Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
El SCR tiene una cada en conduccin muy baja, pero necesita que el circuito de potencia anule su corriente andica. Esto ha reducido su empleo a circuitos de alterna (bloqueo natural con una conmutacin por ciclo). Desde los primeros aos del SCR los fabricantes han intentado conseguir que los SCR pudiesen cortarse desde la puerta A principios de los aos 80 aparecen los primeros GTOs. Porqu no puede cortarse un SCR desde puerta?
CTODO (K) PUERTA (G)
VGK<0
p
Unin de Control Unin Andica p+
Capa de Control
n-
Al aplicar una tensin negativa en la puerta (VGK<0), circula una corriente saliente por la puerta. Aparece una focalizacin de la corriente ando-ctodo hacia el centro de la difusin n+ catdica debido a la tensin lateral. Esta corriente polariza directamente la zona central de la unin catdica, manteniendo al SCR en conduccin.
iA
Puerta
n+ p
Puerta
n+
Puerta
BV2030 V
VAK
np+ n+ p+ n+ p+
nodo
nodo
Seccin de un GTO: Las principales diferencias con el SCR son: Interconexin de capas de control (ms delgada) y catdicas, minimizando distancia entre puerta y centro de regiones catdicas y aumentando el permetro de las regiones de puerta. Ataque qumico para acercar el contacto de puerta al centro de las regiones catdicas. Regiones n+ que cortocircuitan regiones andicas: Acelerar el apagado Tensin inversa de ruptura muy baja
nodo
Puerta Ctodo
Puerta Ctodo
off =
J1
J1
debe ser: 2 1 (lo mayor posible) y 1 0 (lo menor posible). 2 1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y poco dopada y que su emisor (capa catdica) est muy dopado. Estas condiciones son las normales en los SCR. 1 0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y tenga una vida media de los huecos muy corta. La primera condicin es normal en SCRs de alta tensin, la segunda no, porque ocasiona un aumento de las prdidas en conduccin. Para conseguir una buena ganancia off ser necesario asumir unas prdidas en conduccin algo mayores. Los cortocircuitos andicos evitan estas prdidas extras, al quitar corriente de base a T1 disminuyendo su ganancia sin tener que disminuir la vida media. Respecto a la velocidad de corte de T1, si la vida media de los huecos es larga, el transistor se vuelve muy lento, ya que solo pueden eliminarse por recombinacin al no poder difundirse hacia las capas p circundantes por estar llenas de huecos. Los cortocircuitos andicos aceleran la conmutacin de T1 al poder extraerlos (a costa de no soportar tensin inversa).
Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el mismo proceso que en el SCR normal. Para bloquearlo, ser necesario sacar los transistores de saturacin aplicando una corriente de puerta negativa:
/(1-2)
I B2 <
I C 2 (1 2 ) (1 1 ) (1 2 ) = I A; 2 2
I B2 = 1 I A I G <
(1 1 ) (1 2 ) I A
2
,
luego:
IG >
dnde off es la ganancia de corriente en el momento del corte y vendr expresada por:
IA off
off =
2 1 +2 1
IG
dIG /dt
IGM IGON
GM
Se necesita una fuente de tensin con toma media. Formas de Onda de la Corriente de Puerta a) Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM suficientes para poner en conduccin todo el cristal. Si slo entra en conduccin una parte y circula toda la corriente, se puede daar. Ntese que si slo entra en conduccin una parte bajar la tensin nodoctodo y el resto de celdillas que forman el cristal no podrn entrar en conduccin. b) Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON de mantenimiento para asegurar que no se corta espontneamente. (Tiene menos ganancia que el SCR). c) Para cortar el GTO se aplica una corriente IG =IA/off muy grande, ya que off es del orden de 5 a 10. d) Esta corriente negativa se extingue al cortarse el SCR, pero debe mantenerse una tensin negativa en la puerta para evitar que pudiera entrar en conduccin espordicamente.
-
+
Df
Carga + DLC Io
Limita la velocidad de subida de la corriente andica en el encendido, evitando que IA alcance valores muy altos cuando an no puede circular por todo el cristal (podra subir mucho debido a la recuperacin inversa de Df )
IG /t, Limitada por las inductancias parsitas IG IGM I GON t I A : Sin amortiguador de encendido IA td IAmax : Limitada por el amortiguador de encendido t V AK
AMORTIGUADOR DE APAGADO:
Limita la velocidad de subida de la tensin andica en el apagado, las evitando que al subir VAK corrientes por las capacidades de las uniones lo ceben de nuevo
Don
DS
Turn-off snubber
GTO
CS
Circuito para el Estudio de la Conmutacin del GTO: Al no poder hacerlo funcionar sin estos componentes auxiliares, vamos a estudiar la conmutacin del GTO sobre este circuito completo.
+ Puerta n
Puerta
n+
Puerta
IA
ts
tcola
Al aplicar una corriente negativa por la puerta, se produce un campo lateral, que provoca que la corriente andica se concentre en los puntos mas alejados de las metalizaciones de puerta. Esto hace que aumente la resistividad de la capa de control.
Para que circule la corriente IG requerida, se necesita ms tensin. Si sube IA se necesita an ms tensin -VGK. Se podr subir -VGK hasta la tensin de ruptura de la unin Puerta-Ctodo. Esta ruptura definir la mxima corriente controlable desde la puerta
GTO y Diodo de la misma tensin de ruptura. Para integrarlos en la misma oblea, hay que hacer el diodo ms ancho Ms prdidas
IGCT y Diodo de la misma tensin de ruptura. Se integran sin problemas. Se suprimen los cortocircuitos andicos, se sustituyen por una capa andica transparente a los electrones (emisor del transistor pnp muy poco eficaz 1 muy pequea. Esto permite hacer un dispositivo PT ms estrecho con menores prdidas en conduccin. Se mejora el diseo de la puerta (muy baja inductancia) 4.000 Amp/s (con una tensin Puerta-Ctodo de slo 20V). Apagado muy rpido menores prdidas en conmutacin.
En el IGCT, se consigue transferir TODA la corriente catdica a la puerta rpidamente, de forma que la unin catdica queda casi instantneamente polarizada inversamente y el apagado del SCR queda reducido al corte del transistor npn No es necesario un amortiguador de apagado. La ganancia de puerta ser 1 ya que toda la corriente andica se transfiere a la puerta.
G Doff n
Soff
+ +
G n+ p n pn+ K K Son p G
off-FET
a)
b)
MOS
G G
IGBT
rea de silicio /kVA Fcil de controlar No Snubber Cada en conduccin fmax 50kHz
SCR
rea de silicio /kVA Tensiones y corrientes muy altas No se apaga desde la puerta
GTO
Muy alta tensin rea de silicio /kVA
Fcil de controlar Velocidad Bajo coste (V<150V) Salida lineal Alto coste/kVA (V>300V)
b)
Estructura formada por un SCR y dos transistores MOS (uno para encenderlo y otro para apagarlo) Estructura compleja, con muchos requerimientos contradictorios. Comenzaron las investigaciones en 1992, en la actualidad se han abandonado al no poder alcanzar potencias elevadas y no ser competitivo con el MOS en bajas potencias (frecuencia menor y mayor complejidad de fabricacin mayor costo).
Evolucin de la mxima potencia controlable con GTO e IGBT. (Fuente ABB) IMAX (kA) 7 6 5 4 3 2 1 1 2 3 4 5 6 7 VMAX (kV) IGBT Consiguen que la resistencia en conduccin crezca casi linealmente con la tensin de ruptura del dispositivo en vez de crecer con una potencia 2.6. Esto los hace interesantes para tensiones altas (600 a 1500Voltios). Existen comercialmente (Infineon). GTO
MOS
Mximas tensiones, corrientes y frecuencias alcanzables con transistores MOS, IGBT y GTO
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 19 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 20 de 23
Fuente
Fuente
Puerta
SiO 2
SiO 2
xido de puerta
n
+
xido de puerta
n+ canal n+ p n
+
n+ canal
n+ p
(sustrato)
(sustrato)
n
Regin de arrastre del Drenador
Drenador
n+
p+ (oblea)
Drenador
p+ (oblea)
Drenador
a) IGBT
b)HiGT (Hitachi)
La cada en conduccin puede ser comparable a la del GTO para los dispositivos existentes de 4.500V y 1.500Amp. En investigacin (Toshiba) Existen variantes (HiGT Hitachi)
ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COMPARACIN ENTRE LOS DISPOSITIVOS NUEVOS Y LOS CONSOLIDADOS