UNIVERSIDAD PRIVADA ANTENOR ORREGO

FACULTAD DE INGENIERA CARRERA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA FISICA ELECTRONICA SEMESTRE ACADMICO 2012-10

SLABO
I DATOS GENERALES 1.1 Nombre de la asignatura 1.2 Cdigo 1.3 Ciclo de estudios 1.4 Crditos 1.5 Nivel 1.6 Campus 1.7 Fecha de inicio/fin 1.8 Duracin semanas 1.9 Prerrequisitos 1.10 Profesores II FUNDAMENTACIN La presente asignatura de naturaleza terico - prctica ofrece al estudiante de Ingeniera Electrnica, los conocimientos bsicos del funcionamiento de los dispositivos electrnicos. Se basa en el estudio y control de las propiedades electrnicas de determinados slidos, con el fin de formar dispositivos complejos que transportan o almacenan cargas elctricas. Los conocimientos alcanzados por la fsica electrnica han jugado un papel muy importante en la evolucin de la utilizacin de los semiconductores en la electrnica. Los dispositivos semiconductores han alcanzado un nivel de perfeccionamiento e importancia econmica, que excedi las ms altas expectativas de sus inventores. La industria electrnica ofrece permanentemente dispositivos de mejor comportamiento, consiguiendo penetrar en mercados nunca antes considerados. Sin embargo, para mantener esta iniciativa de crecimiento, es necesaria una amplia comprensin del funcionamiento interno de los dispositivos semiconductores por parte de los diseadores modernos de circuitos electrnicos y sistemas. III SUMILLA Estructura de la materia. Slidos cristalinos. Slidos amorfos. Red Cristalina. Teora cuntica de los electrones en redes peridicas. Fsica de los Semiconductores. Dispositivos Semiconductores: Diodos. Fotodiodos. Clulas Solares. LED. Diodos Lser. Transistor Bipolar. Transistor Unipolar. Fsica de los cristales lquidos. Aplicaciones a la :FISICA ELECTRONICA :CIEN-177 :04 :4 :Pregrado :M :19/03/2012 al 19/07/2012 :17 :CIEN-191 : ROLDAN LOPEZ, JOSE ANGEL ;

electrnica. Tecnologa de dispositivos microelectrnicos. Nanoelectrnica. Estos tpicos se desarrollarn en cuatro unidades de aprendizaje, que son: UNIDAD 01: Red Cristalina. Teora Cuntica de los Electrones en Redes Peridicas. UNIDAD 02: Fsica de los Semiconductores. UNIDAD 03: Diodos Semiconductores.

UNIDAD 04: Transistores. Fsica de los Cristales Lquidos. Nanoelectrnica IV COMPETENCIAS DE LA ASIGNATURA 4.1.- Da un conocimiento bsico de las caractersticas y propiedades inters para la electrnica. 4.2.Proporciona al estudiante las herramientas tericas bsicas para la comprensin de los principios de fundamentales de la materia condensada de

funcionamiento de los principales dispositivos electrnicos modernos, de tal manera que le permita desarrollar en forma prctica los montajes de los circuitos electrnicos. 4.3.Presenta y examina en forma concisa los trminos, conceptos, ecuaciones y modelos que se emplean

habitualmente en la descripcin del comportamiento operativo de los dispositivos electrnicos de estado slido. 4.4.- Familiariza al estudiante con la Fsica interna de un dispositivo electrnico, para aplicarla al diseo. V PROGRAMACIN POR UNIDADES DE APRENDIZAJE UNIDAD 01 RED CRISTALINA. TEORIA CUANTICA DE LOS ELECTRONES EN REDES PERIODICAS Duracin: 19/03/2012 al 14/04/2012 Capacidades a desarrollarse en la Unidad de Aprendizaje: Describe los aspectos bsicos de la estructura electrnica de la materia. Describe a los slidos cristalinos y analiza los mtodos para la determinacin de las estructuras cristalinas por difraccin de rayos X. Analiza el efecto de la periodicidad sobre la estructura de bandas y clasifica de esta manera los slidos en metales, semiconductores y aisladores. Contenidos Procedimentales -Reconoce como est constituida la materia. Clasifica a los slidos por su tipo de enlace y distingue a los slidos amorfos y cristalinos -Distingue los diferentes sistemas cristalinos y clasifica a las redes de Bravais..Identifica los diferentes mtodos para determinar las estructuras cristalinas

N Semanas

Contenidos Conceptuales Introduccin general. Estructura de la materia. Estado condensado. Clasificacin de los slidos por su tipo de enlace. Slidos amorfos. Slidos cristalinos. Red cristalina. Planos cristalinos. ndices de Miller. Red recproca. Determinacin de estructuras cristalinas por difraccin de Rayos-X.

Contenidos Actitudinales Muestra inters por conocer como esta constituida la materia, participando activamente con preguntas.Demuestra inters y responsabilidad para identificar un problema y establecer soluciones Muestra inters por conocer como se clasifican los slidos cristalinos.Demuestra inters y responsabilidad para identificar un problema y establecer soluciones Muestra inters por conocer los aspectos fundamentales de la mecnica cuntica.Demuestra inters y responsabilidad para identificar un problema y establecer soluciones

Semana 1

Semana 2

Semana 3

Algunos aspectos de la mecnica cuntica. El teorema de Bloch. El modelo de Kroning-Penney

-Analiza algunos aspectos de la mecnica cuntica y establece la diferencia con la mecnica clsica

Semana 4

La aproximacin de los electrones cuasilibres. La aproximacin de los electrones fuertemente ligados. Estados localizados del electrn en un cristal. Clasificacin de los slidos basados en la estructura electrnica de bandas. PRIMERA PRACTICA CALIFICADA

-Analiza los diferentes modelos de los electrones en un potencial peridico. Clasifica a los slidos basados en su estructura electrnica de bandas de energa.

Muestra inters por tratar de comprender como es que se clasifican los slidos por su estructura de bandas de energa. Demuestra inters y responsabilidad para identificar un problema y establecer soluciones.

UNIDAD 02 FISICA DE LOS SEMICONDUCTORES Duracin: 16/04/2012 al 12/05/2012 Capacidades a desarrollarse en la Unidad de Aprendizaje: Describe el comportamiento de los semiconductores en trminos de la teora de bandas para explicar las caractersticas elctricas de estos materiales. Comprende como contribuyen los portadores de carga en los fenmenos de transporte de los semiconductores. Describe los procesos de generacin recombinacin de los portadores de carga en los semiconductores. Contenidos Procedimentales

N Semanas

Contenidos Conceptuales Densidad de estados. Funciones de distribucin. Concentracin de portadores de carga. Semiconductores intrnsecos y extrnsecos Fenmenos de transporte en desequilibrio estacionario. Conduccin por arrastre y difusin. Efecto Hall. Proceso de generacin y recombinacin de portadores de carga. Campo elctrico interno. Pseudoniveles y psedopotenciales de Fermi. Fenmenos de transporte en desequilibrio dinmico. Ecuaciones de continuidad. Ecuacin de Poisson.

Contenidos Actitudinales

Semana 5

Muestra inters por la -Distingue los solucin de los problemas semiconductores intrnsecos fsicos aplicados a la y extrnsecos. electrnica.

Semana 6

-Analiza los fenmenos de transporte en los semiconductores.

Muestra inters por comprender los fenmenos de transporte en los semiconductores

Semana 7

-Describe los fenmenos de transporte en desequilibrio dinmico en los semiconductores.-Analiza los diferentes procesos de generacin-reconbinacin en los semiconductores.

Muestra inters por comprender los procesos de generacin-recombinacin, y por solucionar problemas fsicos aplicados a la electrnica

Semana 8

EXAMEN PARCIAL

EVALUACION ESCRITA

SEGUN PROGRAMACION DE LA ESCUELA

UNIDAD 03 DIODOS SEMICONDUCTORES Duracin: 14/05/2012 al 09/06/2012 Capacidades a desarrollarse en la Unidad de Aprendizaje: Describe y comprende las propiedades de la unin p-n en equilibrio y polarizada.

Deduce la expresin matemtica de la caracterstica intensidad-voltaje de un diodo. Describe el funcionamiento de los diferentes dispositivos optoelectrnicos y conoce sus aplicaciones ms importantes en la industria electrnica actual. Contenidos Procedimentales

N Semanas

Contenidos Conceptuales

Contenidos Actitudinales

Semana 9

La unin pn en equilibrio. La -Describe la unin pn en unin pn polarizado equilibrio y polarizada. -Deduce la ecuacin del diodo. Analiza los diferentes fenmenos de ruptura.

Muestra inters por comprender el funcionamiento de la unin pn. Muestra inters por la solucin de los problemas fsicos aplicados a la electrnica.

Semana 10

Ecuacin del diodo. Fenmenos de ruptura Modelos del diodo para pequea seal. El diodo en conmutacin. Unin metalsemiconductor. Diodos Schottky Dispositivos optoelectrnicos: Fotodiodos, Clulas Solares, LED, Diodos lser. SEGUNDA PRACTICA CALIFICADA

Semana 11

-Analiza los modelos del Muestra inters por la diodo para pequea seal. solucin de los problemas fsicos aplicados a la - Describe la unin metalelectrnica semiconductor Muestra inters por comprender el funcionamiento de los Dispositivos optoelectrnicos.

Semana 12

-Describe y analiza los Dispositivos optoelectrnicos.

UNIDAD 04 TRANSISTORES. FISICA DE LOS CRISTALES LIQUIDOS. NANOELECTRONICA. Duracin: 11/06/2012 al 14/07/2012 Capacidades a desarrollarse en la Unidad de Aprendizaje: Describe y comprende el funcionamiento de los diferentes tipos de transistores. Deduce las curvas caractersticas intensidad-voltaje de los transistores. Conoce la fsica de los cristales lquidos y sus aplicaciones a la electrnica. Conoce las tendencias actuales en nanoelectrnica. Contenidos Procedimentales

N Semanas

Contenidos Conceptuales Transistor bipolar de unin. Funcionamiento del transistor bipolar. Curvas caractersticas I-V de los transistores bipolares. Modelos de pequea seal. El transistor bipolar en conmutacin. Transistores unipolares de efecto de campo. Capacidad MOS ideal. Capacidad MOS real. Transistor MOSFET. Transistor JFET. Transistor MESFET. Fsica de los cristales lquidos. Aplicaciones a la Electrnica Tecnologa de dispositivos microelectrnicos. Tendencias actuales en nanoelectrnica. EXAMEN FINAL

Contenidos Actitudinales

Semana 13

-Describe el funcionamiento del transistor bipolar y analiza la curva caracterstica I-V.

Muestra inters por comprender el funcionamiento del transistor bipolar, y por solucionar problemas fsicos aplicados a la electrnica.

Semana 14

Semana 15

Semana 16

Muestra inters por comprender el -Describe el funcionamiento funcionamiento de los de los transistores efecto de transistores efecto de campo y analiza la curva campo, y por solucionar caracterstica I-V. problemas fsicos aplicados a la electrnica. -Describe la fsica de los Muestra inters por cristales lquidos y analiza investigar las tendencias sus aplicaciones en la actuales en fsica industria electrnica.electrnica, y por solucionar Analiza y discute las problemas fsicos aplicados tendencias actuales en a la industria electrnica. nanoelectrnica SEGUN PROGRAMACION EVALUACION ESCRITA DE LA ESCUELA EVALUACION ESCRITA SEGUN PROGRAMACION DE LA ESCUELA

Semana 17

EXAMEN DE APLAZADOS

VI ESTRATEGIAS METODOLGICAS La asignatura se desarrollara fomentando la interaccin entre docente y estudiante a travs de exposiciones de los temas que figuran en el contenido de cada unidad, utilizando el mtodo deductivo-inductivo y desarrollando ejemplos de solucin de los ejercicios y problemas para afianzar la comprensin de los tpicos a tratar. En cada unidad de aprendizaje se proporcionar un conjunto de problemas, que los estudiantes deben desarrollar con la orientacin del profesor en las horas de prctica de problemas. Se propiciar la interaccin entre estudiantes mediante la dinmica grupal y los trabajos de investigacin. VII MATERIALES EDUCATIVOS Y OTROS RECURSOS DIDCTICOS Se har uso de: Aulas, plumones, motas, proyector multimedia, transparencias, separatas, biblioteca general y biblioteca especializada de Ingeniera Electrnica, Internet. VIII TCNICAS, INSTRUMENTOS E INDICADORES DE EVALUACIN Evaluacin de saberes cognitivos: Pruebas escritas Exposicin del desarrollo del trabajo de investigacion en base a una escala valorativa Solucin de problemas y su escala valorativa. Sntesis de lecturas complementarias

Evaluacin Procedimental y/o Actitudinal: Las fichas de observacin con escala de calificacin.

Para la evaluacin de la asignatura, se tomarn exmenes tericos y prcticos basados en los siguientes componentes: Primer Componente (C1) Segundo Componente (C2) Examen de Medio ciclo (EP) Tercer Componente (C3) Cuarto Componente (C4) Examen de fin de ciclo (EF) 5% 10% 20% 15% 25% 25% hasta la quinta semana (5) hasta la stima semana (7) hasta la dcima semana (9) hasta la dcimo primera semana (11) hasta la dcimo quinta semana (15) hasta la dcimo sexta semana (16)

SUBCOMPONENTES DE EVALUACIN

Primer componente (C1) : Evaluacin del 1er. Informe Laboratorio de Problemas (E1LP) Segundo Componente (C2) : Evaluacin de la 1ra Practica Calificada(E1PC) Evaluacion del 1er Trabajo de Investigacion (E1TI)

Examen de Medio Ciclo (EP)

Tercer Componente (C3) : Evaluacion del 2do Informe del Laboratorio de Problemas (E2LP) Evaluacion de cumplimiento de foros (ECF).

Cuarto Componente (C4) : Evaluacion de la 2da Practica Calificada (E2PC) Evaluacin del 2do Trabajo de Investigacion (E2TI)

Examen de Fin de Ciclo (EF)

CLCULO NOTA FINAL DEL CURSO O PROMOCIONAL (PROMO):

1. Primer Componente (C1): C1 = E1LP*100% 2. Segundo Componente (C2): C2 = E1PC*70% + E1TI*30% 3. Tercer Componente (C3): C3 = E2LP*70% + ECF*30% 4. Cuarto Componente (C4): C4 = E2PC*60% + E2TI*40%

NOTA PROMOCIONAL (PROMO):

PROMO = 5%*C1 + 10%*C2 + 20%*EP + 15%*C3 + 25%*C4 + 25%*EF

Todas las evaluaciones son con escala Vigesimal El alumno estar aprobado en el curso, si PROMO 10,5

NOTA EXAMEN DE APLAZADOS (APL):

Tienen derecho a participar aquellos estudiantes desaprobados con

NOTA PROMOCIONAL mayor o igual a siete (7.00).

ASISTENCIA A CLASES: Los alumnos con ms del 30% de inasistencias a clases sern inhabilitados en el curso.

OTROS:

El alumno que falte a alguna evaluacin tendr nota cero. Se justifica la inasistencia (mximo de 4 das

despus de la falta) a una evaluacin para ser tomada solo por autorizacin del Director de la Escuela. Las evaluaciones EP y EF fuera de las fechas programadas sern tomadas solo por autorizacin del Director de la Escuela Profesional dentro del plazo establecido por las autoridades de la universidad IX PROGRAMA DE CONSEJERA La tutora y consejera es una actividad acadmica que tiene como propsito de orientar y apoyar a los estudiantes durante su proceso de formacin profesional. Para este fin, consideraremos actividades para brindar al estudiante motivaciones adecuadas para desarrollar los estilos de aprendizaje. X REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS BSICA 1.J.M. Albella, J.M. Martnez-Duart. FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA FISICA Y MICROELECTRONICA 2.Rosado. ELECTRNICA FSICA Y MICROELECTRNICA 3.Van der Ziel. ELECTRNICA FSICA DEL ESTADO SLIDO 4.Juan F. Tisza.

LOS DISPOSITIVOS ELECTRNICOS Y SUS APLICACIONES 5.Shalimova K.V. FISICA DE LOS SEMICONDUCTORES 6.McKelvey J.P. FISICA DEL ESTADO SLIDO Y DE SEMICONDUCTORES 7.Kittel Charles. INTRODUCCIN A LA FSICA DEL ESTADO SLIDO. 8.Humberto Asmat A. INTRODUCCIN A LA FSICA DEL ESTADO SLIDO. COMPLEMENTARIA 1.Cooke M.J. SEMICONDUCTOR DEVICES 2.R. B. Adler, A.C. Smith, R.L. Longini. INTRODUCCIN A LA FSICA DE LOS SEMICONDUCTORES. 3.R. Boylestad , L. Nashelsky . ELECTRNICA TEORA DE CIRCUITOS VIRTUAL Fisica de Semiconductores http:// 1.http://www.unicrom.com/ REVISTAS CIENTFICAS IEEE PERU IEEE