Definicin De Semiconductor p y n Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura, pudiendo comportarse como conductores

o como aislantes. Resulta que se desean variaciones de la conductividad no con la temperatura sino controlables elctricamente por el hombre. Para conseguir esto, se introducen tomos de otros elementos en el semiconductor. Estos tomos se llaman impurezas y tras su introduccin, el material semiconductor presenta una conductividad controlable elctricamente. Existen dos tipos de impurezas, las P y las N, que cambian la conductividad del silicio y determinan el tipo de cristal a fabricar. Por tanto, como hay dos tipos de impurezas habr dos tipos fundamentales de cristales, cristales de impurezas P y cristales de impurezas tipo N. El material semiconductor ms utilizado es el Silicio (Si), pero hay otros semiconductores como el Germanio (Ge) que tambin son usados en la fabricacin de circuitos. El silicio est presente de manera natural en la arena por lo que se encuentra con abundancia en la naturaleza. Adems, el Si presenta propiedades mecnicas y elctricas buenas. Su purificacin es relativamente sencilla (llegndose a Si puro del 99,99999%) y el Si se presta fcilmente a ser oxidado, formndose SiO2 y constituyendo un aislante que se utiliza en todos los transistores de la tecnologa CMOS.

Semiconductores Intrinsecos Y Extrinsecos

DIFERENCIS ENTRE SEMICONDUCTORES INTRINSECOS Y EXTRINSECOS Los semiconductores extrnsecos se caracterizan, porque tienen un pequeo porcentaje de impurezas, respecto a los intrnsecos; esto es, posee elementos trivalentes o pentavalentes, o lo que es lo mismo, se dice que el elemento est dopado. Dependiendo de si est dopado de elementos trivalentes, o pentavalentes, se diferencian dos tipos: Semiconductores extrnsecos tipo n:

Son los que estn dopados, con elementos pentavalentes, como por ejemplo (As, P, Sb). Que sean elementos pentavalentes, quiere decir que tienen cinco electrones en la ltima capa, lo que hace que al formarse la estructura cristalina, un electrn quede fuera de ningn enlace covalente, quedndose en un nivel superior al de los otros cuatro. Como consecuencia de la temperatura, adems de la formacin de los pares e-h, se liberan los electrones que no se han unido.

Semiconductores extrnsecos de tipo p: En este caso son los que estn dopados con elementos trivalentes, (Al, B, Ga, In). El hecho de ser trivalentes, hace que a la hora de formar la estructura cristalina, dejen una vacante con un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de valencia, pues no existe el cuarto electrn que lo rellenara.

Esto hace que los electrones salten a las vacantes con facilidad, dejando huecos en la banda de valencia, y siendo los huecos portadores mayoritarios.

EXPLICAR LOS CONCEPTOS DE:

CONDUCTIVIDAD: La conductividad elctrica es la capacidad de un cuerpo o medio para conducir la corriente elctrica, es decir, para permitir el paso a travs de l de partculas cargadas, bien sean los electrones, los transportadores de carga en conductores metlicos o semimetlicos, o iones, los que transportan la carga en disoluciones de electrolitos. La conductividad es la inversa de la resistividad, por tanto , y su unidad es el S/m (siemens por metro) o 1m-1. Usualmente la magnitud de la conductividad () es la proporcionalidad...

Unin P-N En una unin entre un semiconductor p y uno n, a temperatura ambiente, los huecos de la zona p pasan por difusin hacia la zona n y los electrones de la zona n pasan a la zona p. En la zona de la unin, huecos y electrones se recombinan, quedando una estrecha zona de transicin con una distribucin de carga debida a la presencia de los iones de las impurezas y a la ausencia de huecos y electrones. Se crea, entonces un campo elctrico que produce corrientes de desplazamiento, que equilibran a las de difusin. A la diferencia de potencial correspondiente a este campo elctrico se le llama potencial de contacto V0.

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