UNIVERSIDADE NOVA DE LISBOA FACULDADE DE CINCIAS E TECNOLOGIA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELECTROTCNICA

SEGUIDOR FOTOVOLTAICO: UMA VARIAO DO P&O - SIMULAO E PROTOTIPAGEM

POR PAULO JORGE DOS SANTOS BONIFCIO

D ISSERTAO APRESENTADA NA F ACULDADE DE C INCIAS E T ECNOLOGIA DA U NIVERSIDADE N OVA DE L ISBOA PARA OBTENO DO GRAU DE M ESTRE EM E NGENHARIA E LECTROTCNICA E C OMPUTADORES .

ORIENTADOR: PROFESSOR S TANIMIR VALTCHEV

LISBOA 2010

DEDICATRIAS
Para a minha famlia; o meu Pai Antnio a minha Me Margarida e a minha Irm Cila. Obrigado por todos o sacrifcios que fizeram e por nunca me terem deixado desistir.

AGRADECIMENTOS
Quero agradecer ao meu orientador, professor e amigo Stanimir Valtchev que tanto me tem ensinado e com quem tenho tido muitas conversas que em muito me ajudaram a evoluir. Obrigado Professor.

II

SUMRIO
Esta dissertao tenta percorrer o caminho da produo energtica de fonte solar fotovoltaica (PV). Inicialmente dada uma viso do mercado mundial da produo PV. apresentada a teoria da clula PV e da sua associao em mdulos PV. So apresentados os tipos de conversores DC-DC que se encontram normalmente associados a painis PV assim como so mostrados os principais algoritmos de seguimento de ponto de potncia mxima (MPPT). Com base nos modelos tericos apresentados e nos mdulos solares, Bangkok Solar BS-40, disponveis no Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE), foi realizado o dimensionamento de um sistema PV. O sistema dimensionado foi utilizado como referncia para a construo de um simulador em MatLab/Simulink. Este simulador constitudo por todos os componentes necessrios para testar os diferentes algoritmos MPPT. Os componentes do simulador so: Mdulo solar PV, que pode ser associado de modo a formar painis; conversor DC-DC, tipo Flyback; seguidor MPPT com o algoritmo P&O clssico. Para confirmar se os valores de simulao obtidos para os mdulos solares estavam correctos foi construdo 2 um medidor de irradiao solar que apresenta os valores em W/m . Medindo as caractersticas do mdulo solar, corrente tenso e sabendo o valor da irradiao no mesmo instante pode verificar-se se estes se encontram de acordo com o simulado. Finalmente, com os dados obtidos na simulao foi apresentado um novo algoritmo de seguimento MPPT. Este baseado no P&O clssico, mas com componentes que tentam ultrapassar o problema dos mximos locais e minimizar as oscilaes do conversor/inversor de modo a minimizar as perdas e maximizar a produo energtica.

III

ABSTRACT
This dissertation tries to track the route of power production from photovoltaic sources. A worldwide look into the photovoltaic solar power production is given. The theory behind the PV cell and its application in PV power modules is presented. The DC DC power converters usually associated with solar PV panels are showed. The main maximum power point tracking (MPPT) algorithms are also showed. A solar PV system was dimensioned using the theoretical models and the solar PV modules (BS 40) available at the Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE). This system was used as a reference for designing a simulator implemented in MatLab/Simulink. This simulator includes all the components needed to test the different MPP tracking algorithms. Those components are: A PV solar module, which can be associated with others to form a solar panel; A Flyback DC DC power converter and a classic perturb and observe (P&O) tracking algorithm. A solar power meter that gives values in W/m was built in order to validate simulation values of the solar PV modules. Measuring the solar module characteristics (tension current) and knowing the solar irradiation at that given time it is possible to check if the simulated values and the measured ones agree. With the data collected in the simulation a new MPP tracking algorithm was presented. This is based in the classic P&O algorithm, but using modules that try to overcome the local maxima problem. It also tries to minimize the control oscillations in the converter/inverter, this is done in order to minimize losses and to maximize power production.
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IV

SIMBOLOGIA E NOTAES
BIPV COTS CPV CRS CSP DLR DNI DOE EIA eV FF HTF IEA IEC ISCCS MPP MPPT NREL PWM PV PVGIS OCDE OPEP SEGS STC TCO Wp Wth We Building Integrated PV, PV Integrados em Edifcios. Commercial of-the-shelf; componentes comerciais retirados da prateleira. Concentrated PV, PV concentradas. Central Receiver System, Sistema de Armazenamento central. Concentrated Solar Power; Energia Solar Concentrada. Centro Aeroespacial Alemo. Direct Normal Irradiance, Radiao Normal Directa. Department of Energy, Departamento de Energia (EUA). Energy Information Agency US, Agencia de Informao Energtica EUA. Electro Volt, energia adquirida por um electro quando acelerado a uma diferena de potencial de um Volt. Fill Factor, Factor de Forma, para clulas PV. Heat Transfer Fluid, Liquido de Transporte de Calor. International Energy Agency, Agencia Internacional de Energia. International Electrotechnical Comitte, Comit Electrotcnico Internacional (Sua). Integrated Solar Combined Cycle System, Sistema Integrado de ciclo Solar combinado. Maximum Power Point , Ponto de Potncia Mxima. Maximum Power Point Tracker, Seguidor de Ponto de Potncia Mxima. National Renewable Energy Laboratory, Laboratrio Nacional de Energia (EUA). Pulse-Width Modulation, Modulao da Largura de Impulso. Potovoltaics, Fotovoltaicos (mdulos/painis). Photovoltaic Geographical Information System, Sistema de informao Geogrfico PV. Organizao para a Cooperao e Desenvolvimento Econmico. Organizao dos Pases Exportadores de Petrleo. Solar Electric Generating System, Sistema de Gerao Elctrica Solar. Standard Test Conditions, Condies Normais de Teste. Transparent Conductive Oxide, Condutor de Oxido Transparente. Watt em pico. Watt Trmico (Potncia). Watt Elctrico (Potncia).

NDICE DE MATRIAS
1 Introduo. ..................................................................................................................................................... 1 1.1 2 Estrutura da Dissertao ........................................................................................................................ 3

Enquadramento .............................................................................................................................................. 4 2.1 2.2 2.2.1 2.3 2.3.1 2.4 2.4.1 2.5 2.5.1 2.5.2 2.6 2.6.1 2.6.2 2.6.3 2.6.4 2.6.5 2.6.6 Histria ................................................................................................................................................... 4 A Clula Fotovoltaica. ............................................................................................................................ 5 Comportamento da Clula ................................................................................................................ 7 Mdulos Solares................................................................................................................................... 15 Parmetros dos mdulos fotovoltaicos ........................................................................................... 16 Associao em Srie de Clulas Fotovoltaicas ..................................................................................... 17 Efeito Sombra .................................................................................................................................. 19 Sistemas Ligados Rede ...................................................................................................................... 22 Conversores DC DC ....................................................................................................................... 22 Inversores DC-AC ............................................................................................................................. 31 Algoritmos de Seguimento de Potncia Mxima (MPPT) .................................................................... 33 O problema dos Mximos Locais ..................................................................................................... 34 Mtodo da Tenso Constante (CV) .................................................................................................. 34 Corrente de Curto-Circuito (SC) ....................................................................................................... 35 Perturbar e Observar (P&O) ............................................................................................................ 36 Condutncia Incremental (IC) .......................................................................................................... 39 Outros Algoritmos ........................................................................................................................... 41

Dimensionamento de um Sistema PV .......................................................................................................... 42 3.1 3.2 3.2.1 Painel PV .............................................................................................................................................. 42 Conversor DC DC ............................................................................................................................... 45 Dimensionamento ........................................................................................................................... 46

Simulador de um Sistema PV ........................................................................................................................ 49 4.1 4.1.1 4.1.2 4.1.3 4.1.4 Sistema PV Modelado .......................................................................................................................... 49 Parmetros de simulao ................................................................................................................ 50 Mdulo Fotovoltaico ....................................................................................................................... 52 Algoritmo MPPT............................................................................................................................... 56 Conversor Flyback DC DC .............................................................................................................. 57

Medidor Solar COTS ...................................................................................................................................... 60 5.1 5.2 5.3 5.3.1 5.3.2 Princpio de Funcionamento ................................................................................................................ 60 Construo e Custos ............................................................................................................................ 61 Teste Comparativo ............................................................................................................................... 62 Piranmetro de Referncia ............................................................................................................. 63 Metodologia de Teste ...................................................................................................................... 64 VI

5.3.3 5.3.4 6

Anlise de Resultados ...................................................................................................................... 64 Ajustes e Resultados ........................................................................................................................ 65

Implementao de um Controlador MPPT ................................................................................................... 68 6.1 6.2 6.2.1 6.2.2 6.3 6.3.1 6.3.2 6.4 6.5 Microcontrolador ................................................................................................................................. 68 Algoritmo ............................................................................................................................................. 69 Funo FastSearch() ........................................................................................................................ 70 Funo NormalSearch() ................................................................................................................... 71 Implementao Prtica ........................................................................................................................ 73 Placa de Desenvolvimento .............................................................................................................. 73 Estrutura do Programa .................................................................................................................... 74 Resultados Experimentais .................................................................................................................... 81 Potencialidades de Desenvolvimento .................................................................................................. 83

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Concluses .................................................................................................................................................... 84 Bibliografia .................................................................................................................................................... 85

NDICE DE FIGURAS
2.1: Movimento dos electres numa juno p-n, (cima), efeito fotovoltaico, (baixo). (Camus, 2006) ................... 6 2.2: Modelo simplificado da clula fotovoltaica. ..................................................................................................... 7 2.3: Curvas I - V de uma clula de silcio cristalino com uma rea de 0,01 m ; resultados experimentais em STC. (Castro, 2008) .......................................................................................................................................................... 9 2.4: Curvas I - V e P - V de uma clula solar com o seu MPP. (Quaschning, 2005) ................................................ 10 2.5: Curvas de I - V de duas clulas com factores de forma distintos. (Castro, 2008) ........................................... 11 2.6: Efeito da temperatura numa clula de silcio cristalino. (Quaschning, 2005) ................................................ 12 2.7: Efeito radiao incidente numa clula de silcio cristalino. (Quaschning, 2005)............................................ 12 2.8: Modelo de uma clula solar com resistncias para a corrente de fuga Rp e queda de tenso interna Rs (Modelo de um dodo)........................................................................................................................................... 13 2.9: Influencia das resistncias Rs e Rp na curva I V. (Quaschning, 2005) ........................................................... 13 2.10: Modelo de dois dodos com extenso de corrente de saturao I(Vd). ....................................................... 14 2.11: Associao de clulas em srie (esquerda) e paralelo. ................................................................................ 15 2.12: Caracterstica I V de um mdulo com 36 clulas. (Quaschning, 2005) ...................................................... 17 2.13: Caracterstica I V de um mdulo com uma clula coberta a 75%. (Quaschning, 2005) ............................ 20 2.14: Efeito de vrias combinaes de dodos bypass na caracterstica I V de um mdulo. (Quaschning, 2005) ............................................................................................................................................................................... 21 VII
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2.15: Esquema de um Dodo de passagem atravs de vrias clulas. ................................................................... 21 2.16: ESQUEMTICO da clula sanyo HIT. (Sanyo Solar, 2009) ............................................................................. 22 2.17: Comparao das principais topologias DC, (duty cycle relao de transformao). ................................. 24 2.18: Topologia Buck. ............................................................................................................................................ 25 2.19: Topologia Boost. ........................................................................................................................................... 26 2.20: Topologia Buck Boost. ............................................................................................................................... 27 2.21: Topologias de conversores com isolamento galvnico. (Topologias: STMicroelectronics) .......................... 29 2.22: Andamentos das correntes no primrio e secundrio de um transformador "Flyback". (fonte: Magnetics Design Handbook Texas Instruments, 2001) ...................................................................................................... 30 2.23: Topologia Flyback simples. ........................................................................................................................... 30 2.24: Derivaes possveis do circuito Flyback para suportar maiores potncias................................................. 31 2.25: Associao de inversores com painis PV. ................................................................................................... 33 2.26: Mximos Locais provocados por deficincias nos mdulos PV. ................................................................... 34 2.27: Mtodo de Tenso Constante (CV). ............................................................................................................. 35 2.28:Mtodo de Corrente de Curto-Circuito. ........................................................................................................ 36 2.29: Divergncia do MPP para P&O, curva P-V. ................................................................................................... 37 2.30: Mtodo P&O clssico. .................................................................................................................................. 37 2.31: Pontos de operao possveis para P&Oc (cima) e fluxograma de funcionamento . ................................... 39 2.32: Fluxograma de operao do algoritmo de Condutncia Incremental (IC). .................................................. 40 3.1: Curva I-V de dois mdulos PV ligados em srie em condies STC (1000 W, 25C). ...................................... 43 3.2: Curva P V de dois mdulos PV em srie em condies STC. ....................................................................... 43 3.3: Curva P V para 9 mdulos em srie em STC. ............................................................................................... 43 3.4: Curva de Potncia Temperatura em radiao STC, (1000 W), de um mdulo BS-40. ................................. 44 3.5: Topologia Flyback a projectar......................................................................................................................... 45 4.1: Sistema PV tpico com inversor de transformador de alta frequncia. .......................................................... 49 4.2: Componentes principais do simulador. .......................................................................................................... 50 4.3: Sada do transformador, com carga aplicada; ode 3 (cima), ode 23 (baixo); note-se a diferena no erro e respectivo efeito na sada. .................................................................................................................................... 51 4.4: Modelo do mdulo PV, (esquerda), pormenor das funes para o clculo de V ca. ....................................... 52 4.5: Pormenor do mdulo solar, sadas de tenso - corrente (cima) e modelao de tenso (baixo). ................. 53 4.6: Comportamento simulado do painel BS 40 a vrias temperaturas de clula em condies STC. ............... 53 VIII

4.7: Sada de tenso e corrente do simulador. ...................................................................................................... 54 4.8: Esquema de Funcionamento da Recta de Potncia. ...................................................................................... 55 4.9: Montagem dos inversores UWT-I-250 no laboratrio de alta tenso do DEE/FCT. ....................................... 55 4.10: Modelo P&O implementado em Matlab. ..................................................................................................... 56 4.11: Sinal de sada do seguidor MPP, (Inc ), para valores de tenso/corrente variveis. .................................... 56 4.12: Modelo da topologia Flyback implementada. .............................................................................................. 57 4.13: Pormenor do modelo do transformador. ..................................................................................................... 57 4.14: Comportamento do conversor dC para tenses de entrada de 65 a 75 V. .................................................. 58 4.15: Comportamento do conversor DC para tenses de entrada de 80 a 95 V. .................................................. 58 4.16: Comportamento do conversor dC para tenses de entrada de 100 a 120 V. .............................................. 59 5.1: Medidor COTS construdo. ............................................................................................................................. 60 5.2: Esquema de funcionamento do medidor construdo. .................................................................................... 61 5.3: Parte interior do Medidor. ............................................................................................................................. 62 5.4: Piranmetro SP-110. ...................................................................................................................................... 63 5.5: Resposta espectral do SP-110. (fonte: Apogee Instruments). ........................................................................ 63 5.6: Valores de PYR de referncia e medidor COTS com r = 30.0 . (note-se a linearidade). ............................... 65 5.7: Resposta espectral do fotododo BWP 34. (fonte: Siemens). ........................................................................ 65 5.8: Valores com resistncia de 33 , diferena mdia de 5%. ............................................................................. 66 5.9: Valores com resistncia de 36 , diferena mdia de 3%. ............................................................................. 67 5.10: Valores com resistncia de 39 , diferena mdia de 5%............................................................................ 67 6.1: Microcontrolador implementado. .................................................................................................................. 68 6.2: Placa de desenvolvimento, (Vista de topo). ................................................................................................... 69 6.3: Funcionamento do algoritmo sobre o mdulo solar. ..................................................................................... 70 6.4: Fluxograma genrico da funo FastSearch. .................................................................................................. 71 6.5: Fluxograma genrico da funo NormalSearch(). .......................................................................................... 72 6.6: Placa de desenvolvimento, (Vista lateral). ..................................................................................................... 74 6.7: Ponto de espera para o arranque do seguidor. .............................................................................................. 76 6.8: Resultado do primeiro ciclo de funcionamento; "corrente" de 8 e "tenso" de 869, Duty Cycle de 10%. .... 77 6.9: Sinal de sada com Duty Cycle 10%, (coupling DC no osciloscpio). .............................................................. 78 6.10: Final da Fastsearch(); "corrente" de 343, "tenso" 695, Duty Cycle de 70%. .............................................. 78 IX

6.11: Normalsearch(); "corrente" de 357, "tenso" 759, Duty Cycle de 54%. ...................................................... 79 6.12: Sinal de sada com Duty Cycle 54%, (coupling AC no osciloscpio).............................................................. 80 6.13: Normalsearch(); "corrente" de 385, "tenso" 759, Duty Cycle de 54% ....................................................... 80 6.14: Sinal de sada com Duty Cycle 58%, (coupling AC). ...................................................................................... 80 6.15: Sinal de sada com Duty Cycle 8% a 50 kHz, (coupling DC)........................................................................... 81 6.16: Sinal de sada com Duty Cycle 34% a 50 kHz, (coupling DC)......................................................................... 82 6.17: Valor de Duty Cycle para o sinal mostrado em 11.16, (34%). ...................................................................... 82

NDICE DE QUADROS
1.1: Valores de ajudas produo de centrais de Energia solar para alguns pases de referncia. ( (DLR, 2008) .. 2 2.1: Valores de referncia para clulas fotovoltaicas disponveis comercialmente. ............................................... 6 2.2: Valores de caractersticas de referncia para algumas tecnologias de clulas fotovoltaicas. ....................... 19 2.3: Caractersticas principais das topologias de Conversores Dc DC com isolamento ELCTRICO mais comuns. ............................................................................................................................................................................... 28 3.1: Caractersticas tcnicas dos painis solares utilizados. .................................................................................. 42 3.2: Caractersticas de um mdulo BS 40 a 25 C. .............................................................................................. 44 3.3: Associao srie de mdulos. ......................................................................................................................... 45 3.4: Valores de Duty Cycle para vrias relaes de transformao (n). ................................................................ 47 3.5: Valores de Lm para varias relaes de transformao. ................................................................................... 47 3.6: Valores de Cmin para diversas relaes de transformao. ............................................................................. 48 4.1: Parmetros de simulao. .............................................................................................................................. 50 5.1: Lista de Componentes utilizada e respectivos custos. ................................................................................... 61 6.1: Valores de entrada, calculados e respectiva equivalncia. ............................................................................ 79

Energia PV

1 INTRODUO.
Estudos efectuados pela International Energy Agency (IEA) e Energy Information Agency (EIA) para vrios cenrios de referncia indicam uma projeco do aumento das necessidades globais de energia elctrica de cerca de 55 % relativamente aos valores actuais, no perodo de 2005 a 2030, (International Energy Agency, 2006). Os valores apresentados correspondem a um aumento anual de 1.8%, sendo que este valor se encontra distribudo da seguinte forma: 0.7 % para economias dentro da Organizao para a Cooperao e Desenvolvimento Econmico (OCDE) e 2.5 % para economias fora da OCDE. No lote das economias fora da OCDE, China e ndia so os maiores contribuintes para este aumento de consumo energtico, com valores que alcanaram os 8 % da demanda mundial em 1980, 18 % em 2005 e estima-se que cheguem aos 25 % em 2030, um quarto da produo mundial. Os combustveis fsseis vo continuar a ser a maior fonte de energia neste perodo com uma quota de 83 %, sendo que o maior crescimento ser para o carvo, seguido pelo petrleo. Este crescimento em grande parte explicado pelo baixo custo e a elevada abundncia de carvo nos pases com os maiores nveis de crescimento fora da OCDE (China e ndia). Em valores absolutos, os maiores crescimento em termos de produo de energia correspondem s fontes renovveis e ao carvo com um crescimento de 2.1 % e 2.0 %, respectivamente (Lempp, 2007). No mbito das energias renovveis estima-se um ligeiro aumento do recurso energia hidroelctrica, uma diminuio da utilizao de bio massa e um aumento generalizado das restantes fontes de energia alternativa, (solar, elica, das mars, geotrmica), apesar deste aumento os valores devero continuar a ser mais baixos, de 0.5% em 2006 para 1.7 % em 2030. Hoje em dia inegvel que a produo de energia atravs de combustveis fsseis contribui de modo significativo para o efeito estufa e para a diminuio da camada de ozono com todos os seus efeitos nefastos. Estas fontes de energia no so renovveis, sendo que estudos asseguram a sua viabilidade at 2030 sem muitas certezas para as dcadas seguintes. A descoberta de novos poos de petrleo contnua, mas a explorao dos mesmos cada vez mais dispendiosa, as novas plataformas de perfurao ocenica tem da operar a profundidades de perfurao acima dos 5.000 m, o que provoca irremediavelmente um aumento de preo do crude. Como solues possveis para este dfice energtico existem duas hipteses globalmente reconhecidas: a utilizao de energia nuclear, ou o recurso a energias renovveis. A energia nuclear no vista com bons olhos pela maioria da populao dos pases desenvolvidos pairando sobre esta tecnologia o fantasma dos diversos acidentes que ocorreram por todo o mundo at dcada de 80. Os subprodutos da ciso nuclear so outro problema, a maioria dos pases que utilizam energia nuclear prefere no guardar os detritos nucleares radioactivos dentro das suas fronteiras, exportando-os para cemitrios nucleares. A explorao da fuso nuclear, apenas agora comea a dar os seus primeiros passos no mbito da produo de energia elctrica e no se espera que um reactor comercial esteja pronto a operar antes de 2070. As energias renovveis, por outro lado tm um grande espectro de vantagens: no so poluentes, existem em abundncia em todo o planeta e de um modo geral esto acessveis a todos os pases sob uma ou outra forma. Esta distribuio pode evitar o monoplio e cartelizao que se verifica actualmente com os combustveis fsseis por parte de alguns sectores, como a Organizao dos Pases Produtores de Petrleo (OPEP), Rssia, Venezuela, EUA e Noruega. Pgina 1

Energia PV Diversos factores tm sido determinantes na expanso das energias alternativas como meio de produo energtica. O custo kWh (kilowatt-hora) tem vindo a tornar-se cada vez mais apelativo quando comparado com as suas congneres clssicas (petrleo, gs e carvo). Os sistemas de produo esto a chegar finalmente maturidade, o seu rendimento e a sua validade comercial so provadas pelo nmero significativo de centrais-piloto que se encontram j em funcionamento. Estas foram desenvolvidas em estreita cooperao com o sector privado de modo a permitir a rpida criao de modelos comerciais. Finalmente a mudana da poltica energtica da maioria dos pases levou introduo de generosas ajudas directas produo de energia de fontes renovveis. Estes pases procuram ficar o mais autnomo possvel a nvel energtico de modo a evitar especulao de preos ou mesmo presso poltica atravs da ameaa de cortes de abastecimento. Desde 2006 problemas com o abastecimento de gs a pases do centro da Europa e a volatilidade no preo do crude e derivados tem posto a nu a fragilidade da maioria das economias, dependentes de matrias-primas fornecidas por terceiros. Esta sucesso de crises funcionou como um alerta para os pases industrializados, que optaram por aplicar pacotes de ajudas instalao e produo elctrica de fontes renovveis, ditas limpas. Estes pacotes so constitudos de um modo geral por benefcios fiscais e incentivos produo em larga escala, isto feito atravs do recurso a centrais de produo distribudas e incentivos microproduo com garantias, que no caso de Portugal chegam a 0,20/kWh sobre o valor de compra normal para painis fotovoltaicos. Na tabela 1.1 so mostrados os valores das ajudas produo para alguns pases de referncia.

1.1: VALORES DE AJUDAS PRODUO DE CENTRAIS DE ENERGIA SOLAR PARA ALGUNS PASES DE REFERNCIA. ( (DLR, 2008) Capacidade Pas Instalada Alemanha Algria Espanha Frana ISCCS At 50 MW mx. 12 MW At 5 MW Grcia Acima 5 MW At 20 MW Israel Acima 20 MW At 10 MW Portugal Acima 10 MW 0,46 /kWh 100 a 200 % 0,27 /kWh 0,30 /kWh 0.23 - 0,25 /kWh 0.25 - 0,27 /kWh 0,20 $/kWh 0,16 $/kWh 0,21 /kWh 0,16 /kWh Vitalcia Vitalcia + 25 + 20 10+10 10+10 20+10 20+10 15 15 Sim No No No Sim Sim No No mx. 50 MW mx. 50 MW mx. 1500 h/a Tarifrio Durao (anos) Ajuste Inflao

Restries

No

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Energia PV Com esta perspectiva em mente, esta dissertao parte na explorao de meios para maximizar o rendimento energtico dos painis fotovoltaicos. Partindo do estudo da clula fotovoltaica mostrada a sua utilizao em mdulos e painis fotovoltaicos. Seguidamente so mostrados os conversores DC DC e inversores DC AC, assim como a sua utilizao em sistemas PV, so mostrados os principais algoritmos de controlo aplicados a energia PV utilizados nestes conversores. Esta base de conhecimento utilizada para de realizar a implementao de um controlador (seguidor) de ponto de potncia mxima. Fez-se uma abordagem faseada ao problema, inicialmente feito o dimensionamento de um sistema fotovoltaico, este dimensionamento foi utilizado na construo de um simulador desenhado para testar e compreender o funcionamento de diversos algoritmos de seguimento. Os resultados obtidos do simulador so finalmente utilizados para propor e validar um algoritmo de seguimento de ponto de potncia mxima modificado, este algoritmo finalmente implementado e testado num microcontrolador.

1.1 ESTRUTURA DA DISSERTAO

Esta dissertao encontra-se dividida em 3 secesses principais. Na primeira seco so apresentados todos os fundamentos tericos utilizados para dimensionar e simular um sistema fotovoltaico. apresentado o princpio PV, o modelo da clula solar e os mdulos PV. So ainda apresentados os diversos tipos de conversores DC DC tipicamente associados aos mdulos PV. Finalmente so discutidos os principais algoritmos de seguimento de ponto de potncia mxima existentes. A segunda seco aborda o dimensionamento de um sistema PV tendo como base nos modelos matemticos anteriormente apresentados e os mdulos PV (Bangkok Solar BS 40) disponveis no Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE/FCT). Depois de dimensionado o sistema PV mostrado um simulador construdo em MatLab/Simulink. Este foi construdo com o propsito de validar os modelos matemticos dos diversos componentes envolvidos no sistema PV e composto por um mdulo PV, que pode ser associado de modo a formar painis PV, um conversor DC DC tipo Flyback e um algoritmo MPPT tipo perturbar e observar (P&O) clssico. A ltima seco aborda a parte experimental, implementao do seguidor MPPT. apresentada a construo de um medidor de irradiao solar com valores em W/m . Medidor este que foi construdo como ferramenta para poder contrastar os valores de tenso e corrente do mdulo PV com os valores do simulador. ainda proposto um novo algoritmo MPPT. Este baseado no P&O clssico mas algumas mais algumas funes que tentam contornar o problema dos mximos locais e reduzir as oscilaes de potncia dos painis PV sobre o conversor/inversor de modo a reduzir ao mximo as perdas energticas. O algoritmo implementado num microcontrolador tipo PIC da MicroChip.
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Energia PV

2 ENQUADRAMENTO
De um modo geral um sistema fotovoltaico pode ser visto como um conjunto de componentes principais, nomeadamente: ptica: constituda por um espelho anti-reflexo ou uma lente de Fresnel para concentrar a radiao solar sobre a clula fotovoltaica. Clula fotovoltaica: o elemento que leva a cabo o efeito fotoelctrico produzindo corrente contnua e pode ser construda com diversos tipos de tecnologias. So agrupadas em mdulos que por sua vez se agrupam para formar painis PV. Conversor DC-DC: Este pode estar isolado ou embutido no inversor e tem como funo criar uma tenso de corrente continua constante que pode ser utilizada pelo inversor ou para alimentao directa em qualquer aparelho. Inversor: Faz a converso da corrente contnua proveniente do conversor DC-DC para corrente alternada para injeco na rede. Seguidor MPPT: De modo a aumentar o rendimento do sistema PV pode ser feito o seguimento solar ao longo perodo de operao; pode ajustar-se constantemente o ponto de funcionamento das clulas de modo a funcionarem no seu ponto de potencia mxima, (MPP - Maximun Power Point).

A clula fotovoltaica agrupada em srie e paralelo forma mdulos PV, estes por sua vez so agrupados de modo a construir painis PV; esta clula o componente fundamental da converso de energia em sistemas fotovoltaicos. O seu rendimento depende dum nmero significativo de parmetros que vo para alm das suas caractersticas de construo, o nvel de irradiao solar incidente, a temperatura de funcionamento da clula e as condies de carga s quais esta sujeita conjugam-se para afectar o seu rendimento. Quando tratamos de sistemas de mdia potncia, dezenas ou centenas de kW, existem trs grandes tipos de aproximaes possveis para maximizar o rendimento de um sistema PV: a utilizao de seguidores solares de um ou dois eixos (descrito no anexo I); o seguidor de potncia mxima ou a conjuno de ambos os sistemas. Para sistemas de baixa potncia o seguimento do ponto de potncia mxima apresenta-se como uma soluo prtica e economicamente atractiva. Este tipo de sistemas implica quase sempre a obrigatoriedade do painel se ter de encontrar fixo, montagem no telhado ou paredes de uma casa, a montagem de seguidores solares acarreta um custo proibitivo para a potncia instalada.

2.1 HISTRIA
A primeira clula fotovoltaica foi descrita pelo fsico francs Edmond Becquerel em 1839, este descobriu que certos materiais quando expostos luz produziam pequenas quantidades de corrente elctrica. Mas a primeira clula no foi construda at finais de 1800 quando um inventor americano, Charles Fritts, construiu a primeira clula fotovoltaica ao cobrir um material semicondutor, selnio, com uma fina camada de ouro, as clulas formadas deste material convertiam luz solar em electricidade (com valores de rendimento que variavam entre os 1 e 2 %). Com um custo demasiado elevado para aplicaes de energia as clulas de selnio foram adoptadas como sensores de medio de luz para o tempo de exposio em mquinas fotogrficas, situao esta que se manteve at dcada de 60, (Encyclopedia Britannica, 2008).

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Energia PV A era moderna da clula fotovoltaica teve incio na dcada de 50 quando experincias em semicondutores nos laboratrios da Bell levaram descoberta acidental de que, o silcio dopado com certas impurezas era extremamente sensvel luz. Esta situao levou a que em 1958 o satlite americano U.S. Vanguard 1 fosse equipado com um pequeno mdulo fotovoltaico que fornecia energia ao seu sistema de comunicao. Este lanamento serviu de marco histrico, permitindo produzir e lanar satlites de comunicao geostacionrios, situao at ento impossvel, devido energia necessria para os manter em funcionamento. Os custos de produo das clulas fotovoltaicas mantiveram-se elevados at bem entrada a dcada de 70, limitando assim a sua utilizao aos programas espaciais de diversos pases que por esta altura ainda estavam na corrida ao espao. Com o advento da primeira crise do petrleo na dcada de 70, o interesse por fontes de energia alternativas disparou, esta situao levou a que diversas companhias investissem fortemente em mtodos para a industrializao da produo de clulas fotovoltaicas.

2.2 A CLULA FOTOVOLTAICA.

Numa aproximao de alto nvel o comportamento fotovoltaico pode ser resumido da seguinte forma: Os fotes presentes na irradiao solar incidente so absorvidos por um material semi-condutor, a energia destes leva libertao dos electres de valncia dos tomos do material semi-condutor permitindo que estes viagem atravs deste, produzindo assim electricidade; quando um electro libertado do seu tomo surge uma carga positiva complementar chamada de lacuna (ou buraco), que viaja no sentido contrrio ao do electro, assim forma-se um par electro lacuna, devido composio da clula os electres s se conseguem movimentar numa nica direco criando uma corrente elctrica contnua. Tomando como referncia de material semi-condutor o silcio e observando a figura 2.1, podemos partir para uma descrio mais detalhada do processo fotovoltaico. Um tomo de silcio constitudo por 14 electres, 4 destes encontram-se na banda de valncia, estes so os que podem ser partilhados; os fotes absorvidos colidem com os electres de valncia dos tomos de silcio transferindo parte da sua energia para estes que assim ficam libertos dando-se a sua passagem para a banda de conduo, para que tal acontea o electro deve receber uma quantidade de energia especfica, 1,12 eV (electro Volt) para o silcio (intrnseco), uma quantidade superior ou inferior simplesmente no absorvida pela clula, imagem b) da figura 2.1. Para o silcio dopado a quantidade de energia requerida para este processo diminui drasticamente, para cerca de 0.0112 eV. Os electres ao deixarem a sua posio em torno do tomo levam formao de uma lacuna, (carga contraria do electro), esta eventualmente ser ocupada por um novo electro. Este fenmeno d origem ao chamado par electro lacuna, ao perder energia o electro ter tendncia a voltar para a banda de valncia do tomo de silcio (atrado pela lacuna). Para que exista corrente dentro da clula necessrio criar um campo elctrico que mova os electres numa direco e as lacunas na direco oposta, para tal o material semi-condutor separado numa camada tipo p e numa camada tipo n, como o mostrado na imagem b) da figura 2.1. As camadas tipo p e n so dopadas com dois tipos distintos de material, respectivamente Boro e Fsforo, isto provoca que a regio tipo n tenha uma concentrao de electres superior regio tipo p, ao intercalar ambas as regies cria-se uma juno p n, surge assim um campo elctrico que separa os portadores de carga (electres excitados pelos fotes para a banda de conduo que flem para um terminal negativo) e as lacunas que formam o par electro lacuna e so enviadas para um terminal positivo. Pgina 5

Energia PV Em termos de fabrico da clula fotovoltaica no existe uma dopagem de silcio para criar uma regio p n, em vez disso faz-se a deposio de uma camada mais fina, tipo n (ou p) sobre um bloco de silcio tipo p (ou n), imagem de baixo direita da figura 2.1.

a)

b)

2.1: MOVIMENTO DOS ELECTRES NUMA JUNO P-N, (CIMA), EFEITO FOTOVOLTAICO, (BAIXO). (CAMUS, 2006)

As clulas fotovoltaicas podem ser classificadas em trs geraes, que indicam de um modo geral quando ganharam importncia de mercado. Neste momento estas trs geraes coexistem no mercado mas grande parte da investigao a nvel comercial continua centrado nas clulas de primeira gerao que representam uma quota de mercado de 90 % (Energy U. D., 2008). A primeira gerao de clulas fotovoltaicas composta por silcio cristalino de elevada pureza, com uma nica juno e de custo bastante elevado. Os seus materiais de construo so silcio monocristalino, silcio policristalino e silcio Ribbon. A segunda gerao de clulas PV foi criada com o intuito de reduzir custos e tem um rendimento mais baixo e so conhecidas como clulas de pelcula fina (Thin-Film). Os materiais principais de construo destas so o Silcio amorfo, Di-Selnio de ndio e Cobre e Telridio de Cdmio. A terceira gerao de clulas tenta construir sobre as bases da segunda gerao, mas melhorando o seu rendimento. Para tal, estas utilizam uma ligao multi-juno de Arsenito de Glio e encontram-se normalmente associadas a veculos espaciais (Mars Rover) e concentradores fotovoltaicos (CPV).
2.1: VALORES DE REFERNCIA PARA CLULAS FOTOVOLTAICAS DISPONVEIS COMERCIALMENTE.

Tipo de Clula Gerao de Clula Silcio Monocrsitalino 1 (mono-Si) Silcio Policristalino 1 (poli-Si) Silcio Amorfo (a-Si) 2 Di-selnio de ndio e 2 Cobre (CiGs) Telridio de Cdmio 2 (TeCd) Arseneto de Glio 3 (AsGa) * ** Sem concentrao Com concentrao de 324 sun Pgina 6

Rendimento Tpico 14 17 % 11 15 % 67% 8 10 % 7,5 9,5%

Rendimento Mximo 24,7 % 18,6 % 13 % 19,9 % 16 % 24,7 % ** 40,8 %

*

Energia PV

2.2.1 COMPORTAMENTO DA CLULA

De modo a poder estudar teoricamente e simular o comportamento da clula fotovoltaica necessrio estabelecer modelos matemticos que reflictam o seu comportamento com maior ou menor detalhe. A preciso destes modelos tem de estar adaptada sua utilizao, sendo que muitas vezes para aplicaes energticas um modelo mais detalhado como os descritos em 2.2.1.6 no necessrio.

2.2.1.1 C ONDIES DE R EFERNCIA

Para o teste de sistemas fotovoltaicos existem condies de referncia com as quais se devem realizar os testes da clula (STC Standart Test Conditions) e so definidas pela norma IEC 60904 (International Electrotechnical Commission). Estas condies servem para a obteno dos parmetros de funcionamento nominais da clula/mdulo fotovoltaico e estipulam: Temperatura Irradiao incidente

2.2.1.2 M ODELO M ATEMTICO

O comportamento de uma clula pode ser modelado atravs da utilizao de um circuito elctrico equivalente com diferentes nveis de complexidade. Para a compreenso do funcionamento matemtico da clula suficiente o circuito apresentado na figura 2.2. Experimentalmente, em condies reais de utilizao da clula, tem-se verificado que no existem grandes diferenas entre a utilizao deste modelo e modelos mais complexos com uma ou duas resistncias apresentados em 2.2.1.6 (Quaschning, 2005).

2.2: MODELO SIMPLIFICADO DA CLULA FOTOVOLTAICA.

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Energia PV A figura 2.2 apresenta o modelo simplificado de uma clula PV. A fonte de corrente Is representa a corrente gerada pela irradiao solar incidente na superfcie da clula, esta corrente constante para um nvel de radiao constante. A juno p n age como um dodo atravessado por uma corrente ID, dependente da queda de tenso V aos terminais da clula. A corrente ID que percorre o dodo dada como: (1)

Onde: I0 V m VT Corrente Inversa de saturao do dodo. Tenso aos terminais da clula. factor de idealidade do dodo, (m=1: ideal; m>1: real). Potencial trmico. Em STC k T q Constante de Boltzman Temperatura da clula em K Carga elctrica do electro . .

Assim, fechando o circuito pela carga Z obtemos. (2)

2.2.1.3 P ONTOS DE FUNCIONAMENTO

Os pontos de funcionamento mximos fazem parte das caractersticas tcnicas de cada mdulo fotovoltaico fornecidas pelo fabricante, so obtidos nas situaes de curto-circuito e circuito aberto: Para a situao de Curto-circuito a impedncia Z substituda por um curto-circuito e obtm-se:

Esta corrente de curto-circuito, Icc, o valor mximo da corrente de carga, logo o valor mximo gerado na clula pelo efeito fotovoltaico. Na situao de Circuito aberto a impedncia Z retirada obtendo-se:

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Energia PV

(3)

A tenso em vazio Vca corresponde ao valor mximo da tenso aos terminais da clula quando esta no possui nenhuma carga aplicada nas condies de STC. Os valores de tenso em vazio e corrente em curto-circuito so utilizados na caracterizao do comportamento da clula PV. A relao I V aplicada na construo do grfico da figura 2.3, este permite seguir o comportamento da clula e ver qual o seu ponto de potncia mximo.

2.3: CURVAS I - V DE UMA CLULA DE SILCIO CRISTALINO COM UMA REA DE 0,01 M2; RESULTADOS EXPERIMENTAIS EM STC. (CASTRO, 2008)

2.2.1.4 P OTNCIA E LCTRICA , R ENDIMENTO E F ACTOR DE F ORMA

A potncia elctrica da clula dada como: (4)

O seu valor mximo ocorre resolvendo quando a derivada da potncia em relao tenso igual a zero:

(5)

A soluo da equao 5 normalmente obtida por mtodos iterativos, como o de Newton-Raphson. Pgina 9

Energia PV O ponto de funcionamento mximo ocorre quando os valores da tenso e corrente so mximos, o que nas condies de referncia implica: . Como foi referido os valores de fazem parte das caractersticas de cada clula, sendo dados do fabricante, normalmente estes so dados por mdulo solar e no para cada clula. potncia mxima medida nas condies de referncia STC chama-se de potncia de pico, (MPP Maximum Power Point). Desta situao surge que a referncia potncia de sistemas solares fotovoltaicos seja dada de modo geral em Watt pico (Wp). Uma outra curva interessante que acompanha alguns mdulos solares apresentada na figura 2.4. A curva P V ilustra o andamento da potncia com a tenso para uma clula solar, note-se o contraste desta com a curva de I V.

2.4: CURVAS I - V E P - V DE UMA CLULA SOLAR COM O SEU MPP. (QUASCHNING, 2005)

Para calcular o rendimento da clula utilizada a potncia mxima a irradiao solar e a rea da clula em condies STC:

(6)

Onde:

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Energia PV Uma outra caracterstica interessante nestas clulas o factor de forma (Fill Factor FF) que obtido pelo quociente entre a potncia de pico e os valores de tenso em aberto e corrente em curto-circuito. Dentro do mesmo tipo de clulas este valor no varia significativamente, mas esta relao afecta significativamente as curvas I V, logo a potncia mxima disponibilizada pela clula; em clulas disponveis no mercado os valores para o factor de forma variam entre os 0,7 e 0,85.

(7)

A figura 2.5 mostra a curva de I V para duas clulas com factor de forma distintivos, que obtido atravs do clculo de um ponto em condies STC, potncia mxima, corrente de curto-circuito e tenso em circuito aberto, este factor permite caracterizar o comportamento da clula com tenso e corrente variveis.

2.5: CURVAS DE I - V DE DUAS CLULAS COM FACTORES DE FORMA DISTINTOS. (CASTRO, 2008)

2.2.1.5 E FEITOS DA T EMPERATURA E R ADIAO I NCIDENTE

Observando as equaes 1 e 3, verifica-se que a temperatura qual a clula se encontra vai influenciar a corrente e tenso produzidas atravs do termo VT. Se no caso da corrente o efeito da temperatura negligencivel o mesmo j no acontece para a tenso, o seu valor reduz-se linearmente com o aumento da temperatura. A amplitude desta reduo de tenso inversamente proporcional a tenso em circuito aberto (Vca), ou seja, quanto maior for a tenso que o painel consegue produzir menor ser o efeito do aumento da temperatura sobre esta. Para a maioria das clulas de silcio cristalino esta reduo da ordem dos 0,50 %/C com valores da ordem dos 0,25 %/C para silcio amorfo.

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Energia PV

2.6: EFEITO DA TEMPERATURA NUMA CLULA DE SILCIO CRISTALINO. (QUASCHNING, 2005)

A figura 2.6 mostra o efeito da temperatura sobre o funcionamento da clula, pode observar-se: A potncia diminui linearmente com o aumento da temperatura. O efeito da temperatura sobre a corrente desprezvel.

Tomando em considerao este comportamento da clula, facilmente explicada a necessidade da incluso de um sistema de refrigerao para as clulas solares quando entramos em sistemas CPV. A focagem de toda a energia captada sobre o mdulo eleva significativamente a temperatura deste, de tal modo que uma falha no sistema de refrigerao pode destruir os mdulos PV (anexo I). A figura 2.7 mostra o efeito da variao da irradiao incidente sobre a clula atravs da variao da curva I V, significativo que o valor da irradiao afecta sobre tudo a corrente com alteraes menos notrias sobre a tenso, isto para o Silcio cristalino.

2.7: EFEITO RADIAO INCIDENTE NUMA CLULA DE SILCIO CRISTALINO. (QUASCHNING, 2005)

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Energia PV

2.2.1.6 M ODELOS DETALHADOS DA CLULA

Para a maioria das aplicaes o modelo simplificado da clula suficiente, no entanto se objectivo estudar o comportamento numa gama de operao alargada necessria a utilizao de modelos mais complexos que tenham em conta a queda de tenso sofrida pelos portadores e a carga ao atravessar as junes p n e os contactos da clula. Na figura 2.8 apresentado o modelo de um dodo da clula ao qual o acrescentada uma resistncia em srie (Rs), que representa a queda de tenso na clula e uma outra em paralelo (Rp), que tem como funo modelar as correntes de fuga que se verificam na parte mais exterior da clula.

2.8: MODELO DE UMA CLULA SOLAR COM RESISTNCIAS PARA A CORRENTE DE FUGA RP E QUEDA DE TENSO INTERNA RS (MODELO DE UM DODO).

Em clulas reais os valores de Rs e Rp so da ordem dos mili-ohm (m) para a primeira e superiores a 10 para a segunda, a figura 2.9 mostra o efeito da alterao destes valores para ambas as resistncias. O primeiro grfico da figura 2.9 ilustra o efeito que o aumento do valor da resistncia Rs tem sobre o comportamento da clula atravs da curva de tenso corrente. O segundo grfico da mesma figura ilustra as alteraes que a reduo do valor da resistncia Rp tem sobre a mesma clula.

2.9: INFLUENCIA DAS RESISTNCIAS RS E RP NA CURVA I V. (QUASCHNING, 2005)

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Energia PV

As equaes para a corrente no modelo de clula fotovoltaica de um dodo com resistncia de fuga e queda de tenso interna (figura 2.8) so obtidas resolvendo o circuito:

(8)

(9)

Um modelo ainda mais preciso da clula o apresentado na figura 2.10, este expande o modelo anterior de um dodo atravs da incluso de um segundo dodo em paralelo. Normalmente o factor de idoneidade (m) do primeiro dodo ideal (m1=1), j para o segundo dodo dado um valor mais prximo do real (m2=2), os resultados da simulao em mdulos solares tem demonstrado um comportamento que segue de perto o real. O tracejado na figura 2.10, representada uma extenso do modelo de dois dodos, a nova fonte de corrente I(Vd) simula a corrente de saturao, quando a tenso negativa, este valor de corrente dependente da tenso do dodo (Vd).

2.10: MODELO DE DOIS DODOS COM EXTENSO DE CORRENTE DE SATURAO I(VD).

Para o modelo de clula PV de dois dodos (figura 2.10), a seguinte equao tem de ser resolvida:

(10)

Uma discusso mais detalhada destes modelos vai para alm do objectivo deste texto, restando apenas referir que para qualquer uma das equaes obtidas dos circuitos no existe uma soluo simples, esta tem de ser sempre obtida por mtodos iterativos. Pgina 14

Energia PV

2.3 MDULOS SOLARES

Devido baixa tenso produzida por cada clula numa utilizao normal, estas no so utilizadas isoladamente para produo de energia elctrica. A potncia de uma clula isolada dificilmente supera os 2 W, mas quando varias so ligadas em srie, paralelo ou uma combinao de ambas as topologias, o mdulo resultante consegue produzir uma quantidade de potncia til para injeco na rede ou alimentao de sistemas isolados. Este tipo de associao de clulas permite extrapolar o modelo obtido para a clula utilizando-o para a caracterizao do mdulo PV, sendo apenas necessrio ajustar o binmio tenso corrente ao nmero de clulas utilizadas, mantendo todas as outras caractersticas inalteradas. A figura 2.11 mostra a associao de clulas fotovoltaicas em srie e paralelo.

2.11: ASSOCIAO DE CLULAS EM SRIE (ESQUERDA) E PARALELO.

Na associao de clulas PV, considera-se que estas so todas iguais e estando sujeitas mesma temperatura, recebendo a mesma quantidade de irradiao solar. Assim tem-se que a associao em paralelo de clulas produz as seguintes equaes: (V) (A) (11)

Para a associao de clulas em srie obtm-se: (A) (V) (12)

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Energia PV Neste momento torna-se necessrio esclarecer a diferena entre mdulo e painel fotovoltaico. Na indstria a expresso mdulo PV s encontrada em (poucos) documentos tcnicos, sendo mais comum encontrar a expresso painel PV. Na realidade quando se trata de um painel espera-se que este produza energia suficiente para injeco na rede (com recurso a inversores) ou para a alimentao de sistemas isolados; de um modo geral esta situao no possvel apenas com um mdulo PV sendo necessrio associar vrios mdulos para criar um painel. Nos casos em que um mdulo PV suficiente para alimentar um qualquer equipamento, este pode ser considerado como um painel PV. Analogamente considerando os seguidores PV de um ou dois eixos; estes so normalmente constitudos por um painel de cerca de 1 kW, ou seja, uma combinao de mdulos ligados em srie paralelo para produzir a potncia desejada. Existe ainda uma outra expresso que comum encontrar na indstria, a string PV, esta expresso utilizada para referir um conjunto de mdulos/painis PV ligados a um mesmo conversor/inversor. Se verdade que a diferena entre mdulo e painel existe, tambm verdade que esta to tnue que de um modo geral a utilizao de uma denominao ou outra acaba por ser mais uma questo de gosto que de forma.

2.3.1 PARMETROS DOS MDULOS FOTOVOLTAICOS

Os mdulos PV so caracterizados por um conjunto de parmetros, o conhecimento destes permite modelar e simular o comportamento do mdulo. De um modo geral o fabricante do mdulo apenas fornece a potncia, corrente e tenso no ponto de potncia mximo do mdulo (MPP), so ainda fornecidas a corrente de curtocircuito e a tenso em circuito aberto. O parmetro constante do mdulo obtido resolvendo a equao 12; a corrente de curto-circuito dependente da irradiao solar (G) e obtida resolvendo a equao 13. O efeito da temperatura no mdulo obtido atravs da equao 14 e as restantes caractersticas, potncia, corrente e tenso mximas so dadas pelas equaes 15, 16 e 17, respectivamente.

(13)

(A) (A) (V)

(14) (15) (16)

(A) (W)

(17) (18)

A associao de clulas exclusivamente em paralelo tem pouca expresso, devido s consequncias provocadas pelo aumento de corrente, (maiores perdas por efeito joule), apesar de que este tipo de ligao ser menos sensvel ao efeito sombra, (discutido em 2.4.1), que a ligao em srie.

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Energia PV Quando so associados mdulos em painis para sistemas de mdia dimenso possvel encontrar mdulos compostos por clulas ligadas em srie conectados em paralelo, esta situao implica a utilizao de dodos de passagem bypass para garantir a integridade das clulas nos mdulos. A utilizao de dodos de bloqueio colocados em srie, para a proteco dos mdulos possvel, mas esta soluo alm de no fornecer um nvel de segurana elevado acarreta perdas significativas provocadas pelos dodos.

2.4 ASSOCIAO EM SRIE DE CLULAS FOTOVOLTAICAS

Dependendo da utilizao para a qual o mdulo foi desenhado existe toda uma gama de combinaes de tenso corrente que pode ser encontrada no mercado e que varia sobretudo com tipo de clulas utilizadas na construo do mdulo. Para aplicaes em sistemas isolados como semforos, telefones ou qualquer outro tipo de unidade que utilize baterias como fonte de energia usual encontrar mdulos de 12 V, estes utilizam a ligao em srie de 18 24 clulas. Quando se trata de mdulos para sistemas ligados rede este nmero tende a crescer. A figura 2.11 mostra a ligao em srie de clulas; em condies de utilizao normais, a tenso de sada dada pela multiplicao da tenso de uma clula pelo nmero de clulas do mdulo, V= n.Vi, (equao 12). A figura 2.12 mostra o efeito cumulativo da associao em srie de clulas num mdulo de 36 clulas.

2.12: CARACTERSTICA I V DE UM MDULO COM 36 CLULAS. (QUASCHNING, 2005)

Se for realizada uma consulta sobre os dados tcnicos para os mdulos solares que se encontram no mercado, verifica-se que no disponibilizada muita informao sobre estes, normalmente os parmetros so fornecidos em STC e limitam-se a:

Tenso mxima (Vmax). Corrente mxima (Imax). Pgina 17

Potncia mxima ou de pico (Pmax ou P em Wp).

Energia PV Tenso de circuito aberto (Vca). Corrente de curto-circuito (Icc). Tenso mxima admissvel (associao srie). Dimenses do mdulo e peso. Tecnologia da clula.

Alguns (poucos) fabricantes alm dos dados acima referidos indicam tambm os coeficientes de temperatura para a tenso e corrente, V e I; com estes dados e com recurso s equaes 19 a 25 torna-se possvel estimar o comportamento do mdulo em causa a diferentes temperaturas e nveis de radiao. Mesmo que estes coeficientes no sejam fornecidos pelo fabricante a consulta dos dados tcnicos de diferentes mdulos mostra que estes coeficientes so mais dependentes da tecnologia da clula que da construo do mdulo, sendo assim possvel utilizar estes valores para cada tipo de mdulo com bastante fiabilidade.

Equaes para estimao do comportamento dos mdulos com componentes de temperatura (Quaschning, 2005). (V) (19)

(V)

(20)

(A)

(21)

(A)

(22)

A relao I V aproximadamente: (23)

Onde: (24)

(25)

As equaes acima apresentadas so as recomendadas por Volker Quaschning (Quaschning, 2005) para a estimao do comportamento de um painel fotovoltaico, (um ou mais mdulos), estas tem em conta o efeito da temperatura no comportamento da clula. O investigador portugus, Rui M.G. Castro, (Castro, 2008), prope um conjunto de equaes, 26, 27 e 28 derivadas das equaes 13 a 18, para a obteno destes mesmos valores de comportamento; apesar das equaes propostas no terem em considerao as variaes de I-V Pgina 18

Energia PV com a temperatura, o autor afirma que o contraste com resultados experimentais origina um erro inferior a 2%.

Equaes para estimao do comportamento dos mdulos sem componentes de temperatura (Castro, 2008) (A) (26)

(V)

(27)

(W)

(28)

A tabela 2.2 contm os valores aproximados, (existem pequenas diferenas entre modelos e fabricantes, <0,02) dos vrios coeficientes de temperatura, estes cobrem a maioria da tecnologia dos mdulos comercializados com potncias que variam dos 40 aos 200 W.

2.2: VALORES DE CARACTERSTICAS DE REFERNCIA PARA ALGUMAS TECNOLOGIAS DE CLULAS FOTOVOLTAICAS.

mono-Si

poli-Si

a-Si

2.4.1 EFEITO SOMBRA

Em condies de utilizao real nem todas as clulas ligadas em srie do mdulo so expostas as mesmas condies climatricas e de irradiao. A acumulao de sujidade, excrementos de pssaros, obstruo por objectos (rvores, folhas, telhados), pode provocar que algumas clulas fiquem na sombra. Esta situao influencia significativamente a caracterstica I V do mdulo. A introduo de uma clula com caracterstica I V diferente num mdulo altera drasticamente o comportamento deste, tornando mais difcil a sua modelao.

A figura 2.13 ilustra o resultado de uma experincia realizada para obteno da caracterstica de um mdulo com 35 clulas ligadas em srie em condies de funcionamento normais, (Quaschning, 2005). Uma das clulas Pgina 19

Energia PV sofre repentinamente uma diminuio de irradiao de 75%; verificou-se que a corrente atravs de cada uma das clulas se mantm inalterada. As caractersticas do mdulo so obtidas variando a corrente entre 0 e I cc sendo as tenses para cada clula obtidas e depois somadas. Ao medir a corrente de curto-circuito da clula que se encontra na sombra obtm-se a caracterstica do mdulo. Este valor de corrente corresponde no entanto a uma gama de valores de tenso muito mais baixa que a tenso de vazio do mdulo (Vca). O ponto de funcionamento do mdulo (1) obtido pela soma da tenso da clula tapada (1a) com 35 vezes a soma da clula normal (1b). A reduo sobre a potncia produzida drstica, de P1= 20,3 W para P2= 6,3 W que corresponde a uma queda de cerca de 70%, isto para uma rea de mdulo tapada de 2%; a clula tapada age como carga sobre o mdulo, dissipando 12,7 W por perdas trmicas, com valores de irradiao superiores existir um aumento de potncia dissipada pela clula o que pode provocar o seu sobreaquecimento e at a sua destruio.

2.13: CARACTERSTICA I V DE UM MDULO COM UMA CLULA COBERTA A 75%. (QUASCHNING, 2005)

De modo a evitar os problemas trmicos e de perda de potncia causados pelo efeito da sombra foram introduzidos dodos, bypass, em paralelo com cada clula, em condies de funcionamento normal esto desligados, mas quando a clula tapada a corrente fli pelo dodo, efectivamente retirando a clula da srie do mdulo. A figura 2.14 mostra o efeito na curva I V provocado pela introduo de um dodo em vrias clulas. A introduo de um dodo por clula leva a uma menor perda de potncia por parte do painel quando este tem algumas clulas sujeitas ao efeito de sombra.

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Energia PV

2.14: EFEITO DE VRIAS COMBINAES DE DODOS BYPASS NA CARACTERSTICA I V DE UM MDULO. (QUASCHNING, 2005)

Na realidade a utilizao de dodos de bypass faz-se em sries de clulas e no por clula, geralmente e dependendo da potncia do mdulo, (utilizao de um ou dois dodos), estes encontram-se na caixa de juno do mdulo solar. Esta soluo utilizada para reduzir os custos de cada mdulo, visto que tecnologicamente no existe nenhum impedimento para a incluso de um dodo por clula na construo do mdulo sem prejuzo nas dimenses do mesmo, apenas razes econmicas impedem a sua utilizao em larga escala. Na figura 2.15 representado o esquema de ligao tpico de um dodo de passagem num mdulo solar.

2.15: ESQUEMA DE UM DODO DE PASSAGEM ATRAVS DE VRIAS CLULAS.

interessante notar que o efeito da sombra no se faz sentir do mesmo modo sobre os diversos tipos de clula; devido s caractersticas do material, os mdulos construdos com clulas de segunda gerao (Silcio amorfo) tem um desempenho superior s restantes tecnologias quando se encontram na sombra. A potncia disponibilizada por estes mdulos em condies normais reduzida (30 a 60 Wp), se comparada com a potncia de mdulos cristalinos (100 a 220 Wp). Por outro lado, um valor baixo de corrente e uma tenso nominal bastante mais elevada permitem que o efeito da sombra seja menos acentuado nestes mdulos.

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Energia PV A vantagem do silcio amorfo em condies de cu nublado levou a introduo em 2008 de mdulo solares hbridos Sanyo HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin layer clulas de heterojuno com camada ultra fina intrnseca). Nestes mdulos a clula formada por uma camada fina de silcio monocristalino tipo n que se encontra embutida entre duas camadas de silcio amorfo ultra fino (thin film), tipo p e n. Este tipo de disposio cria efectivamente uma clula em tandem, com disposio consecutiva. A figura 2.16 mostra o pormenor da clula HIT A marca d um factor de converso de 19,3% para a clula e de 17% para o mdulo Sanyo HIP-215NHE5.

2.16: ESQUEMTICO DA CLULA SANYO HIT. (SANYO SOLAR, 2009)

2.5 SISTEMAS LIGADOS REDE

Sempre que um sistema est ligado rede elctrica interessa que o gerador fotovoltaico fornea sempre a potncia mxima disponvel. Como j foi mostrado este fornecimento no linear (ver comportamento da curva I V) e exige um ajuste contnuo do binmio tenso corrente para encontrar o ponto mximo de potncia, para tal existem duas grandes opes possveis:

Adicionar um conversor DC DC em srie com o painel fotovoltaico cuja funo ajustar a tenso DC do painel ao seu MPP, (Maximum Power Point Ponto de Potncia Mximo), seguido de um inversor DC AC para assim poder injectar a corrente na rede. Adicionar um inversor DC AC directamente sada do painel para injeco de corrente na rede, notese que de um modo geral este tipo de inversores so especficos para a utilizao em sistemas fotovoltaicos, realizando algum tipo de ajuste na tenso do painel, (MPP).

2.5.1 CONVERSORES DC DC
Existe uma enorme diversidade de mdulos fotovoltaicos, esta diversidade acompanhada por um leque de tenses e correntes bastante diversas, que dependem da tecnologia das clulas utilizadas na construo do mdulo, ver tabela 2.2, e do modo com estas esto ligadas dentro do mesmo, srie/paralelo. Alm do mais o agrupamento destes mdulos em painis vai alterar as suas caractersticas de tenso e corrente. Os conversores DC DC so sistemas comutados que controlam o valor mdio de tenso (corrente) na sada (carga) atravs da variao dos tempos de ligao entre a entrada (fonte DC) e a sada. A comutao do conversor realizada por dispositivos semicondutores, estes so normalmente controlados atravs de PWM, Pgina 22

Energia PV (Pulse-Width Modulation, Modulao da Largura de Impulso), a natureza destes interruptores varia consoante a potncia e a frequncia de operao utilizada, IGBTs at 20 kHz e MOSFET para algumas centenas de kHz; a utilizao de um controlo PWM nos dispositivos semicondutores tem as suas vantagens e inconvenientes:

Vantagens: Poucos componentes. Elevado rendimento. Frequncia de funcionamento constante. Controlo relativamente simples.

Inconvenientes: Formas de corrente e tenso rectangulares provocam perdas ao ligar/desligar os semicondutores, limita a frequncia de trabalho a centenas de kHz. Formas de onda rectangulares geram interferncias electromagnticas (EMI).

Os conversores DC DC podem operar de dois modos distintos relativamente corrente na bobine, IL. Se esta corrente nunca chega a zero o conversor encontra-se no modo de funcionamento contnuo (CCM); por outro lado se a corrente de sada for baixa, (Rc elevado) ou se a frequncia de trabalho for reduzida, a corrente na bobine ser zero durante parte do perodo de ligao ficando o circuito em regime lacunar (funcionamento descontinuo DCM). A transio entre estes dois modos controlada pelo valor da bobine L crt, a resoluo desta equao, que varia de acordo com a topologia do conversor, permite calcular o valor mnimo a partir do qual o conversor fica no modo de funcionamento continuo, (L> L crt). As bobines (indutores) utilizadas neste tipo de circuitos pertencem famlia de bobines de potncia power inductors, (Dixon, Magnetics Design for Switching Power Supplies, 2001), e funcionam retirando energia do circuito elctrico armazenando-a num circuito magntico para a voltar a injectar no circuito. Partindo da relao de tremor desejada, variao mxima na tenso de sada (ripple), o valor de capacidade a instalar na sada obtido resolvendo a equao de Cmin, (C> Cmin), especifica para a topologia do conversor. As frmulas de indutncia e capacidade (Lcrt e Cmin). para estas topologias partem do pressuposto que todos os componentes tm um funcionamento ideal. Este fenmeno no real, os efeitos parasticos nos diversos componentes, (perdas ao ligar/desligar os semicondutores) podem alterar os valores de L crt e Cmin, comprometendo o funcionamento do conversor. O modo de funcionamento contnuo prefervel como meio de maximizar o seu rendimento e utilizao dos semicondutores e componentes passivos. Na figura 2.17 mostrado o efeito da alterao do Duty Cycle dos interruptores na relao de transformao nas principais topologias de conversores Nestas topologias tem-se:

(29) (30) (31)

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Energia PV Onde: Mv Cmin f Lcrt T ton Duty Cycle. Relao de transformao da tenso. Condio de tremor, a variao da tenso na sada ripple. Frequncia. Condio de modo de funcionamento do conversor (CCM/DCM). Perodo. Tempo no qual o interruptor se encontra ligado.

2,5 Taxa de Converso M()

1,5

Buck Boost

Buck-Boost

0,5

0 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 Duty Cycle () 0,7 0,8 0,9 1

2.17: COMPARAO DAS PRINCIPAIS TOPOLOGIAS DC, (DUTY CYCLE RELAO DE TRANSFORMAO).

A utilizao de conversores DC DC permite ajustar a tenso em corrente continua no controlada, dependente dos painis, para valores controlados, utilizveis. Caso seja necessria a carga de sistemas de armazenamento de energia, (baterias, 12 24 48 V), ou alimentao directa de equipamentos que funcionem em DC. A utilizao de conversores possibilita ainda que estes sejam controlados de tal modo que o painel fotovoltaico trabalhe sempre no seu ponto de potncia mximo para a irradiao incidente. Em funcionamento normal o painel pode debitar uma tenso maior ou menor que a desejada, esta situao obriga a que o tipo de conversor a ser utilizado deva ser escolhido de acordo com as caractersticas do sistema.

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Energia PV

2.5.1.1 B UCK

Este um circuito redutor de tenso, juntamente com as topologias boost e buck-boost formam a base dos conversores CC. O conversor produz uma tenso mdia de sada inferior tenso de entrada, isto conseguido variando o duty cycle () do semicondutor, (um MOSFET no diagrama) que age como interruptor; a variao da tenso de sada varia linearmente com o sinal de controlo, (ver figura 2.17). Quando o conversor se encontra no modo de funcionamento contnuo o condensador tem de ter um valor tal que permita garantir um andamento da tenso de sada, (Vout(t) Vout), praticamente constante.

2.18: TOPOLOGIA BUCK.

As equaes que caracterizam este conversor so: (32) (V) (H) (F) (33) (34) (35)

2.5.1.2 B OOST

Esta famlia de conversores amplificadora de tenso, ou seja, a tenso mdia de sada sempre superior tenso de entrada. Quando o interruptor (MOSFET) se encontra ligado a bobine armazena energia e o dodo encontra-se inversamente polarizado, em corte, ao desligar o interruptor, a energia armazenada no circuito junto com a energia da fonte transferida para carga. Como referido anteriormente o condensador tem de ter um valor que permita garantir um andamento da tenso de sada (Vout(t) Vout) praticamente constante.

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Energia PV

2.19: TOPOLOGIA BOOST.

As equaes que caracterizam o conversor Boost so: (36) (V) (H) (F) (37) (38) (39)

2.5.1.3 B UCK -B OOST

Em situaes para as quais a tenso de entrada pode ser superior ou inferior tenso de sada recorre-se a conversores do tipo buck-boost, atravs da variao do Duty Cycle (). Este circuito obtido atravs da ligao em cascada das duas topologias j apresentadas, quando o interruptor se encontra ligado a energia fornecida bobine com o dodo ao corte, quando o interruptor desligado a bobine transfere energia para a carga, como nos casos anteriores o valor do condensador tem de ser tal que em modo de funcionamento continuo a tenso de sada seja praticamente constante.

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Energia PV

2.20: TOPOLOGIA BUCK BOOST.

As equaes que caracterizam o conversor Buck Boost so:

(40) (V) (H) (F) (41) (42) (43)

2.5.1.4 C ONVERSORES COM I SOLAMENTO E LCTRICO

As topologias de conversores at agora apresentados funcionam para potncias relativamente pequenas, <150 W, sendo que para potncias superiores torna-se necessrio recorrer a conversores mais complexos. Na maioria dos pases, para tenses acima de 45 Vcc, necessria a utilizao de um isolamento elctrico, (Quaschning, 2005). Este isolamento obtido atravs da introduo de transformadores nas topologias de conversores, estes substituem as bobines como fonte de armazenamento e transferncia de energia, ao mesmo tempo que asseguram o isolamento galvnico entre a fonte e a carga. Os transformadores utilizados neste tipo conversores no so transformadores clssicos de baixa frequncia, mas sim de alta frequncia. Quando comparados com transformadores de baixa frequncia, as suas dimenses e peso so reduzidos, o elevado rendimento destes permite manter todo o conversor com dimenses bastante compactas. Alm do mais a estes transformadores acresce ainda a vantagem de permitir alterar ainda mais a tenso de sada atravs da escolha da relao de transformao (
) do mesmo

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Energia PV

2.5.1.4.1 C ONVERSORES COM I SOLAMENTO E LCTRICO D ERIVADOS DO B UCK

Dependendo da potncia em jogo existem diversos tipos de topologias que podem ser utilizados como redutores de tenso. Na tabela 2.3 so apresentadas as caractersticas principais de conversores com isolamento elctrico, assim como as suas frmulas para a sua caracterizao. Note-se que no esto includas as frmulas para o clculo das tenses e correntes de pico que surgem nos interruptores aquando do seu accionamento.
2.3: CARACTERSTICAS PRINCIPAIS DAS TOPOLOGIAS DE CONVERSORES DC DC COM ISOLAMENTO ELCTRICO MAIS COMUNS.

Conversor

Potncia Tpica (W)

Mv

Vout

Lcrt

Cmin

Obs. Um Interruptor Dois Interruptores

250 Forward 1000 Push-Pull Half-Brige Full-Bridge 500 500-2000

Na figura 2.21 esto representados os diagramas das topologias referidas na tabela 2.3. Sobre estas convm dizer que no conversor Forward a relao n deve ser escolhida de tal modo que garanta que a corrente de magnetizao v a zero durante o tempo em que o interruptor se encontra desligado. O enrolamento de desmagnetizao e o primrio devem estar fortemente acoplados (N d e Np, na figura 2.21 superior esquerda) de modo a reduzir ao mximo o pico de tenso que ocorre ao desligar o interruptor, (superior a 2Vin para o modelo de um interruptor e Vin para dois interruptores). Os conversores Push-Pull, Half e Full-Bridge fazem uma melhor utilizao dos componentes. Com tamanho e peso mais reduzidos, estes so muitas vezes preferidos para aplicaes de potncia mais elevada. Na topologia Push-Pull os interruptores T1 e T2 so activados alternadamente, sendo que indispensvel que ocorra um tempo de espera entre a activao de um e outro. Isto de modo a evitar a conduo simultnea de ambos. Estes devem ainda suportar 2Vin ao desligar e devido sua simetria, os circuitos limitadores snubbers devem ser cuidadosamente desenhados, visto interagir entre si. O circuito Half-Bridge muito similar ao Push-Pull tendo como principal modificao a utilizao de condensadores de modo a reduzir a tenso sentida nos interruptores a Vin. A topologia Full-Brige a mais verstil das apresentadas; aqui os condensadores presentes no Half-brige so substitudos por interruptores, passando deste modo a operar em pares T 1-T3 e T2-T4, alm de poder funcionar como conversor DC CA. Com o algoritmo de controlo adequado, a agregao de transformadores em paralelo permite aumentar a potncia de funcionamento do conversor.

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Energia PV

2.21: TOPOLOGIAS DE CONVERSORES COM ISOLAMENTO GALVNICO. (TOPOLOGIAS: STMICROELECTRONICS)

A necessidade de conversores com isolamento elctrico pode ser explicada tomando como referncia os mdulos fotovoltaicos existentes no laboratrio do DEE, BS 40. Os mesmos permitem uma associao em srie de at 10 mdulos que debitam uma potncia 400 W em MPP, com uma tenso mxima de 600 Vca em circuito aberto e 445 VDC em MPP. A ligao de um painel PV, ou string PV, formada por este tipo de mdulos num sistema PV ligado rede necessitaria sempre de optar por um conversor redutor de tenso tipo buck. Isto de modo a colocar a tenso na regio dos 230 VDC para seguidamente esta ser passada por um inversor para injeco na linha a 230 Vca.

2.5.1.4.2 O C ONVERSOR F LYBACK

O conversor Flyback um derivado do conversor Buck Boost que adiciona topologia o isolamento elctrico atravs da utilizao de um transformador. A bobine de potncia presente no Buck-Boost substituda por um transformador especfico tipo flyback, que basicamente uma bobine de potncia com mltiplos enrolamentos. A figura 2.22 mostra o andamento das correntes que o transformador sofre, note-se que o ncleo do transformador v o valor total do tremor (variao) da corrente. O que em funcionamento contnuo (CCM) equivale a dizer que o ncleo sofre poucas perdas ocorrendo o oposto em regime lacunar (DCM).

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Energia PV

2.22: ANDAMENTOS DAS CORRENTES NO PRIMRIO E SECUNDRIO DE UM TRANSFORMADOR "FLYBACK". (FONTE: MAGNETICS DESIGN HANDBOOK TEXAS INSTRUMENTS, 2001)

Existem diversas verses deste circuito, a mais bsica, com um nico interruptor utilizada em potncias que vo dos 30 aos 250 W (valores tpicos). Na figura 2.23 so apresentados os diagramas da topologia. A figura a) mostra o diagrama bsico do circuito Flyback; na figura b) este esquema expandido com a introduo de uma bobine que representa a indutncia de magnetizao do transformador. Nesta verso o interruptor sofre um pico de tenso de cada vez que desligado, o valor deste determinado pela frequncia de trabalho, pelo condensador de sada do circuito e pelo valor da indutncia de fuga do primrio para o secundrio do transformador. Esta situao obriga aplicao de uma malha sunbber para proteger o interruptor (figura 2.23 c)).

2.23: TOPOLOGIA FLYBACK SIMPLES.

A figura 2.24 mostra duas solues possveis para aumentar potncia produzida por este tipo de conversor. O diagrama da figura 2.24 b) mostra a utilizao de dois interruptores com dois dodos. Estes dois interruptores dividem entre si o pico de tenso que surge ao desligar e os dodos aos quais se encontram ligados limitam a tenso exercida sobre eles. Esta configurao alivia as exigncias impostas sobre o transformado o que permite aumentar a frequncia de trabalho conversor. Pgina 30

Energia PV Uma outra soluo possvel para conseguir que o conversor suporte um valor mais elevado de potncia consiste na agregao de vrios transformadores em paralelo (figura 2.24 a)), esta soluo permite limitar as dimenses do conversor. O transformador flyback, no em si um transformador de alta frequncia como os utilizados nas topologias apresentadas no captulo anterior, logo o seu tamanho pode chegar a ser significativo. Esta situao torna associao em paralelo de vrios transformadores Flyback uma alternativa mais atractiva que a utilizao de um nico transformador. As equaes do circuito so bastante semelhantes s do buck-boost, sendo a grande diferena o estabelecimento do modo de funcionamento (CCM/DCM) do conversor que em vez de surgir do valor de Lcrt dada pela resoluo de equao de indutncia de magnetizao Lm.

Equaes para a Topologia Flyback para regime no lacunar (CCM): (44) (V) (H) (F) (45) (46) (47)

2.24: DERIVAES POSSVEIS DO CIRCUITO FLYBACK PARA SUPORTAR MAIORES POTNCIAS.

2.5.2 INVERSORES DC-AC

At ao momento tem-se discutido a produo de energia elctrica em DC, mas a realidade que a distribuio e utilizao de energia elctrica realizada em AC, assim obrigatrio a introduo de um inversor entre os painis fotovoltaicos e a linha. Pgina 31

Energia PV A natureza destes inversores depende da sua utilizao, sistemas isolados desligados da rede necessitam de um controle interno para a comutao dos interruptores, mas no necessitam de cumprir normativas to restritivas como as aplicadas a sistemas ligados rede. Quando se trata de sistemas de inversores ligados rede de distribuio a comutao destes controlada pela rede de modo a ficarem sincronizados. Do mesmo modo a amplitude de onda, frequncia e forma da corrente tem de seguir os padres estabelecidos pela entidade que explora a rede elctrica nacional (REN). ainda necessrio garantir que o inversor se desligue imediatamente no caso de falha da rede para evitar o fenmeno de ilha. A escolha de um inversor para aplicar a um sistema PV deve ter em conta a natureza especfica deste sistema. Devido variao que ocorre na irradiao solar incidente, o inversor estar a maior parte do tempo a operar com carga parcial. Um painel de 600 Wp poucas vezes estar a operar a esse nvel. Assim o rendimento deste (inversor) com carga parcial deve ser uma caracterstica a ter em conta, pois as perdas com funcionamento permanente neste regime podem ser significativas. Uma medida de comparao entre inversores PV o rendimento euro , que dada:

(47)

Esta equao toma em considerao a operao em carga parcial com valores de radiao tpicos na Europa central. O dbito energtico ideal de um sistema PV com uma rea APV, rendimento de mdulos de para uma radiao dada de HSolar dado por Eideal, mas na realidade o dbito de um sistema PV inferior a este valor, factores como a temperatura da clula (afectada por temperaturas ambientes elevadas), o efeito sombra, a sujidade dos mdulos, as perdas no conversor CC-CC (se existir) e as perdas no inversor somam-se para reduzir a capacidade do sistema, assim surge a razo de aproveitamento (PR Performance Ratio) que descreve a relao entre o dbito de energia real/ideal. Bons sistemas fotovoltaicos tm valores de PR na ordem dos 0.75 (75 %), sendo que sistemas muito bons chegam aos 0.8 e sistemas problemticos tem razes abaixo dos 0.6. O valor de 0.75 utilizado como referncia para desenho de sistemas PV, isto sem considerar o efeito sombra.

(48)

(49)

Um exemplo da utilizao deste mtodo de clculo seguidamente apresentado. Utilizando 10 mdulos de silcio amorfo (a-Si) de 1 m para formar um painel PV. Estes possuem um rendimento de 0.08 (8%) e esto expostos a uma irradiao solar tpica de 1100 kWh/m, (valores tpicos do PVGIS para Portugal). Assim teremos:
2

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Energia PV

2.5.2.1 A SSOCIAO DE I NVERSORES

Normalmente os mdulos fotovoltaicos encontram-se ligados em srie at somar a potncia desejada (ou at capacidade mxima de associao em srie/paralelo destes, figura 2.25 a)). Este valor de cerca de 1 kW para mdulos de silcio policristalino (poli-Si), dificilmente superando os 300 a 400 W para Silcio amorfo (a-Si). Estes painis so depois ligados a inversores, (centrais de Moura e Mrtola, ver anexo 1), que por sua vez so ligados rede. No caso de sistemas integrados em edifcios (BIPV) a ligao feita directamente a rede de casa, apesar de que no caso de Portugal esta ligao no ser possvel, a lei obriga que todas as ligaes de microproduo energtica sejam feitas rede atravs de um contador do distribuidor (EDP). Para centrais de produo elctrica PV a ligao dos inversores feita a transformadores de mdia tenso para injeco na rede elctrica. A associao de painis em paralelo permite um melhor rendimento quando comparado com a utilizao de um nico inversor central, no entanto no consegue evitar os problemas criados pela degradao do rendimento de um nico mdulo, situao que pode efectivamente parar todo o painel, caso provoque que a potncia produzida por este fique abaixo dos valores de funcionamento limite do inversor. Um meio para resolver esta situao a associao apresentada em 2.25 b), a utilizao de um inversor por mdulo permite o aproveitamento mximo da capacidade do mdulo, mas esta uma soluo mais dispendiosa que diminui o rendimento nominal de todo o sistema fotovoltaico.

2.25: ASSOCIAO DE INVERSORES COM PAINIS PV.

2.6

ALGORITMOS DE SEGUIMENTO DE POTNCIA MXIMA (MPPT)

O objectivo de um seguidor de potncia mxima (MPPT) o de manter o painel PV a operar na sua capacidade mxima para as condies de irradiao e temperatura que se verifiquem no momento. Existem diversas tcnicas de MPPT, algumas j aplicadas a sistemas comerciais como os mtodos Perturbar e Observar (P&O Perturb and Observe), de Condutncia Incremental (IC Incremental Condutance) e Tenso Pgina 33

Energia PV Constante (CV Constant Voltage); outros mtodos so mais experimentais e ainda no encontraram o seu caminho para aplicaes comerciais, (redes neuronais aplicadas ao controlo MPP e lgica Fuzzy, (Faranda, 2008)). Tendo em conta a natureza deste texto apenas sero apresentados alguns dos mtodos mais difundidos.

2.6.1 O PROBLEMA DOS MXIMOS LOCAIS

Um dos problemas mais complicados de contornar que ocorre nos painis PV o dos mximos locais. A figura 2.26 mostra uma curva P V onde esta situao ocorre. Esta situao no to incomum como possa aparentar primeira vista; sujidade, falha de clulas individuais dentro de um mdulo ou o efeito da sombra em um ou mais mdulos podem provocar esta situao. O problema dos mximos locais surge com a utilizao um qualquer mtodo de seguimento. Na figura 2.26 o seguidor comea a percorrer a curva I V atingindo o ponto A. Qualquer variao em torno deste ponto vai resultar num decremento da potncia produzida, forando a que o controlador inverta o seu sentido para voltar ao ponto A. Uma soluo possvel para este problema escolher um passo de V o suficientemente grande que permita saltar para o ponto A. Uma outra soluo possvel consistem em associar pesos a diversos passos e fazer a mdia destes de modo a obter o sentido da evoluo do MPP. Pode-se ainda percorrer parte da tenso de funcionamento do painel para encontrar o MPP. Distintos mtodos foram j propostos para contornar esta situao, mas nenhum deles entrou ainda em utilizao a larga escala em grande parte devido sua complexidade, custos e dificuldade de implementao.

2.26: MXIMOS LOCAIS PROVOCADOS POR DEFICINCIAS NOS MDULOS PV.

2.6.2 MTODO DA TENSO CONSTANTE (CV)

O mtodo da tenso constante (CV) um dos algoritmos mais simples que existem para o controlo do MPP de um painel PV. O ponto de funcionamento do painel mantido perto do MPP atravs da regulao da tenso de sada do painel (Vout) com uma tenso de referncia fixa (Vref) para o painel (figura 2.27). Esta tenso obtida da caracterstica de VMPP do mdulo PV, ou um valor estipulado pelo fabricante para o MPP do painel. Pgina 34

Energia PV Este mtodo despreza alteraes que possam ocorrer nos valores radiao solar e temperatura da clula, alm de que assume Vref como uma boa aproximao ao verdadeiro MPP do painel. A posio do painel, a regio na qual ele se encontra e at a estao do ano alteram os valores de VMPP o que leva a que o painel nunca funcione no seu mximo, sem que seja necessrio alterar com alguma frequncia o valor de Vref. Deve ser notado que este mtodo particularmente efectivo quando os nveis de radiao so baixos superando claramente os mtodos P&O e IC; assim, em algumas situaes este mtodo combinado com os outros mtodos. A figura 2.27 mostra o fluxograma de funcionamento do mtodo CV e o seu diagrama de blocos.

2.27: MTODO DE TENSO CONSTANTE (CV).

2.6.3 CORRENTE DE CURTO-CIRCUITO (SC)

Para o mtodo de corrente de curto circuito (SC) o MPP conseguido atravs da utilizao de uma corrente de funcionamento (Iop) como fonte de controlo do conversor CC-CC. O fundamento deste mtodo baseia-se no facto de que a relao entre a corrente no MPP (IMPP) e a corrente de curto-circuito (ISC) so controladas por um factor de relao (k), praticamente linear para diferentes nveis de radiao. Assim para obter a corrente de funcionamento para num dado instante para um valor de radiao Eir, basta multiplicar a corrente de curtocircuito pelo factor de relao k.

(A)

(49)

Este tipo de operao permite uma velocidade seguimento do MPP bastante rpida, mas devido dificuldade de medir com preciso o valor de ISC em situaes reais o seguimento no demasiado efectivo. Por outro lado a necessidade de medir a corrente de curto circuito (ISC) obriga a introduo de um interruptor e um dodo de bloqueio em paralelo no conversor CC CC. Estes so instalados de modo a criar o curto-circuito; alm dos Pgina 35

Energia PV custos adicionais e perdas especficas nos semicondutores que esta soluo acarreta, sempre que medida ISC a tenso do painel nula e nenhuma energia produzida, diminudo ainda mais o rendimento do conjunto. A figura 2.28 mostra o fluxograma de funcionamento do mtodo SC, a), e o seu diagrama de blocos b).

2.28:MTODO DE CORRENTE DE CURTO-CIRCUITO.

2.6.4 PERTURBAR E OBSERVAR (P&O)

O mtodo perturbar e observar (P&O) um dos mtodos de seguimento de potncia mxima mais comuns e mais simples de implementar. O seu funcionamento consiste em periodicamente perturbar (aumentar ou diminuir) a tenso Vout (ou corrente Iout) de sada do painel PV, (atravs de do conversor). Sempre que variado calcula-se o novo valor de potncia Pout(k) e este comparado com o valor anteriormente existente Pout(k-1). Se o valor da tenso mudar e existir um aumento na potncia produzida o controlador move o ponto de MPP nesta direco, sendo a prxima perturbao nesse mesmo sentido, caso Pout diminua, no prximo ciclo a perturbao efectua-se no sentido inverso. O valor da perturbao introduzida tem um valor fixo, de alguns volts, dependente da tenso de sada do painel (<1% de Vout) e ocorre a cada ciclo de funcionamento, esta situao provoca que o MPP nunca seja estvel. O valor das perturbaes introduzidas provoca uma oscilao em torno de este ponto, ou seja a tenso Vout est sempre a variar o que implica perdas em Pout. Esta situao particularmente notria quando as condies de irradiao variam muito lentamente (caso de um dia normal de Vero), por outro lado no caso de variaes bruscas nas condies atmosfricas o sistema pode falhar, perdendo a sua posio na curva P V. Na figura 2.29 podemos ver um exemplo. Admitindo que o sistema se encontra a funcionar no ponto A uma perturbao (V) vai levar o sistema para o ponto B, isto leva a que no prximo ciclo a perturbao ocorra no sentido inverso, visto Pout(k) < Pout(k-1), no entanto se entretanto a curva de potncia passar de P 1 para P2, isto leva a que a variao em vez de estar em B passa a estar em C. O controlador v este aumento de potncia Pgina 36

Energia PV como indicao da orientao correcta da perturbao V, caso a situao continue e passe a estar em jogo uma nova curva P3 o sistema vai continuar a divergir do seu MPP.

2.29: DIVERGNCIA DO MPP PARA P&O, CURVA P-V.

Na figura 2.30 pode ver-se o fluxograma de funcionamento para este mtodo. Como j foi referido, se uma perturbao conduz ao aumento de Pout a prxima perturbao manter o sentido da anterior, caso contrrio a perturbao ser na outra direco. A variao da tenso obtida alterando o duty cycle () do conversor, onde as setas (,) equivalem a uma diminuio ou aumento do mesmo, tornando-se evidente a oscilao provocada em torno do MPP por constantes variaes de .

2.30: MTODO P&O CLSSICO.

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Energia PV

2.6.4.1 V ARIAES DO M TODO P&O

Existem diversas variaes deste mtodo, sendo que as duas principais so seguidamente descritas.

P&O com Mdia de Amostras

Quando a mdia de amostras utilizada o ajuste feito a partir de uma coleco de amostras, calculando a sua mdia. Como a frequncia de funcionamento do conversor DC e do circuito controlador MPP so significativamente mais elevadas do que qualquer alterao significativa que possa ocorrer na curva de potncia do PV, possvel realizar esta operao sem grandes constrangimentos.

P&O com Peso de Trs Perturbaes

O mtodo P&O com peso de trs perturbaes surge como modo de contornar o problema da oscilao em torno do MPP. A comparao de valores de potncia produzida realizada com a mdia ponderada de trs pontos de operao. A figura 2.31 mostra as 9 combinaes possveis do peso (imagem de cima), o seu funcionamento ocorre do seguinte modo:

So medidos trs pontos de funcionamento na curva P-V, um primeiro ponto, A corresponde ao ponto de funcionamento actual do MPP, um segundo ponto, B, perturbado num sentido de A e um terceiro ponto, C, perturbado no sentido oposto ao do ponto A. Para os pontos de A e B, se a potncia sofrer um incremento, o peso atribudo recebe um sinal positivo (+) caso contrrio recebe um sinal negativo (-). Para A e C, se de A para C existir uma diminuio da potncia, o sinal atribudo positivo (+) caso contrrio negativo (-). Sempre que dois sinais tiverem um peso positivo, (++), o duty cycle aumentado. Sempre que dois sinais tiverem um peso negativo, (--), o duty cycle diminudo. Sempre que dois sinais tiverem pesos contrrios, (+-, -+), o duty cycle mantm-se inalterado.

Os sinais contrrios implicam que o sistema se encontre no sue MPP, as condies atmosfricas estejam a variar rapidamente.

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Energia PV

2.31: PONTOS DE OPERAO POSSVEIS PARA P&OC (CIMA) E FLUXOGRAMA DE FUNCIONAMENTO .

2.6.5 CONDUTNCIA INCREMENTAL (IC)

O funcionamento do algoritmo de condutncia incremental (IC) baseia-se na equao 51. feita a derivada da potncia em relao tenso e seu resultado igualado a zero. O resultado da equao 52 representa a condutncia instantnea do painel PV, sendo que representa a condutncia incremental do painel, assim quando o sistema se encontra no seu MPP ambas as quantidades tem de ser iguais mas de sinal contrrio.

(50) (51)

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Energia PV Da equao 52 retiram-se trs equaes (52 a, b, c), estas permitem determinar o sentido da perturbao a introduzir no sistema (,). Quando a equao 52 a) satisfeita o sistema encontra-se no seu MPP, no existe alterao do duty cycle e o sistema mantido a operar neste ponto at existir uma alterao do valor da corrente.

(52 a)) (52 b)) (52c))

2.32: FLUXOGRAMA DE OPERAO DO ALGORITMO DE CONDUTNCIA INCREMENTAL (IC).

Uma modificao proposta na literatura sobre o algoritmo IC consiste na sua combinao com o mtodo de CV tenso constante. Quando a radiao incidente for inferior a 30% da radiao nominal o sistema controlado por este segundo algoritmo. A aplicao deste mtodo requer a leitura da irradiao incidente com os custos inerentes. Testes realizados sobre o rendimento de diversos algoritmos em diferentes situaes atmosfricas demonstram que existe pouca diferena entre o mtodo P&O e IC apontando para valores de rendimento de 97.82 % e 97.42 % respectivamente. Por contraste os valores para o controlo feito com o mtodo CV no vo alm de 90.98 %, (Hohm, 2003). A implementao do algoritmo IC mais dispendiosa que o P&O, especialmente se for escolhido uma variao do mesmo. Esta situao junto com os valores de rendimento registados para P&O explica a razo pela qual este o mtodo mais difundindo para o seguimento MPPT.

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Energia PV

2.6.6 OUTROS ALGORITMOS

Os mtodos referidos atrs so os mais comuns, no entanto existem alguns outros que ocasionalmente se encontram e que merecem referncia.

TENSO EM ABERTO (OV OPEN VOLTAGE)

O funcionamento de um seguidor de tenso em circuito aberto (OV) muito semelhante do sistema de seguimento da corrente de curto-circuito, sendo este aplicado tenso. A tenso em MPP tem uma relao prxima (em %) da tenso em circuito aberto (Vca), sendo que variaes na temperatura e radiao modificam este valor numa janela de 2%. De um modo geral utilizado o valor de 76% de tenso Vca para o valor de VMPP. De modo anlogo a SC, OV requer que o painel seja desligado do conversor de modo a medir a tenso em aberto, com os inconvenientes que tal acarreta.

MEDIO DA TEMPERATURA
A tenso em vazio da clula solar varia principalmente com a temperatura qual se encontra. Obtendo os valores da temperatura da clula, tenso do painel e/ou radiao incidente possvel atravs da aplicao da formula especifica encontrar o ponto de funcionamento MPP do painel.

CLULA PILOTO
No mtodo de seguimento da clula piloto utilizada uma clula com as mesmas caractersticas das presentes nos mdulos do painel. Esta encontra-se posicionada junto com o painel de modo a estar sujeita s mesmas condies de radiao e temperatura. Um algoritmo de OV ou SC primeiramente aplicado sobre a clula piloto, quando o ponto MPP da clula encontrado os resultados so aplicados no painel. Este mtodo elimina as perdas provocadas por estes mtodos para medir Isc e Vca. Por outro lado a clula utilizada tem de ser seleccionada cuidadosamente para que possa reflectir correctamente o comportamento do painel. A clula piloto devido sua localizao pode no estar nas mesmas condies gerais que o resto do painel (sujidade, sombra), o que pode levar a um MPP errado.

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Prototipagem

3 DIMENSIONAMENTO DE UM SISTEMA PV
Neste captulo abordada a modelao de um sistema fotovoltaico. Partindo das equaes de Quaschning para os mdulos PV, apresentadas no captulo 2.4 estudada a ligao em srie destes mdulos e feita a simulao do painel PV resultante. Seguidamente dimensionamento um conversor DC-DC tipo Flyback para o mesmo ser utilizado com este painel.

3.1 PAINEL PV
Para dimensionar um sistema fotovoltaico comea-se pelas caractersticas dos painis que se escolheram, neste caso, estes eram do modelo BS 40 da Bangkok Solar. Quando o dimensionamento deste sistema PV foi iniciado existiam 2 mdulos nos laboratrios. As suas caractersticas constam da tabela 3.1. Utilizando como base, um simulador construdo em Mathlab para mdulos PV e recorrendo quando necessrio aos modelos matemticos programados numa folha de clculo, obteve-se o comportamento aproximado dos mdulos em distintas situaes de funcionamento. Os grficos das figuras 3.1 e 3.2 mostram o comportamento estimado de dois mdulos ligados em srie em condies STC (1000 W a 25 C), na figura 6.3 mostrado a curva P V para uma ligao de 9 mdulos em srie. Confrontando os valores das ilustraes com os dados do fabricante, verifica-se que o modelo tem um comportamento dentro do esperado.
3.1: CARACTERSTICAS TCNICAS DOS PAINIS SOLARES UTILIZADOS.

Bangkok Solar BS 40 Material Pmax (Wp) VMPP (V) IMPP (A) Vca (V) Icc (A) Dimenses (mm x mm) 2 rea (m ) Peso (kg) Fusvel de proteco srie (A) Dodo By-pass Tenso Mxima Admissvel em funcionamento (painel) (V) Condutores Elctricos Seco 2 (mm )

a-Si (Silcio Amorfo) 40 44.8 0.90 62.2 1.16 635 x 1245 0.8 13.5 4 3 A, 800 V 600 1.5

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Prototipagem

3.1: CURVA I-V DE DOIS MDULOS PV LIGADOS EM SRIE EM CONDIES STC (1000 W, 25C).

3.2: CURVA P V DE DOIS MDULOS PV EM SRIE EM CONDIES STC.

Tomando os valores da tabela 3.1, verifica-se que este tipo de mdulos permite uma associao em srie de at 600 V, daqui resulta uma capacidade mxima de produo de 360 W correspondente a 9 mdulos em srie. A utilizao de 10 mdulos iria colocar a tenso em circuito aberto em 622 V (400 W), esta situao poderia por em risco a integridade dos mdulos, visto que os valores so dados para condies STC. A irradiao solar em Portugal ultrapassa frequentemente esse valor.

3.3: CURVA P V PARA 9 MDULOS EM SRIE EM STC.

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Prototipagem Conhecendo as caractersticas dos mdulos e aplicando as equaes 20 e 22 da seco 2.2.1 consegue-se obter o comportamento aproximado do mdulo para as diversas condies de temperatura e radiao. A tabela 3.2 mostra os valores obtidos para a temperatura de 25 C para diversos valores de radiao. Esta tabela permite estimar os valores de funcionamento pretendidos para dimensionamento do conversor DC DC.
3.2: CARACTERSTICAS DE UM MDULO BS 40 A 25 C.

Radiao (W/m ) 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000

Tenso (V) 34,4 38,9 41,5 43,4 44,8 46,0 47,0 47,8 48,6 49,3

Corrente (A) 0,2 0,4 0,5 0,7 0,9 1,1 1,3 1,4 1,6 1,8

Potncia (W) 6,2 14,0 22,4 31,2 40,3 49,7 59,2 68,9 78,8 88,7

A figura 3.4 ilustra o comportamento esperado de um mdulo PV com irradiao constante e temperatura da clula PV varivel.

43 42 41 40 39 38 37 36 35 0

42,2 41,4 40,7 40,3 39,9 38,3 36,2 10 20 25 Temperatura (C) 30 50 75

Potncia (W)

3.4: CURVA DE POTNCIA TEMPERATURA EM RADIAO STC, (1000 W), DE UM MDULO BS-40.

A simulao do funcionamento dos mdulos permite obter alguns dados interessantes para a determinao dos parmetros operacionais do sistema. A tenso mnima produzida por um mdulo de cerca de 30 VDC (a 75 C com 200 W de irradiao), analogamente o valor mximo de 53 VDC ocorre a 0 C com 2000 W de irradiao solar. Em condies normais estas situaes dificilmente poderiam acontecer, no entanto aplicando estes valores a 2 mdulos obtm-se o regime operacional do conversor DC, (60 a 106 VDC). A tabela 3.3 mostra os valores de tenso, corrente e potncia no ponto de potncia mxima do painel em condies STC.

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Prototipagem
3.3: ASSOCIAO SRIE DE MDULOS.

Mdulos VMPP (V) IMPP (A) Pmax (Wp)

2 89.6 0.9 80.6

9 403.2 0.9 362.9

3.2 CONVERSOR DC DC
A figura 3.5 mostra a topologia Flyback pela qual se optou. Este esquema inclui uma bobine em paralelo com o transformador que representa o valor de indutncia de magnetizao.

3.5: TOPOLOGIA FLYBACK A PROJECTAR.

Num primeiro passo escolhem-se as especificaes que se desejam para o conversor. Como foi referido em 2.5.1 e tendo em conta a tenso de funcionamento do painel PV indispensvel existir isolamento galvnico (Vin > 45 VDC), por isso a topologia escolhida ter de ter um transformador, (ferrite). Existe todo o interesse em que a sada do conversor DC DC seja um valor de tenso tal que este torne mais simples o controlo do inversor DC AC que ter de ser aplicado entre o conversor e a linha de distribuio local. Alternativamente pode ser interessante disponibilizar alguns outros valores de tenso DC, como sejam 12 VDC ou 5 VDC, isto para carga de baterias ou para alimentar alguns equipamentos que funcionem em DC. Se for tomado como ponto de partida um painel formado por dois mdulos BS 40, tm de se seleccionar uma topologia tipo boost. Ora no existem comercialmente topologias isoladas tipo boost, de um modo geral dada preferncia a conversores tipo buck-boost por suportarem uma gama mais alargada de tenses de funcionamento. O mais comum destes conversores o conversor Flyback, sendo que tambm j se encontram alguns conversores tipo SEPIC (Single-Ended Primary Inductance Converter), o problema destas topologias encontra-se no valor elevado de corrente que o interruptor tem de suportar. Pgina 45

Prototipagem

3.2.1 DIMENSIONAMENTO
Comeando por considerar um valor de rendimento tpico de 75 %, parte-se para a obteno dos parmetros do conversor, assim tem-se:

= 0.75 (valor tpico).

Este valor de rendimento leva aos seguintes valores de tenso, corrente e potncia de sada:

(W) (VDC) (A)

Dos valores obtidos atravs da simulao dos mdulos solares especificam-se os valores de tenso de funcionamento para o conversor:

(A)

(A)

Para um conversor deste tipo a corrente de pico sentida pelo interruptor dada por Ipico, sendo que o valor de K varia de acordo com a topologia. Este valor de K = 5.5 para a topologia Flyback.

(A)

Arbitrou-se uma frequncia de trabalho de 50 kHz. Sendo um valor bastante comum esta frequncia no impe um esforo demasiado grande sobre a maioria dos materiais dos transformadores utilizados nesta topologia.

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Prototipagem

O valor do Duty Cycle obtido resolvendo a equao 44 com os valores de tenso de entrada e sados escolhidos. Nos clculos optou-se por desprezar a queda de tenso no dodo de sada, visto Vd << Vin.

Na tabela 3.4 so apresentados os valores de Duty Cycle calculados para vrias relaes de transformao (n).

3.4: VALORES DE DUTY CYCLE PARA VRIAS RELAES DE TRANSFORMAO (N).

1 0,87 0,82 0,79

2 0,77 0,69 0,65

4 0,63 0,53 0,49

6 0,53 0,43 0,39

8 0,45 0,36 0,32

De modo a colocar o Duty Cycle dentro de valores aceitveis que no sobrecarregassem o interruptor optou-se por uma relao de transformao n = 4, utilizaram-se os valores de de 0.49, 0.53 e 0.63 , para as condies de Duty Cycle mnima, nominal e mxima, respectivamente. O modo de funcionamento contnuo/ lacunar controlado pelo valor de indutncia crtico, Lm, da equao 46, sendo o valor da resistncia de carga calculado atravs da potncia de sada do conversor.

(H) k

A tabela 3.5 mostra os valores de indutncia crticos que controlam a passagem entre o modo de conduo contnua ou funcionamento lacunar. Estes valores foram calculados com os valores de anteriormente escolhidos.

3.5: VALORES DE LM PARA VARIAS RELAES DE TRANSFORMAO.

1 1,70E-07 3,31E-07 4,39E-07

2 2,13E-06 3,79E-06 4,80E-06

4 2,25E-05 3,55E-05 4,24E-05

6 8,08E-05 1,18E-04 1,36E-04

-5 -5

8 1,90E-04 2,62E-04 2,95E-04

Para uma relao de transformao 4 os valores de Lm variam de 2.25 x 10 a 4.24 x 10 H. De modo a garantir o correcto funcionamento dentro dos parmetros, optou-se por arbitrar um valor de indutncia algo mais elevado que o valor obtido no clculo, foi lhe atribudo o valor de Lm = 60 H. Pgina 47

Prototipagem A capacidade mnima para o condensador de sada dada pela frmula 47, neste caso considerou-se como aceitvel uma oscilao de 10 % na sada, o que equivale a um tremor na sada de 40 V:

(F)

Na tabela 3.6 so apresentados os valores mnimos para o condensador de sada com diversas relaes de transformao nos valores de anteriormente escolhidos.

3.6: VALORES DE CMIN PARA DIVERSAS RELAES DE TRANSFORMAO.

n min. nom. mx.

1 6,57E-08 6,18E-08 5,97E-08

2 5,81E-08 5,22E-08 4,93E-08

4 4,72E-08 3,99E-08 3,67E-08

6 3,97E-08 3,23E-08 2,92E-08

8 3,43E-08 2,72E-08 2,42E-08

Do mesmo modo que ocorreu para o clculo de Lm, escolheu-se valor para o condensador acima do mnimo necessrio para garantir o resultado desejado; assim fez-se C = 1 F.

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Prototipagem

4 SIMULADOR DE UM SISTEMA PV
De modo a validar o sistema dimensionado no captulo anterior foi elaborado um simulador que permitisse estudar o comportamento dos diversos componentes envolvidos no sistema. Utilizando ferramentas computacionais matemticas, possvel modelar e visualizar (atravs de grficos) com alguma facilidade o comportamento instantneo isolado de cada componente. O mesmo j no aplicvel quando pretende obter a resposta dinmica de todos os componentes do sistema em condies variveis de temperatura, irradiao. Uma folha de clculo, por exemplo, no permite alterar com facilidade o nmero de mdulos ligados, testar diferentes tipos de conversores e inversores, assim como estudar a resposta a diferentes tipos de algoritmos de seguimento. Optou-se por construir um simulador to modular quanto possvel no qual existisse a possibilidade de trocar qualquer um dos componentes envolvidos sem se afectar o funcionamento do sistema. A figura 4.1 mostra um sistema fotovoltaico tpico com inversor que poderia ser implementado no simulador.

4.1: SISTEMA PV TPICO COM INVERSOR DE TRANSFORMADOR DE ALTA FREQUNCIA.

4.1 SISTEMA PV MODELADO

Com o intuito de produzir um simulador relativamente acessvel a qualquer utilizador e que no exige-se profundos conhecimentos de programao, optou-se por utilizar a ferramenta Simulink presente no MatLab. Esta ferramenta conta com uma abundante biblioteca de electrnica de potncia (SimPowerSystems), esta biblioteca facilitou a modelao dos diversos componentes e a verificao da sua resposta em diversas situaes. A utilizao do Simulink pelo utilizador feita de modo grfico, atravs de objectos, o que permite uma aprendizagem relativamente expedita do sistema. No entanto existem algumas situaes que exigem um cuidado especial, como seja a interligao entre as diversas bibliotecas que compem o Simulink.

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Prototipagem De um modo geral os blocos modelados na biblioteca principal tm um sinal de sada interpretado como lgica TTL, estes permitem actuar directamente ou com pouca manipulao em sinais de controlo de transstores e actuadores. Por outro lado se objectivo do utilizador for o de modelar valores de tenso ou corrente variveis e interpretveis pela biblioteca SimPowerSystems torna-se necessria a utilizao de blocos de gerao de sinais de tenso e corrente. Na figura 4.2 esto ilustrados os principais componentes que constituem o simulador implementado. O painel PV corresponde a um mdulo que pode ser ligado de modo a formar painis, este configurvel de modo a reflectir diferentes tipos de tecnologias. O driver PWM utilizado para modular o sinal de correco proveniente do seguidor MPPT que vai comandar o integrado que controla o consumo da corrente fornecida pelo conversor DC DC.

4.2: COMPONENTES PRINCIPAIS DO SIMULADOR.

4.1.1 PARMETROS DE SIMULAO

O Simulink funciona aplicando mtodos de equaes diferenciais nos modelos criados para obter a sua resposta no tempo. O tipo de algoritmo de clculo (solver), a base de tempo e o tamanho/tipo do seu passo (fixo ou varivel) aplicados mostraram ter um impacto significativo, no s nos resultados observados como tambm no tempo que de simulao. Esta situao tornava-se mais notria com a aplicao de componentes passivos, (bobines e condensadores) de pequenas dimenses.

4.1: PARMETROS DE SIMULAO.

Solver Ode3 Ode23

Base de Tempo -6 10E -4 -6 10E (10E no arranque) Pgina 50

Passo de clculo Fixo Varivel

Prototipagem O resultado mais satisfatrio foi obtido como os parmetros da primeira linha da tabela 4.1, os resultados comparativos podem ser vistos na figura 4.3, ambas as imagens encontram-se na mesma escala e podemos observar uma diferena muito significativa entre o erro utilizado para o controle do conversor CC, em ambas as simulaes, ao utilizar um passo fixo com uma ordem de grandeza capaz de acomodar a frequncia fundamental do sistema (50 kHz) o transformador consegue produzir uma tenso de sada dentro dos parmetros especificados, 400 V (10%) sem demasiadas oscilaes, o mesmo j no se verifica para a simulao efectuada com o mtodo ode23. de notar que o segundo mtodo o que foi recomendado pelo software para a simulao deste circuito. Foi realizada uma primeira simulao com os parmetros da primeira linha da tabela 4.1, sendo que sempre que possvel, foram contrastados os resultados desta simulao com os obtidos atravs de outros parmetros, quando foi julgado significativo este resultado foi includo no texto.

4.3: SADA DO TRANSFORMADOR, COM CARGA APLICADA; ODE 3 (CIMA), ODE 23 (BAIXO); NOTE-SE A DIFERENA NO ERRO E RESPECTIVO EFEITO NA SADA.

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Prototipagem

4.1.2 MDULO FOTOVOLTAICO

O mdulo fotovoltaico foi construdo de modo a ser facilmente modificado para corresponder a qualquer modelo de interesse. Os dados tcnicos do painel (Vca, Icc, Pmax, etc.) podem ser alterados pelo utilizador e o seu comportamento controlado atravs das equaes 20 a 22. As entradas do painel so: a radiao e temperatura da clula, estas duas grandezas no necessitam de ser constantes durante o tempo de simulao e podem ser dadas como um vector de valores varivel no tempo. Isto permite analisar a resposta do circuito de seguimento de potncia mxima bem como do conversor DC DC em condies de entrada variveis. Como sada o painel tem uma tenso DC varivel, foram tambm modeladas a sada de corrente em funcionamento normal, a sada de corrente em curto-circuito, Icc, e a sada de tenso em circuito aberto, Vca. Estes valores permitem contrastar rapidamente o comportamento do mdulo fotovoltaico com os valores dados pelo fabricante. A figura 4.4 mostra o modelo construdo para um mdulo PV (esquerda), e ainda como o pormenor do algoritmo modelado para o clculo do valor da tenso em circuito aberto (direita).

4.4: MODELO DO MDULO PV, (ESQUERDA), PORMENOR DAS FUNES PARA O CLCULO DE VCA.

A utilizao de um modelo de painel bsico, reconfigurvel permite a sua associao em srie/paralelo com relativa facilidade. Esta opo permite simular qualquer tipo de sistema PV que se deseje estudar. No foi includo no simulador o dodo Bypass, cabe ao utilizador certificar-se que o sistema se encontra dentro das condies nominais de funcionamento. A modelao deste dodo no demasiado complexa, mas exige a incluso de um nmero extenso de componentes no modelo do painel PV, o que vai tornar a simulao mais pesada. Uma soluo mais eficiente para contornar esta limitao a incluso do dodo fora do modelo quando se julgue necessrio. Na figura 4.5 mostrado o modelo implementado no Simulink para a passagem do valor obtido para a tenso em circuito aberto atravs de um algoritmo para um valor interpretvel pela biblioteca SimPowerSystems. Pgina 52

Prototipagem

4.5: PORMENOR DO MDULO SOLAR, SADAS DE TENSO - CORRENTE (CIMA) E MODELAO DE TENSO (BAIXO).

A figura 4.6 apresenta os resultados obtidos da simulao de um mdulo BS 40 a diferentes temperaturas em condies de irradiao STC.

10 1,20 1,00 0,80 I (A) 0,60 0,40 0,20 0,00 0 5 10 15 20

25

50

75

25

30

35

40

45

50

55

60

65

V (V)

4.6: COMPORTAMENTO SIMULADO DO PAINEL BS 40 A VRIAS TEMPERATURAS DE CLULA EM CONDIES STC.

Na figura 4.7 mostrada a resposta do mdulo BS 40 simulado, com condies de irradiao varivel a uma temperatura da clula constante. So mostrados os valores de tenso em circuito aberto, tenso em MPP, corrente em curto circuito e corrente em MPP.

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Prototipagem

4.7: SADA DE TENSO E CORRENTE DO SIMULADOR.

A demonstrao da utilidade do simulador construdo ficou provada na situao que seguidamente descrita. No laboratrio de alta tenso do DEE foram montados trs inversores SWEA UWT-I-250. Estes foram ligados respectivamente, dois mdulos SWEA SWL 130 de 130 W ligados em paralelo; dois mdulos BS 40 ligados em paralelo e 3 mdulos BS 40 ligados em paralelo. Os inversores funcionaram com o valor de tenso de funcionamento inicial do painel e com o declive de uma recta imaginria de potncia que corresponde ao ganho de tenso por ampere (V/A). Este algoritmo de passo fixo conhecido como recta de potncia e o seu esquema de funcionamento pode ser observado na figura 4.8.

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Prototipagem

4.8: ESQUEMA DE FUNCIONAMENTO DA RECTA DE POTNCIA.

Estes valores so programados directamente nos inversores atravs de uma ligao HyperTerminal RS-232. Na figura 4.9 esta ilustrada a montagem dos inversores no laboratrio.

4.9: MONTAGEM DOS INVERSORES UWT-I-250 NO LABORATRIO DE ALTA TENSO DO DEE/FCT.

Para os mdulos SWL, no existiram problemas de funcionamento com os dados fornecidos pelo vendedor. O mesmo no se pode dizer para os mdulos BS-40, com os quais os inversores aparentavam no funcionar. Recorrendo ao simulador e adaptando-o para o tipo de ligaes dos mdulos, calcularam-se os valores de tenso inicial e declive. Estes valores foram de 34.5 V como tenso inicial para ambos os painis com um declive de 3.8 V/A e 5.4 V/A para a ligao de 3 e 2 mdulos respectivamente. Com estes novos valores programados nos inversores todos eles funcionaram normalmente. Pgina 55

Prototipagem

4.1.3 ALGORITMO MPPT

O primeiro algoritmo modelado foi o P&O descrito em 2.6.4, como foi referido esperado que a perturbao da tenso/corrente provoque uma alterao do Duty Cycle, com este a variar sempre em torno do MPP do mdulo solar. A figura 4.10 mostra o algoritmo P&O implementado no simulador.

4.10: MODELO P&O IMPLEMENTADO EM MATLAB.

A sada do seguidor MPP vai corresponder a um sinal de incremento, (1), que posteriormente vai ser modulado atravs de um sistema PWM que actuar sobre um transstor que controla uma carga consumidora ligada ao conversor DC DC. O sinal de controlo do algoritmo para o binmio de tenso corrente lida esta ilustrado na figura 4.11.

4.11: SINAL DE SADA DO SEGUIDOR MPP, (INC ), PARA VALORES DE TENSO/CORRENTE VARIVEIS.

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Prototipagem

4.1.4 CONVERSOR FLYBACK DC DC

O conversor flyback foi modelado com os valores calculados em 0, tendo sido testado com diversas tenses de entrada; a carga (consumidor) tem o valor Rc calculado. A figura 4.12 mostra o modelo que foi implementado para o conversor flyback. Inicialmente e para testes este conversor alimentado por uma fonte de tenso varivel, esta fonte foi posteriormente substituda pelo mdulo PV.

4.12: MODELO DA TOPOLOGIA FLYBACK IMPLEMENTADA.

Na figura 4.13 so mostrados os detalhes do bloco do transformador da figura 4.12.

4.13: PORMENOR DO MODELO DO TRANSFORMADOR.

Os resultados da simulao do conversor flyback esto ilustrados nas figuras 4.16 a 4.16. O seu comportamento encontrou-se dentro do esperado como pde observar-se.

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Prototipagem Na figura 4.16 pode ver-se que com uma tenso de alimentao abaixo do valor utilizado no dimensionamento, o conversor produz sempre no seu mximo. As oscilaes de sada encontram-se sempre abaixo do valor de sada esperado (400 VDC), mas dentro do valor de oscilao que foi considerado permissvel (40 VDC). Assim que se comea a operar dentro da gama de valores de entrada para os quais foi dimensionado a tenso de sada passa a ser praticamente a esperada, mas, por outro lado as oscilaes aumentam em torno deste valor. Na figura 4.15 verifica-se que as maiores oscilaes no comportamento do transformador ocorrem quando a tenso de entrada passa para 90 VDC. Este valor corresponde ao ponto de funcionamento nominal escolhido; note-se como os ajustes na tenso de entrada provocam variaes significativas no erro e respectiva sada do transformador. Finalmente na figura 4.16 v-se que o transformador suporta facilmente tenses acima da sua tenso nominal

4.14: COMPORTAMENTO DO CONVERSOR DC PARA TENSES DE ENTRADA DE 65 A 75 V.

4.15: COMPORTAMENTO DO CONVERSOR DC PARA TENSES DE ENTRADA DE 80 A 95 V.

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Prototipagem

4.16: COMPORTAMENTO DO CONVERSOR DC PARA TENSES DE ENTRADA DE 100 A 120 V.

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Prototipagem

5 MEDIDOR SOLAR COTS

De modo a verificar se o simulador desenvolvido para os painis solares funciona correctamente, dentro de valores aceitveis, necessrio contrastar os valores da simulao com valores medidos em condies reais nos prprios painis. Para saber a que condies de irradiao solar correspondem aos valores que estamos a medir torna-se necessrio utilizar um medidor de radiao solar. A figura 5.1 mostra o medidor solar que foi construdo para se poder contrastar os valores medidos nos mdulos fotovoltaicos com os valores obtidos por simulao.

5.1: MEDIDOR COTS CONSTRUDO.

Um medidor tpico adquirido numa qualquer loja tem um preo em torno aos 150.00 e, dependendo da preciso e sensibilidade ao espectro electromagntico, pode chegar a vrios milhares de euros. Neste caso, para uma utilizao tpica de instalao PV um dos aparelhos mais acessveis suficiente, apesar de que o custo de este seja ainda oneroso. A consulta de alguns fabricantes deste tipo de medidores revela que o seu funcionamento relativamente simples podendo ser adaptado a componentes disponveis. Assim recorrendo a alguns esquemas disponibilizados, partiu-se para construo de um medidor COTS, (commercial of the slef), com componentes disponveis em qualquer loja de electrnica a custo reduzido.

5.1 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO

O funcionamento deste tipo de medidor bastante simples. A fotoclula, fotododo neste caso, quando excitado pela irradiao incidente gera uma corrente proporcional a esta irradiao. De modo a conseguir valores de tenso utilizveis por um medidor simples ligada uma resistncia de carga em paralelo como fotododo, esta resistncia vai induzir um sinal de tenso proporcional corrente produzida pelo sensor. Pgina 60

Prototipagem A figura 5.2 mostra o esquema de funcionamento do medidor que foi implementado. esperado que este tipo de montagem produza um sinal de 0,1 a 0,2 V quando exposto luz directa em condies STC, sendo que estes condicionados pelo modelo de fotododo e valor da resistncia. Neste caso especifico o valor da resistncia recomendada era de 30 ohm (1%) para um fotododo tipo BPW 34.

5.2: ESQUEMA DE FUNCIONAMENTO DO MEDIDOR CONSTRUDO.

5.2 CONSTRUO E CUSTOS

Tendo em conta a figura 5.2, facilmente se v que o nmero de componentes necessrio bastante reduzido, tendo apenas de ser adicionada uma caixa onde estes possam ser montados e uma pequena placa de prototipagem para montagem da resistncia e fotododo. Na tabela 5.1 podem ver-se os custos mdios do medidor construdo.

5.1: LISTA DE COMPONENTES UTILIZADA E RESPECTIVOS CUSTOS.

Componente Medidor

Tipo Digital 3.5 (0-200 mV) 9V 30 (5%) BPW 34 GE304 - ABS 115x65x40 mm Encastrvel ABS 2x1,5 mm Pistas de Contactos

Custo 4,5

Pilha Resistncia Fotododo Caixa Interruptor

1,5 0,20 cent. (10 unidades) 1,2 3,8 2

Placa prototipagem Total

---13,2

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Prototipagem A assemblagem do medidor no foi por si um trabalho muito complexo, tendo apenas de se ter em ateno algum cuidado exigido pelos contactos de sinal de entrada do medidor e do fotododo, estes so sujeitos durante muito tempo ao contacto com o ferro de soldar correndo o risco de queimar, ficando inutilizados. A maior parte do tempo investido na construo deste medidor foi no ajuste dos componentes caixa, tendo sido necessrio realizar todos os entalhes com a maior preciso possvel, de tal forma que o medidor digital e o interruptor entrassem sobre presso, no sendo necessrios mais ajustes. J a placa onde foram montados a resistncia e fotododo foi cortada de uma maior utilizada noutros projectos sendo o seu custo negligencivel, a sua fixao caixa foi feita com cola quente. A figura 5.3 mostra o pormenor do interior do medidor construdo. A adopo desta soluo para a placa fez-se para permitir a troca de sensor e resistncia sem demasiada dificuldade. Quanto s resistncias, no existindo no fornecedor resistncias de 1% de tolerncia, foram adquiridas algumas unidades com 5%. Estas foram medidas vrias vezes, tendo sido escolhida uma que deu consistentemente a leitura de 30,0 . Para fixar a pilha de alimentao foi colocada uma pea de espuma na caixa de montagem. Apesar de no terem sido testados nesta ocasio foram adquiridos outros tipos de fotododos, SFH 203 e SFH 206; estes possuem uma resposta espectral algo diferente e consequentemente deveriam dar sinais algo diferentes nas mesmas condies de teste, sendo que provavelmente seria necessrio ajustar o valor da resistncia associada a cada um deles.

5.3: PARTE INTERIOR DO MEDIDOR.

5.3 TESTE COMPARATIVO

A verificao do comportamento do medidor COTS construdo foi feita contrastando medies efectuadas entre este com um aparelho calibrado.

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Prototipagem

5.3.1 PIRANMETRO DE REFERNCIA

O sensor utilizado como referncia foi o piranmetro SP-110 da Apogee Instruments, este tem o seu funcionamento baseado numa clula de silcio calibrada para medir a irradiao total em onda curta (300 a 1100 nm). Na figura 5.4 mostrado o piranmetro de referncia

5.4: PIRANMETRO SP-110.

A sua sensibilidade de sinal de sada corresponde a 5,00 W.m por mV, com uma preciso absoluta de 5% e 2 2 uma gama de medio de 0 a 1750 W/m , (sada de 0 a 350 mV), com 220 mV a 1100 W/m . Este sensor foi construdo de modo a ser utilizado numa estao meteorolgica ou qualquer outro tipo de estao de monitorizao estando ligado a um datalogger e estando fixo, com dimenses de 24x27,5 mm e cabo de ligao de 3 m. A resposta espectral da fotoclula utilizada por este piranmetro encontra-se ilustrada na figura 5.5, pode verse que esta resposta diferente da do fotododo utilizado no medidor COTS (figura 5.7). O custo deste sensor ronda os 160,00 (s sensor, sem base de montagem).

-2

5.5: RESPOSTA ESPECTRAL DO SP-110. (FONTE: APOGEE INSTRUMENTS).

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Prototipagem

5.3.2 METODOLOGIA DE TESTE

As medies de teste foram efectuadas a 14-06-2010 entre as 12:00 h e as 13:00 h com cu limpo e uma temperatura ambiente inferior a 26 C. A leitura do sensor de referncia foi realizada num PC com ligao ao datalogger ao qual o sensor se encontrava ligado. Para cada leitura referncia foram efectuadas trs leituras com o medidor COTS, que foram efectuadas com a clula em diferentes posies relativamente ao Sol. O tratamento dos dados foi realizado com na mdia dos valores obtidos para cada leitura. Entre cada leitura a clula foi tapada, depois de destapada esperou-se sempre algum tempo at que a leitura ficasse relativamente estvel. O fotododo foi ainda deixado exposto durante alguns minutos a irradiao directa, no se tendo verificado uma alterao significativa nos valores lidos

5.3.3 ANLISE DE RESULTADOS

O grfico da imagem 5.6 mostra a evoluo de ambos os conjuntos de medio, verdade que existe uma diferena entre ambos, de cerca de 17%, mas esta constante e linear. As linhas de tendncia adicionadas aos dados comprovam a linearidade das medies, ambos os medidores seguem o mesmo comportamento no mesmo instante de leitura. Com este grfico comparativo facilmente se pode construir uma tabela de correspondncia de valores reais, bastando para tal adicionar 17% ao valor lido. Esta diferena pode ser em parte explicada pela diferente resposta espectral do fotododo e da clula de silcio utilizado no piranmetro, (figuras 5.5 e 5.7), cabendo o restante da responsabilidade ao valor da resistncia utilizada. Tomando em considerao que o circuito responde lei de ohm, V = R.I, facilmente podemos calcular um novo valor para a resistncia de carga. Para um aumento dos valores lidos na ordem dos 15 %, tomando em considerao as tolerncias das resistncias (5%), obtemos um valor mdio de 34,5 , que nos leva a valores de resistncias comerciais de 36 a 5% ou 34.8 a 1%.

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Prototipagem PYR 1100 1000 Irradiao W/m2 900 800 700 600 500 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 Amostras Medidor COTS

5.6: VALORES DE PYR DE REFERNCIA E MEDIDOR COTS COM R = 30.0 . (NOTE-SE A LINEARIDADE).

5.7: RESPOSTA ESPECTRAL DO FOTODODO BWP 34. (FONTE: SIEMENS).

5.3.4 AJUSTES E RESULTADOS

Com o intuito de melhorar a preciso do medidor e verificar a influncia da resistncia de carga na medio realizaram-se novas medies cujos resultados so abaixo apresentados. Tomando com referncia os valores calculados no captulo anterior e os valores de residncia que se conseguem encontrar comercialmente, escolheram-se quatro valores para o teste; respectivamente 33 (33.1); 36 (35.4); 39 (38.8); e 42 (41.9). Este ltimo valor rapidamente se verificou ser demasiado elevado tendo sido descartado com discrepncias superiores a 15% no valor lido. Pgina 65

Prototipagem

As medies foram efectuadas a 18-06-2010 entre as 14:00 h e as 16:00 h com cu parcialmente nublado e temperatura ambiente a rondar os 20 C. A nebulosidade fez estender o perodo de teste significativamente visto ocorrerem variaes significativas de irradiao, isto mesmo quando o sol se encontrava encoberto por uma qualquer nuvem. Ao fim de cerca de 95 minutos de testes comeou-se a notar alguma saturao no fotododo do medidor COTS, com os valores medidos a ficarem sistematicamente dentro da mesma gama, situao que no era verificava no PYR. As figuras, 5.8 a 5.10, mostram os resultados obtidos. A figura 5.8 mostra graficamente os valores obtidos com uma resistncia de 33.1 , em mdia verificou-se que estes valores eram 5% abaixo dos lidos pelo PYR, sendo que esta variao era mais notria para valores de irradiao mais altos.

PYR 1400 1200 Irradiao W/m2 1000 800 600 400 200 0 1 2 3 4 5 6 7 8

Medidor COTS (33.1)

9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 Amostras

5.8: VALORES COM RESISTNCIA DE 33 , DIFERENA MDIA DE 5%.

Esta situao contrasta com a que se verificou com o valor de 38.8 , vendo a figura 5.10 verifica-se uma situao anloga, aqui os valores eram sistematicamente 5% acima dos obtidos pelo PYR. Dentro de um lote de 10 resistncias de 36 utilizou-se uma com o valor de 35.4 , este valor bastante prximo do valor de resistncia obtido quando aplicamos uma variao de 17% (35.1 ), aos valores iniciais. Os resultados desta utilizao so mostrados em 5.9 e correspondem a uma variao de 3% sobre os valores PYR, uma medida bastante impressionante. Com estes valores fica demonstrada no s a validade deste medidor mas da aproximao utilizada na abordagem a este problema.

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Prototipagem PYR 1400 1200 Irradiao W/m2 1000 800 600 400 200 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 41 43 45 47 Amostras Medidor COTS (35.4)

5.9: VALORES COM RESISTNCIA DE 36 , DIFERENA MDIA DE 3%.

PYR 1400 1200 Irraadiao W/m2 1000 800 600 400 200 0

Medidor COTS (38.8)

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 Amostras

5.10: VALORES COM RESISTNCIA DE 39 , DIFERENA MDIA DE 5%.

Deve referir-se que o medidor COTS no apresenta os valores lidos de uma forma constante, mas sim como 2 oscilaes mais ou menos rpidas em torno de um valor, por exemplo: uma leitura de 1200 W/m varia entre 1207 e 1192. Esta situao torna-se mais incmoda quando o cu se encontra encoberto com valores a oscilar rapidamente com a densidade da nuvem. Em termos de custos, ambos os sensores tem uma diferena de mais de 140,00 , sendo que o PYR necessita de um sistema de acompanhamento para a sua leitura, ainda que a sua montagem seja possvel num medidor do tipo do construdo. Com base nestes resultados, custos e portabilidade conseguida com esta soluo, pode concluir-se que este tipo de medidor apresenta uma excelente relao preo/qualidade; devendo no entanto ser testado junto com um aparelho j aferido de modo a que caso seja necessrio, criar uma tabela de equivalncia, ou ajustar dentro do possvel o valor da resistncia instalada com a fotoclula, de modo a minimizar o erro de leitura. Pgina 67

Prototipagem

6 IMPLEMENTAO DE UM CONTROLADOR MPPT

Depois da validao do sistema dimensionado nos captulos anteriores atravs da sua simulao partiu-se para a construo de controlador de ponto de potncia mxima com recurso a um microcontrolador. Este recebe leituras correspondentes aos valores de tenso e corrente produzidas pelo painel PV produzindo um sinal de controlo que vai actuar sobre o conversor DC DC. A figura 6.1 mostra o microcontrolador no qual foi realizada a implementao do algoritmo proposto.

6.1: MICROCONTROLADOR IMPLEMENTADO.

6.1 MICROCONTROLADOR
Dentro do material disponvel no laboratrio do Departamento Engenharia Electrotcnica (DEE/FCT) optou-se por um microcontrolador PIC 18F4620 de 8 bits da Microchip. Este demonstrou ser mais que suficiente para o trabalho de seguidor tendo permitido implementar mais algumas opes teis, como sejam o painel de informao LCD, ficando ainda com capacidade suficiente para implementar mais algumas funes. O seu desenvolvimento foi feito atravs da ferramenta do fabricante MPLAB IDE, tendo a ligao entre o PIC e o programa de desenvolvimento sido efectuado atravs do programador PIC KIT 3. Devido h sensibilidade do integrado tenso de alimentao foi necessrio implementar um circuito de alimentao atravs de um regulador de tenso de modo a garantir uma tenso de alimentao estvel. A figura 6.2 mostra o pormenor da placa de desenvolvimento utilizada. O PIC recebe como sinais de entrada um valor de tenso e um valor de corrente, estes sinais analgicos so seguidamente convertidos em valores digitais de 10 bit atravs do mdulo ADC (Analog - to - Digital Converter), ou seja, cada sinal de entrada convertido num valor que varia de 0 a 1023 de acordo com o valor de

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Prototipagem referncia escolhido, que neste caso era o valor de alimentao da PIC, 5 VDC. Estes sinais foram posteriormente utilizados nos clculos para a potncia instantnea produzida pelo painel. Numa aplicao real os sinais de entrada correspondentes corrente e tenso teriam de ser amostrados atravs de transdutores que os transformassem em valores que entrassem dentro dos parmetros de funcionamento da PIC, o seja a tenso tinha de ser adaptada para valores de 0 a 5 V DC e a corrente tinha de ser transformada numa tenso com idntica referncia.

6.2: PLACA DE DESENVOLVIMENTO, (VISTA DE TOPO).

Para a corrente, com os mdulos solares disponveis, este propsito conseguido atravs da utilizao de um transdutor de corrente LEM LTSR 6, que conseguem medir uma corrente de at 19 A, (6 A nominal). Para a tenso utilizado um divisor de tenso e um amplificador diferencial. No desenvolvimento do seguidor estas duas entradas foram substitudas por dois potencimetros de modo ter controlo sobre o sistema. O sinal de sada um impulso PWM a 50 kHz, para fins de teste este estava ligado a um LED de modo a poder observar a sada mais facilmente. Para seguir as diversas etapas de funcionamento do MPPT foi introduzido um ecr LCD no qual eram dispostas algumas informaes teis, como sejam Duty Cycle e os valores ADC de entrada.

6.2 ALGORITMO
O algoritmo implementado uma variao do P&O discutido na seco 2.6.4. Este dividido em duas funes uma primeira, FastSearch(), que faz o seguimento rpido mas grosseiro do MPP, e um segundo, NormalSearch(), que faz ajustes mais finos em torno do MPP. O sinal de controlo do seguidor actua sobre um interruptor, visto que a PIC no tem capacidade para actuar sobre um MOSFET de potncia o seu sinal passado atravs de um circuito driver. No modelo apresentado, o interruptor est ligado a uma carga de consumo ainda que esta configurao possa ser facilmente substituda; adicionando um inversor DC AC depois do conversor DC DC ou mesmo substituindo este, controlando o interruptor a sua ligao rede de distribuio. Pgina 69

Prototipagem Quando o Duty Cycle de 0% o painel PV encontra-se efectivamente desligado, logo a sua tenso prxima do seu valor em circuito aberto. Este valor de tenso pode no ser o mesmo devido aos diversos componentes do conversor/inversor que se encontram ligados ao painel PV. A figura 6.3 ilustra o princpio de funcionamento considerado para o algoritmo. medida que o Duty Cycle aumenta o painel vai viajar da sua tenso de Vca para a VMPP, obvio que esta situao ocorre dentro de um conjunto de valores muito especfico e que varia com as condies de funcionamento do painel obrigando a ajustes constantes. Podem at ocorrer situaes nas quais a potncia mxima produzida numa tenso mais baixa e uma corrente mais elevada.

1,20 1,00 0,80 I (A) 0,60 0,40 0,20 0,00 0 5 V (V) 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 Vca MPP

Duty Cycle

6.3: FUNCIONAMENTO DO ALGORITMO SOBRE O MDULO SOLAR.

Alternativamente poder-se-ia ter optado por colocar directamente o sinal de comando com um Duty Cycle cujo valor fosse o esperado em operao normal (50-70 %), mas a actuao da funo FastSearch() to rpida que s o teste minucioso de ambas as situaes em condies de operao real poderia dar mais vantagem a uma ou outra soluo.

6.2.1 FUNO FASTSEARCH ()

Esta funo tem dois objectivos, um primeiro, corresponde na busca rpida do MPP do painel controlado, o segundo objectivo uma soluo possvel para contornar a situao de mximos locais referida na seco 2.6. O algoritmo implementado para esta funo mostrado na figura 6.4.

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Prototipagem

6.4: FLUXOGRAMA GENRICO DA FUNO FASTSEARCH.

Inicialmente o sistema arranca com um Duty Cycle de 10%, passado o tempo de resposta do painel e inversor, o Duty Cycle alterado para 20% durante esse mesmo tempo de resposta, a potncia produzida nos dois instantes calculada e comparada, enquanto existir um aumento de potncia entre amostragens a operao realizada, assim que um passo falhe, (i.e. no existiu um aumento de potncia produzida), o ultimo valor de Duty Cycle reposto e o controlo entregue funo NormalTrack(). De tempos em tempos esta funo chamada de modo a produzir uma perturbao rpida no painel, isto feito de modo a contornar o efeito de sombra nos painis (seco 2.4.1). Aqui um salto produzido, para baixo ou para cima dependendo do indicador de direco de salto, e a alterao do comportamento do painel analisada. Esta funo secundria serve apenas para evitar que alteraes exteriores prendam o painel num ponto de funcionamento que pode no ser o seu ideal, as alteraes so rpidas, (tempo de resposta do sistema, i.e. apenas o tempo necessrio para verificar alteraes na tenso corrente do painel), o que permite minimizar as perdas de produo do painel PV.

6.2.2 FUNO NORMAL SEARCH ()

Esta funo entra em funcionamento com o painel j prximo do seu ponto de potncia mximo, assim toda a sua operao bastante mais lenta que na funo atrs descrita. Os passos aplicados na sada so pequenos, (<5% do Duty Cycle), e as amostras so tomadas entre intervalos de tempo maiores, (mais de 10 segundos entre amostras), durante este tempo o sinal de sada mantm-se inalterado.

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Prototipagem Como foi referido na seco 2.6.4, devido natureza do algoritmo aplicado, oscilaes em torno do MPP do sistema so inevitveis, a inteno desta funo que estas sejam to suaves quanto possvel de modo a maximizar a produo de energia. A utilizao de duas funes distintas tem como objectivo principal optimizar a resposta do sistema a condies variveis, alteraes profundas nos parmetros de funcionamento do painel, como sejam sombra, sujidade ou mesmo clulas queimadas podem levar a que o seguidor se perca e fique preso num ponto de funcionamento que no o seu ideal. Com saltos pontuais rpidos esta situao pode ser contornada, obvio que estes saltos no devem ocorrer com demasiada frequncia pois fica-se em risco de desperdiar tempo de produo de energia.

6.5: FLUXOGRAMA GENRICO DA FUNO NORMALSEARCH().

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Prototipagem

6.3 IMPLEMENTAO PRTICA

O contacto inicial com o microcontrolador foi feito atravs de programao em ASSEMBLY, o que permitiu conhecer intimamente o seu funcionamento, as suas capacidades e os cuidados a ter na sua programao, foram testados os conversores ADC, utilizao de interruptores e modulao PWM. Para garantir uma tenso de alimentao correcta e sem oscilaes foi introduzido um regulador de tenso LM7805 junto com um condensador para absorver picos de ligao/desligao (10 f) e um outro como filtro da oscilao de tenso produzida pelo regulador de tenso, (1 pf), no se deve esquecer que este regulador de tenso uma fonte comutada. A utilizao de uma linguagem de baixo nvel como o ASSEMBLY essencial para poder explorar ao mximo a PIC. Mas a realidade que se interage directamente com registos e mesmo bits especficos dentro de registos. Esta situao extremamente trabalhosa e exige um cuidado especial, (caso da alterao do Duty Cycle do sinal PWM, onde temos de utilizar os 8 bits de um registo e os bits 4 e 5 e um segundo registo). Assim, logo que se considerou que j existia alguma sensibilidade com funcionamento da PIC, optou-se por utilizar C como linguagem de programao. Esta passagem permitiu a utilizao de bibliotecas de funes disponibilizadas pelo fabricante, Microchip. Estas bibliotecas, com algumas alteraes, cobriam a maioria das interligaes necessrias para a construo do seguidor desenhado.

6.3.1 PLACA DE DESENVOLVIMENTO

De modo a poder testar as funcionalidades pretendidas foram montados junto com a PIC vrios componentes: 2 Potencimetros de 1 k. 1 Interruptor ligado a um LED. 1 Led ligado sada PWM. 1 Ecr LCD.

A figura 6.6 mostra a placa de desenvolvimento implementada e os seus principais componentes. Os potencimetros tinham como funo simular as entradas de tenso e corrente do painel fotovoltaico. O Led ligado sada permitia observar o quando o PWM se encontrava em funcionamento. O ecr LCD foi includo de modo poder observar as leituras do conversor ADC e as variaes no Duty Cycle sem ter de recorrer ao software de desenvolvimento.

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Prototipagem

6.6: PLACA DE DESENVOLVIMENTO, (VISTA LATERAL).

A variao dos sinais de entrada no era dinmica, o que levou introduo de um interruptor de leitura de modo a permitir que os valores de tenso/ corrente fossem alterados manualmente entre amostras. O microcontrolador foi posto a funcionar operar a uma velocidade de relgio de 8 MHz com um sinal de sada de PWM a 50 kHz.

6.3.2 ESTRUTURA DO PROGRAMA

Em termos de cdigo houve a inteno de tornar o programa to modular quanto possvel. Todas as operaes foram dvidas em funes individuais que recebiam quando necessrio os parmetros que necessitavam, de modo a permitir o mximo de flexibilidade, modularidade e capacidade de alterao sem ter de reestruturar todo o programa.

6.3.2.1 F UNES D ISPONIBILIZADAS

O seguinte bloco de funes corresponde s utilizadas para a converso ADC, a funo ADC() devolve o resultado do sinal de entrada como um valor inteiro de 0 a 1024, as restantes so as necessrias para a utilizao da biblioteca de converso.

void ADC_Init(void); char BusyADC( void ); void CloseADC( void ); void ConvertADC( void ); void OpenADC(unsigned char config, unsigned char config2 , unsigned char portconfig); int ReadADC( void ); void SetChanADC( unsigned char channel );

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Prototipagem
unsigned char ADC_Convert(void);

int ADC(unsigned char Channel);

Este bloco de funes inclui as necessrias para a utilizao de uma sada em PWM assim como a funo desenhada para tal efeito, PWM(), aqui fornecida a frequncia de trabalho o Duty Cycle a utilizar e o tempo em que o modulador vai estar a funcionar.

void ClosePWM1( void ); void CloseEPWM1( void ); void OpenPWM1( char period ); void OpenEPWM1( char period ); void SetDCPWM1( unsigned int dutycycle ); void SetDCEPWM1( unsigned int dutycycle ); void SetOutputPWM1 (unsigned char outputconfig, unsigned char outputmode); void Timer0_Init(void); void Timer2_Init(void); void OpenTimer2 ( unsigned char config); void CloseTimer2 (void);

void PWM(unsigned char Freq, unsigned int Dutyc, unsigned int Delay);

As funes utilizadas para o funcionamento do LCD so as seguintes:

void DelayFor18TCY(void); void DelayPORXLCD(void); void DelayXLCD(void); void comandXLCD(unsigned char a); void gotoxyXLCD(unsigned char x, unsigned char y);

Finalmente as funes mais genricas programadas foram:

void INIT(void); void POWER(int index);

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Prototipagem
void sw_press(void); void lcd_duty(void); void FASTSEARCH(unsigned int Dutyc , unsigned int Stepsize); void NORMALSEARCH(unsigned int Dutyc , unsigned int Stepsize);

Aqui tm-se:

INIT() Corresponde inicializao do microcontrolador. POWER() Clculo da potncia de entrada. Sw_press() Controlo do interruptor de presso, em modo pull-down com lgica para controlar as oscilaes de actuao, ripple. Lcd_duty() Envia para um ecr o valor do Duty Cycle. FASTSEARCH() Algoritmo de busca rpida. NORMALSEARCH() Algoritmo de busca normal.

6.3.2.2 F UNCIONAMENTO

Ambas as funes de busca de MPP implementadas tiveram de ser condicionas pela utilizao do interruptor instalado no prottipo, visto ser este o melhor modo de poder controlar a resposta do programa e visualizar os valores com os quais os clculos eram efectuados. A figura 6.7 mostra o ponto de arranque do controlador.

6.7: PONTO DE ESPERA PARA O ARRANQUE DO SEGUIDOR.

Na figura 6.8 mostrado o resultado da primeira execuo do seguidor, sendo que os valores apresentados correspondem a uma leitura dos sinais de entrada com um PWM com Duty Cycle de 10%. Deve se tomar especial ateno quando se olha para os valores de corrente (8) e de tenso (869). Como foi referido no captulo anterior estes valores correspondem quantificao dos sinais de entrada de acordo com os valores de referncia Vdd (+5V) e Vss (GND). Estes valores tem de ser vistos como abstractos, o sinal de corrente um valor em tenso dado por um transdutor de corrente, a tenso obtida atravs de um divisor de tenso e um amplificador diferencial, logo Pgina 76

Prototipagem existe uma correspondncia directa de valores apenas no trabalhamos com as mesmas grandezas; o mesmo ocorre com o clculo da potncia, visto que esta operao advm de dois valores de tenso de entrada. O conversor ADC foi configurado para a utilizao de 10 bits de preciso, ainda que fosse possvel a utilizao de 13 bits; isto significa que a entrada analgica ia ser convertida num valor de 0 a 1023, correspondendo a um valor de 0 a 5V, ou seja .

Pode se argumentar que estes valores do modo como foram apresentados podem ser de leitura confusa. A converso deste sinal para os valores de Volt do sinal de entrada no demasiado complexa, bastando para tal apenas acrescentar a seguinte linha de cdigo aos valores lidos:

tensao = (ADCResult*5.0)/1024;

Por outro lado se os sinais de referncia forem alterados, ter tambm de se alterar o cdigo, o que pode ser indesejvel e trabalhoso. Do modo em que foi programado as referncias utilizadas para a converso ADC podem ser alteradas dentro dos parmetros de funcionamento da PIC, de 2,0 a 5,5 Vdc sem prejuzo aos sinais de entrada, desde que a alimentao destes seja a mesma da PIC; (isto para a sua utilizao numa situao dinmica, na placa de desenvolvimento esta situao no se coloca visto todos os componentes serem alimentados pela mesma fonte.) Os sinais de entrada so multiplicados de modo a obter um valor de potncia produzida para a entrada; estes valores so armazenados num vector com capacidade para cobrir todo o Duty Cycle, 0 a 90 %, a razo desta opo encontra-se na possibilidade de anlise do comportamento do seguidor no seu funcionamento.

6.3.2.2.1 I NICIO

6.8: RESULTADO DO PRIMEIRO CICLO DE FUNCIONAMENTO; "CORRENTE" DE 8 E "TENSO" DE 869, DUTY CYCLE DE 10%.

Quando iniciado o microcontrolador comea por executar a funo de inicializao, colocando-se seguidamente num modo de espera at que o interruptor seja actuado (figura 6.7). A figura 6.9 mostra sinal PWM de sada do controlador na primeira execuo da funo FastSearch().

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Prototipagem

6.9: SINAL DE SADA COM DUTY CYCLE 10%, (COUPLING DC NO OSCILOSCPIO).

Assim que o interruptor accionado chamada uma primeira vez a funo FastSearch(). Esta faz um primeiro funcionamento com um Duty Cycle de 10% no sinal de sada. calculada potncia de entrada, e este valor guardado num vector. Seguidamente o Duty Cycle aumentado em 10%, (20%), e executado um novo clculo da potncia do painel. Os dois valores so comparados e enquanto existir um aumento no valor lido na entrada a operao repete-se, assim que esta situao no se verificar o ultimo valor de Duty Cycle que provocou um aumento na potncia restabelecido e o ciclo interrompido. Os valores para o Duty Cycle so verificados no fim cada operao de modo a mant-los dentro de valores utilizveis, (0 a 90%). A figura 6.10 mostra o resultado final da funo FastSearch().

6.10: FINAL DA FASTSEARCH(); "CORRENTE" DE 343, "TENSO" 695, DUTY CYCLE DE 70%.

A tabela 6.1 mostra os valores lidos na entrada, como pode verificar-se, primeira vista estes ajustados parecem algo estranhos requerendo alguma habituao por parte do utilizador para terem significado.

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Prototipagem
6.1: VALORES DE ENTRADA, CALCULADOS E RESPECTIVA EQUIVALNCIA.

Corrente (mV) 38,4 1.646,4

Tenso (V) 4,17 3,34

Potncia 0,16 5,49

Duty Cycle (%) 10 70

Quando comparados com os valores da imagem 6.10; no se observa qualquer vantagem na utilizao de um modo ou outro de apresentao de dados, ainda mais, como os sinais tem variaes de uma ordem de grandeza, (de milivolt para volt), a complexidade adicional necessria para a apresentao correcta destes no ecr no compensava o esforo, no s em termos de programao mas tambm em termos PIC e comunicao com ecr LCD.

6.3.2.2.2 E XECUO NORMAL .

Assim que a funo de FastSearch() deixa o seguidor dentro de uma janela de funcionamento perto do seu ponto ideal os valores correspondentes ao passo do Duty Cycle, e o tempo de operao do PWM so alterados para permitir tempos mais longos e passos mais curtos. As figuras 6.11, 6.13 e 6.17 mostram o resultado de vrios ciclos de funcionamento da funo NormalSearch(). As figuras 6.12, 6.14, 6.15 e 6.16 mostram sinal PWM de sada do controlador em vrios ciclos de funcionamento da funo NormalSearch().

6.11: NORMALSEARCH(); "CORRENTE" DE 357, "TENSO" 759, DUTY CYCLE DE 54%.

A funo NormalSearch() executada num modo similar sua congnere rpida, ou seja, executado um primeiro ciclo com o Duty Cycle obtido anteriormente, seguidamente calculada a potncia de entrada, o valor do Duty Cycle aumentado ligeiramente e a operao repetida. Aqui caso o aumento do Duty Cycle no provoque um aumento de potncia o seu valor vai sendo reduzido, esta situao ocorre at que se verifique um aumento da potncia produzida. Esse tipo de funcionamento leva criao de uma instabilidade em torno do MPP, onde o seguidor vai oscilar tentando obter sempre mais potncia. Para evitar que o seguidor fique preso nesta zona de funcionamento indefinidamente utilizado um contador.

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Prototipagem

6.12: SINAL DE SADA COM DUTY CYCLE 54%, (COUPLING AC NO OSCILOSCPIO).

Sempre que este chega a um valor escolhido, por exemplo: 10 execues do ciclo de seguimento normal, chamado o seguidor rpido que introduz uma oscilao significativa no Duty Cycle de modo a tentar determinar se existe um outro ponto de funcionamento mais eficiente para o PV.

6.13: NORMALSEARCH(); "CORRENTE" DE 385, "TENSO" 759, DUTY CYCLE DE 54%

6.14: SINAL DE SADA COM DUTY CYCLE 58%, (COUPLING AC).

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Prototipagem

Como j foi discutido anteriormente, algumas circunstncias podem levar a alterao da posio do MPP; quando se encontra perto deste ponto o circuito oscila em de trs pontos, se no houver uma alterao que afaste o seguidor desta zona de funcionamento a potncia de funcionamento pode ficar sempre aqum do possvel. Esta situao implica saltos que podem no passar exclusivamente por um aumento do Duty Cycle, mas por uma diminuio do mesmo. Tendo esta situao em considerao foi introduzida uma componente de direco, esta permite escolher na funo de FastSearch() a direco do salto, ou seja se queremos um aumento ou uma diminuio do mesmo

6.4 RESULTADOS EXPERIMENTAIS

6.15: SINAL DE SADA COM DUTY CYCLE 8% A 50 KHZ, (COUPLING DC).

Em termos prticos o prottipo funcionou como esperado. Numa primeira execuo e de acordo com o programado a funo FastSearch() percorreu toda a gama de valores entregando depois a responsabilidade a funo NormalSearch(). Esta funo inicialmente funcionou como previsto, mas foi necessrio introduzir mais validaes aos valores do Duty Cycle de modo a evitar que este pudesse descer abaixo de 0, visto que esta varivel era definida como um inteiro sem sinal, este valor passava par 65535, que era interpretado pela funo PWM() como 100,.valor mximo para o Duty Cycle. O circuito de proteco do interruptor de presso actuou de um modo geral dentro do esperado ainda que algumas vezes as oscilaes fossem suficientemente grandes para serem interpretadas como um segundo accionamento o que levava a que as entradas fossem ligas mltiplas vezes com um mesmo valor potncia que pontualmente levava a erros no seguidor, com sendo passar de uma funo de seguimento para a outra antes do intencionado ou sair de um ciclo antes de tempo. Pgina 81

Prototipagem Para resolver esta situao foi considerada a utilizao de uma malha resistncia condensador junto com o interruptor, mas a situao era to pontual que esta soluo acabou por no ser implementada.

6.16: SINAL DE SADA COM DUTY CYCLE 34% A 50 KHZ, (COUPLING DC).

Devido inexistncia de algum material no foi possvel fazer o teste dinmico do prottipo com os painis PV. Assim apenas puderam ser realizados testes estticos, os quais validaram o correcto funcionamento do prottipo.

6.17: VALOR DE DUTY CYCLE PARA O SINAL MOSTRADO EM 11.16, (34%).

A passagem para um teste dinmico deste prottipo, requer apenas alguns cuidados, que correspondem aquisio correcta dos sinais de tenso e corrente do painel, atravs dos recursos apresentados no inicio do capitulo, (divisor de tenso e transdutor de corrente) e utilizao de um circuito Driver na sada PWM de modo a poder actuar sobre um interruptor MOSFET ligado sada do sistema fotovoltaico. Devem ainda ser retirados do cdigo os traves de interruptor adicionados nas funes de seguimento.

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Prototipagem

6.5 POTENCIALIDADES DE DESENVOLVIMENTO

Como foi referido no incio do captulo, a PIC escolhida possui muita capacidade, sendo que no final do desenvolvimento mais de 50% dos seus recursos ficaram por utilizar. Assim sendo seria interessante como trabalho futuro continuar a adicionar funcionalidades como: a possibilidade de escolha de diferentes algoritmos de seguimento, a visualizao dos valores de potncia instantnea por unidade, incluir um relgio que permitisse o incio/fim de operao do sistema controlado. Este prottipo foi construdo o mais modularmente possvel, de modo a permitir que as suas funes fossem facilmente extrapolveis para outras utilizaes. Se a sua funo inicial o seguimento do MPP de um sistema fotovoltaico seria interessante explorar possibilidade de controlar tambm um sistema de aerogeradores, indicando apenas o utilizador que tipo de sistema est a controlar.

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7 CONCLUSES
Esta dissertao tentou explorar ao mximo todo o trabalho necessrio para o desenvolvimento de um sistema de controlo fotovoltaico. Numa primeira parte mostrou-se no s a natureza da energia solar e o modo de a converter em energia utilizvel, mas tambm as caractersticas das ferramentas das quais dispomos para a transformar. Este percurso foi essencial de modo a poder perceber claramente quais deveriam ser os objectivos traados e que passos deveriam ser tomados para os alcanar. Para poder perceber o funcionamento e a resposta dos painis fotovoltaicos, dos conversores e de diversos algoritmos de seguimento foi criado um simulador. Este demonstrou ser essencial, criando alguma sensibilidade acerca dos diversos componentes e o que pode esperar no seu dimensionamento. Veja-se por exemplo o conversor Flyback dimensionado no captulo 3.2 e o seu comportamento verificado em 4.1.4. Alm do que a flexibilidade introduzida na construo do simulador, a ferramenta permite desenvolver e testar novas solues antes de se partir para a construo de prottipos. Finalmente a ltima parte desta dissertao levou construo de um medidor de irradiao solar COTS e um prottipo de seguidor de potncia mxima. O medidor COTS foi construdo com inteno de validar os modelos de simulao para os mdulos fotovoltaicos. A sua preciso, robustez e portabilidade permitem a sua utilizao em aplicaes futuras Relativamente ao seguidor MPP, o seu desenvolvimento inicial foi condicionado ao material disponvel no armazm do DEE. Sempre que possvel, com alguma ajuda externa e imaginao conseguiu-se estender a capacidade do mesmo de modo a fornecer alguma interactividade com o utilizador, veja-se a utilizao de interruptores, led e ecr LCD. Uma parte significativa do tempo aplicado na construo do prottipo foi na programao e controlo da PIC, em retrospectiva, tomando como base a relao preo/capacidade, desde que alguns cuidados sejam tomados a utilizao deste tipo de microcontrolador extremamente flexvel, poderosa e til com capacidades de desenvolvimento muito atractivas. O seguidor foi construdo de modo a ser to flexvel quanto possvel com inteno de permitir a sua adaptao a outro tipo de energias com um mnimo de modificaes. Os testes realizados com o seguidor validaram no s o seu correcto funcionamento, mas tambm a validade do algoritmo proposto e implementado. Infelizmente no foi possvel realizar o teste dinmico do seguidor, devido indisponibilidade de algum equipamento que permitisse faze-lo em plena capacidade. De um modo geral pode concluir-se que o trabalho desenvolvido no mbito desta dissertao foi muito enriquecedor e deveria ser continuado; o simulador deve ser aproveitado e expandido com mais alguns mdulos que incluam por exemplo um inversor, ligao rede de transporte, mais alguns algoritmos de seguimento e outro tipo de conversores DC DC. Na mesma lgica o trabalho investido no prottipo deveria ser continuado aprofundando o seu teste e expandindo as sua capacidades, no s de interactividade com o utilizador mas tambm a sua interligao com outros equipamentos.

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8 BIBLIOGRAFIA
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ANEXO 1

ENERGIA SOLAR

9 ENERGIA SOLAR UMA PERSPECTIVA.

Dentro da energia solar podemos distinguir duas grandes vertentes de utilizao, aplicaes de pequena e mdia potncia com centrais distribudas ou centralizadas a injectar corrente directamente para a rede de distribuio elctrica e uma segunda vertente que corresponde microgerao local para o fornecimento de povoaes isoladas, com poucas garantias de ligao a uma rede de distribuio geral. Desde que um valor mnimo de insolao anual seja atingido e o sistema apropriado de gerao de energia elctrica solar seja adoptado, o sol pode ser utilizado de modo rentvel. Tendo em conta o mapa de insolao da figura 9.1 podemos facilmente ver a potencialidade desta forma de energia para a generalidade de pases.

9.1: MAPA DE DNI, (IRRADIAO NORMAL DIRECTA), SOLAR GLOBAL OBTIDO PELO PROJECTO ISIS (DLR, 2008).

9.1 APLICAES DE PEQUENA E MDIA POTNCIA PARA A PRODUO CENTRALIZADA E DESCENTRALIZADA.

Este primeiro cenrio aquele que se verifica na generalidade dos pases da OCDE, existem fortes investimentos por parte de governos (ajudas directas, legislao para edifcios verdes) empresas e em larga medida de particulares na aquisio de potncia instalada para a produo elctrica. Por parte dos governos esta uma opo bastante atractiva no s como forma de obter independncia energtica, mas tambm como um meio para reduzir a emisses de CO 2 de modo a cumprir os compromissos ambientais aos quais muitos destes pases aderiram. O nmero de solues disponveis para produo, a baixa generalizada dos custos de instalao e previses de uma saudvel expanso das necessidades energticas globais fazem tornam este mercado extremamente atractivo a nvel empresarial. Alm do mais olhando para os mapas de radiao solar da Pgina 90

figura 9.2 pode observa-se que a maior capacidade de produo encontra-se distribuda por pases fora da OCDE; frica, Mdio Oriente e Amrica latina. Num panorama de mdio longo prazo a exportao de energia elctrica pode ser a melhor fonte de rendimentos destes pases. Os particulares encontram na energia solar, geralmente atravs da utilizao de painis fotovoltaicos, uma ptima soluo, no s para ajudar a diminuir a factura energtica mensal mas tambm como fonte de rendimento estvel cujo investimento inicial recuperado em meia dzia de anos.

9.2: MAPA DE RADIAO SOLAR COM VALORES MNIMOS PARA CENTRAIS CSP E CHAMINS SOLARES (SOLARMILLENIUM, 2008).

9.2 MICRO GERAO PARA SISTEMAS DESAGREGADOS DA REDE ELCTRICA.

Segundo uma estimativa da IEA (Agncia Internacional da Energia) cerca de 32% dos pases fora da OCDE, em vias de desenvolvimento, (excluindo Europa e Eursia), no tem acesso a electricidade cerca de 1.6 bilies de habitantes. Tendo em linha de considerao que a maioria destes pases tem uma rede de comunicao, infraestruturas e manuteno bastante deficiente, o recurso a meios de produo de energia elctrica autnomos que consigam sustentar populaes de pequena/mdia dimenso torna-se essencial para o seu desenvolvimento. O acesso educao tecnolgica e sistemas de sade dependem da electricidade. Sistemas de gerao mecnicos (geradores Diesel) tm capacidade limitada, exigncias e custos de manuteno que probem a sua utilizao em larga escala de um modo contnuo. Nestes locais sistemas baseados em PV, com poucas necessidades de manuteno, podem contribuir de um modo decisivo para melhorias na qualidade de vida das populaes s quais so afectos. Desde 2000 atravs do programa de Electrificao rural na China, mais 1.5 milhes de pessoas distribudas por cercas de 700 aldeias, (300.000 habitaes), tiveram acesso a energia elctrica. Esta energia provm de sistemas hbridos baseados em PV e aerogeradores ligados em mini redes de distribuio com potncias instaladas que variam de 30 a 150 kW para um total de 15 MW, destes 800 kW correspondem a aerogeradores. A ndia outro pas onde este tipo de instalaes se encontra em franco desenvolvimento com cerca de 550 kW instalados que servem alguns milhares de habitaes em vrias dezenas de aldeias (NREL, 2007).

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9.3 PAINIS FOTOVOLTAICOS.

9.3: PAINIS PV BUSKIL COM SEGUIMENTO EM UM EIXO NA CENTRAL DE AMARELEJA, MOURA, (ESQUERDA), E SUNTRACKER T0 NA CENTRAL HRCULES EM BRINCHES, SERPA, (DIREITA). (FOTOS: LUIS ALVES).

Apesar do enorme avano que tem ocorrido no desenvolvimento e implementao da tecnologia para centrais solares a maioria da produo elctrica a nvel mundial provm de painis fotovoltaicos. S para a Europa estima-se a capacidade instalada no fim de 2007 de sistemas PV em 4.689,5 MWp (MW em pico), sendo que 99.5 % desta capacidade esta ligada rede de distribuio (PVGIS, 2009) . A nvel mundial a capacidade instalada at 2007 estima-se em 7.8 GWp sendo que 2.26 GWp foram instalados durante 2007 (Energy, 2008). Estes valores correspondem ao total de capacidade instalada em bruto, ou seja, sem considerar se os sistemas se encontram ou no j ligados rede de distribuio, em alguns pases os pedidos de ligao rede demoravam at h relativamente pouco tempo, vrios meses e at anos a processar, dependendo de se as metas energticas traadas pelos governos tivessem sido atingidas ou no. Desde 2007 e com os pacotes de medidas que governos distintos pases tm fomentado para a instalao e produo, a Europa tornou-se o lder mundial do mercado fotovoltaico em capacidade instalada (tabela 9.1); Alemanha, Espanha e Portugal possuem dentro das suas fronteiras algumas das maiores centrais PV da actualidade, isto enquanto nos EUA, Austrlia, China e mdio oriente comeam a tomar forma centrais de elevada capacidade como; 25MWp em DeSoto, Florida, EUA; 154 MW em Vitria, Austrlia.
9.1: EVOLUO DE CAPACIDADE PV INSTALADA (MW), EM PASES DE REFERNCIA (ENERGY, 2008).

Pas Alemanha Espanha EUA Itlia Japo Portugal Total Global (est.)

1992 5,6 43,0 8,5 19,0 0,2 105,0

2001 194,6 3,0 167,8 20,0 452,8 1,3 974,0

2006 2.727,0 143,0 624,0 50,0 1.708,5 3,4 5.584,0

2007 3.862,0 655,0 830,5 120,2 1.918,9 17.9 7.841,0

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Todas estas centrais de mdia capacidade formam um quadro bastante atractivo para a energia fotovoltaica, no entanto necessrio ter em considerao que a entrada no mercado mundial de tecnologia PV, no provem de centrais de produo centralizadas, mas da micro produo descentraliza. Esta tendncia tem as suas razes no Japo, pas que foi o maior investigador, produtor e utilizador de painis solares desde fins dos anos 80 at cerca de 2004. Todo este furor foi fomentado pela atitude cultural, virada para a alta tecnologia presente no povo japons e a sua necessidade de independncia energtica de um pas com extrema densidade populacional. Tendo em linha de conta a morfologia do pas, fcil ver que no Japo existem trs tipos de energias renovveis utilizveis, energia das mars, elica e solar; a primeira forma de energia s nos ltimos anos tem ganho adeptos e as primeiras centrais piloto s agora esto a entrar em operao, a energia elica requer sempre uma rea considervel livre em redor do aerogerador, algo que no existe em abundncia neste local, sendo que o Japo alterna entre reas densamente povoadas e zonas densamente florestadas. Esta situao impede desde logo a instalao de aerogeradores. Finalmente, a energia solar, atravs de painis PV facilmente aplicvel na maioria de habitaes, silenciosa, e no perturba a esttica local. Olhando para os nmeros disponveis para 1992, os EUA lideravam a capacidade instalada, mas a maioria desta pertencia a sistemas descentralizados desligados da rede; ainda em 2007 cerca de um quarto da capacidade disponvel nos pertencia a sistemas desligados da rede, um valor que contrasta fortemente com a capacidade instalada desligada da rede disponveis no Japo ou Europa que inferior a 5%.

9.2: BIPVS DE 5 MWP EM BRSTADT, ALEMANHA; (ESQUERDA) E 5,21 MWP EM KAMEYAMA, JAPO, NOTE-SE A UTILIZAO DE PAINIS TRANSPARENTES NA FACHADA DO EDIFCIO; (DIREITA) (SANYO SOLAR, 2009)

Quando se trata da criao de um ambiente mais verde entram em jogo as normativas impostas pelos diversos governos e pela unio europeia para edifcios verdes, com melhor aproveitamento trmico, reduo de consumos e de CO2 e sistemas integrados de gerao de energia elctrica e trmica.

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9.3: MAIORES CENTRAIS DE PRODUO DE PAINIS FOTOVOLTAICOS INTEGRADOS EM EDIFCIOS (LEMPP, 2007). Capacidade (MWp) 11,8 5,21 5 Localizao Zaragoza Kameyama Brstadt Muggensturm/ 3,875 Rastatt Kronwieden/ 3,7 Dingolfing Alemanha 2005 Alemanha 2006 Pas Espanha Japo Alemanha Entrada em funcionamento Fins 2008 2006 2005

9.3.1 PAINIS FOTOVOLTAICOS.

Um dos modos mais simples de criar edifcios mais amigos do ambiente passa pela reduo da factura elctrica, para tal, nada como integrar um sistema de gerao de electricidade. Dentro dos mtodos de gerao possveis os PV so economicamente mais acessveis e podem ser virtualmente aplicados em qualquer local do edifcio, paredes, telhado desde que recebam alguma luz solar durante o dia. A gerao de energia elctrica por este sistema sempre de baixa potncia, dezenas ou poucas centenas de quilowatt; por este motivo muitos dos pases que apoiam a produo de fontes renovveis tem um tarifrio diferente, mais amigo, para estas unidades; na tabela 9.4 podem ver-se alguns dos valores para pases de referncia.

9.4: METAS E AJUDAS DISPONVEIS PARA A INTEGRAO DE PV EM EDIFCIOS (PVGIS, 2009). Pas Alemanha Tarifrio (BIPV) <30 kW 0,517/kWh 20 kW 0,44/kWh Espanha 200 kW 0,39/kWh >200 kW 0,33/kWh EUA Itlia 0.49/kWh 3 GW at 2016 (total de renovveis) 16 GW at 2014 Ajudas de 30% nos custos Sem burocracias para instalao e ligao rede 4.800 M de ajudas directas para 2008. Descontos IRS Portugal <3.68 kW 0,469/kWh 150 MW at 2010 IVA reduzido Obrigatoriedade capacidade trmica de Objectivos Obs. Durao 20 anos

Japo

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9.3.2 FUNCIONAMENTO
Os painis fotovoltaicos so constitudos por mdulos que por sua vez so constitudos por clulas fotovoltaicas. Estas so constitudas por um material semicondutor, normalmente silcio, a este material adicionado uma substncia dopante com o intuito de criar um meio que permita a ocorrncia do efeito fotovoltaico, ou seja, a converso directa da energia solar em energia elctrica. Fotes Contacto

Tipo n

Tipo p

Contacto

9.4: PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DE UMA CLULA FOTOVOLTAICA (ABENGOA SOLAR, 2009).

Uma clula tpica de silcio gera cerca de 1.5 Wp elctricos, para obter potncias utilizveis na produo de energia, estas so ligadas em srie ou paralelo formando assim mdulos com valores de potncia a partir de 40 Wp; estes mdulos so associados em painis para gerar potncias de vrios kWp. Este valor de potncia de clula atingido com tenses na ordem de 0,5 V para uma corrente de 3 A. O nvel de radiao ao qual a clula exposta vai afectar os seus valores de tenso e corrente, logo a sua potncia, assim variando a relao tenso corrente (V I) pode conseguir-se que a clula (mdulo) se encontre sempre perto do seu ponto de potncia mxima Hoje em dia no mercado existe uma considervel variedade de tipos de clulas fotovoltaicas, construdas dos mais diversos materiais desde o silcio monocristalino, silcio policristalino, silcio amorfo utilizado em pelculas finas, (thin films) e materiais utilizados na chamada 3 gerao de clulas solares como sejam o Arsenito de Glio (GaAs). A variedade existente nos diversos tipos clulas deve-se a tentativa de encontrar a melhor relao possvel entre os custos de produo, rendimento dos mdulos e a aplicabilidade dos mesmos, (pelculas finas transparentes utilizadas como cobertura de edifcios, janelas, telhados de esplanadas ou tectos de automveis).

9.3.3 PRIMEIRA GERAO

A primeira gerao de clulas PV construda de silcio cristalino de elevada pureza e com uma nica juno, a tecnologia necessria para a construo implica custos energticos e de manufactura elevados o que acaba por impossibilitar a reduo dos mesmos atravs da industrializao da produo, o rendimento

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terico mximo de uma clula tpica (com uma nica camada p n) dado pelo limite de Shockley Queisser e situa-se nos 31%. Os materiais utilizados na primeira gerao so: Silcio Monocristalino (mono-Si) Representa o grosso das clulas actualmente disponveis no mercado, o silcio purificado, fundido e finalmente cristalizado em lingotes, estes so depois cortados em finas lminas, bolachas, devido forma cilndrica do lingote a clula (quadrada) fica com os cantos por preencher, o que lhe confere uma forma distintiva e uma cor uniforme, a eficincia mxima registada em laboratrio situa-se nos 24.7%. Silcio Policristalino (poli-Si) fabricado de um modo semelhante ao monocristalino mas utiliza silcio de baixo custo, que leva a uma perda na eficincia, os lingotes so rectangulares e a cristalizao ocorre de um modo algo aleatrio o que produz um padro de cor varivel, a eficincia mxima registada neste tipo de clula situa-se no 18.7 %. Silcio Ribbon Fitas de silcio, no se utilizam lingotes, o silcio monocristalino fundido depositado em fitas, este processo permite poupar matria-prima custa de algum rendimento da clula que a coloca com valores bastante prximos do p-Si.

9.5: CLULAS DE SILCIO MONOCRISTALINO, POLICRISTALINO E RIBBON.

Uma clula moderna tpica de silcio tem uma espessura de ~200 m e constituda: Contactos frontais constituem os terminais negativos. Camada anti-reflexo numa superfcie feita em pirmides invertidas (para minimizar as perdas por reflexo), os valores de reflexo abaixo dos 5 %. Camada dielctrica de SiO2, Camada tipo n: silcio dopado normalmente com Fsforo, regio negativa da clula. Camada tipo P silcio dopado normalmente com Boro; regio positiva da clula. Camada dielctrica perfurada com a finalidade de maximizar a reflexo na parte traseira da clula. Contacto posterior em alumnio, terminal positivo.

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9.6: MODELO DE UMA CLULA DE SILCIO TPICA. (ADAPTADO DE CYFREZ-SOLAR CELL).

9.4 SEGUNDA GERAO

A segunda gerao de clulas foi desenvolvida principalmente como um meio de reduzir os custos de produo e so conhecidas como clulas de pelcula fina, (Thin-film), foram introduzidas novas tcnicas como a deposio por vapor que permitiram baixar substancialmente o tempo necessrio de manufactura a altas temperaturas e a quantidade de material sensvel luz necessrio. Toda esta poupana teve um custo, o rendimento deste tipo de clulas normalmente no vai alm dos 10% em aplicaes comerciais, no entanto a sobreposio de duas ou mais camadas de clulas permite atingir rendimentos prximos da primeira gerao. Nesta gerao foram utilizados como sucesso diversos tipos de materiais que devido sua espessura permitiram a criao de mdulos solares transparentes, situao que abriu as portas a todo um novo leque de aplicaes como sejam janelas de edifcios tectos transparentes etc. Uma clula de segunda gerao tpica tem uma espessura de ~5 m, os principais materiais utilizados actualmente na sua construo so: Silcio amorfo (a-Si) No possui estrutura cristalina, atravs de um processo onde adicionado hidrognio, hidrogenao, fica apto a realizar o efeito fotovoltaico, devido a uma maior impureza o hiato (Band Gap Energy) deste varia entre 1,1 e 1,75 eV, (1,1 1,12 eV para o silcio cristalino), dependendo da composio do silcio. As clulas podem ser fabricadas com uma temperatura de deposio relativamente baixa, (200 - 500 C), o que permite a sua aplicao em vrios substratos de baixo custo como sejam o vidro ou cermica, infelizmente a exposio inicial luz solar provoca uma degradao significativa na clula que resulta num rendimento tpico de 6 7%, sendo que em laboratrio o valor mximo registado foi de 13 %. Este tipo de silcio possui um valor de absoro no espectro visvel bastante superior ao das clulas de primeira gerao, o que permite que a sua deposio se faa em finas camadas, inferiores a 1 m. Na figura 9.7 pode ver-se a constituio de uma clula tpica em silcio amorfo, aqui o contacto superior formado por uma camada de transparente de oxido condutor, (TCO Transparent Conductive Oxide)

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9.7: ESQUEMA DE UMA CLULA DE SILCIO AMORFO, (DIREITA), HIATO BAND GAP ENERGY, (DIREITA). (ABENGOA SOLAR, 2009)

Di-selnio de ndio e Cobre (CIGS) Este dos tipos de materiais utilizados em pelculas finas e com mais potencial de crescimento devido ao seu elevado rendimento e custo relativamente baixo. Estas clulas tem um hiato varivel de 1,02 a 1,68 eV dependente da relao ndio Glio na composio da clula, a utilizao de glio permite maximizar o rendimento ptico com um valor de absoro de fotes acima de 90 % nos primeiros micrmetros do material, note-se que apesar de na designao do material no existir referncia ao glio este utilizado em combinao com o ndio, numa relao muito menor. Os custos de materiais so bastante mais reduzidos que o das clulas de silcio e a utilizao do Molibdnio, um metal de transio como contacto posterior permite a aplicao directa da clula sobre substratos como vidro ou plstico, por outro lado necessrio um investimento inicial bastante avultado para estabelecer uma linha de produo alm de que alguns dos materiais utilizados so bastante txicos, como o sulfito de cdmio, (CdS), outros como o ndio so actualmente utilizados na produo de ecrs TFT o que pode limitar o seu stock para utilizao na indstria PV. Em termos de eficincia uma clula deste tipo atingiu um rendimento de 19.9 % em Maro de 2008, valor que se aproxima dos melhores conseguidos em clulas de primeira gerao e muito superior aos valores obtidos nas outras clulas de pelcula fina. A explorao comercial de mdulos solares de CIGS deu-se em 2006 com a entrada em funcionamento de uma fbrica da Wrth Solar, (CISFab), a plena capacidade prevista uma produo anual de 200.000 mdulos, o equivalente a 14.8 MW, a fbrica em si tem instalada uma capacidade de 150 kWp.

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9.8: ESQUEMA DE UMA CLULA DE CIGS, (ESQUERDA), CLULA NUM SUBSTRATO FLEXVEL DE TEJIN, (DIREITA). (ABENGOA SOLAR, 2009)

Telridio de Cdmio (TeCd) A pesquisa em nesta tecnologia vem desde a fins dos anos 50 mas uma eficincia acima de 10 % s foi atingida no inicio de 1991 a investigao neste tipo de clula deve-se ao seu hiato de cerca de 1.5 eV que o valor ptimo terico para clulas solares em exposio directa, (i.e. sem focagem da radiao incidente). A industrializao da produo relativamente fcil e os custos so provenientes sobretudo dos materiais utilizados. Uma clula tpica constituda por uma camada de TeCd tipo p e uma fina camada de sulfito de cdmio, (CdS), entre este e o substrato colocada uma cama de TCO. Devido natureza txica do CdS tem existido algumas reticncias por parte de alguns fabricantes em prosseguir com a industrializao da tecnologia. Hoje em dia existem j diversas empresas a produzir mdulos solares de TeCd sendo que o maior deles a First Solar com uma capacidade de produo anual estimada em 735 MW para 2008, os mdulos fornecidos por esta empresa so os utilizados na central PV de Brandis Alemanha, (40 MWp). Esta companhia autoimpe uma filosofia de reciclagem em que o valor de todos os mdulos tem includa uma taxa de reciclagem, este processo responsabilidade da prpria empresa, no fim da vida til dos painis, (20 30 anos).

9.9: ESQUEMA DE UMA CLULA DE TECD, (ESQUERDA), MDULO SOLAR DA SERIE FS DE TECD. (ABENGOA SOLAR, 2009)

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9.5 TERCEIRA GERAO

A terceira gerao tenta construir sobre as bases deitadas pela segunda gerao, o seu principal objectivo melhorar o rendimento elctrico relativamente s pelculas finas mantendo os custos de produo nos mnimos possveis. Para atingir as eficincias as desejadas, na ordem dos 30 a 60 %, existem neste momento trs solues possveis, a utilizao de clulas fotovoltaicas de multi-juno, a focagem (concentrao) do espectro incidente ou uma combinao das duas. Clulas multi-juno de Arseneto de Glio (AsGa) Estas foram inicialmente desenvolvidas para aplicaes espaciais, satlites e rovers que actualmente se encontram em Marte, mas devido descida do seu custo com a industrializao da produo apresentam agora uma alternativa bastante atractiva aos seus concorrentes de primeira e segunda gerao. As clulas so por mltiplas camadas de pelculas finas, normalmente trs, com diferentes hiatos sobrepostos; a escolha dos diferentes materiais tal que o mximo do espectro electromagntico possa ser coberto. Mesmo com custos mais baixos estas clulas continuam a ser caras, da que para maximizar o seu rendimento estas sejam utilizadas com concentrados como acontece na central-piloto da Abengoa Solar referido no captulo 8.1.3, este sistema garante o mximo rendimento com custos relativamente controlados. A eficincia mxima registada neste tipo de clulas cifra-se nos 24,7 % para sistemas com radiao normal directa e 40,8 % para sistemas com focagem de 324x.

9.10: ESQUEMA DE UMA CLULA DE ASGA COM VALORES DE HIATO E ESPECTRO ELECTROMAGNTICO ABSORVIDO, (ESQUERDA), CLULA DE ASGA EM SUBSTRATO DE GE. (FONTE: IMEC)

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Para a produo de energia os painis podem ser associados de diversas formas: Instalaes fixas. Com seguimento em um/dois eixos. Concentradores PV.

9.5.1 INSTALAES FIXAS .

De momento na Europa a maioria das instalaes de PV fixa, a inclinao natural dos telhados da maioria das casas varia entre 20 a 45 o que permite ngulos bastante aceitveis para o rendimento dos painis PV. Este tipo de instalao tem a vantagem de ter uma montagem bastante estvel e econmica. A maior parte das centrais de produo centralizada continuam a utilizar este tipo de montagem, caso da central Po e gua em Mrtola. O problema inerente a este tipo de instalao encontra-se no seu factor de capacidade (Utilizao Mdia Anual), este no vai alm dos 25%, (ideais); um modo possvel e com resultados comprovados para optimizar a produo energtica consiste na utilizao de uma montagem flexvel. Durante parte do ano (Vero ou Inverno) os painis encontram-se posicionados na forma ptima para maximizar o seu rendimento para essa poca.

9.11: CENTRAL PO E GUA DE 756 KWP, (MRTOLA). (LEMPP, 2007)

A central Po e gua da figura 9.11, representa um caso tpico de instalaes fixas, com capacidade instalada de 756 kWp e mdulos de silcio amorfo, (a-Si).

9.5: rea ocupada por capacidade instalada de 1 MWp. (fonte: Abengoa Solar e SunPower)
Abengoa Solar 1 Eixo 4,6 Ha SunPower 1 Eixo 1,8 a 2,4 Ha

Fixa 1,4 Ha

2 Eixos 5 Ha

9.5.2 SEGUIMENTO EM UM/DOIS EIXOS .

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O funcionamento do PV esta ligado no s exposio solar mas tambm ao ngulo de incidncia dos raios solares, como tal, se o investimento for significativo, (para centrais), um mecanismo de seguimento pode melhorar significativamente a produo diria. De acordo com estudos efectuados a utilizao de algum modo de seguimento pode trazer ganhos energticos de 20 a 55 % dependendo da localizao (figura 9.12). Tomando como referncia Portugal e a regio mediterrnica, quando comparamos painis numa instalao fixa no ngulo ptimo com um sistema de seguimento de dois eixos, estes ganhos chegam aos 400-600 kWh por kWp, a comparao directa de sistemas de seguimento de um/dois eixos aponta para um ganho de 4 a 5% para o segundo, o que dificilmente justifica o incremento de complexidade e investimento necessrios (Huld, 2008).

9.12: GANHOS DE UM SISTEMA PV DE SEGUIMENTO EM UM EIXO SOBRE UM SISTEMA PV FIXO; COM ORIENTAO NORTE-SUL. (HULD, 2008)

Quando se trata de sistemas que efectuam o seguimento num s eixo torna-se necessrio considerar que este pode ser feito em termos de inclinao ou orientao, (norte-sul; este-oeste). O seguimento em inclinao apresenta algumas vantagens em termos de simplicidade, custos e capacidade de utilizao do terreno; este o tipo de tecnologia utilizado nas centrais Hrcules em Serpa e na central de Amareleja, Moura. O seguimento em dois eixos requer um sistema mais complexo, pois exige um motor capaz de actuar em ambos os eixos, um algoritmo de seguimento mais complexo, mais manuteno e uma maior distncia entre painis de modo a evitar que estes faam sombra uns aos outros. Em Portugal a maior central com seguimento em dois eixos a de Almodvar com uma capacidade de 2.15 MWp; esta central entrou em funcionamento em 2007 e composta por 12.780 mdulos PV da Kyocera montados em 426 seguidores Degger.

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A central Hrcules foi a primeira grande central fotovoltaica em Portugal, entrou em funcionamento em 2007. Os dados de funcionamento disponveis at data indicam uma produo energtica de 102% acima do valor estimado, para o primeiro ano de funcionamento. A central ocupa uma rea de 60 hectares para um total de 11 MWp de capacidade instalada, este valor corresponde a 52.300 mdulos solares monocristalinos de diversos fabricantes: Sharp, Sanyo, SunPower e Suntech. Estes mdulos encontram-se montados em seguidores PowerTracker T0 da Sunpower, estes tem numa inclinao fixa e fazem o seguimento em orientao, os inversores utilizados so fornecidos pela Siemens AG (SunPower Corporation, 2008). Outra central que utiliza um tipo de tecnologia semelhante a de Amareleja, Moura. A sua entrada em operao deu-se no fim de 2007 quando esta passou a injectar 3.18 MWp para o n do Alqueva da rede elctrica nacional. Esta encontra-se espalhada por uma rea de 250 hectares, a primeira fase de construo ir injectar cerca de 46 MWp para a rede elctrica a partir do fim de 2008. Para a primeira fase de construo a central conta com 2.520 seguidores tipo Buskil da Acciona Solar, cada um destes possui 104 mdulos de silcio 2 policristalino que perfazem uma rea de PV de 141 m por seguidor. Estes esto colocados com uma inclinao fixa de 45 e realizam o seguimento solar Este-Oeste em 240, sendo este movimento pr2 programado no controlador cada seguidor requer uma rea de 848 m para a sua instalao (Abengoa Solar, 2009).

9.6: CARACTERSTICAS DAS PRINCIPAIS CENTRAIS PV PORTUGUESAS. Caractersticas Capacidade (MWp) rea (ha) Tipo Potncia Mdulo PV Quantidade Fabricante Seguidores Inversores Transformadores Investimento
*

Hrcules 11 60 Monocristalino (Si) 52.300 Sharp, Sanyo, Suntech SunPower,

Amareleja 45.6(60*) 250 Policristalino (Si**) 170-180 Wp 262.080 Yingly group 2.520 (Buskil) 214 (Siemens AG) 22 (60 kVA**) 260 M

- (PowerTracker T0) - (Siemens AG) 62 M

Capacidade para a segunda fase; ** Silcio; *** Potncia de transformao

Os seguidores utilizados nestas centrais tem diferenas significativas em termos projecto e rea ocupada, o modelo Buskil utilizado na central de Amareleja um projecto mais clssico e bastante semelhante aos seguidores de dois eixos, apenas prescindindo da motorizao para o controlo de inclinao. Por outro lado o modelo utilizado na central Hrcules bastante mais simples e necessita de menos espao para a montagem. No PowerTracker a disposio do sistema muito semelhante ao que se verifica numa instalao fixa sendo a diferena mais significativa a utilizao de um motor linear para controlar a inclinao dos mdulos este controlo efectuado por GPS; claro que este tipo de instalao tem a

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desvantagem de que caso seja necessrio proceder a alteraes na orientao dos painis, esta bastante mais complexa de que um sistema de seguimento mais convencional.

9.13: PORMENOR DO SEGUIDOR SUNTRACKER T0, NOTE-SE O SISTEMA DE ACTUAO. (SUNPOWER CORPORATION, 2008)

9.7: MAIORES CENTRAIS PV DO MUNDO; ENTRE PARENTES ENCONTRA-SE O VALOR PLANEADO PARA A SEGUNDA FASE. Capacidade (MWp) 50 (60) 45.6 (60) 30 (40) 30 26,5 23,2 23.1 Descrio Olmedilla Amareleja, Moura Brandis Mrida Fuente Alamo Lucainena Torres Abertura de las Pas Espanha Portugal Alemanha Espanha Espanha Espanha Espanha Entrada em funcionamento Setembro 2008 (-) Fins de 2008 (2010) 2007 (Fins 2008) Setembro 2008 Julho 2008 Agosto 2008 Fins 2008

9.5.3 CONCENTRADORES FOTOVOLTAICOS (CPV)

De um modo geral o rendimento de uma clula solar no muito elevado, em laboratrio chegou-se a um rendimento da ordem dos 25 % os valores tpicos para os sistemas comerciais variam dos 17 % para silcio policristalino at aos 7 % do silcio amorfo. Assim tem-se investigado activamente em modos de aumentar esse rendimento; este aumento pode ser obtido de duas formas, a primeira consiste em trabalhar directamente sobre a clula e a sua constituio, a outra trata de aumentar a energia incidente sobre a clula aumentado assim a quantidade de potncia produzida. necessrio ter em conta que o rendimento da clula varia com a temperatura por isso a partir de um determinado valor de potncia incidente tem de ser utilizado algum tipo de refrigerao de modo a manter a clula dentro de valores de funcionamento aceitveis. A investigao em CPV divide-se em trs ramos: baixa, mdia e alta concentrao; Pgina 104

Os sistemas CPV de baixa concentrao utilizam espelhos para focar at 10x a energia solar incidente; neste momento existe j uma central-piloto a funcionar comercialmente com esta tecnologia. A central Sevilha PV da Abengoa Solar com uma capacidade instalada de 1.2 MWp em 12 hectares, esta possui 154 sistemas de seguimento de dois eixos cada um com 36 mdulos PV que perfazem uma rea de 80 m2 por seguidor, em trs diferentes tipos de instalao.

9.8: SEGUIDORES EM SERVIO NA CENTRAL SEVILHA PV. Seguidor Artesa Iso-Photon SolarTec Factor de Concentrao 2.2x 1.5x 2.2x Espelhos mdulo 2 1 1 (duplo) por Mdulo PV Policrsitalino (Si) Monocristalino (Si) Monocristalino (Si) Quantidade 76 61 17

Esta central no utiliza qualquer sistema de dissipao de calor nos seus painis, assim quando no existe vento e a temperatura ambiente bastante elevada, o mdulo solar no tem qualquer modo de dissipar as elevadas temperaturas s quais est sujeito, o mdulo passar os 100 C, como sistema de segurana para salvaguardar as clulas, assim que a temperaturas nestas passa os 85 C o seguidor este sai de foco at estar dentro dos parmetros de funcionamento normais.

9.14: CONCENTRADORES DE 2.2X, (ESQUERDA) E 1.5X, (DIREITA) EM SERVIO NA CENTRAL SEVILHA PV (ABENGOA SOLAR, 2009)

Os CPVs de mdia e alta concentrao, (<500x, ~500x), utilizam tecnologia muito semelhante utilizada nos sistemas CSP j descritos, so utilizadas lentes de concentrao de Fresnel para focar a energia incidente num ponto especifico no qual se encontra um mdulo solar de alto rendimento. Neste momento os mdulos utilizados so construdos de clulas multi-juno de Arsenito de Glio (GaAs), as clulas multijuno tem a vantagem de mltiplas junes elctricas de tal modo que possuem diversas energias de passagem de banda (hiatos), logo conseguem utilizar mais energia que as clulas tradicionais. Este tipo de clulas tem um custo de construo muito mais elevado que as clulas tradicionais; este facto compensado com a sua utilizao numa rea muito limitada, o ponto de foco das lentes de Fresnel. Em termos prticos este tipo de tecnologia encontra-se aplicado no concentrador hliostatos CS500, um Pgina 105

sistema em tudo semelhante ao sistema de prato Stirling j descrito, mas que em vez de utilizar um motor Striling utiliza mdulos de GaAs com um sistema de refrigerao activa de modo a manter as clulas a uma temperatura de 60 C; um sistema destes com uma capacidade de 35 kW necessita de uma rea de 2 mdulos de apenas 0.23 m , alm do mais, caso existam desenvolvimentos significativos na eficincia dos mdulos estes so bastante mais baratos de substituir que os de um sistema mais convencional (SolarMillenium, 2008).

9.15: PRATO HLIOSTATO CPV CS500, PORMENOR DO MDULO PV (SOLARPACES, 2008)

Uma outra verso desta pode ser vista no projecto Vitoria 154 MW na Austrlia, esta central de mdia concentrao e tem funcionamento semelhante a uma central de torre solar, sendo que a rea de concentrao na torre tem os concentradores trmicos substitudos por mdulos solares. O projecto encontra-se dividido em trs fases de construo, a primeira fase dever estar concluda em 2010 com uma capacidade de 4 MW, seguida da instalao de 100 MW, na terceira fase sero instalados os restantes 50 MW; uma diferena significativa relativamente a uma torre solar de CSP a utilizao de diversas torres receptoras onde so colocados os mdulos e no apenas uma nica torre central, quando capacidade mxima a central vai contar com 19.250 hliostatos, 246 receptores (torres) e 62.976 mdulos PV.

9.16: PROJECTO DE 154 MW DE VITORIA, AUSTRLIA

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9.5.4 NOTAS FINAIS .

9.9: CARACTERSTICAS DE TECNOLOGIAS DE PRODUO CONTEMPORNEAS Capacidade Unitria Elica 1 kW 5 MW Capacidade de Crdito* 0 30 % Factor de Capacidade** 15 50 % Recurso Energia cintica do vento Irradiao solar directa e indirecta Biogs da decomposio de resduos orgnicos; Resduos slidos; Madeira Altas temperaturas no interior da crosta terrestre Aplicaes Electricidade Notas Flutuante, recurso Flutuante, recurso definido pelo

PV

1 W 5 MW

0%

5 25 %

Electricidade

definido pelo

Biomassa

1 kW 25 MW

50 90 %

40 60 %

Electricidade e Calor

Flutuaes sazonais; Boa capacidade de armazenamento; Carga em Demanda Sem flutuaes;

Geotrmica

25 50 MW

90 %

40 90 %

Electricidade e Calor

Carga de base; Carga em Demanda Flutuaes sazonais; boa capacidade de armazenamento em barragens; Carga de base (barragens); Carga em demanda Flutuaes sazonais; Boa capacidade de armazenamento; Carga de base Flutuaes compensadas por sistemas de armazenamento trmico e sistemas hbridos (gs natural); Carga em demanda Carga em demanda

Hdrica

1 kW 1.000 MW

50 90 %

10 90 %

Energia cintica e presso da gua dos rios

Electricidade

Chamin Solar

50 200 MW

10 70 %

20 70 %

Irradiao solar directa e indirecta

Electricidade

CSP

10 kW 200 MW

0 90 %

20 90 %

Irradiao solar directa focada

Electricidade e Calor

Turbina de Gs Ciclo Vapor Nuclear de

0,5 500 MW

90 %

10 90 %

Gs natural e Fuel Oil Carvo, Gs natural e Fuel Oil Urnio

Electricidade e Calor Electricidade e Calor Electricidade e Calor

5 500 MW

90 %

40 90 %

Carga em demanda

> 500 MW

90 %

90 %

Carga de base

* Contribuio para capacidade de potncia em reserva. ** Mdia de utilizao anual

Olhando para o conjunto de sistemas de produo de energia de fontes renovveis a energia solar a nica que consistentemente permite a sua utilizao em centrais de mdia capacidade de uma ou outra forma. O fotovoltaico, como foi j referido, continua a ser a forma de produo mais difundida, mas como se pode ver na tabela 12 tem um enorme inconveniente, no possui uma capacidade de armazenamento associada,

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apenas consegue produzir partindo da irradiao incidente em cada instante, a nica forma de armazenar esta energia atravs de baterias que acarretam um custo adicional bastante oneroso instalao, esta soluo pode ser vivel para a microproduo em sistemas desagregados da rede distribuio de modo a manter o funcionamento fora das horas de luz, mas no uma alternativa quando consideramos sistemas de produo centralizados de mdia potencia, alias a soluo elica sofre em parte do mesmo mal, apesar das flutuaes na sua capacidade sejam de um modo geral mais fceis de prever. Um dos estudos mais importantes realizados nos ltimos anos o Trans-CSP, (Trans-Mediterranean Interconnection for Concentrating Solar Power), de 2006 encomendado pelo governo alemo ao Instituto Aeroespacial Alemo, (DLR), os resultados deste estudo traam um cenrio no qual em 2050 a energia produzida atravs de centrais CSP ser a forma mais barata de electricidade disponvel com um valor de 5 cntimos de /kWh. Este estudo aponta uma rede de distribuio elctrica interligada, Europa, Mdio Oriente e Norte de frica, (EUMENA), realizada com corrente continua de alta tenso, (HVCD High Voltage Direct Current), a qual os diversos tipos de centrais que se encontram dispersos pelos pases envolvidos esto ligados; 80 % da produo elctrica ser de fontes renovveis sendo os restantes 20 % correspondentes a sistemas de reserva de reaco rpida, centrais de gs natural, para pedidos de carga da rede sbitos. Este estudo foi considerado de tal modo significativo que surgiram verses adaptadas para o caso Americano e Japons; no entanto, deve ser referido que este estudo no contempla a utilizao da energia das mars e d uma relevncia pouco significativa ao fotovoltaico, isto devido em parte a que data de realizao do mesmo, a energia das mars ainda no tinha nenhuma central-piloto em funcionamento e centrais PV como a Hrcules ou a de Amareleja estavam ento na fase inicial de construo ou a ser finalizadas.

9.17: VISO DA REDE EUMENA COM LIGAO HVDC (DESERTEC, 2010)

inegvel que a energia solar veio para ficar, em muitas das suas vertentes, a tecnologia chegou finalmente maturidade necessria para tornar a sua utilizao comercialmente vivel e este ponto mais que demonstrado pelas diversas centrais a entrara em operao por todo o mundo, isto no quer de modo algum afirmar que investigao est concluda, pois existe ainda muito espao para melhoramentos, novos desafios e benefcios vero a luz do dia com a industrializao da construo de este tipo de centrais. Pgina 108