870, James Clerk Maxwell (1831-1879) Matemtico Ingls formul las cuatros ecuaciones que sirven de fundamento de la teora Electromagntica. Dedujo que la Luz es una onda electromagntica, y que la energa se transmite por ondas electromagnticas a la velocidad de la Luz Maxwell es la unidad del flujo Magntico. En 1879, el Fsico Ingls Joseph John Thomson (1856-1940) demostr que los rayos catdicos estaban constituido de partculas atmicas de carga negativas la cual el llam Corpsculos y hoy en da los conocemos como Electrones. En 1881, Thomas Alva Edison (1847-1931) produce la primera Lmpara Incandescente con un filamento de algodn carbonizado. Este filamento permaneci encendido por 44 horas. En 1881 desarroll el filamento de bamb con 1.7 lmenes por vatios. En 1904 el filamento de tungsteno con una eficiencia de 7.9 lmenes por vatios. En 1910 la lmpara de 100 w con rendimiento de 10 lmenes por vatios. Hoy en da, las lmparas incandescentes de filamento de tungsteno de 100 w tienen un rendimiento del orden de 18 lmenes por vatios. En 1882 Edison instal el primer sistema elctrico para vender energa para la iluminacin incandescente, en los Estados Unidos para la estacin Pearl Street de la ciudad de New York. El sistema fue en CD tres hilos, 220-110 v con una potencia total de 30 kw. En 1884, Heinrich Rudolf Hertz (1847-1894) demostr la validez de las ecuaciones de Maxwell y las reescribi, en la forma que hoy en da es conocida.

En 1888 Hertz recibi el reconocimiento por sus trabajos sobre las Ondas Electromagnticas: propagacin, polarizacin y reflexin de ondas. Con Hertz se abre la puerta para el desarrollo de la radio. Hertz es la unidad de medida de la frecuencia.

Evolucin histrica de la tecnologa electrnica desde le descubriemiento del electrn, tubo de vaco y televisin. La historia de la Tecnologa Electrnica se desarrolla en torno a unos pocos grandes descubrimientos salpicados por las pequeas contribuciones, imprescindibles para su progreso, de un ingente nmero de investigadores annimos. Su evolucin arranca a partir de los trabajos que sientan las bases de la electricidad y el magnetismo, realizados durante los siglos XVIII y XIX. Con ellos, se posibilit la invencin de sistemas de comunicaciones como el telgrafo, el telfono o la telegrafa sin hilos. En torno a 1840 la electricidad empez a cambiar la forma de vida de la gente. Mensajes telegrficos sustituan a las cartas tradas por caballos y barcos, y la energa elctrica no tard en llegar. Sin embargo, las mquinas que ayudaban a la gente a comunicarse, controlar cosas y hacer clculos, han existido desde hace mucho tiempo. En estas sencillas mquinas se esconden los principios de muchas ideas usadas por la electrnica principios como la lgica y la amplificacin. La propia historia de la Instrumentacin Electrnica es inseparable del propio desarrollo de la electricidad, el magnetismo y la electrnica. La necesidad de medir magnitudes, a fin de conocer alguna cualidad de stas, es tan vieja como lo es la historia cientfica del ser humano. El galvanmetro fue el principal testigo de los trabajos que fundaron las bases de la electricidad y el magnetismo. La forma primitiva del galvanmetro fue simplemente el aparato de Oersted, esto es, una aguja imanada colocada debajo del conductor por el cual circula la corriente que se desea medir. Hans Christian Oersted (1771-1851), cientfico dans, llev a cabo descubrimientos que relacionaba electricidad y magnetismo. Michael Faraday (1791-1867) habiendo ledo acerca del trabajo de Oersted descubri que un campo magntico variable cerca de un hilo produca una corriente elctrica, cerrando as la relacin entre electricidad y magnetismo. Lord Kelvin perfeccion los instrumentos de este tipo a partir de 1890, en grado tal que su sensibilidad apenas es sobrepasada por ninguno de los aparatos de que puede disponerse actualmente.

En 1883 Thomas A. Edison descubri el efecto termoinico en un tubo de vaco, observando el flujo de corriente que se produca entre un filamento incandescente y una placa metlica polarizados. En 1889 Joseph J. Thomson proceda al descubrimiento experimental del electrn midiendo aproximadamente su masa con respecto a la del tomo de hidrgeno, probando que la partcula negativa electrn era un integrante de todos los tomos materiales, constituyendo la unidad elctrica bsica de la materia. En 1897 Braun desarrolla el tubo de rayos catdicos; en 1904 Fleming desarrolla el diodo de vaco permitiendo por primera vez la deteccin o demodulacin de las ondas de radio; Lee de Forest aadiendo un tercer electrodo al tubo de Fleming, desarroll el primer tubo amplificador de vaco o triodo, el audin (1907). A partir del invento de estos dispositivos se inicia una intensa tarea para su explotacin, que abarca los campos de comunicaciones, control y computacin. En 1910 Millikan logr aislar el electrn y medir su carga, demostrando que todas las cargas positivas o negativas son mltiplos exactos de sta unidad. Millikan dejaba establecido el carcter atmico de la electricidad.

La primera revolucin electrnica comenz en el ao 1947 (Electrnica de Estado Slido) con la invencin del transistor de silicio en los laboratorios de la compaa Bell Telephone por los cientficos Bardeen, Brattain y Schockley. Los dispositivos de estado slido eran conocidos tambin desde los inicios del presente siglo cuando se presenta el primer diodo de silicio aplicado a la deteccin de ondas de radio. Sin embargo, fue la invencin del transistor bipolar, el acontecimiento que marcara la revolucin de la Tecnologa Electrnica. Este hecho, al principio, no recibi atencin popular. El 1 de Julio de 1948 el New York Times comenta en una nota de su ltima pgina, con cierta indiferencia, la invencin del transistor, que haba sido hecha pblica la tarde anterior por un portavoz de los Bell. Por contra, la acogida s fue entusiasta en los ambientes cientficos. Basado en estos trabajos, seguiran el desarrollo de los diodos y tiristores (SCR) en el ao 1956. Por esta contribucin histrica los tres investigadores recibieron el premio Nobel de Fsica (1956), el primero concebido por el desarrollo de un dispositivo de ingeniera. El advenimiento casi simultneo del ordenador digital, que requera gran nmero de interruptores pequeos y de baja potencia, abri al transistor un gran mercado. De modo que la conjuncin entre un nuevo componente y una nueva aplicacin gener un crecimiento explosivo de ambos. La curiosidad intelectual fue un factor decisivo en el nacimiento del transistor. Mucho ms que con ningn otro dispositivo electrnico, el transistor tiene sus races en la teora

cientfica por encima del desarrollo tecnolgico. La idea de realizar un amplificador de estado slido, a la postre semilla de la invencin del transistor, se la haban planteado muchos investigadores. Los primeros intentos aparecieron vinculados al control de una corriente mediante un campo elctrico aplicado a travs de un electrodo (principio de efecto campo), concepto anlogo a la accin ejercida por una rejilla en un triodo de vaco, puesta en prctica aos antes. El grupo de los Bell trat tambin de sacar fruto de este efecto. En Abril de 1947, se propusieron algunas ideas para realizar un transistor de efecto campo. Continuados estudios llevaron a Shockley en 1948 a sugerir que el efecto transistor se producira tambin en una estructura constituida por una regin tipo n entre dos regiones tipo p de un semiconductor. Sin embrago, el transistor de unin, como le llam Shockley, no fue una realidad hasta 1950 cuando G. Teal y J.B. Little consiguieron crecer una estructura pnp de cristales de Ge cambiando de dopante durante le crecimiento. Este dispositivo, mucho menos ruidoso que su predecesor y capaz de manejar mucho mayor potencia, contribuy a despertar el inters industrial y la tecnologa del transistor empez a desarrollarse de manera espectacular. En 1954 G. Teal present en una conferencia del IRE los primeros transistores hechos de silicio. Slo algunos aos despus llegaron los transistores de difusin por tecnologa de mesa fabricados por primera vez por Fairchild. Paralelamente los trabajos sobre un transistor de efecto campo no habran sido abandonados del todo. En 1958, Teszner realiz en Francia el primer JFET. Lo que atraa de los FETs era su poco consumo de potencia y su potencialidad respecto a un diseo simple. En 1960, Kjang y Atalla (Bell Labs) fabricaban los primeros transistores de efecto de campo de puerta aislada. Ya en 1959 Kilby en Texas Instrument y Noyce en Fairchield desarrollan paralelamente y por separado la idea de fabricar distintos componentes sobre un mismo sustrato, aislarlo e interconectarlos. Es la aparicin de la tecnologa planar, que dar lugar a la Microelectrnica, y har posible el desarrollo del microprocesador. Otros avances de la Electrnica en estos aos fueron el crecimiento epitaxial para fabricar transistores impulsado por los Laboratorios Bell (1960) y la implantacin inica (1961). En 1962 la RCA anuncia la fabricacin de un circuito con 16 dispositivos MOSFETs en un chip de 2.5 mm. Este acontecimiento supuso el nacimiento de los circuitos integrados, y con l el de una nueva etapa de crecimiento de la Tecnologa Electrnica: la Microelectrnica. Paralelamente, con el desarrollo de los circuitos integrados, la electrnica digital fue tomando cada vez ms inters. En 1937, la idea de transformar la voz en un cdigo digital fue del ingeniero de telfonos britnico Alec Reeves, mientras trabajaba en sistemas que

pudieran transmitir varias llamadas por la misma lnea telefnica, para la conexin entre centrales de ciudades diferentes. Demostr que las conversaciones telefnicas podan reducirse a un conjunto de pulsos. Su cdigo de modulacin de pulsos tuvo que esperar hasta los aos 70 para que la electrnica lo hiciese suficientemente prctico. El paso de la Electrnica a la Microelectrnica puede definirse como la transicin de los componentes individuales al circuito integrado (CI), compuesto por un chip o pequeo cristal de silicio que contiene gran cantidad de elementos individuales en forma miniaturizada. Con esta tcnica de integracin se logra una mayor complejidad de circuitos, menores dimensiones, mayor fiabilidad, a un coste de fabricacin ms reducido. La historia de la Microelectrnica va marcada por la sucesin de diversas tecnologas segn el nmero de componentes integrados en el mismo circuito. A comienzos de los 60, la tecnologa SSI (Small Scale of Integration) permita la integracin de hasta 100 transistores por circuito integrado. A mediados de los 60 aparece la tecnologa MSI (Medium Scale of Integration) capaz de integrar varios cientos de transistores en un chip. En la dcada de los 70 aparece la tecnologa LSI (Large Scale of Integration), aplicada fundamentalmente a circuitos digitales, con la que se integran varios miles de transistores. Durante esta dcada los microprocesadores fueron evolucionando desde los primitivos microprocesadores a 4 bits como el 4004 de Intel (1971) hasta la aparicin al final de la dcada de los microprocesadores de 16 bits. Este hecho extendi de forma importante el campo de aplicacin de la electrnica hacia las aplicaciones de computacin, que a su vez permitieron fabricar nuevos circuitos ms complejos. Durante la dcada de los 80 se puede hablar ya de la tecnologa VLSI (Very Large Scale of Integration) para designar a los circuitos con 10 a 100 mil dispositivos en un chip. Estas tecnologas, con resoluciones de lnea del orden de las 5 m, se dedicaron a la realizacin casi exclusiva de microprocesadores y memorias (estas ltimas siempre situadas en el lmite de la tecnologa, siendo las que mayor densidad de integracin emplean). En la actualidad se habla de la tecnologa ULSI (Ultra Large Scale of Integration). Si al principio se fijaron los lmites entre 100 mil y un milln de transistores por chip, lo cierto es que todas estas previsiones se han rebasado en la prctica. Actualmente hay disponibles memorias de 64Mbits, y microprocesadores de 32 bits y 64 bits, con densidades de integracin de varios millones de transistores por chip. En la dcada de los 80 se asiste tambin a la introduccin revolucionaria de los circuitos a medida, o ASICs, con multitud de matices dependiendo del grado de libertad de que se disponga en el diseo (fullcustom y semicustom, incluyndose en esta categora clulas estndar, gate arrays, y PLAs). En realidad, haban sido desarrollados sin xito por Molectro (1965), habindose de esperar a la comercializacin del primer ASIC moderno por IBM en 1978. En conjuncin con el uso generalizado del diseo asistido por ordenador,

este tipo de CI proporciona varias ventajas, que han supuesto su creciente contribucin al mercado mundial. Por su parte, los CI analgicos aparecieron hacia 1964, cuando Wildar, en Fairchild, desarroll el primer amplificador operacional (AO), el A709. Desde su origen, los AO han sido con diferencia el principal elemento en el procesado analgico de seal. Despus han aparecido nuevos circuitos y subsistemas analgicos: multiplicadores analgicos, Ilustracin 1. Evolucin de los microprocesadores y de las memorias, conversores, filtros activos. La mayora de estos circuitos empleaban transistores bipolares, pero paulatinamente van surgiendo aplicaciones de la tecnologa MOS, o la combinacin de ambas (tecnologas BiCMOS). Merece la pena mencionar por ltimo las aplicaciones en Electrnica de alta velocidad, de reciente desarrollo a partir de nuevos dispositivos: los transistores metalsemiconductor (MESFET), de alta movilidad (MODFET o HEMT) y bipolar de heteroestructura (HBT). El uso de GaAs en lugar de Si presenta las ventajas de mayor movilidad electrnica, menor sensibilidad a la radiacin y bajo nivel de ruidos y menor consumo de potencia. A pesar de que ltimamente los progresos en la tecnologa del Si (reduccin del tamao mnimo que implica aumento de velocidad y mayor complejidad circuital) podran enmascarar las consabidas ventajas del GaAs frente al Si, estos avances han alcanzado su lmite.

Efectos de la segunda guerra mundial en la industria electrnica, descubrimientos de los materiales semiconductores, transmisor de unin bipolar y circuito integral.