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Universit` degli studi di Perugia a

Facolt` di Ingegneria a Corso di Laurea Specialistica in Ingegneria Elettronica

Modellazione 3D della interazione tra raggi X e sensori a pixel attivi integrati in tecnologia CMOS
Laureando Andrea Mencaroni Relatore Ing. Daniele Passeri

Anno accademico 2009-2010

A chi mi ha fatto arrivare n qui.

Indice
Introduzione 1 Sensori APS CMOS 1.1 Il fotodiodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.1 1.1.2 1.1.3 1.1.4 1.2 1.3 1.4 I semiconduttori, il modello a bande di energia . . . . Il drogaggio dei semiconduttori . . . . . . . . . . . . . La giunzione p n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Meccanismi di rivelazione della radiazione . . . . . . . 4 7 7 7 10 12 16 17 19 20 21 24 24 26 27 30 34 39 46

Struttura del singolo pixel: Architettura APS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Il sensore a pixel attivi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Interazione con particelle ionizzanti . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.1 Interazione con la radiazione X . . . . . . . . . . . . .

2 Strumenti di lavoro 2.1 2.2 2.3 2.4 Costruzione della struttura: Sentaurus Structure Editor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Calibrazione e generazione della mesh . . . . . . . . . . . . . Strutture realizzate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Il motore delle simulazioni: Sentaurus Device . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.1 2.4.2 2.5 La simulazione quasi-stazionaria: Incrementi a piccoli passi . . . . . . . . . . . . . . . . La simulazione tempo-variante: Inserimento del modello di radiazione . . . . . . . . . Aspetto macroscopico delle simulazioni: Inspect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.6 2.7

Aspetto microscopico delle simulazioni: Tecplot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Il cluster di calcolo INFN GRID . . . . . . . . . . . . . . . . 47 49 52 52 56 58 59 59 63 66 68 70 72 74 77 80

3 Simulazioni 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 Implementazione del modello HeavyIon . . . . . . . . . . . . Condizioni al contorno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Metodologie di simulazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Struttura 30x30x50 m . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Struttura 24x24x50 m . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Struttura 20x20x50 m . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.6.1 3.6.2 3.6.3 3.7 Analisi della raccolta ad 1 m di profondit` al variare a della lunghezza di generazione . . . . . . . . . . . . . Analisi del modello HeavyIon a cavallo della supercie della struttura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Analisi del modello HeavyIon con diverse energie dei fotoni incidenti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Confronto con misure sperimentali . . . . . . . . . . . . . . .

Conclusioni Appendice Bibliograa

Introduzione
I sensori CMOS in questi ultimi anni stanno sostituendo progressivamente i sensori CCD nelle applicazioni di imaging grazie soprattutto al sempre pi` favorevole rapporto tra prestazioni e costi in quanto i processi di fabbriu cazione usati per i dispositivi commerciali possono essere tranquillamente riconvertiti senza troppi costi aggiuntivi a questo tipo di applicazioni, oltre al fatto che nello stesso chip si riescono ad integrare componenti di trattamento del segnale come i blocchi di amplicazione e di indirizzamento. Un tempo infatti, quando i CCD dominavano il mercato delle alte prestazioni ed erano inequivocabilmente destinati ad essere il punto di riferimento in ambito fotograco, scientico, delle applicazioni industriali che richiedevano la massima qualit` dellimmagine possibile, essi dovevano per forza di cose, a dato il segnale in uscita di natura analogica, essere accompagnati a valle da chip destinati proprio allelaborazione del segnale e perci` questa catena di o dispositivi induceva a consumi totalmente sproporzionati ai quali seguivano notevoli sforzi da parte dei progettisti di far rientrare quantomeno nella norma gli stessi al ne di raggiungere un buon compromesso in termini di ecienza dei sistemi realizzati. Grazie, come si diceva, alla notevole possibilit` di integrazione oerta a dalla tecnologia CMOS si ` fatta strada proprio una classe particolare di e sensori basati su essa: gli APS (Active Pixel Sensors), cio` sensori che per e ogni pixel della matrice ospitano un converter in grado di adattare la bassa tensione di uscita del fotodiodo a carichi capacitivi e perci` trattabile senza o particolari patemi da altri blocchi di trattamento presenti nel dispositivo stesso senza per questo incorrere a livelli di consumo particolarmente elevati, grazie anche a basse tensioni di polarizzazione e a minime superci di occupazione del componente in silicio. Oggigiorno gli APS sono particolarmente apprezzati anche per applica-

zioni di natura scientica, in particolar modo nei campi della medicina e dellastronomia nonch della sica delle particelle e numerosi sono a tute toggi i progetti che fanno di questi sensori un blocco fondamentale; uno di questi ` quello che ha dato luogo alla collaborazione tra lIstituto Nazionae le di Fisica Nucleare - Sezione di Perugia e il Dipartimento di Ingegneria Elettronica e dellInformazione dellUniversit` degli Studi di Perugia e cio` a e il RAPS (Radiation Active Pixel Sensor ). Il RAPS ` un progetto che ha e lobiettivo di realiizzare i sensori a pixel attivi per la rivelazione di particelle cariche ed eventualmente ottimizzarne larchitettura in funzione delle speciche operative e funzionali caratteristiche delle radiazioni oggetto di studio. Il lavoro sviluppato in questo documento si inserisce in questo contesto, ed in particolare approfondisce laspetto della modellazione dellimpatto della radiazione X su questa classe di sensori; questo tipo di studio abbastanza inusuale per il tipo di dispositivo, perlomeno no a qualche tempo f`, ` stato a e portato avanti con un adeguato grado di dettaglio da poche altre trattazioni in quanto luso di sensori in tecnologia CMOS per la rivelazione della radiazione si ` concentrato soprattutto per caratterizzare lunghezze done da nellintervallo della luce visibile anche perch` la comprovata capacit` di e a penetrazione dei raggi X comportava un disegno del sensore estremamente ottimizzato e viste le poche applicazioni dirette, legate perlopi` alla sica u delle alte energie e a determinati settori della radiograa e della spettoscopia medica, non vi era un giusticato ritorno diretto degli sforzi intrapresi, almeno paragonandoli con quelli destinati alla caratterizzazione della luce visibile. Pertanto con la tesi presente si ` cercato di aggiungere un ulteriore peze zetto al mosaico, che ` ora in via di denizione, ma che in futuro si spera e possa pian piano completarsi nella speranza di compiere passi importanti verso una completa comprensione degli eetti dei raggi X sui sensori a pixel attivi e di come migliorare la loro progettazione di conseguenza. Il testo (che ` stato concepito per una facile lettura anche a neoti del e settore), ` stato strutturato in capitoli, che partizionano la trattazione in e questo modo: Capitolo 1: Panoramica riguardo i sensori APS CMOS con particolare enfasi sulle leggi siche che governano il funzionamento del fotodiodo alla base della rivelazione della radiazione. 5

Capitolo 2: Descrizione degli strumenti di calcolo utilizzati per simulare la struttura sensibile sottoposta a radiazione X. Capitolo 3: Analisi dei risultati che consiste nel riportare i risultati delle simulazioni e confrontarli con quelli delle prove sperimentali fatte in laboratorio. Capitolo 4: Conclusioni e possibili sviluppi futuri. In questo lavoro si vuole modellare linterazione dei raggi X con sensori in tecnologia CMOS APS; in particolare faremo riferimento ad una matrice 3x3 di pixel del sensore in modo da considerare il pixel centrale come quello principale, e gli altri come elementi di bordo in termini di raccolta di coppie elettrone-lacuna. Descriveremo il comportamento della matrice stessa nel dominio del tempo, in modo specico allarrivo della radiazione, poich` ` e e auspicabile che i fotodiodi si mettano in competizione per raccogliere la carica generata tramite le loro regioni svuotate e conseguenza di ci` subiscano o un V (dierenza di tensione prima e dopo la radiazione ai capi del catodo del fotodiodo) pi` o meno marcato a seconda della potenza, dellincidenza u e della posizione della radiazione. Si confronteranno inoltre i risultati ricavati con le misure sperimentali ottenute in laboratorio, al ne di avere una panoramica della validit` del a modello simulativo adottato e di possibili sviluppi per migliorare nel modo pi` eciente possibile le strutture realizzate nel quadro di una sempre u migliore strategia, volta sia a ottimizzare le simulazioni di sensori a pixel attivi sottoposti a raggi X che per un eettiva realizzazione per applicazioni inerenti la sica delle alte energie. I risultati raggiunti saranno corroborati, ove possibile, da adeguate spiegazioni circa i fenomeni dietro il loro manifestarsi, mentre tutti i documenti dai quali si ` preso spunto nei primi due capitoli sono citati nella bibliograa e presente in fondo. Con questo non mi resta che augurare una buona lettura e sperare di suscitare un qualche interesse verso i sensori APS o nei sensori di radiazione in generale in coloro che, volenti o nolenti, avranno a che fare con lelaborato.

Capitolo 1

Sensori APS CMOS


Al ne di dare al lettore una cognizione degli argomenti trattati in questo lavoro di tesi si ` pensato, in questo capitolo, di riportare una panoramica e del funzionamento dei sensori integrati in tecnologia CMOS partendo dai concetti sici pi` elementari riguardo i semiconduttori, passando attraveru so la giunzione p n, la rivelazione della radiazione e larchitettura APS arrivando no allinterazione del sensore con i raggi X. Si noti che si ` sempre cercato di mantenere un livello espositivo leggero e senza mai andare ad appesantire la trattazione con inutili forzature di carattere matematico in quanto le poche equazioni descritte, seppure ostiche a prima vista, sono necessarie per inquadrare i fenomeni di carattere sico presentati e per mantenere un adeguato grado di rigore. La produzione scientica ` colma di lavori di riferimento in questo settore e e si d` modo al lettore particolarmente curioso di approfondire con luso a accorto di testi di ben altro grado di specializzazione.

1.1
1.1.1

Il fotodiodo
I semiconduttori, il modello a bande di energia

Vengono chiamati semiconduttori i materiali che hanno una resistivit` 1 a intermedia tra conduttori ed isolanti e che appartengono dalla terza alla sesta colonna della tavola periodica degli elementi; essi si comportano come materiali isolanti a basse temperature, prossime allo zero assoluto ma la loro conducibilit` aumenta no a diventare apprezzabile a temperatura a
1

= 1/ compresa tra 103 e 106 cm

ambiente giungendo a diventare prossimi, come comportamento elettrico, ai conduttori poich` come vedremo dopo, al crescere della temperatura aumene ta la probabilit` per gli elettroni di passare in conduzione per eccitazione a termica2 . I semiconduttori sono divisi in semiconduttori elementari cio` e quando sono formati da atomi di un solo elemento, aventi quattro elettroni di valenza e di conseguenza collocati nella quarta colonna della tavola periodica degli elementi, e in semiconduttori composti quando sono formati da elementi appartenenti alla terza e quinta colonna della tavola periodica, oppure alla seconda e sesta colonna. Tipici semiconduttori elementari sono il silicio e il germanio. Si dice banda di energia un insieme di livelli energetici posseduti dagli elettroni, mentre viene chiamata banda di valenza (estremo superiore Ev ) linsieme degli elettroni che hanno un livello energetico basso, tale da restare nei pressi dellatomo di appartenenza; inoltre si dice banda di conduzione (estremo inferiore Ec ) linsieme di elettroni che hanno un livello energetico abbastanza alto, tale da lasciare latomo di appartenenza, dando luogo ad una conduzione di tipo elettrico. Tra la banda di valenza e la banda di conduzione vi pu` essere una banda proibita, cio` un insieme di livelli o e energetici non consentiti, in quanto un generico elettrone o si trova nella banda di valenza o si trova nella banda di conduzione.

Figura 1.1: Modello a bande di energia per isolanti, semiconduttori e conduttori.


nei semiconduttori il contributo termico, GT (T ), insieme al contributo luminoso, G (, f ) e quello dovuto al campo elettrico GE (E) contribuisce al tasso di generazione di portatori di carica G: G = GT (T ) + G (, f ) + GE (E) [coppie cm3 s1 ] (1.1)
2

Negli isolanti la banda proibita ` molto grande, di conseguenza sono e pochi gli elettroni che raggiungono una energia suciente a passare nella banda di conduzione, e quindi lisolante non ` in grado di condurre energia e elettrica. Nei materiali conduttori, le due bande di valenza e di conduzione si sovrappongono, manca, quindi la banda proibita; di conseguenza un notevole numero di elettroni possiede energia suciente ad essere considerato nella banda di conduzione, quindi il conduttore ` in grado di condurre la corrente e elettrica. Nei materiali semiconduttori la banda proibita ` piccola, nellordine di e qualche eV o frazioni di esso, quindi ` suciente un lieve innalzamento e dellenergia per portare un certo numero di elettroni dalla banda di valenza alla banda di conduzione. Per calcolare quanti elettroni liberi, cio` disponibili per la conduzione, e vi siano in un semiconduttore (senza considerare eventuali campi elettrici esterni o contributi luminosi) bisogna vedere se la temperatura alla quale il cristallo si trova ` tale da permettere ad un elettrone che si trovi nella e banda di valenza il salto del gap di energia Eg . Tale problema ` ovviamente e di natura statistica, in quanto allequilibrio vi saranno continue rotture e ricostituzioni di legami covalenti, dunque si tratta di trovare dei valori medi. Questi possono essere ricavati invocando la funzione di Fermi: F (E) = 1 1+e
EEF kT

(1.2)

che d` la probabilit` che un livello avente energia E sia occupato da un a a elettrone alla temperatura T, dove k = 1.38 1023 J/K ` la costante di e Boltzmann mentre EF ` il livello di Fermi, che ` quel livello di energia che, e e allo zero assoluto (T=0 K), discrimina fra i livelli completamente pieni (E < EF ) e completamente vuoti (E > EF ). In gura 1.2 ` riportato landamento della funzione di Fermi per valori e dierenti della temperatura; essendo una funzione di probabilit`, essa varia a tra 0 e 1. Si osserva immediatamente che allaumentare della temperatura la probabilit` di trovare un elettrone nella banda di valenza diminuisce, a mentre aumenta la probabilit` di trovarne in banda di conduzione. Allo a zero assoluto tutta la banda di valenza ` piena (F(Ev = 1)), mentre quella e di conduzione ` vuota (F(Ec = 0)). Tra Ev e Ec la probabilit` di trovare e a un elettrone ` non nulla, ma in tale intervallo non esistono stati energetici e 9

Figura 1.2: Funzione di Fermi.

permessi dato che esso coincide con la banda proibita. Ogni elettrone, una volta andato in banda di conduzione ha lasciato libero un livello energetico nella banda di valenza, che in tal modo non risulta pi` completamente occupata. I posti lasciati liberi si chiamano lacune e u nel prossimo paragrafo si vedr` come anchesse costituiscano un fattore di a notevole importanza per la conduzione di corrente. Il semiconduttore pi` utilizzato nellelettronica, a causa dellelevata reu sistenza e trattabilit` ad alte temperature unite al fatto di essere il secondo a elemento per abbondanza nella crosta terrestre dopo lossigeno ` senzaltro il e silicio e da qui in poi quando faremo riferimento a qualsiasi semicondutture sar` esso stesso ad essere chiamato in causa. a

1.1.2

Il drogaggio dei semiconduttori

Finora ` stato considerato il caso di un semiconduttore perfettamente puro e ed omogeneo, privo di impurit` (i ntrinseco), nel quale il numero delle caria che n (elettroni) ` sempre uguale al numero di cariche p (lacune), dato e che per ogni elettrone che si sposta nella banda di conduzione per eetto della temperatura, si sar` creata una lacuna in banda di valenza (da qui il a termine coppia elettrone-lacuna). Purtroppo in questo tipo di cristalli applicando una dierenza di potenziale esterna, che pur consente agli elettroni di bassi livelli energetici di prendere il posto degli elettroni di stati energetici superiori andati in conduzione e cos` via per quanto riguarda i nuovi posti liberi venutisi a creare, e quindi di dare luogo alla cosiddetta corrente di 10

lacune, la corrente prodotta non ` abbastanza elevata per le normali ape plicazioni elettroniche in quanto ` scarsa la densit` dei portatori, elettroni e a e lacune. Per ovviare a ci` e incrementare la conducibilit` () del semiconduttore o a si possono introdurre delle impurit` nella struttura cristallinea del matea riale. Lintroduzione delle impurit` consiste essenzialmente nellimmettere a nel reticolo cristallineo del silicio degli atomi di un altro materiale tramite un processo di drogaggio; il drogaggio pu` essere di due tipi: donatore o o accettore. Il drogaggio donatore (chiamato anche di tipo n) riguarda lintroduzione nella struttura cristallinea del silicio di un atomo di un materiale appartenente alla quinta colonna della tavola periodica degli elementi (tipicamente fosforo o arsenico), cos` quando un atomo donatore occupa il posto di un atomo di silicio nella struttura cristallinea, quattro dei cinque elettroni dellorbitale esterno formano legame covalente e quello rimasto va in banda di conduzione. La conducibilit` ` dovuta al moto di elettroni nella banda di ae conduzione; latomo donatore diviene uno ione carico positivamente. Il drogaggio accettore (chiamato anche di tipo p) riguarda invece linserimento nel reticolo cristallineo di un atomo di un materiale appartenente alla terza colonna della tavola periodica (tipicamente boro), quando nel reticolo un atomo accettore occupa il posto di un atomo di silicio, un elettrone dellatomo vicino allatomo accettore, viene accettato in modo da formare quattro legami covalenti con gli atomi di silicio adiacenti. Questo meccanismo provoca una lacuna, come il lettore pu` facilmente intuire questo non o ` altro che il primo passo per una corrente di lacune in banda di valenza in e quanto ogni atomo del reticolo cristallineo cerca di completare il suo legame covalente. Latomo accettore diventa uno ione carico negativamente. Una volta eettuato il drogaggio, nel modello a bande di energia si formano dei livelli localizzati in prossimit` della banda di conduzione o della a banda di valenza a seconda del tipo di drogaggio. Nel drogaggio di tipo n ciascun donatore fornisce un livello localizzato ED molto vicino alla banda di conduzione, e quindi agli elettroni legati a quei livelli basta una piccola energia termica per passare in banda di conduzione. Invece nel drogaggio di tipo p, ciascun accettore fornisce un livello localizzato EA molto vicino alla banda di valenza, in questo modo agli elettroni della banda di valenza basta una piccola energia termica per 11

Figura 1.3: Rappresentazione del drogaggio accettore (boro) e donatore (fosforo).

rompere il loro legame covalente e passare nel livello localizzato lasciando libera una lacuna.

Figura 1.4: Modello a bande di energia nel Silicio dopo drogaggio di tipo n (sulla destra) e di tipo p (sulla sinistra).

1.1.3

La giunzione p n

La giunzione p n pu` essere realizzata a partire da un semiconduttore di o tipo n con concentrazione di atomi donatori ND , in cui vengono introdotti, tramite impiantazione ionica, atomi di tipo accettore in concentrazione NA , no a quando una regione del semiconduttore diviene di tipo p. Ora considerato che i portatori liberi tendono a muoversi da regioni a elevata concentrazione verso regioni a bassa concentrazione, si attiva un processo grazie al quale le lacune, diondono dal lato p al lato n, in maniera opposta agli elettroni, e quindi durante tutta la durata del processo le lacune lasciano nella regione p degli atomi degli atomi accettori carichi negativamente (ioni accettori), analogamente, gli elettroni lasciano nella regione n degli atomi donatori con carica positiva (ioni donatori). 12

Nelle vicinanze della giunzione si forma cos` una regione svuotata di cariche mobili (regione di svuotamento o svuotata), nella quale, applicando la legge di Gauss3 , si ottiene un campo elettrico molto grande in modulo che ha il suo massimo proprio nella zona di separazione.

Figura 1.5: Giunzione p n. Poich` il livello di Fermi EF rimane costante attraverso tutta la giune zione, appare evidente che le bande di conduzione e di valenza debbano incurvarsi nel modo descritto dalla gura 1.5; il salto dalla zona p alla zona n delle bande di conduzione e di valenza ` uguale, a meno di un fattore e, e proprio alla barriera di potenziale B0 . Esso pu` essere intuitivamente peno sato come un muro che impedisce agli elettroni liberi che si trovano nella zona n di passare alla zona p. Tale muro pu` essere modicato fornendo o un campo elettrico dallesterno che interferisca col campo elettrico formato dagli ioni ssi; a seconda del proprio segno la barriera diventer` pi` o meno a u spessa. Applicando perci` una dierenza di potenziale in v ai capi della giunzione o p n, convenzionalmente tra il contatto di anodo (regione p) e quello di catodo (regione n), siamo in grado di polarizzarla, in questo modo a seconda del segno della polarizzazione, diremo che siamo in polarizzazione diretta quando il segno della polarizzazione ` positivo, in polarizzazione inversa e quando il segno della polarizzazione ` negativo. In caso di polarizzazione e diretta, vi ` un valore della tensione (V di circa 0.75V) per il quale il diodo e entra in conduzione e la densit` di corrente che vi scorre subisce un netto a incremento poich` in questo caso il campo elettrico applicato si oppone a e
che si ricorda essere in forma generale: E = / s dove E ` il campo elettrico in e [Vcm1 ], la densit` di carica superciale in [Ccm3 ] e s la costante dielettrica relativa a del mezzo in [Fcm1 ]
3

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quello gi` presente rendendo un p` meno curve le bande di conduzione e a o valenza, quindi si pu` scrivere: o J = JS e kT 1 qG(Ln + Lp + w) [A cm2 ] dove: J: densit` di corrente [A cm2 ] a JS : densit` di corrente di saturazione [A cm2 ] a q: carica elementare (1.602 1019 C a meno del segno) v: tensione di polarizzazione della giunzione [V] k: costante di Boltzmann [J/K] T : temperatura di lavoro [K] G: tasso di generazione dei portatori [coppie cm3 s1 ] Ln : lunghezza di diusione degli elettroni [cm] Lp : lunghezza di diusione delle lacune [cm] w: larghezza della regione svuotata [cm] Una volta la giunzione p n in polarizzazione diretta, la tensione ai suoi capi rimane ssa al valore di V . In caso di polarizzazione inversa, invece, la giunzione p n viene attraversata da basse correnti poich` questa volta e il campo elettrico esterno si somma a quello della regione di svuotamento e essendo molto curve le due bande ` molto dicile per i portatori eettuare e il salto, per` la tensione ai capi della giunzione pu` (in modulo) raggiungere o o valori signicativi4 . La larghezza della regione di svuotamento ` certamente un parametro e molto importante ai ni dello sviluppo di questo lavoro ed `, come si aveva e intuito, dipendente dalla tensione di polarizzazione della giunzione per via della formula: wn,p = con: w = wn + wp [cm]
4 qv

(1.3)

1 ND,A

Si (B0 + | v 1 q N1D + NA

|)

[cm]

(1.4)

(1.5)

si rimanda la trattazione sul fenomeno del breakdown a testi specializzati

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dove:

w ` la larghezza totale della regione svuotata [cm] e wn ` la larghezza della regione svuotata dalla parte della zona drogata n [cm] e wp ` la larghezza della regione svuotata dalla parte della zona drogata p [cm] e
Si

` la costante dielettrica relativa del silicio (vale 11.8) e

ND ` la concentrazione degli atomi donatori [cm3 ] e NA ` la concentrazione degli atomi accettori [cm3 ] e B0 ` il potenziale di built-in della giunzione [V] e v ` la tensione di polarizzazione della giunzione [V] e Guardando lequazione 1.4 si vede subito come applicando una tensione di polarizzazione negativa molto elevata (sempre in modulo) la larghezza della regione svuotata aumenta considerevolmente, mentre in condizioni di polarizzazione diretta tutto ci` non sarebbe possibile visto lesiguo valore di o tensione raggiungibile. Inoltre dallequazione 1.5, considerando la condizione di neutralit` di a carica della struttura qNA wp = qND wn , si ha:
wn (1 + ND ) NA w (1 + NA ) p N
D

w = wn + wp =

[cm]

(1.6)

perci` risolvendo rispetto a wn e wp si ottiene che: o wn = w [cm] (1 + ND ) NA wp = w [cm] NA (1 + ND ) (1.7)

quindi si ricava che la regione svuotata tende ad espandersi nella regione meno drogata della giunzione p n, poich` ` necessariamente diversa ee la concentrazione ND dalla NA .

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1.1.4

Meccanismi di rivelazione della radiazione

Luso della giunzione p n come mezzo di rivelazione della radiazione (fotodiodo) ` e giusticato dal fatto che la sua regione di svuotamento, una volta sottoposta ad una radiazione a frequenza abbastanza elevata, i fotoni incidenti possono fornire lenergia necessaria anch alcuni elettroni della e banda di valenza rompano il loro legame covalente e passino in banda di conduzione, creando coppie elettrone-lacuna; queste ultime vengono intercettate dal campo elettrico formatosi con la giunzione e sono responsabili di un passaggio di corrente che con il suo scorrere provoca un abbassamento di tensione al contatto di catodo del fotodiodo. Anch si verichi lassorbimento di un fotone, occorre che lenergia e del fotone (Ep ), sia maggiore dellenergia relativa alla banda proibita del semiconduttore (EG ), cio`: e Ep = h EG [eV] dove: h ` la costante di Planck [6.626 1034 Js ] e ` la frequenza della radiazione [Hz] e Le caratteristiche i-v di un diodo in presenza di radiazione sono traslate verso il basso, ad indicare un notevole usso di corrente conseguente alle tante coppie elettrone-lacuna venutesi a creare. La corrente dovuta alla radiazione d` una misura pressoch` esatta dellenergia della stessa, a meno di a e un certo contributo dovuto allagitazione termica, chiamato anche corrente di buioche in un fotodiodo ` dellordine dei nA, ed ` nientaltro uno dei e e tanti rumori che aiggono i circuiti digitali. Come si vede dal graco 1.6 allaumentare dellenergia della radiazione incidente si ottengono correnti in modulo sempre maggiori. (1.8)

16

Figura 1.6: Caratteristiche i-v di un fotodiodo in presenza e assenza di radiazioni assorbite.

1.2

Struttura del singolo pixel: Architettura APS

Di seguito ` stata presentata una descrizione abbastanza esauriente del pixel e attivo APS, soprattutto focalizzata sul suo comportamento elettrico.

Figura 1.7: Schematico del pixel APS (sinistra) e struttura del pixel attivo (destra). Il comportamento del circuito ` direttamente inuenzato dallandamento e del segnale di RESET immesso nel gate del transistore Mrst 5 : RESET posto a livello alto: Mrst si trova a condurre, di riesso il
per una adeguata trattazione sulle diverse regioni di funzionamento del transistore MOS si consulti [7]
5

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catodo del fotodiodo si carica al valore VDD VT n 6 ; da notare come il transistore nMOS degradi i segnali alti (contrariamente ai transistori pMOS). La tensione del catodo resta ssata nch` Mrst non resti ine terdetto. In pratica in questa fase il fotodiodo ` una specie di capacit` e a in carica e non ` sensibile alla radiazione. e RESET posto a livello basso: Mrst non conduce pi`. Il contatto di u catodo del fotodiodo dovrebbe trovarsi in condizioni di alta impedenza e dovrebbe mantenere il valore di tensione prima accumulato. In realt` la presenza di capacit` parassite tra il gate di Mrst e il catodo a a stesso f` in modo che questo valore tenda a diminuire leggermente nel a corso del tempo. Ora il fotodiodo ` sensibile alla radiazione e, qualora e arrivasse, si vericherebbe un netto calo di tensione proprio al contatto sopra citato. Msf ` volutamente posto in regione di saturazione (` un Source Follower ) e e per legare direttamente il valore di tensione del suo source con quello del suo gate, che nel circuito APS ` il catodo del fotodiodo; esso ` un buer in quanto e e lega questultimo morsetto alluscita isolandoli di fatto elettricamente. Msel deve rendere disponibile il valore di tensione del catodo del fotodiodo per poter essere sempre trattato da opportuni circuiti di condizionamento.

Figura 1.8: Andamento del segnale di RESET e della tensione duscita del circuito del pixel.

Nel graco di gura 1.8 si vede come allarrivo della radiazione il pixel subisca un brusco calo di tensione, associato alla corrente prodotta dalle coppie elettrone-lacuna create.
6

VT n ` la tensione di soglia del transistore nMOS e

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1.3

Il sensore a pixel attivi

Il sensore RAPS03, mostrato schematicamente in gura 1.9, ` costituito e da una matrice di pixel attivi e da blocchi che svolgono il trattamento del segnale, in particolare lamplicazione e lindirizzamento.

Figura 1.9: Schema a blocchi di un sensore a pixel attivi.

Il sensore, composto da una matrice di pixel 128x128, ` stato realizzato e in tecnologia CMOS seguendo un processo standard di fabbricazione UMC a 180 nanometri non epitassiale. Il processo seguito ` valido anche per applie cazioni commerciali, con conseguente abbattimento dei costi di produzione; inoltre questa tecnologia permette di integrare nel singolo chip i blocchi adeguati al trattamento generico del segnale tramite la modalit` System On a Chip. Il vantaggio di questa implementazione ` laumento della velocit` di e a lettura unita a un minor consumo di potenza dato dalle basse tensioni in gioco, spinte sempre pi` in basso dalla continua corsa alla miniaturizzazione u imposta dalla costante evoluzione dei processi tecnologici di fabbricazione, i quali anandosi permettono una nuova generazione di sensori CMOS ogni due-tre anni. Purtroppo per` i vantaggi sopra elencati portano con se dei o fattori negativi legati alla sempre maggiore dicolt` nel realizzare leleta tronica di trattamento in quanto tensioni di funzionamento VDD sempre inferiori riducono lescursione logica del segnale7 . Inoltre anche il fattore
7

VDD VT dove VT ` la tensione di soglia del transistore MOS ed ` solitamente poe e

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di riempimento (chiamato anche Fill Factor ) ne risente poich` meno aree e vengono destinate al rilevamento della radiazione. I fotodiodi sono stati tutti posti in condizioni di polarizzazione inversa, con il catodo posto a potenziale maggiore dellanodo (messo a massa), perch` e come spiegato nel paragrafo 1.1.3, in queste condizioni di polarizzazione, essi stessi presentano una regione di svuotamento ragionevolmente pi` ampia u che in condizioni di polarizzazione diretta, e poich` una buona grandezza e della regione svuotata ` indice di buona capacit` da parte del fotodiodo e a di raccogliere i portatori (coppie elettrone-lacuna) ci si trova nelle migliori condizioni possibili per quanto riguarda il rivelamento della radiazione X. Da qui in poi verranno volutamente tralasciate considerazioni inerenti i blocchi del trattamento del segnale presenti nel sensore, in quanto questi dispositivi sono oggetto di studio di altri lavori.

1.4

Interazione con particelle ionizzanti

La caratteristica principale di una radiazione ` il trasporto di energia, che e pu` essere sottoforma di energia cinetica nel caso di particelle o di energia di o tipo elettromagnetico nel caso di fotoni. Il principale eetto dellinterazione di queste radiazioni con la materia sar` la cessione ad essa di parte o di a tutta lenergia, con possibile assorbimento della radiazione. Di consuetudine la comunit` scientica distingue le radiazioni ionizzanti a da quelle di tipo non ionizzante. Le prime, che in realt` sono quelle che a ci interessano, producono la ionizzazione degli atomi e delle molecole del mezzo attraversato e sono perci` in grado di provocare in esso mutazioni o a livello microscopico, estremamente pericolose quando colpiscono le forme biologiche, cosa non possibile per le radiazioni non ionizzanti consistendo solamente di un trasferimento termico di energia. Un tipico valore per la ionizzazione atomica o molecolare ` dellordine della decina di eV, valore che e perci` costituisce in qualche modo un discrimine tra i due tipi di radiazione. o I fotoni X, come quelli di tipo , fanno parte delle radiazioni che ionizzano indirettamente il materiale colpito in quanto vengono messe in moto particelle a loro volta ionizzanti contrariamente alle radiazioni associate a quelle provenienti da decadimenti e nelle quali il meccanismo di assorbista a valori che si aggirano sul volt, dipendentemente dal processo di fabbricazione del dispositivo

20

mento implica una perdita di energia che coinvolge direttamente un numero elevato di ionizzazioni provocando una ionizzazione diretta del bersaglio. I meccanismi di interazione saranno comunque diversi a seconda del tipo di radiazione; infatti in base alla dierenza ecienza di ionizzazione, diversa sar` la capacit` di penetrazione delle diverse radiazioni, anche a parit` di a a a energia trasportata. Nel paragrafo seguente verranno presi in considerazione gli aspetti della radiazione X sul Silicio.

1.4.1

Interazione con la radiazione X

Gli Active Pixel Sensors sono stati sviluppati per un grande numero di applicazioni di imaging in risposta al vertiginoso aumento delle prestazioni dei sensori in questo campo. Un area dove lo sviluppo ` stato meno intenso e ` il rilevamento diretto dei raggi X, un applicazione di vitale importanza e per la sica delle alte energie, al momento interamente dominata dai CCD. I rilevatori di raggi X dieriscono dai sensori commerciali che operano nel visibile in diversi aspetti: Richiedono un volume sensibile pi` spesso perch` i raggi X sono pi` u e u energetici, in quanto hanno frequenze comprese tra i 30 1015 Hz e 300 1018 Hz molto maggiori di quelle della luce nel visibile comprese tra i 428 e 749 THz8 . Alta ecienza di raccolta carica per un buon spettroscopio, dove il volume sensibile deve essere completamente svuotato. Basso rumore di lettura, essenziale a misurare piccoli pacchetti di carica (nellordine compreso tra 102 e 103 elettroni) depositati dai fotoni X. I raggi X al contatto col cristallo di Silicio possono suscitare tre conseguenze allaumentare dellenergia dei fotoni X incidenti: Eetto Fotoelettrico: In questo caso il fotone colpisce un elettrone legato a livelli atomici molto interni, e se la sua energia dovesse essere maggiore di quella che lega lelettrone allatomo il fotone viene completamente assorbito dallurto e lelettrone colpito, viene estromesso
8

Vedi equazione 1.8

21

dallatomo con energia cinetica data dalla dierenza tra lenergia del fotone e quella del legame atomico formando una lacuna, necessariamente colmata da elettroni a livelli orbitali maggiori con conseguente emissione della cosiddetta radiazione caratteristica.

Eetto Compton: Il fotone incidente di energia h colpisce un elettrone di livelli atomici esterni, quindi legati con forze di bassa intensit` al a nucleo dellatomo, e parte dellenergia dellenegia cinetica del fotone ` e trasferita allelettrone e viene pertanto messo in movimento. Il fotone X oltre ad aver perso energia cambia direzione di propagazione in modo dipendente dalla sua energia iniziale e dallenergia cinetica acquisita dallelettrone colpito.

Produzione di una coppia elettrone-positrone: Per alte energie dei fotoni incidenti, oltre 1.022 MeV, essi interagiscono direttamente con il nucleo dellatomo di Silicio, e nello scontro il fotone pu` sparire como pletamente dando luogo ad una coppia di elettroni positivi e negativi di energia cinetica pari alla dierenza dellenergia del fotone incidente e lenergia di 1.022 MeV corrispondente allequivalente energetico della massa delle due particelle. Lelettrone si muover` nel mezzo perdendo a a poco a poco la propria energia cinetica negli urti con gli elettroni orbitali, mentre il positrone (antimateria dellelettrone) persa la propria energia cinetica si annichilir` nel mezzo emettendo due fotoni di a energia ciascuno di 0.511 MeV e di opposta direzione. 22

Per le nostre applicazioni, nelle quali le energie incidenti sono di qualche keV leetto dominante ` senzaltro quello fotoelettrico, e nel seguito cone siderando che nel silicio si libera una coppia elettrone-lacuna ogni 3.6eV di energia incidente utilizzeremo un modello matematico, che implementato in un simulatore CAD, ci permetter` di generare una quantit` localizzata di a a carica pi` o meno imponente, nellistante di tempo voluto e nei punti della u struttura del silicio che desideriamo al ne di descrivere con un certo grado di precisione limpatto dei fotoni X nel sensore.

23

Capitolo 2

Strumenti di lavoro
Per simulare il comportamento del dispositivo, e avvicinarsi quanto pi` posu sibile alle reali condizioni di funzionamento, ` stato necessario avvalersi di e un software CAD che permettesse di risolvere in via numerica le equazioni che governano il comportamento di un dispositivo a semiconduttore sotto leetto di una radiazione incidente. Il pacchetto software adottato per la risoluzione di un problema cos` complesso ` la suite di programmi Sentaurus e di Synopsys, che operante in ambiente GNU Linux, si compone dei seguenti programmi: Sentaurus Structure Editor Sentarus Device Inspect Tecplot Inoltre per arontare al meglio la mole di calcolo rappresentata dalle diverse equazioni che il pacchetto CAD era costretto a risolvere ci si ` ape poggiati sul cluster di calcolo INFN, di cui parleremo diusamente sul nale del capitolo.

2.1

Costruzione della struttura: Sentaurus Structure Editor

Con Sentaurus Structure Editor si possono generare o editare strutture in 2D o 3D in maniera interattiva attraverso la graphical user interface (GUI). Pi` u 24

nel dettaglio ` possibile creare dei layout, denire proli di drogaggio, dei e contatti e discretizzare il dispositivo tramite delle griglie o mesh grazie alle quali si comunica al simulatore il numero di punti da utilizzare, attraverso un reticolo di forma poligonale, per lelaborazione della struttura.

Figura 2.1: Interfaccia iniziale di Sentaurus Structure Editor

Come si pu` notare in gura 2.1 questo ambiente ` caratterizzato sulla o e parte destra dellinterfaccia, da una regione di lavoro che consente di costruire la nostra struttura con degli appositi righelli con coordinate spaziali denite in m che consentono di ottenere gure precise con estrema semplicit`. Per sfruttare a fondo le potenzialit` di calcolo oerte si ` deciso di a a e lavorare in 3D impostando una profondit` di 50 m delle strutture; anche a perch` nelle simulazioni di dispositivi bidimensionali il simulatore considera e spessori di 1 m e il movimento delle cariche viene schiacciato lungo gli assi x ed y; situazione non di certo convincente se il nostro obiettivo ` quello di e approssimare pi` verosimilmente possibile il comportamento di dispositivi u reali. Una fase molto importante della costruzione della struttura ` quella dele la denizione del drogaggio che pu` essere di di tipo costante, nel quale o come il nome lascia intuire si droga tutta la struttura in maniera omogenea, mentre ben pi` complesso ` il tipo di drogaggio analitico nel quale possono u e essere inserite diverse funzioni analitiche sulla diusione delle impurit` nella a struttura di riferimento. Sentaurus Structure Editor restituisce in output i seguenti le: 25

File *.bnd : contiene le informazioni sulla composizione della struttura (dimensioni, materiali, contatti,...). Deprecato nelle nuove versioni di Sentaurus in favore dell*.tdr. File *.grd : vi sono memorizzati i dati relativi alla griglia come il numero di punti totali e le loro corrispondenti coordinate spaziali. File *.dat: racchiude tutte le informazioni riguardo i proli di drogaggio utilizzati. File *.cmd : lutente che usa il programma pu` scegliere se utilizzare o linterfaccia graca o quella a editor di testo; nel primo caso, quando si salva il progetto, Sentaurus Structure Editor traduce comunque tutte le informazioni passategli (layout, mesh, contatti, doping) in codice modicabile manualmente. File *.log : questo le non ` altro che un registro che riporta eventuali e problemi durante la creazione dei le della struttura. File *.sat: Struttura in formato ASCII. File *.scm: Schematico della struttura, anche qui ci sono informazioni su parametri della struttura come i contatti e i proli di drogaggio analogamente al *.cmd. File *.tdr : Nuovo formato di composizione della struttura. Tutti i comandi possono altres` essere inseriti nella command window presente in fondo allambiente di lavoro velocizzando, una volta presa familiarit` con essi, il processo di formazione della struttura. a

2.2

Calibrazione e generazione della mesh

E la fase cruciale per la riuscita o meno delle simulazioni; infatti ` mole to importante ottenere un buon rapporto qualit`-velocit` della simulazione, a a in quanto un basso numero di punti pur consentendo di ottenere una buona velocit` di simulazione andrebbe ad inciare la qualit` dellelaborazione a a mentre una troppo alta concentrazione di punti andrebbe a compromettere la velocit` stessa delle elaborazioni. Di solito un buon progettista adegua la a

26

mesh inttendola nei punti nei quali ritiene che il simulatore si debba concentrare maggiormente nei suoi calcoli; mentre usa un inttimento pi` largo u in punti di minore interesse. Per linserzione della griglia si usa il comando Add Renement dopo aver terminato la fase di denizione della struttura. Sono previsti tre diversi sistemi di generazione mesh: Sentaurus Mesh: E in realt` costituito da due dierenti motori, Axisa Aligned che ` rivolto a simulazioni di dispositivo e di processo, Tensore Product per simulazioni di campi elettromagnetici per il simulatore EMW di Sentaurus (di cui non parleremo nella trattazione). Sentaurus Mesh, nella concezione axis-aligned, ` consigliato per strutture perfete tamente simmetriche nelle quali il gradiente del drogaggio rappresenta una certa criticit` in particolari zone. La mesh per strutture 2D cona tiene triangoli mentre per quelle 3D tetraedri; un le *.tdr ` prodotto e in uscita. Noset3D: Questo sistema produce che mesh possono contenere strati di elementi quasi-paralleli a date superci di un dispositivo ed ` raccoe mandato per dispositivi non simmetrici, che hanno curve o irregolarit` a (come un transistore MOS nel quale il canale non ` planare). Anche e in questo caso la mesh ` composta da triangoli per strutture 2D e e tetraedri per strutture tridimensionali. Mesh: Generatore Axis-Aligned in grado di produrre mesh a elementi misti in 1D, 2D e 3D particolarmente complesse. Come Sentaurus Mesh ` consigliato per strutture simmetriche ed in uscita vengono proe dotti un le *.dat per i proli di drogaggio e uno *.grd per la griglia vera e propria. Dato lelevato standard di complessit` delle strutture in gioco la scelta a del generatore di griglia ` caduta su Mesh. e

2.3

Strutture realizzate

Tramite Sentaurus Structure Editor ` stata realizzata una matrice di 3x3 e pixel allo scopo di rappresentare al meglio la reale situazione in cui versa il singolo fotodiodo, che per noi ` quello centrale, quando ` inserito nel sensore, e e dove i pixel adiacenti concorrono con lui, tramite le loro regioni svuotate, a 27

Figura 2.2: Struttura 3D con mesh.

28

raccogliere le cariche generate nella struttura su cui esso ` poggiato. Sono e state create diverse strutture aventi per riferimento il sensore RAPS03, che si dierenziano solo nelle dimensioni x ed y in quanto tutte profonde 50 m. Esse presentano tutte un substrato di tipo p (boro) drogato in concentrazione 1015 atomi/cm3 in modo costante, giunzioni dei fotodiodi profonde 2 m di tipo n (fosforo) drogate in concentrazione 1019 atomi/cm3 con prolo di tipo Gaussiano avente deviazione standard 0.8, distanze di 10 m tra i centri dei fotodiodi esterni e quello centrale situato in mezzo, contatti metallici 0.4x0.4 posizionati ai centri dei 9 pixel. In particolare sono tre le strutture realizzate: 30x30x50 m 24x24x50 m 20x20x50 m Con il rimpicciolimento progressivo delle dimensioni delle strutture ` e scesa constantemente la distanza tra i centri dei fotodiodi esterni e il bordo, partendo da 10 m per la struttura 30x30x50 no ad annullarsi nel caso della 20x20x50 m. Come il lettore avr` modo di constatare nel prossimo a capitolo si ` andati nel corso del lavoro a simulare strutture pi` piccole e u in quanto comportavano un minor uso di punti, e quindi un minor costo computazionale del simulatore, fermo restando la consistenza dei risultati sperimentali.

Figura 2.3: Dettaglio della supercie delle strutture simulate con da sinistra verso destra, 30x30, 24x24, 20x20.

29

2.4

Il motore delle simulazioni: Sentaurus Device

Questo programma ` certamente il cardine di tutto il pacchetto Synopsys: e Esso permette di risolvere1 lequazione di Poisson che ` la 2.1 e i sistemi di e equazioni che riguardano la continuit` di carica e il trasporto dei portatori a (nellordine 2.2 e 2.3).

= q (p n + ND NA ) Jn = q R G +
n t

(2.1)

(2.2) Jp = q R G +
p t

Jn = qn nE + qDn n J = q pE qD p p p p

(2.3)

dove:

: potenziale elettrostatico [V] n: concentrazione degli elettroni [cm3 ] p: concentrazione delle lacune [cm3 ] A Jn : densit` di corrente di elettroni m2 a A Jp : densit` di corrente delle lacune [ m2 ] a R: tasso di ricombinazione [coppie cm3 s1 ] G: tasso di generazione [coppie cm3 s1 ] cm2 n : mobilit` degli elettroni [ V s ] a cm2 p : mobilit` delle lacune [ V s ] a 2 Dn : diusivit` degli elettroni [ cm ] a s 2 Dp : diusivit` delle lacune [ cm ] a s Sentaurus Device funziona esclusivamente da linea di comando: esso quando viene invocato prende in ingresso un le *.cmd nel quale sono descritti i contatti del dispositivo, le condizioni di analisi, il tipo di simulazione e i le di input/output coinvolti in questultima. Proprio nelle gure 2.4 e
1

per funzioni avanzate vedere manuale di Sentaurus Device [3]

30

2.5 sono descritti i le in gioco nelle simulazioni, sia nel nuovo formato *.tdr utilizzato nelle recenti versioni di Sentaurus che nel vecchio formato *.bnd, in questo caso da accompagnare al le di griglia *.grd.

Figura 2.4: Flusso di simulazione nel formato *.tdr.

Figura 2.5: Flusso di simulazione nel vecchio formato *.bnd.

Sentaurus Device permette di impostare simulazioni di una singola periferica isolata o di diverse periferiche, anche combinate tra esse con un circuito. In sostanza sono queste le peculiarit` del CAD: a Esteso set di modelli per periferiche siche ed eetti in dispositivi a semiconduttore (modelli di deriva-diusione, termodinamici e idrodinamici). Supporto a dierenti geometrie (1D, 2D, 3D e 2D cilindriche). Supporto in modo misto (Mixed-mode) di listati con modelli di dispositivo con griglia e modelli di circuiti con SPICE. Le simulazioni di periferiche multiple possono combinare dispositivi con dierenti mesh e dierenti modelli sici possono essere applicati nella singola 31

periferica al ne di dare allutente la maggiore essibilit` possibile. In tutti a i casi i listati possono contenere possono contenere una sezione termica ed elettrica. Le sezioni del le *.cmd in ingresso a Sentaurus Device sono comprese tra {...} e sono nellordine: 1. Device: Indica i dispositivi coinvolti nella simulazione, ` presente solo e in simulazioni Mixed-Mode. 2. File: Vengono specicati i le di input/output della simulazione. In particolare dalle strutture realizzate con Sentaurus Structure Editor vengono prelevati, oltre a un possibile le di parametri opzionali *.par, i le *.tdr o *.bnd+*.cmd a seconda del formato utilizzato dallutente, mentre in uscita vengono restituiti un le *.plt nel quale vengono salvate le variazioni delle grandezze macroscopiche come tensioni e correnti e un le *.tdr o *.dat, sempre a seconda del formato scelto, dentro al quale sono presentate le variazioni delle grandezze microscopiche in seguito alla simulazione come il gradiente della concentrazione di drogante, la densit` delle coppie elettrone-lacuna, lintensit` del campo a a elettrico e il comportamento del modello sico implementato. Inne un le *.log viene creato automaticamente per tenere traccia di tutti i calcoli intervenuti durante la simulazione e di eventuali errori. 3. Electrode: Qui sono deniti tutti gli elettrodi da usare con le rispettive condizioni al contorno e le polarizzazioni iniziali. Le condizioni da impostare riguardano il tipo di contatto, che per default ` considerato e ohmico e il voltaggio della polarizzazione. E necessario impostare i nomi dei contatti con lo stesso nome dei contatti deniti in Sentaurus Structure Editor, pena il non funzionamento della simulazione. 4. Thermode: Simile alla sezione precedente, permette altres` di de scrivere il funzionamento dei contatti in termini di variazione della temperatura assunta; ` prevista inoltre una temperatura iniziale da e impostare. Non ` stata comunque utilizzata in questa trattazione. e 5. Physics: Permette di impostare i modelli sici da applicare alla simulazione del dispositivo. Tali modelli si possono limitare anche a ristrette porzioni della struttura o a particolari materiali; alcuni sono elencati di seguito: 32

Quasi-Fermi : Permette di calcolare la densit` dei portatori a a partire dal potenziale quasi-Fermi delle cariche stesse. Statistica Fermi-Dirac: Viene utilizzata per modellare la statistica di occupazione dei livelli energetici fuori dallequilibrio, ` e usata al posto della statistica di Boltzmann. Equazioni di trasporto: Si diversicano a seconda della scelta di implementare un modello di deriva-diusione, idrodinamico o termodinamico. Modelli di mobilit` : Sono calcolate le variazioni di mobilit` dei a a portatori dovuta a diversi fattori come il raggiungimento della velocit` di saturazione per via dellalto campo elettrico o lalta a concentrazione di drogante in una determinata zona del materiale. Modelli di generazione-ricombinazione: Sono modelli che tengono conto dei processi di scambio dei portatori tra la banda di valenza e la banda di conduzione. Il pi` importante ` il modello Shockleyu e Read-Hall (SRH) che tiene conto di livelli energetici intermedi posti a cavallo dellenergy gap dovuti a imperfezioni del reticolo di silicio. Modelli di generazione ottica: Calcolano il tasso di generazione ottico quando un onda luminosa penetra la struttura e produce coppie elettrone-lacuna una volta assorbita. Modelli di radiazione: Modellano limpatto di particelle altamente energetiche nella periferica a semiconduttore attraverso la generazione di coppie elettrone-lacuna. In particolare uno di questi modelli verr` approfondito nel proseguio della trattazione. a Modelli di rumore e analisi di uttuazione: Tengono conto delle non idealit` statistiche riguardo il comportamento dinamico del a dispositivo calcolando deviazioni standard rispetto alla media dei dispositivi. 6. System: Presente unicamente in simulazioni Mixed-Mode, descrive le connessioni circuitali tra i dispositivi mediante sintassi SPICE. 7. Plot: Specica tutte le variabili salvate nei le di plot che possono essere di natura microscopica o macroscopica. Solo i dati che Sentaurus 33

Device ` in grado di calcolare, basati sul modello sico scelto, vengono e immagazzinati in questi le. 8. Math: Tramite questa sezione si possono dettare delle impostazioni da passare al risolutore numerico in quanto esso, risolvendo equazioni di continuo, ad ogni iterazione calcola un errore e tenta di convergere ad una soluzione con il minor errore possibile. Si pu` anche impostare o lentit` dellerrore di approssimazione. a 9. Solve: Denisce una sequenza di soluzioni da ottenere tramite il risolutore. Qui si discrimina il tipo di simulazione, che pu` essere prino cipalmente quasi-stazionaria o tempo-variante. Inoltre ` possibile ane nidare simulazioni tra loro ed eettuare plot parziali in concomitanza di precisi istanti di tempo o particolari condizioni; nel caso una simulazione dipenda da unaltra precedente basta inserire il relativo le *.sav allinterno di questa sezione, dato che tale le contiene tutte le informazioni necessarie al riavvio della simulazione. Il comando Coupled permette di risolvere pi` equazioni nella stessa siu mulazione tramite lalgoritmo iterativo di Newton. I possibili parametri di questo comando sono il massimo numero di iterazioni permesse, la precisione richiesta della soluzione, il risolutore lineare da utilizzare e se alla soluzione ` consentito peggiore nel corso di un certo numero e di iterazioni. E necessario ricordare che, a dierenza delle sezioni gi` descritte, ` ima e portante la gerarchia dei comandi inseriti, in quanto vengono eseguiti dal simulatore in ordine sequenziale. Le simulazioni qui sviluppate sono di tipo Mixed-Mode e pertanto sono contemplate le sezioni Device e System.

2.4.1

La simulazione quasi-stazionaria: Incrementi a piccoli passi

La simulazione quasi-stazionaria incrementa di piccoli step le variabili statiche (come la tensione ad un nodo) e risolve le equazioni che riguardano le grandezze di interesse per ogni incremento. Sopra in gura 2.6 ne ` indicato lo schema: si parte da un valore iniziale e del parametro, la simulazione continua ad iterarlo risolvendo le equazioni 34

Figura 2.6: Schema di calcolo della simulazione quasi-stazionaria.

caratteristiche del dispositivo no a giungere al valore richiesto dallutente. Ecco di seguito uno dei listati utilizzati:

Device TUTTO { File { Grid = diode1 msh.grd Doping = diode1 msh.dat *Parameter = par.par * ` un commento e Plot = staz sensore mdr.dat Current = staz sensore mdr.plt } Electrode { {Name = centrale Voltage = 0.0} {Name = bulk Voltage = 0.0} {Name = sx Voltage = 0.0} {Name = upsx Voltage = 0.0} {Name = dx Voltage = 0.0} {Name = updx Voltage = 0.0} {Name = downsx Voltage = 0.0} {Name = downdx Voltage = 0.0} {Name = up Voltage = 0.0} {Name = down Voltage = 0.0} } Physics { Fermi EffectiveIntrinsicDensity(OldSlotboom)

35

Mobility(DopingDep HighFieldSat) Recombination(SRH (DopingDep)) } }

System { TUTTO tutto (bulk=n0 centrale=n1c sx=n1sx dx=n1dx upsx=n2sx updx=n2dx up=n4up downsx=n3sx downdx=n3dx down=n4down) Set (n0 = 0.0) *bulk Set (nresetsignal = 0.0) Set (n1c = 0.0) Set (n1sx = 0.0) Set (n1dx = 0.0) Set (n2sx = 0.0) Set (n2dx = 0.0) Set (n3sx = 0.0) Set (n3dx = 0.0) Set (n4up = 0.0) Set (n4down = 0.0) Set (n2 = 1.8) *Vdd

Plot nodes.plt (time() v(n1sx) v(n1dx) v(n2sx) v(n2dx) v(n1c) v(n4up) v(n4down) v(n3sx) v(n3dx) v(nresetsignal)) } File { SPICEPath = ../parameter/ Current = tot current Output = tot output

36

} Plot { eDensity hDensity eCurrent/Vector hCurrent/Vector Current/Vector Doping ElectricField/Vector SpaceCharge HeavyIonChargeDensity Potential SRHRecombination } Math { Extrapolate Derivates RelErrControl NewDiscretization RecBoxIntegr } Solve { Poisson Coupled (Iterations= 75 NotDamped = 30) { Poisson Electron Hole Circuit Contact }

Quasistationary (MaxStep=0.1 MinStep=1e-9 InitialStep=0.1 Goal { Node= n1c Voltage=1.7 }) { Coupled (Iterations=20 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole } } Quasistationary (MaxStep=0.1 MinStep=1e-9 InitialStep=0.1 Goal { Node= n1sx Voltage=1.7 }) { Coupled (Iterations=20 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole } } 37

Quasistationary (MaxStep=0.1 MinStep=1e-9 InitialStep=0.1 Goal { Node= n1dx Voltage=1.7 }) { Coupled (Iterations=20 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole } } Quasistationary (MaxStep=0.1 MinStep=1e-9 InitialStep=0.1 Goal { Node= n2sx Voltage=1.7 }) { Coupled (Iterations=20 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole } } Quasistationary (MaxStep=0.1 MinStep=1e-9 InitialStep=0.1 Goal { Node= n2dx Voltage=1.7 }) { Coupled (Iterations=20 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole } } Quasistationary (MaxStep=0.1 MinStep=1e-9 InitialStep=0.1 Goal { Node= n3sx Voltage=1.7 }) { Coupled (Iterations=20 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole } } Quasistationary (MaxStep=0.1 MinStep=1e-9 InitialStep=0.1 Goal { Node= n3dx Voltage=1.7 }) { Coupled (Iterations=20 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole } } Quasistationary (MaxStep=0.1 MinStep=1e-9 InitialStep=0.1 Goal { Node= n4up Voltage=1.7 }) { Coupled (Iterations=20 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole } } Quasistationary (MaxStep=0.1 MinStep=1e-9 InitialStep=0.1 Goal { Node= n4down Voltage=1.7 }) { Coupled (Iterations=20 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole } } Save(FilePrefix= staz) 38

} } Lo scopo della simulazione quasi-stazionaria, nel caso specico della trattazione, ` stato quello di portare i catodi dei fotodiodi al valore di VDD VT n e pari a 1.7V. Si noti lassenza del circuito APS dalla simulazione in quanto la struttura ` stata polarizzata forzosamente dal simulatore senza bisogno e di aiuti esterni.

2.4.2

La simulazione tempo-variante: Inserimento del modello di radiazione

Figura 2.7: Schema di calcolo della simulazione tempo variante.

La simulazione tempo-variante o transiente eettua unanalisi del dispositivo nel dominio del tempo. Essa prende in ingresso i calcoli eettuati prima dalla simulazione quasi-stazionaria e continua a risolvere equazioni del dispositivo nel dominio del tempo mentre ` lutente a decidere gli intere valli temporali e la loro discretizzazione. Discretizzazioni temporali lasche portano certamente a simulazioni di durata ridotta ma vi ` insito il rischio, e come daltra parte per quanto riguarda mesh non troppo ottimizzate, di perdersi delle variazioni importanti delle grandezze siche in gioco e pertanto st allabilit` del buon progettista di scendere a compromessi di convenienza a a con il simulatore. Ecco di seguito uno dei listati utilizzati; il processo che ha portato luso di capacit` da 1fF di valore al posto dei circuiti APS saranno a chiari al lettore nel corso del prossimo capitolo.

Device TUTTO { File { Grid = diode1 msh.grd Doping = diode1 msh.dat *Parameter = par.par * ` un commento e

39

Plot = staz sensore mdr.dat Current = staz sensore mdr.plt } Electrode { {Name = centrale Voltage = 0.0} {Name = bulk Voltage = 0.0} {Name = sx Voltage = 0.0} {Name = upsx Voltage = 0.0} {Name = dx Voltage = 0.0} {Name = updx Voltage = 0.0} {Name = downsx Voltage = 0.0} {Name = downdx Voltage = 0.0} {Name = up Voltage = 0.0} {Name = down Voltage = 0.0} } Physics { Fermi EffectiveIntrinsicDensity(OldSlotboom) Mobility(DopingDep HighFieldsat) Recombination(SRH (DopingDep)) HeavyIon ( Let f = 0.0003555 Length = 1 Wt hi = 1 Time = 8e-6 Location = (0 , 0, 10) Direction = (0 , 0, 1) PicoCoulomb ) } }

40

System { TUTTO tutto (bulk=n0 centrale=n1c sx=n1sx dx=n1dx upsx=n2sx updx=n2dx up=n4up downsx=n3sx downdx=n3dx down=n4down) Set (n0 = 0.0) *bulk Set (nresetsignal = 0.0) Set (n1c = 1.7) Set (n1sx = 1.7) Set (n1dx = 1.7) Set (n2sx = 1.7) Set (n2dx = 1.7) Set (n3sx = 1.7) Set (n3dx = 1.7) Set (n4up = 1.7) Set (n4down = 1.7) Set (n2 = 1.8) *Vdd *centrale Capacitor pset cap c (n1c n0) { capacitance=1e-15 } *sx Capacitor pset cap sx (n1sx n0) { capacitance=1e-15 } *dx Capacitor pset cap dx (n1dx n0) { capacitance=1e-15 } *upsx Capacitor pset cap upsx (n2sx n0) { capacitance=1e-15 } *updx 41

Capacitor pset cap updx (n2dx n0) { capacitance=1e-15 } *downsx Capacitor pset cap dosx (n3sx n0) { capacitance=1e-15 } *downdx Capacitor pset cap dodx (n3dx n0) { capacitance=1e-15 } *up Capacitor pset cap up (n4up n0) { capacitance=1e-15 } *down Capacitor pset cap do (n4do n0) { capacitance=1e-15 } }

Plot nodes.plt (time() v(n1sx) v(n1dx) v(n2sx) v(n2dx) v(n1c) v(n4up) v(n4down) v(n3sx) v(n3dx) v(nresetsignal)) } File { SPICEPath = ../parameter/ Current = current Output = output } Plot { eDensity hDensity 42

eCurrent/Vector hCurrent/Vector Current/Vector ElectricField/Vector HeavyIonChargeDensity Potential } Math { Extrapolate Derivates RelErrControl NewDiscretization RecBoxIntegr } Solve { Poisson Coupled (Iterations= 50 NotDamped = 7) { Poisson Electron Hole Circuit Contact }

Load (FilePrefix = ../parameter/staz) NewCurrent = sensore trans Unset(n1c) Unset(n1sx) Unset(n1dx) Unset(n2sx) Unset(n2dx) Unset(n3sx) Unset(n3dx) Unset(n4up) Unset(n4down) Transient ( InitialTime=0 FinalTime=0.09e-6 43

MaxStep=3e-6 MinStep=1e-17 InitialStep=0.01e-6 ) { Coupled (Iterations=10 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole Circuit Contact } }

Transient ( InitialTime=0.09e-6 FinalTime=0.11e-6 MaxStep=5e-10 MinStep=1e-11 InitialStep=1e-10 ) { Coupled (Iterations=10 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole Circuit Contact } Plot (Time= (0.09e-6; 0.1e-6; 0.11e-6) NoOverwrite) }

Transient ( InitialTime=0.11e-6 FinalTime=4.9e-6 MaxStep=5e-7 MinStep=1e-9 InitialStep=1e-8 ) { Coupled (Iterations=10 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole Circuit Contact } }

Transient ( InitialTime=4.9e-6 FinalTime=5.2e-6 MaxStep=5e-9 InitialStep=1e-11 ) { Coupled (Iterations=10 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole Circuit Contact } }

Transient ( InitialTime=5.2e-6 FinalTime=7.9701e-6 MaxStep=1e-7 InitialStep=1e-7 )

44

{ Coupled (Iterations=10 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole Circuit Contact } }

Transient ( InitialTime=7.9701e-6 FinalTime=7.990e-6 MaxStep=1e-9 InitialStep=1e-11 ) { Coupled (Iterations=10 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole Circuit Contact } }

Transient ( InitialTime=7.990e-6 FinalTime=7.995e-6 MaxStep=1e-10 InitialStep=1e-11 ) { Coupled (Iterations=10 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole Circuit Contact } }

Transient ( InitialTime=7.995e-6 FinalTime=8.005e-6 MaxStep=5e-11 InitialStep=1e-11 ) { Coupled (Iterations=10 NotDamped=7) { Poisson Electron Hole Circuit Contact } Plot ( Time= (7.9999e-6; 8.00001e-6; 8.0001e-6; 8.001e-6; 8.003e-6; 8.005e-6; 8.008e-6; 8.01e-6) NoOverwrite) }

Transient ( InitialTime=8.005e-6 FinalTime=8.755e-6 MaxStep=1e-8 InitialStep=1e-11 ) { Coupled (Iterations=10 NotDamped=7)

45

{ Poisson Electron Hole Circuit Contact } Plot ( Time= (8.355e-6; 8.755e-6 ) Compressed) }

Transient ( InitialTime=8.755e-6 FinalTime=10e-6 MaxStep=1e-7 InitialStep=1e-11 ) } E di estrema importanza inserire nella simulazione il modello sico da utilizzare per modellare la radiazione nella sezione Physics per vericare il comportamento della struttura dallistante temporale in cui essa arriva no al suo assestarsi. Il modello di radiazione implementato ` HeavyIon e nel prossimo capie tolo verr` approfondito. a Da notare, nel listato qui sopra riportato, come prima del comando Transient nella sezione Solve, siano stati staccati tutti i catodi dei fotodiodi con il comando Unset allo scopo di non mantenere ssato il livello di polarizzazione precedentemente raggiunto. Speciche istruzioni di plot sono state inoltre aggiunte nei periodi immediatamente precedenti e susseguenti larrivo della radiazione.

2.5

Aspetto macroscopico delle simulazioni: Inspect

Inspect permette di visualizzare i graci delle grandezze macroscopiche fornite da Sentaurus Device come tensioni e correnti in funzione del tempo o di altri parametri. Il programma prende in ingresso un le *.plt con descritte le variazioni delle grandezze sopra citate ed ` anche possibile esportare i set e di dati gracati per poterli leggere con altri programmi (come Grace e suoi cloni).

46

Figura 2.8: Ambiente iniziale di Inspect

2.6

Aspetto microscopico delle simulazioni: Tecplot

Questo programma si preoccupa di visualizzare le grandezze elettriche microscopiche generate dalla simulazione in Sentaurus Device allinterno della struttura. Esso prende in input il le del layout della struttura prodotto con Sentaurus Structure Editor, cio` il *.tdr o equivalentemente il *.bnd oltre e al le *.dat; contenenti proprio le informazioni a pi` basso livello sugli u aspetti di natura microscopica precedentemente elaborati. Dalla gura 2.9 si nota come sulla destra vi sia larea di visualizzazione, mentre sulla parte sinistra vi siano una serie di comandi che permettono di scegliere le grandezze da visualizzare; tra questi ` possibile trovare delle e funzioni matematiche che permettono ad esempio di integrare le curve di interesse, fattore di una certa utilit` per il proseguio del lavoro. a Tecplot oltre a permettere di avere visualizzati aspetti come la concentrazione di drogante, il potenziale elettrostatico, il campo elettrico e la densit` a spaziale di carica permette di avere una certa idea sulla parte della struttura interessata alla generazione di carica nel modello HeavyIon. Ecco di seguito alcune immagini della struttura simulata raccolte con Tecplot.

47

Figura 2.9: Ambiente iniziale di Tecplot

Figura 2.10: Proli di drogaggio della struttura 20x20

48

Figura 2.11: Concentrazione di fosforo nella struttura 20x20

2.7

Il cluster di calcolo INFN GRID

La sezione INFN di Perugia partecipa alla porzione italiana dellLHC Computing GRID o LCG mettendo a disposizione il cluster ospitato presso il Dipartimento di Fisica dellUniversit` degli Studi di Perugia, per un totale a di oltre 100 CPU. Al momento il cluster ore pieno supporto a tutti gli esperimenti registrati nella LCG, ma date le potenzialit`, ospita anche software a di simulazione come il pacchetto Sentaurus di Synopsys. E necessario che le macchine messe a disposizione della grid INFN ospitino al loro interno il sistema operativo Scientic Linux CERN e che supportino il calcolo parallelo tramite le librerie MPI. Dal punto di vista topologico il cluster ` costituito da nodi, che possono e essere interni o di frontiera, e da una rete di interconnessione tra di essi. I nodi di frontiera sono di questi tipi: Computing Element: Nodo pi` importante; ospita il Batch System. u Esso ricevuti in ingresso una serie (batch) di lavori degli utenti de-

49

Figura 2.12: Topologia della rete del cluster INFN di Perugia.

ve essere in grado di eseguirli senza interagire con loro e restituire i risultati al termine dellelaborazione. User Interface: Sono i nodi tramite i quali lutente manda i propri processi al sistema; sono gli unici accessibili dallesterno. Storage Element: Permettono di utilizzare le capacit` di storage del a cluster; essi gestiscono lo spazio a disposizione come se fosse un unica risorsa e, tramite meccanismi automatici per la gestione distribuita di le e directory, consentono laccesso ai dati indipendentemente dalla loro locazione sica. Install Server : Sono destinati a ospitare repository di software, in particolare delle immagini del sistema operativo in uso sui nodi. I nodi interni, non accessibili dallesterno, sono di soli due tipi: Worker Node: Eseguono sicamente i processi sulle proprie risorse locali. Le caratteristiche di tali nodi sono variegate in termini di potenza di calcolo e riettono landamento evolutivo del cluster. File Server : Tramite sistemi RAID per la gestione di array di dischi permettono larchiviazione di notevoli quantit` di dati. Da notare che a la capacit` di storage del cluster oltrepassa i 30 TB. a

50

I nodi sono interconnessi da una LAN Ethernet con topologia a stella a due livelli. Il primo livello ` composto da uno switch principale dal quale si e diramano le connessioni verso gli switch del secondo livello. La connessione a internet ` garantita dai nodi di frontiera, che solitamente dispongono di e due interfaccie di rete: una verso lesterno del cluster e laltra verso la rete del dipartimento. Il rewall dipartimentale regola le politiche di accesso. Lo standard IEEE 802.11Q (Virtual Lan) permette al cluster di collegare tra loro macchine appartenenti a sottoreti diverse come se fossero sulla stessa rete locale costituendo una rete nascosta data la carenza di indirizzi IP pubblici. Per il lavoro di tesi si ` potuto accedere alla User Interface tramite e protocollo SCP per mandare al cluster i le delle simulazioni e tramite il protocollo SSH per sottomettere da remoto i processi alla coda di quelli in elaborazione.

Figura 2.13: Stato dei processi in coda presso il Batch System.

Allo scopo di far funzionare il pacchetto Sentaurus sul cluster lo si ` e installato dentro una macchina virtuale che, con tecnologia Xen, f` da server a della rete consentendo ai vari nodi di far girare il software CAD tramite autenticazione.

51

Capitolo 3

Simulazioni
3.1 Implementazione del modello HeavyIon

Nella simulazione transient si inserisce il modello HeavyIon (letteralmente ione pesante) con gli adeguati argomenti, questultimo ` stato immesso in e Sentaurus Device con lo scopo di studiare il comportamento della struttura creata nellambiente operativo Sentaurus Structure Editor, sotto leetto di radiazione X.

Figura 3.1: Modello HeavyIon di Sentaurus Device.

Come si vede in gura 3.1, luso di tale modello consente di generare una certa quantit` di carica localizzata in un punto a piacimento della struttura a di interesse, simulando perci` leetto dei raggi X incidenti sulla struttura o sensibile del fotodiodo. 52

Il modello HeavyIon deve essere invocato nella sezione Physics nel listato che deve essere inserito in Sentaurus Device per la simulazione transiente e si presenta con questa sintassi: HeavyIon( Let f = LET Length = l Wt hi = wt Time = t0 Location = (x, y, z) Direction = (x, y, z) PicoCoulomb) Ecco in ordine il signicato di tali istruzioni: Let f : determina la quantit` di carica generata e cio` il numero di a e coppie elettrone-lacuna. Length: indica la lunghezza percorsa dalla ione (espressa in cm). a Wt hi : indica la distanza caratteristica (in cm) ovvero quella quantit che inuisce sulla larghezza della zona in cui avviene la generazione. Time: denisce listante in cui lo ione penetra nella struttura (` e espresso in s). Location: individua il punto in cui il fotone entra entra nel dispositivo e quindi il punto in cui avviene la generazione denendo un tracciato bidirezionale dove Sentaurus Device calcola il tasso di generazione in entrambe le direzioni dal piano di incidenza lungo il vettore Direction. Direction: imposta la direzione con il quale la particella si sta muovendo. PicoCoulomb: ` una istruzione opzionale che permette di esprimere il e pC parametro Let f in m invece di coppie . cm3 Le equazioni che regolano la generazione in funzione della posizione e del tempo sono le 3.1, 3.4 e 3.3. G(l, w, t) = LET (l) R(w) T (t) 53 (3.1)

R(w) = e

w w

(3.2)

T (t) =

shi 2 1 + erf

2e

tt0 2 ) shi

t0 2shi

(3.3)

Le grandezze che compaiono sono1 : G(l, w, t) ` la funzione (tasso) di e generazione causato dallo ione pesante; LET ` il Linear Energy Transfer e che dipende dal parametro Let f scelto e rappresenta lenergia persa dalla particella nellimpatto e che quindi viene trasferita alla struttura ed ` fune zione della lunghezza del percorso l; la funzione R(w) denisce landamento della generazione lungo il piano normale alla traiettoria dello ione2 ; T (t) determina invece landamento temporale della funzione di generazione, dove shi ` il valore caratteristico della gaussiana. e Ecco una bellissima immagine 3D di Tecplot del modello HeavyIon:

Figura 3.2: Heavy Ion alla profondit` di 10 m nella struttura 20x20. a

Inne di seguito due istantanee della radiazione centrata in supercie e a 5 m di profondit`, sempre prese da Tecplot. a Mettendo a confronto le due istantanee si intravede che nella generazione superciale, anche se lasse z non parte esattamente da zero, circa met` della a
per maggiori informazioni vedi [3] per default HeavyIon considera R(w) come una funzione esponenziale, ma tramite laggiunta di una riga con listruzione Gaussian si pu` ottenere un prolo gaussiano del o tipo: ( w )2 R(w) = e wt (3.4)
2 1

54

Figura 3.3: Sezione della struttura: Radiazione in supericie.

Figura 3.4: Sezione della struttura: Radiazione a 5 m di profondit`. a

55

carica viene generata fuori dalla struttura; infatti solo in gura 3.4 si pu` o pienamente apprezzare il cilindroide disegnato da HeavyIon. Il parametro Let f, poich` si ` voluti utilizzare lopzione PicoCoulomb e e pC ` stata ritenuta pi` comoda di coppie , ` in quanto lunit` di misura m e a u cm3 e stato determinato a partire dalla quantit` di coppie elettrone lacuna che si a volevano immettere nella struttura ad una certa profondit` in m utilizzando a la relazione 3.5: LET = dove: LET : Linear Energy Transfer [C] coppie: coppie elettrone-lacuna da immettere [coppie] q: carica elementare (1.602 1019 C a meno del segno) il fattore di scala 1012 ` stato aggiunto per passare da C a pC. e coppie q [C] 1012 (3.5)

3.2

Condizioni al contorno

Il sensore RAPS ` stato simulato con due dierenti circuiti di complemento: e Circuito APS : Classico schematico di gura 1.7 dove attaccati al singolo fotodiodo sono stati inseriti i tre transistori nMOS Mrst , Msf e Msel . Il problema di questo circuito, anche se eettivamente rappresenta le condizioni reali di contorno del fotodiodo sottoposto a radiazione, ` e quello di aggiungere molta complessit` computazionale alla simulazioa ne, in particolare quella transiente, senza essere determinante ai ni della valutazione delleetto desiderato. Capacit` equivalente da 1 fF : Inserimento di una capacit` equivalente a a al catodo del fotodiodo. In questo modo il fotodiodo vede un impedenza di natura capacitiva come carico che ` in realt` lapprossimazione e a della capacit` vista col circuito APS ma con una netta semplicazione a dei calcoli annessi alla simulazione. Da notare che solo il sensore RAPS 30x30 ` stato simulato con il circuito e APS; mentre dalla struttura 24x24 esso ` stato eliminato in favore delle pi` e u pratiche capacit`. a 56

Figura 3.5: Dettagli del singolo pixel con attaccato circuito APS.

Figura 3.6: Dettagli del singolo pixel con attaccata capacit` da 1 fF. a

57

3.3

Metodologie di simulazione

Lobiettivo delle simulazioni numeriche di Sentaurus Device ` stato quello e di valutare la raccolta di cariche per ciascuno dei 9 pixel che si chiamano dallalto verso il basso: uspx, up, updx, sx, centrale, dx, downsx, down, downdx. Per fare ci` si ` partiti dai valori della corrente dei pixel e sono o e stati integrati tramite la funzione Integrate di Tecplot in virt` della seguente u relazione:
t2

Q=
t1

i(t)dt [C]

(3.6)

dove: Q: carica raccolta [C] i(t) corrente in funzione del tempo [A] t1 e t2 sono stati scelti in modo da contenere la forma donda di corrente formatasi con la generazione di carica propria del modello HeavyIon senza prendere contributi ulteriori iniziando ad integrare appena prima listante di tempo in cui lo ione entra nella struttura, che per noi sar` ssato a 8 a s. Per togliere di mezzo la corrente di buio (la piccola quantit` di coppie a elettrone-lacuna che scorrono quando il fotodiodo ` in regione di funzioe namento inverso) del dispositivo ne ` stato calcolato il contributo facendo e girare la simulazione senza HeavyIon implementato; lammontare concolato ` stato inne sottratto al risultato dellintegrale della corrente per ciascun e pixel per ottenere il valore corretto di carica raccolta. La carica raccolta ` e stata poi tradotta in coppie elettrone-lacuna con la relazione: coppie = dove: Q: carica raccolta [C] q: carica elementare (1.602 1019 C a meno del segno) Sporadicamente ` stata anche valutata la caduta di tensione (V) ale larrivo della radiazione. Q q (3.7)

58

Figura 3.7: Esempio di situazione dove la corrente di buio (traccia rossa) si sovrappone alla corrente generata dalla radiazione (traccia blu).

3.4

Struttura 30x30x50 m

Impostazioni della Mesh in x,y,z : Max = 5 Min = 0.5 Non ` stato eettuato alcun anamento sullimpatto della radiazione, e mentre ` stato inserito un anamento nel fotodiodo in fondo a sinistra con e mesh max 2 min 0.5 su tutte le direzioni. La generazione della carica ` e impostata a distanze variabili lungo asse y. In tutto sono stati usati 9738 punti e sono serviti quasi 2 giorni di simulazione. Da quanto si vede in gura sono presenti evidenti ripple del segnale in corrente, quindi non si possono prendere a riferimento i risultati delle simulazioni in queste condizioni, per migliorare le cose si potrebbe anare nel fotodiodo centrale (lanamento era stato messo nel fotodiodo in basso a sinistra) e inttire ulteriormente lintervallo di simulazione dopo larrivo della radiazione, ma i tempi di simulazione aumenterebbero. Successivamente ` e stato portato il massimo della mesh lungo tutte le direzioni a 3 ma non vi sono stati miglioramenti della forma del segnale in corrente.

3.5

Struttura 24x24x50 m

Impostazioni della Mesh in x,y,z : Max = 3 59

Figura 3.8: Andamento della corrente al pixel Down, generazione in 1y. Min = 0.5 Con listruzione chop-domain di sde sono stati tagliati i bordi della struttura 30*30 per ottenerne una 24*24 lasciando inalterate le aree sensibili dei fotodiodi per risparmiare qualcosa sui tempi di simulazione. E stato imposto un anamento sotto al fotodiodo centrale mettendo max 1 e min 0.5 su x,y e profondit` 20. Questa volta al posto del circuito APS sui 9 fotodiodi a sono state immesse capacit` da 1fF per cercare di velocizzare le simulazioni a e togliere i fastidiosi ripple di corrente. La generazione della carica ` rimasta e a distanze variabili lungo asse y, sono stati usati 6964 vertici ed ` bastata e circa mezza giornata di simulazione. Ecco il modello HeavyIon utilizzato: HeavyIon( Let f = 1.28e-005 Length = 1 Wt hi = 1 Time = 8e-6 Location = (0 , y, 0) Direction = (0 , 0, 1) PicoCoulomb) dove al posto di y sono state inserite le coordinate dellasse y 0, 1, 2, 5, 10. 60

Figura 3.9: Andamento della corrente al pixel Centrale, generazione in 0y. Da come si vede in gura i ripple di corrente sono spariti e si pu` ben o apprezzare la corrente generata allarrivo della radiazione. Per la location 0 ecco i risultati di raccolta delle coppie elettrone-lacuna:

Figura 3.10: Coppie elettrone-lacuna raccolte, generazione in 0y. Poich` erano state immesse circa 80 coppie elettrone lacuna pari a 288 eV e (Let f = 1.28 105 pC/m); esse sommando le raccolte pixel per pixel sono state praticamente tutte raccolte. Ora si possono confrontare le raccolte dei 9 pixel no a spostarsi di 10 m sullasse y:

61

Figura 3.11: Coppie elettrone-lacuna raccolte no a 10y. Si vede bene come andando a generare verso i pixel in basso essi tendono a raccogliere sempre pi` carica a discapito dei pixel in alto e quello centrale. u I punti, che rappresentano la quantit` di coppie raccolta per ciascuno dei a 9 pixel sono stati uniti con una linea retta per dare un senso di maggior leggibilit` al graco. a Un neo delle simulazioni eettuate con questa struttura ` stato proprio e linserimento delle capacit` anche nella simulazione quasi-stazionaria; essa a non ha consentito di portare la tensione a 1.7V dei catodi dei fotodiodi in quanto non li ha aatto polarizzati, lasciando il voltaggio a 0V.

62

3.6

Struttura 20x20x50 m

Impostazioni della Mesh in x,y,z : Max = 2.5 Min = 0.5 Per cercare di migliorare laccuratezza delle simulazioni senza aumentare di tanto i tempi di simulazione ` stata fatta da capo una struttura 20x20 e andando inevitabilmente a restringere le aree sensibili di tutti i fotodiodi tranne quello centrale, scelta che non dovrebbe comunque portare a sensibili variazioni della raccolta dei portatori da parte delle aree sensibili dei fotodiodi. Anamento sotto al fotodiodo centrale max 1 e min 0.5 su tutte le direzioni, mentre sono confermate le capacit` da 1fF messe sui contatti a dei fotodiodi al posto del circuito APS, ma questa volta solo nella simulazione tempo variante in quanto nella simulazione tempo stazionaria i fotodiodi non venivano polarizzati a 1.7V con corrette curve tensione-corrente.

Figura 3.12: Simulazione Quasi-Stazionaria della struttura senza alcun circuito di complemento: Curva di polarizzazione Tensione-Corrente. Il simulatore senza condizioni al contorno ha ora polarizzato forzosamente i fotodiodi portandoli per piccoli incrementi al corretto valore di 1.7V. Si ` interventuti nella generazione della carica impostando distanze variae bili lungo lasse z (profondit`); i punti di simulazione sono passati a 7023 a e perci` ` bastata la mezza giornata di simulazione che era servita per la o e 63

struttura 24x24. Inizialmente sono state immesse nella struttura 80 coppie elettrone-lacuna e sono state ottenute, qui la sorpresa, per ogni profondit` a la stessa raccolta di carica dei 9 pixel con un graco sempre simile alla gura 3.10 per ogni variazione del asse z nel parametro Location di HeavyIon, evidentemente la discretizzazione temporale utilizzata era talmente larga che le coppie elettrone-lacuna raccolte risultavano trasparenti alla profondit` di a generazione. Intervallo [7.9701:7.995]e-6 [7.995:8.005]e-6 [8.005:8.755]e-6 Vecchio des TV.cmd In. Step Max Step 1e-11 1e-9 1e-11 1e-10 1e-11 1e-9 Nuovo des TV.cmd In. Step Max Step 1e-11 1e-9 1e-11 5e-11 1e-11 1e-8

Tabella 3.1: Valori in s delle discretizzazioni temporali adottate nelle simulazioni transienti

Dalla tabella 3.1 si vede come si ` voluto inttire ulteriormente il passo e di simulazione allarrivo dello stimolo giungendo come caso peggiore a 50 ps nellintervallo compreso tra 7.995 e 8.005 s, quello pi` delicato in quanto u lo stimolo arriva proprio a 8 s. Il modello HeavyIon inserito era questo: HeavyIon( Let f = 1.28e-005 Length = 1 Wt hi = 1 Time = 8e-6 Location = (0 , 0, z) Direction = (0 , 0, 1) PicoCoulomb) Al posto di z sono stati inseriti nellordine 0, 5, 10, 15, 20, 25, 30 e 40 ad indicare le diverse profondit` di generazione. Cos` ` stato messo mano al a e e e parametro Let f ed ` stato portato a 3.555 104 pC/m, pari cio` a 2222 coppie elettrone-lacuna immesse, corrispondenti ad un energia di 8 keV e sono stati ottenuti i seguenti dati di raccolta: Intanto si vede come per tutte le profondit` il pixel che domina la raca colta di carica ` senza ombra di dubbio quello centrale, che riesce no alla e 64

Figura 3.13: Coppie elettrone-lacuna raccolte no a 40z. profondit` di 25m a prendere oltre 200 coppie elettrone lacuna andando a addirittura per la location 5 a raccogliere pi` di un terzo delle cariche imu messe, mentre il fotodiodo in basso, quello in alto, il sinistro e il destro registrano un comportamento analogo ad ogni location, cos` pure i 4 pixel agli spigoli della struttura, cio` il down destro, sinistro e lup destro e sinie stro che raccolgono sempre un p` meno carica dei 4 sopra citati. Iniziamo o ora ad analizzare le location pi` in supercie, vale a dire la 0 e la 5 m, u dove per entrambe il pixel centrale f` da padrone rispetto a tutti gli altri, a infatti esso data la ravvicinata location della radiazione riesce a calamitare gran parte delle coppie elettrone-lacuna, situazione che viene attenuata a partire dalla profondit` di generazione; inoltre, come vedremo dopo, si noa ta subito che nel caso della generazione superciale gran parte delle coppie elettrone-lacuna vengono disperse rasentando la traccia rossa lo 0 per tutti i pixel escluso il centrale e la traccia verde sovrascrendosi alla traccia dei 25 m per i pixel in basso, sinistro, destro e alto mentre per i pixel agli spigoli la situazione di raccolta ` peggiore della profondit` di generazione di 30 e a m. Passando quindi alle location dalla 10 in poi la situazione diviene pian piano pi` omogenea visto il pixel centrale pur non rinunciando al suo ruolo u di principale attrattore di cariche lascia agli altri pixel in proporzione molte pi` cariche di quanto avveniva con le location superciali, questo perch` alu e laumentare della profondit` di generazione le coppie elettrone lacuna oltre a a ricombinarsi con il substrato in silicio (lampante per la location a 40 m) hanno pi` spazio per farsi raccogliere dai fotodiodi esterni. Ora sommando u 65

la raccolta di carica di tutti i 9 pixel otteniamo per le diverse location:

Figura 3.14: Percentuale delle coppie elettrone-lacuna raccolte da tutti i pixel no a 40z. Osservando la gura 3.14 si vede intanto come in supercie circa il 70% delle coppie elettrone-lacuna generate non vengano raccolte confermando il dato analizzato in precedenza e che il massimo di raccolta si registra alla profondit` di 10 m, valore abbastanza inusuale in quanto essendo le giuna zioni dei fotodiodi profonde 2 m dovremmo avere il massimo di raccolta nei pressi delle regioni svuotate che si trovano a cavallo di questa profondit`. Ola tre la location di 10 m in avanti sono sempre pi` le coppie elettrone-lacuna u che si ricombinano e non vengono rivelate mentre inma ` la situazione in e supercie, dove ben 1400 coppie circa vengono disperse. Guardando il graco delle cadute di tensione ` impressionante la somie glianza col graco di gura 3.13 in quanto c` una diretta proporzionalit` e a tra caduta di tensione ai contatti e coppie elettrone-lacuna raccolte.

3.6.1

Analisi della raccolta ad 1 m di profondit` al variare a della lunghezza di generazione

Per vedere lincidenza della lunghezza percorsa dallo ione che sul modello HeavyIon ` indicata dal parametro Length si ` andati a modulare questa e e grandezza aggiungendo i valori di 0.1 e 0.5 m a quello di 1 m gi` analiza zato. Ricordiamo che Length = l non ` niente altro che la semialtezza del e cilindro entro il quale il simulatore modella limpatto della radiazione; esso 66

Figura 3.15: Cadute di tensione ai contatti dei fotodiodi no a 40z. come si vede nelle gure 3.3 e 3.4 si estende da +l a -l ed ha il suo centro nelle coordinate (x,y,z) indicate in Location. Si ` trovato il seguente graco e alla profondit` di 1 m: a

Figura 3.16: Percentuale delle coppie elettrone-lacuna raccolte da tutti i pixel al variare della lunghezza di generazione ad 1 m di profondit`. a E notevole la chiarezza di gura 3.16; dimezzando la lunghezza del cilindro di generazione cariche del modello HeavyIon in pratica si dimezzano le coppie elettrone-lacuna raccolte, mentre andando a ridurre di 1/10 larea di generazione cariche impostando il parametro Length a 0.1 ` esigua la race colta totale di cariche da parte di tutti e 9 i pixel in linea con la decimazione 67

richiesta. Tutto ci` va a testimoniare la bont` del modello sico utilizzato o a che risponde in maniera trasparente alle variazioni dei propri parametri.

3.6.2

Analisi del modello HeavyIon a cavallo della supercie della struttura

Poich` il dato della carica dispersa in supercie suggeriva un approfondie mento, sono state inttite le simulazioni riguardanti proprio le location a cavallo della stessa, pi` precisamente sono state aggiunte le profondit` di u a -1, -0.9, -0.5, -0.25, 0.25, 0.5, 1, 1.5, 2 m oltre ad aver aggiunto queste due strutture a quella avente le tasche dei fotodiodi profonde 2 m con le stesse impostazioni della mesh: Conformazione con tasche profonde 5 m, punti simulati 10653 Conformazione con tasche profonde 10 m, punti simulati 8679 Allaumentare della profondit` di generazione ` stato trovato questo a e graco in scala logaritmica:

Figura 3.17: Coppie elettrone-lacuna raccolte in percentuale no a 30z per le strutture con giunzioni profonde rispettivamente 2 m, 5 m e 10 m. Partendo da 1 m fuori dalla struttura si vede come a questa profondit` a non vi siano contributi in termini di raccolta di coppie elettrone-lacuna, in quanto essendo impostato il parametro Length a 1, viene rispettato quanto discusso nel paragrafo 3.6.1, poich` il cilindro di generazione si estende da e 68

-2 m fuori della struttura no al ridosso di essa, non andando perci` a o intersecarsi con i propri conni. Con il lento avvicinarsi del centro del solido alla supercie, dove vi sono le zone attive dei fotodiodi, vi comincia ad essere una diversicazione nel comportamento tra le diverse conformazioni simulate; la struttura con le tasche che si estendono no a 10 m di profondit` ` quella che sore di pi` con la raccolta, almeno no alla porta dei 5 ae u m; daltra parte questo era un risultato che ci si poteva aspettare poich` e come asserito nel primo capitolo, a tasche pi` profonde corrispondono reu gioni di svuotamento pi` lontane dalla supercie e perci` pi` distanti da u o u queste prime location. Le strutture con tasche profonde 2 e 5 m mantengono un comportamento simile no almeno allarrivo delle regioni svuotate della prima struttura, dove a sorpresa ` la conformazione con tasche estese e a 5 m ad essere leggermente preferibile, mentre nelle location precedenti era sempre la struttura con le tasche meno profonde a raccogliere pi` cau rica sfruttando la maggior vicinanza delle regioni senza cariche mobili con la supercie. A 2 m di profondit` non si spiega la maggior ecienza di a raccolta della struttura con tasche profonde 5 m in quanto le regioni svuotate dei propri pixel non sono ancora toccate dal cilindro di generazione, probabilmente difetti della mesh inuiscono sul risultato. Se il lettore leggendo il graco 3.17 immaginariamente interpola con segmenti i punti delle 3 caratteristiche no a 2 m, cosa che si ` tralasciato di fare espicitamente e data la natura sica delle grandezze coinvolte (ci sarebbero stati notevoli errori di approssimazione in quanto considerato il dispendio di tempo che simulazioni ancora pi` tte avrebbero richiesto si ` evitato di farle) trover` u e a un comportamento assimilabile a quello di una retta, di pendenza sempre maggiore quanto pi` le regioni svuotate dei fotodiodi si trovano vicine alla u supercie della struttura e con riduzioni della stessa proporzionali alla profondit` delle regioni di carica spaziale nel substrato di silicio. Impostando a in Location una coordinata z di 5 m troviamo ci` che ci aspettiamo: La o struttura che ha le regioni di svuotamento a questa profondit` batte le altre a due conformazioni, seppure di un inezia quella con tasche profonde 10 m. Le location da 10 m in avanti vanno prese con il benecio di inventario in quanto anche se la struttura con tasche estese proprio 10 m f` la parte del a leone a 20 e 30 m, in linea quindi con quanto ci si aspetta, essa cede il passo nella zona dove sono presenti le proprie regioni di carica spaziale addirittura alla conformazione con tasche estese appena 2 m che trova a questa 69

insolita profondit` il proprio massimo di raccolta oltre a registrare notevoli a contributi anche a location superiori. La struttura con tasche profonde 5 m ` particolarmente ineciente a queste profondit`. Inoltre le ultime loe a cation presentate sorono di un grande contributo di ricombinazione coppie elettrone-lacuna che v` ad inciare lecienza di raccolta per tutte e tre le a strutture.

3.6.3

Analisi del modello HeavyIon con diverse energie dei fotoni incidenti

Per capire come rispondeva il modello HeavyIon sollecitato dallintroduzione di diverse energie incidenti si ` andato ad aggiungere le energie di 6.5, e 5.9, 4.05 e 1.8 keV a quella gi` simulata di 8 keV. Tutto ci` ` stato fatto cona oe siderando solo la raccolta del fotodiodo centrale, che alla ne ` il fotodiodo e che pi` interessa caratterizzare a scapito degli altri che per lui rappresentano u solo un disturbo alla propria capacit` di attrattore di cariche. a

Figura 3.18: Coppie elettrone-lacuna raccolte dal pixel centrale al variare della profondit` di generazione con diverse energie immesse. a Dal graco mostrato in gura 3.18 ` lampante come a qualsiasi energia e di immissione la forma delle curve rappresentate sia sempre la stessa: Infatti per ogni traccia abbiamo no a 3 m di profondit` un aumento delle coppie a elettrone-lacuna raccolte del pixel centrale, esso no a questo punto ha dominato gli altri registrando un ruolo di attrattore per le cariche, andandosi da solo ad accaparrare, ad appena 1 m oltre la regione svuotata pi` del u 70

60% delle coppie elettrone-lacuna immesse. Dai 4 m in poi comincia a farsi pesantemente sentire linuenza dei pixel di complemento essi spostandosi di m in m no a 10 divengono sempre pi` importanti togliendo u al fotodiodo centrale notevoli quantit` di coppie elettrone-lacuna. Il lettore a non si deve sorprendere: leetto ` il risultato del fatto che spingendoci a e generare sempre pi` a fondo nel substrato di silicio i portatori hanno sempre u pi` spazio per andarsi a diondere negli spazi adiacenti al pixel principale. u Gli eetti di ricombinazione dei portatori ancora non sono presenti, infatti per togliersi di mezzo ogni dubbio basta andare a rivedersi gura 3.17 nella quale, con giunzioni dei fotodiodi profonde 2 m, no a 10 m la curva tendeva a salire per poi subire i classici eetti di ricombinazione appena dopo. I punti a 2 m per lenergia di 5.9 keV e 3 m per 8 keV non sono stati inseriti per diormit` incontrate nei risultati delle simulazioni che hanno a fatto presumere la non congruenza dei dati raccolti in relazione alla forma delle traccie riscontrata. Ma laspetto pi` interessante da sottolineare in questo paragrafo ` testiu e moniato dalle gure 3.19 e 3.20:

Figura 3.19: Coppie elettrone-lacuna raccolte dal pixel centrale a 5m di profondit`. a Esse rivelano, se mai ce ne fosse ancora bisogno, lassoluta linearit` del a modello HeavyIon il quale aumenta le coppie elettrone-lacuna raccolte di pari passo con laumento dellenergia immessa; i graci ottenuti alle profondit` di 5 m e 10 m si dierenziano solo per lequazione della retta tracciata, a che ` y = 0.099205 x + 1.04558 nel primo caso e y = 0.048283 x + 0.354194 e 71

Figura 3.20: Coppie elettrone-lacuna raccolte dal pixel centrale a 10m di profondit`. a nel secondo.

3.7

Confronto con misure sperimentali


55 F e

A titolo puramente informativo, vengono confrontate le misure eettuate al banco con fotoni con le simulazioni a 5.9 keV di energia.

Figura 3.21: Misure al banco con fotoni

55 F e.

Poich` sono sostanzialmente diverse le unit` di misura inserite in ordie a nata, campioni in uscita al convertitore analogico-digitale per le prove sperimentali e coppie elettrone-lacuna per le simulazioni i graci 3.21 e 3.22 pos72

Figura 3.22: Coppie elettrone-lacuna raccolte da tutti i pixel con energia di immissione pari a 5.9 keV. sono essere confrontanti solo in termini dellandamento generale. In sintesi le due gure denotano lo stesso andamento solo oltre i 10 m di profondit`, a dove si f` sentire leetto di ricombinazione dei portatori, mentre nella prima a decade non c` assolutamente paragone. Infatti nelle simulazioni, come si e aveva avuto modo di evidenziare in precedenza, appena si andava a generare al di sotto della regione di svuotamento diventava sempre pi` importante il u contributo dei pixel di contorno al centrale che con la loro raccolta sommata a quella di questultimo si andava ad aumentare lecienza complessiva, raggiungendo picchi prossimi al 90% verso i 9 m di profondit`. Situazioa ne assolutamente lontana dal vericarsi nelle prove sperimentali, nelle quali dopo aver superato una zona piatta al ridosso delle regioni a cariche sse, si assiste subito a fenomeni di ricombinazione appena giunti ai 5 m nel substrato. Il motivo di questa discrepanza ` molto dicile da formulare, a e caldo si potrebbe ipotizzare una non conformit` del modello sico utilizzato a nelle simulazioni con quanto avviene in realt`, ma tali motivazioni devono a certamente essere approfondite in separata sede, divenendo oggetto, magari, di lavori futuri.

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Conclusioni
Per concludere la trattazione, vorrei soermarmi sui risultati raggiunti: Luso del modello HeavyIon sembra ormai ben assestato e la sua implementazione ha portato a risultati di notevole spessore potendo fornire in quasi tutti i casi considerati le dovute spiegazioni riguardo la natura dei fenomeni andati via via a gracare. Una nota che riguarda le simulazioni appare quella riguardante le condizioni al contorno cui sono dovute sottostare (visto il numero di pixel limitati); esse hanno avuto un eetto signicativo che deve essere ulteriormente approfondito e pu` essere la causa delle discrepanze con le misure sperimentali o nei primi m di profondit` in quanto mentre nel caso delle simulazioni la a traccia delle cariche raccolte tende ad alzarsi per via dellinuenza dei pixel di contorno al centrale nel caso dei risultati al banco di misura leetto di ricombinazione dei portatori gi` ` abbastanza rilevante appena superate le ae regioni di svuotamento dei fotodiodi. Per i prossimi lavori che si focalizzeranno sulla radiazione X nei sensori APS CMOS il suggerimento che si pu` dare ` quello di provare ad esplorare o e nuovi modelli sici di radiazione di particelle altamente energetiche, peraltro previsti da Sentaurus Device, che permettano di ridurre il pi` possibile il u divario tra la risposta del dispositivo simulato e quella del dispositivo reale. Nello sviluppo della tesi di laurea infatti, numerose sono state le ottimizzazioni di quasi tutti i parametri del modello HeavyIon e a modo di vedere del sottoscritto non esistono molti margini di miglioramento dello stesso, se non quello, abbastanza aggressivo per la verit`, di simulare linterazione a della particella ionizzante in pi` punti della struttura in contemporanea, col u rischio per` di andare ad ottenere risposte con scarso senso sico e di imo piegare per ottenerle un notevole sforzo computazionale del cluster INFN, anche e soprattutto in termini di tempo CPU.

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Lultima struttura utilizzata sembra anchessa che possa essere oggetto di poche ottimizzazioni, soprattutto tirando in ballo la mesh utilizzata, che con i suoi 7023 punti pare aver raggiunto un ottimo rapporto qualit`/prestazioni, a in luce anche a diversi raronti ottenuti con Sentaurus Structure Editor con mesh precedenti. Una variazione strutturale pu` essere quella di creare o tasche n dei fotodiodi con un prolo di drogaggio che vari il proprio andamento il pi` dolcemente possibile, soprattutto allinterfaccia del substrato u p; questa funzione ` presente nelle nuove versioni del pacchetto Synopsys. e Poi una nota di menzione per la discretizzazione temporale: Per arrivare allultima declinazione adottata si ` spesa un grande di quantit` di tempo, e a soprattutto perch` quando si vedeva che ad ogni profondit` di generazione e a la raccolta di carica dei pixel non cambiava, si pensava che tale problema fosse dovuto a incongruenze del modello HeavyIon con le strutture 3D. Di conseguenza ` stato speso un periodo in simulazioni allapparenza insensate, e come quelle del dispositivo portato a polarizzazioni inverse di 100V, cosa che porterebbe allinevitabile rottura del sensore reale, per vedere gli eetti che essa comportava sullo svuotamento di portatori, e anche quelle relative a una struttura con drogaggio del substrato praticamente intrinseco (circa 1012 atomi/cm3 ) per monitorare gli eetti diusivi delle cariche, in quanto in questo modo si sarebbero ricombinate di meno con gli atomi di boro presenti. Tali divagazioni sono state per` omesse nella stesura del lavoro, o in quanto, una volta compresa la natura del problema intercorso, sono state ritenute motivo di un inutile appesantimento della trattazione. In futuro, riprendendo il discorso sulle condizioni al contorno, sarebbe anche bene poter simulare matrici con pi` pixel per poter meglio rappreu sentare la matrice 128x128 del sensore RAPS03, rispetto alla 3x3 oggetto della trattazione, in quanto essa in realt` consente di caratterizzare al meglio a soltanto il fotodiodo centrale, mentre gli altri, pi` che essere simulati neu mente a se stessi, vengono descritti per lincidenza di coppie elettrone-lacuna in grado di togliere alla raccolta dello stesso. Desidero porgere un doveroso ringraziamento a Leonello Servoli e Stefano Meroli dellINFN di Perugia, i quali, ormai dal Maggio dellanno scorso mi hanno seguito in questo lungo periodo di tirocinio/tesi al quale sono andato incontro. Preziosi sono stati per me gli aiuti di Stefano per la congurazione della macchina virtuale e dei client SSH e SCP nel piccolo netbook in mio possesso con le adeguate delucidazioni riguardo lutilizzo del cluster di 75

calcolo da utilizzare per le computazioni mentre Leonello ` stato di notevole e supporto per le interpretazioni e la caratterizzazione dei fenomeni sici ai quali si andava incontro con il dispiegamento delle simulazioni. Menzione speciale al professor Passeri di Ingegneria, che, dopo la collaborazione intercorsa nella Tesi di Laurea di primo livello, mi ha consentito di tornare a lavorare con lui con un argomento di estremo interesse, come quello della caratterizzazione della radiazione X sui sensori a pixel attivi; potendo quindi mettere a frutto le conoscenze che gi` avevo acquisito nel lavoro precedente. a Concludo nel ringraziare i miei amici che mi sono stati vicini in questi anni, i quali non mi hanno lesinato il proprio calore, soprattutto nei momenti meno belli che la vita ha desiderato mettermi di fronte. Mi scuso con loro del fatto che non li ringrazio di persona, ma un semplice elenco avrebbe tolto valore alla mia iniziativa e mi avrebbe dato occasione di incorrere in qualche spiacevole dimenticanza. La tesi ` dedicata a chi, nella mia famiglia, mi ha consentito di porre e termine al percorso di studi, credendo in me e nelle mie possibilit` e a chi a cera quando questo percorso ` cominciato e che ora mi guarda da lass`. e u

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Appendice
Si allega uno dei codici per descrivere le strutture utilizzate, in formato *.cmd, prodotto da Sentaurus Structure Editor; si noti la sezione Denitions nella quale la parte AnalyticalProfileDefinition 1 indica con Depth la profondit` delle giunzioni per il prolo di drogaggio gaussiano a impiegato. La parte RefinementDefinition 1 indica, oltre alla risoluzione della mesh lungo x,y e z, con MaxElementSize e MinElementSize, la funzione di variazione della mesh che ` espressa da ReneFunction. e

Title { Controls { } Definitions { Constant ConstantProfileDefinition 1{ Species = BoronActiveConcentration Value = 1e+15 } AnalyticalProfile AnalyticalProfileDefinition 1 { Species = PhosphorusActiveConcentration Function = Gauss(PeakPos = 0, PeakVal = 1e+19, ValueAtDepth = 1e+15, Depth = 2) LateralFunction = Gauss(Factor = 0.8) }

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Refinement RefinementDefinition 1 { MaxElementSize = ( 2.5 2.5 2.5 ) MinElementSize = ( 0.5 0.5 0.5 ) RefineFunction = MaxGradient(Variable = DopingConcentration,Value = 1) } Multibox MultiboxDefinition 1 { MaxElementSize = ( 1 1 1 ) MinElementSize = ( 0.5 0.5 0.5 ) Ratio = ( 1 1 1 ) } } Placements { Constant ConstantProfilePlacement 1 { Reference = ConstantProfileDefinition 1 EvaluateWindow { Element = material [Silicon] } } AnalyticalProfile AnalyticalProfilePlacement 1 { Reference = AnalyticalProfileDefinition 1 ReferenceElement { Element = Polygon [(-10 -10 0) (-9 -10 0) (-9 -9 0) (-10 -9 0)] } } AnalyticalProfile AnalyticalProfilePlacement 2 { Reference = AnalyticalProfileDefinition 1 ReferenceElement { Element = Polygon [(-1 -10 0) (1 -10 0) (1 -9 0) (-1 -9 0)] } }

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AnalyticalProfile AnalyticalProfilePlacement 3 { Reference = AnalyticalProfileDefinition 1 ReferenceElement { Element = Polygon [(9 -10 0) (10 -10 0) (10 -9 0) (9 -9 0)] } } AnalyticalProfile AnalyticalProfilePlacement 4 { Reference = AnalyticalProfileDefinition 1 ReferenceElement { Element = Polygon [(-10 -1 0) (-9 -1 0) (-9 1 0) (-10 1 0)] } } AnalyticalProfile AnalyticalProfilePlacement 5 { Reference = AnalyticalProfileDefinition 1 ReferenceElement { Element = Polygon [(-1 -1 0) (1 -1 0) (1 1 0) (-1 1 0)] } } AnalyticalProfile AnalyticalProfilePlacement 6 { Reference = AnalyticalProfileDefinition 1 ReferenceElement { Element = Polygon [(9 -1 0) (10 -1 0) (10 1 0) (9 1 0)] } } AnalyticalProfile AnalyticalProfilePlacement 7 { Reference = AnalyticalProfileDefinition 1 ReferenceElement { Element = Polygon [(-10 9 0) (-9 9 0) (-9 10 0) (-10 10 0)] } } AnalyticalProfile AnalyticalProfilePlacement 8 { Reference = AnalyticalProfileDefinition 1 79

ReferenceElement { Element = Polygon [(-1 9 0) (1 9 0) (1 10 0) (-1 10 0)] } } AnalyticalProfile AnalyticalProfilePlacement 9 { Reference = AnalyticalProfileDefinition 1 ReferenceElement { Element = Polygon [(9 9 0) (10 9 0) (10 10 0) (9 10 0)] } } Refinement RefinementPlacement 1 { Reference = RefinementDefinition 1 RefineWindow = material [Silicon] } Multibox MultiboxPlacement 1 { Reference = MultiboxDefinition 1 RefineWindow = Rectangle [(-1 -1) (1 1)] } }

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Bibliograa
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