BJT come amplificatore - G.

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Funzionamento da amplificatore del transistor. Transistor bipolare: polarizzazione in zona attiva. Perch sia polarizzato in zona attiva, per il BJT devono verificarsi due condizioni: a) I C = hFE I B 1 b) VCE VCC 2 La prima condizione necessaria per garantire il funzionamento lineare (quindi in zona attiva, quella centrale alle caratteristiche di collettore) del BJT. La seconda condizione serve a mantenere il transistor lontano sia dalla saturazione sia dallinterdizione quando andiamo ad applicare un segnale sinusoidale (o pi in generale, variabile nel tempo) allingresso del nostro amplificatore. In altre parole, quando abbiamo il picco positivo del segnale sinusoidale, cio la massima tensione dingresso, il BJT non dovr saturare, mentre quando abbiamo il picco negativo, cio la minima tensione dingresso, non dovr avvicinarsi allinterdizione. Quando il segnale dingresso a livello zero, il BJT dovr trovarsi in posizione di riposo a met strada tra la saturazione e linterdizione, cio nel punto di lavoro Q. Il punto di lavoro Q=(VBE, IB; VCE, IC) si fissa quindi nel seguente modo: si d alla corrente IC un dato valore, mentre la IB si ricava conoscendo lhFE (il valore medio o tipico del parametro, non quello minimo n quello massimo, dati dal costruttore) dalla precedente condizione a). La VBE tipicamente 0.6 0.7V, come per i diodi. La VCE si fissa a 0.5VCC, ossia deve verificare la condizione b). Polarizzazione a corrente di base costante. Affinch il transistor si trovi nel punto di lavoro Q, si pu ricorrere al seguente circuito di polarizzazione. Vcc

RB Vi

RC

Q1 NPN

Quando il BJT a riposo (Vi=0V), la resistenza RB fornir la corrente IB necessaria e la resistenza RC fornir la corrente IC. Per il loro calcolo si deve applicare il 2 principio di Kirchhoff, rispettivamente alla maglia di ingresso e alla maglia di uscita. c) R B = VCC V BE IB

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d) RC =

VCC VCE IC

Esempio 1. Supponiamo di utilizzare un BJT BC368 e di avere un alimentatore a 12V. un transistor NPN che presenta un hFE che va da 50 a 375, una ICMAX di 1A, una PDMAX che, in assenza di dissipatore termico e con una TMAX di 25, arriva a 0.8W. Fissiamo una IC di lavoro di 15mA, molto minore della ICMAX del transistor. Allora, prendendo il valore medio del guadagno statico di corrente, circa 200, la IB risulta di 75A. La VCE si fissa a 6V. La VBE, che devessere maggiore della tensione di soglia (amplificatore in classe A), pu essere approssimata a 0.7V. Limprecisione di tale valore non influisce sui calcoli, essendo molto minore della VCC. Dalle formule c) e d) risultano: RB = VCC V BE 12 0.7 = 151K IB 75

VCC VCE 12 6 = = 400 IC 15m Le potenze dissipate sono: RC =

2 PRC = RC I C = 151K (15m) 2 34mW 2 PRB = RB I B = 400 (75 ) 2 = 2.25W

PD = VCE I C = 6 15m = 90mW Le resistenze si sceglieranno tra quelle da 1/4W, mentre per il transistor la potenza risulta abbastanza bassa, molto minore della PDMAX del transistor. Si pu notare che una scelta di IC=150mA avrebbe soddisfatto la condizione di non superare la ICMAX, ma per quanto riguarda la potenza dissipata sarebbe risultato: PD = VCE I C = 6 150 m = 900 mW molto superiore alla PDMAX! Esercizio 1. Calcolare con il precedente BJT le resistenze di polarizzazione e le potenze dissipate dei vari componenti, fissando una IC=4mA e una VCC=15V.

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Polarizzazione a partitore. Per ottenere una polarizzazione migliore si pu usare il seguente circuito, detto a partitore.
Vcc

R2 Vi

RC

Q1 NPN R1

In questo caso il dimensionamento il seguente: si fissa IC tramite la resistenza RC, calcolata come al punto d). Per calcolare le resistenze R1 e R2, si fissa una corrente nel partitore Ip>> IB ( che pu quindi essere trascurata, per cui le due resistenze sono praticamente in serie, cio costituiscono un partitore di tensione alimentato da VCC). sufficiente prendere Ip=(10 100)IB (a seconda della corrente di base per ottenere resistenze n troppo basse, n troppo alte, tipicamente dellordine di 10K 100K). Risulter, quindi, dallo studio delle maglie dingresso: e) ( R1 + R2 ) I p = VCC f) R1 I p = V BE Da queste ricaveremo prima R1: V BE Ip e poi la resistenza totale R1+R2: g) R1 = h) R1 + R2 = VCC Ip

Per differenza dalla resistenza totale del partitore otteniamo R2. Stabilizzazione del punto di lavoro: rete di polarizzazione automatica. Si detto che i BJT, a causa di inevitabili difetti dei processi costruttivi, presentano una dispersione dei parametri: tipica la variazione, da transistor a transistor con la stessa sigla, dellhFE. Ad es. per un comune 2N2222 il costruttore fornisce il valore minimo (100) e il valore massimo (300) dellhFE che pu avere un BJT con questa sigla. In questo caso, se noi assumiamo il valore medio (200) e una

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corrente IC=20mA, la IB risulta pari a 0.1mA. Ma se il transistor che si usa ha un hFE differente, ad es. 100, pari allhFE minimo, la corrente IB risulta diversa, cio 0.2mA (ben 2 volte il valore trovato con il valore medio). Occorrerebbe quindi ridimensionare le resistenze R1 e R2, calcolate con il valore medio. In tal modo il metodo di calcolo risulterebbe poco pratico: dovrei cambiare le resistenze ogni volta che cambio transistor! Inoltre, a queste difficolt si aggiunge il fatto che le caratteristiche pi comuni dei transistor risentono di variazioni per effetto della temperatura. Tanto per dirne una, la tensione VBE di un normale BJT varia di circa -2.5mV per ogni aumento di un grado centigrado. Anche in questo caso ho delle variazioni del punto di lavoro Q nel normale funzionamento del transistor quando la temperatura a regime. In conclusione, dovrei tener conto di tutte queste variazioni nel dimensionamento delle resistenze di polarizzazione: evidente che ci diverrebbe un compito impossibile! Per risolvere questa situazione si pu ricorrere ad un circuito che stabilizzi il punto di lavoro del BJT nei confronti di tutte queste variazioni, ossia lo renda in parte indipendente dal fatto che lh FE sia pi alto o pi basso o la temperatura si alzi durante il funzionamento. In altre parole un circuito che renda automatico laggiustamento del punto di lavoro Q ai valori prefissati con il calcolo, precedentemente visto, delle resistenze R1, R2 e RC. sufficiente una resistenza in pi, detta di stabilizzazione, RE.
Vcc

R2 Vi

RC

Q1 NPN R1 RE

Se osserviamo il circuito, fissate le resistenze R1 e R2 resta fissa la corrente di base IB del punto di lavoro. Se lhFE risultasse pi alto del previsto, la corrente IC sarebbe maggiore. Anche la corrente IE aumenterebbe, provocando una maggior caduta su RE. Essendo fissa la tensione di alimentazione e quindi la tensione tra base ed emettitore (tensione su R1, fissata dalla regola del partitore), aumentando VRE dovrebbe diminuire la VBE. Da cui seguirebbe una diminuzione di IB e quindi di IC. Da una causa, hFE pi alto, che aumenterebbe IC, siamo arrivati per effetto della RE a una sua diminuzione. In pratica il valore di IC si aggiusta automaticamente intorno al valore prefissato! Per il dimensionamento si ricorre al 2 principio di Kirchhoff, studiando la maglia di uscita con la RE. Il criterio pratico di imporre una VRE (1/10)VCC. In definitiva: i) R E V RE IC

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j) RC =

VCC V RE VCE IC

mentre per la R1 e la R2 risultano valide le formule g) e h) con Ip=(10 100)IB, cos modificate, tenendo conto della VRE: k) R1 = V BE + V RE Ip VCC Ip

l) R1 + R2 = Esempio 2.

Si ripeta il calcolo effettuato nellesempio 1 per il BC368 alimentato a 12V, con una IC di lavoro di 15mA. Usando lhFE medio (circa 200) la corrente di base risulta di 75A. La corrente di partitore viene determinata Ip=(10 100)IB=20IB=1.5mA. La tensione VRE (1/10)VCC=1V. Procedendo con le formule i, j, k, l, risulta: V RE IC

RE

1 66.7 15m = 12 1 6 333 15m

RC =

VCC V RE VCE IC V BE + V RE Ip =

R1 =

0.7 + 1 1.13K 1.5m

R1 + R2 =

VCC 12 = = 8 K Ip 1.5m

da cui R2=8K-1.13K 6.87K. Si pu verificare che, per tutte le resistenze, sufficiente una potenza da di watt. Esercizio 2. Si ripeta il dimensionamento dellesempio 2 con un BC368 alimentato a 15V e con una corrente di collettore di 4mA.

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Funzionamento in regime dinamico per piccoli segnali. Amplificatore ad emettitore comune. Se applicassi direttamente una sorgente sinusoidale allingresso del circuito di polarizzazione del transistor, la tensione VBE sarebbe soggetta contemporaneamente a due segnali, uno continuo VBE e uno sinusoidale vBE. Perch non interferiscano devo interporre un condensatore, detto condensatore di accoppiamento. Stesso discorso vale per il carico, che generalmente resistivo RL e non si desidera sia percorso da correnti continue. Inoltre, la configurazione che si vuole ottenere dellamplificatore detta configurazione a emettitore comune, ossia con lemettitore a massa. Dovr quindi mettere in parallelo alla RE un condensatore che cortocircuiti la resistenza quando il segnale varia (condensatore di bypass). Ecco il circuito completo dellamplificatore ad emettitore comune, con il generatore di segnale e la sua resistenza interna Rs, in ingresso, e il carico RL in uscita.
Vcc

R2 Rs + C1 +

RC

C2 +

Q2 NPN RL R1 RE + CE

Vs

In continua, i condensatori sono dei circuiti aperti, di conseguenza il punto di riposo rimane quello prefissato con le resistenze R1, R2, RC, RE. In regime variabile, i condensatori sono dei cortocircuiti (reattanza |XC|=1/C trascurabile rispetto alle resistenze alla frequenza f del segnale). Di conseguenza il punto di lavoro Q si sposter dalla posizione di riposo, avvicinandosi alla zona di saturazione quando la tensione del segnale aumenta, alla zona dinterdizione quando il segnale diminuisce. evidente che se il segnale troppo grande il transistor satura o sinterdice, tagliando la forma donda del segnale (distorsione dampiezza). Per evitare ci dovremo lavorare in regime di piccoli segnali. In tale regime, il BJT lavora in zona attiva, sicch quando il segnale aumenta, aumenta la corrente di base e aumenta proporzionalmente la corrente sul collettore. In uscita avremo la stessa forma donda dingresso ma amplificata. Circuito dinamico. Del regime continuo abbiamo gi detto tutto, tratteremo adesso solo dei segnali variabili (regime dinamico). Se il funzionamento in zona attiva lineare (regime di piccoli segnali), il BJT pu essere ricondotto a un modello lineare. Il modello pi semplice costituito da una resistenza dingresso hie, tra base B ed emettitore E, e da un generatore ideale di corrente iC, controllato dalla corrente dingresso iB. Infatti, le due correnti sono legate dal guadagno dinamico di corrente hfe (differente da quello statico, perch rapporto di due correnti variabili): m) iC = h fe i B

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Il modello lineare del BJT il seguente:

B C

hie

iC

Lo studio del circuito completo dellamplificatore si riconduce al seguente circuito dinamico. Lalimentazione, che un segnale costante, stata spenta e cio cortocircuitata a massa. Lemettitore comune sia allingresso che alluscita, da cui il nome della configurazione.
Rs + Vs -

B
R1 R2 hie

C
iC RC RL

E
Vogliamo ora calcolare i parametri fondamentali di un amplificatore. Amplificazione o guadagno di tensione Av. definita come rapporto tra la tensione di uscita vo e la tensione dingresso vi (consideriamo o i valori efficaci o quelli di picco, essendo in regime sinusoidale). n) Av = R L ' h fe v o R L ' iC = = vi hie i B hie

dove RL=RC//RL. Amplificazione o guadagno di corrente Ai. definita come rapporto tra la corrente di uscita io (sul carico RL) e la corrente dingresso ii (che esce dal generatore). o) Ai = io vo RB R = = Av i ii R L v i RL

dove Ri=R1//R2//hie la resistenza dingresso dellamplificatore. Amplificazione o guadagno di tensione totale Avt.

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il rapporto tra la tensione di uscita vo e la tensione del segnale vs. p) Avt = v o vo vi = = Av i v s vi v s

dove i lattenuazione dingresso, dovuta alla resistenza non infinita dellamplificatore (la tensione del segnale vs si ripartisce sulla Rs e sulla Ri e non cade tutta sulla Ri) e data da: q) i = vi Ri = 1 v s Ri + Rs

Si sottolinea come il fatto che la resistenza dingresso Ri dellamplificatore non sia molto elevata (in genere dellordine dei K) provochi questa attenuazione del segnale dingresso dellamplificatore rispetto al segnale del generatore. Tale attenuazione non si pu ridurre (la resistenza del generatore Rs infatti una caratteristica intrinseca di ogni tipo di generatore), se non cambiando il circuito: si possono utilizzare o uno stadio amplificatore a collettore comune a BJT (buffer) con elevata Ri, con in cascata il nostro stadio amplificatore, o un circuito a FET corrispondente a quello che stiamo esaminando (configurazione a source comune), che grazie alla elevata Ri dei FET migliora la situazione. Amplificazione o guadagno di potenza Ap. il rapporto tra la potenza di uscita po e la potenza dingresso pi. r) A p = p o v o io = = Av Ai pi v i ii

Esempio 3. Con le resistenze calcolate nellesercizio 2 per polarizzare il BC368, si calcolino i parametri dinamici appena definiti di un amplificatore a emettitore comune con un generatore che ha vs=1mV e Rs=600 e un carico RL=1K (si faccia riferimento al circuito dinamico esaminato). Riassumendo i dati: R1=1.13K R2=6.87K RC=333 RE=66.7 valore commerciale valore commerciale valore commerciale valore commerciale R1=1.2K R2=6.8K RC=330 RE=68 W W W W

Per quanto riguarda i parametri del BJT si pu procedere come segue. Lhfe (dinamico) seppur differente dallhFE statico ha pi o meno lo stesso valore numerico: quindi prenderemo per il BC368 il valore medio (200). Per lhie il costruttore non sempre fornisce tale valore, possiamo ricorrere alla seguente regola pratica: hie VT 25mV IB IB

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dove VT una tensione (potenziale termico) che a 300K di circa 25mV. In questo caso la stima risulterebbe: hie 25mV 25m = 333 IB 75

Possiamo quindi calcolare tutti i parametri citati. Risulta: Av = R L ' h fe v o R L ' iC 250 200 = = 150 vi hie i B hie 333

Ri=R1//R2//hie=251

i =

vi Ri 251 = 0.295 v s Ri + Rs 251 + 600

v o vo vi = = Av i 150 0.295 44.3 v s vi v s i v R R 251 Ai = o = o B = Av i 150 37.7 ii R L v i RL 1K Avt = Ap = p o v o io = = Av Ai = 150 ( 37.7 ) = 5655 pi v i ii

Grazie allamplificazione fornita dal circuito in uscita avremo: v o = Avt v s = 44.3 1m = 44.3mV molto maggiore del segnale del generatore (e in controfase, dato il segno). La corrente di uscita sar: vo 44.3 = = 44.3mA RL 1K anche questa molto maggiore della corrente fornita dal generatore ii: io = ii = vs 1m = 1.18mA Rs + Ri 600 + 251

La potenza passa dal valore dingresso pi: pi = vi ii = i v s ii = 0.295 1m 1.18m = 0.348 W che risulta davvero piccola, al valore di uscita po:

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p o = v o io = A p pi = 5655 0.348 1.97 mW In definitiva lamplificatore permette di ottenere un segnale pi ampio e con una potenza maggiore. Esempio 4. Ripetere lesempio 3 con un segnale che porti lamplificatore al limite delle zone di saturazione e di interdizione. Per sapere qual il massimo segnale che produrr unonda ancora indistorta si procede cos: v sMAX = voMAX Avt = VCC VCE V RE 12 6 1 = 113mV Avt 44.3

Questo il massimo segnale che si pu applicare senza avere distorsione dampiezza. I parametri dinamici sono quelli dellesempio 3, non occorre ripetere i calcoli perch lamplificatore lo stesso. Risulter: v o = Avt v s = 44.3 113m 5V Esercizio 3. Con le resistenze di polarizzazione calcolate nellesercizio 2, si ripeta il procedimento dellesempio 3 per calcolare i parametri dinamici di un amplificatore a emettitore comune con un generatore che ha vs=1mV e Rs=600 e un carico RL=1K (si faccia riferimento al circuito dinamico esaminato). Esercizio 4. Calcolare lampiezza massima del segnale che posso applicare senza avere distorsione dampiezza al circuito dellesercizio 3. Esercizio 5. Sia dato un amplificatore ad emettitore comune; si calcolino le resistenze per la polarizzazione automatica con una IC=5mA, sapendo che il BC109 ha un hFE=240 900, ICMAX=0.2A, PDMAX=0.3W. Si verifichino le potenze dissipate dai componenti. Si calcoli lamplificazione di tensione Av, lattenuazione dingresso i, lamplificazione di tensione totale Avt e la tensione di uscita vo sapendo che vs=4mV, Rs=50, RL=1K. Esercizio 6. Calcolare lampiezza massima del segnale che posso applicare senza avere distorsione dampiezza al circuito dellesercizio 5. Esercitazione di laboratorio proposta.

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Parte prima: circuito di polarizzazione automatica. Si realizzi il circuito di polarizzazione automatica di un amplificatore ad emettitore comune con il BJT BC109 gi citato, imponendo una corrente IC=3mA e una VCC=12V. Per una scelta corretta delle resistenze R1 e R2 si imponga Ip=40IB, in modo da ottenere resistenze dellordine delle decine di K. Si misurino le tensioni VBE, VCE, VR1 e le correnti IB e IC. Si confrontino i valori misurati con quelli calcolati. Facendo i calcoli: IB=5A usando come valore tipico 600 per lhFE

IP=40IB=200A R1=1.9/200=9.5K R2=60K-10K=50K RE=1.2/3m=400 RC=1.6K valore commerciale 10K valore commerciale 47K valore commerciale 390 valore commerciale 1.5K

Si verifichi che le potenze non superano il W. Per il BJT: PD=VCEIC=6x3m=18mW

Parte seconda: amplificazione di tensione. Si calcolino i parametri dinamici dellamplificatore a emettitore comune con le resistenze usate nella parte prima e si valuti il valore della vo calcolato con un generatore sinusoidale con vs=10mV e Rs=50. Si realizzi lamplificatore e si usi un generatore di forme donda per verificare il risultato, impostando a vuoto vs=10mV a una frequenza f=1KHz. RL=1K, C1=100F, C2=100F, CE=220F. Facendo i calcoli: hie=25m/5=5K Ri=3K Avt=iAv=0.984x(-72)=-71 vo=71mV in controfase

Tale risultato si discoster da quello misurato per la dispersione dei parametri hfe e hie.