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Bibliografa: Sensores y acondicionadores de seal Palls Areny, R. Marcombo, 1994 Instrumentacin electrnica moderna y tcnicas de medicin Cooper, W.D. y otro Prentice-Hall, 1990 Componentes electrnicos Siemens Marcombo,1987 Hojas de caractersticas de los fabricantes Juan Enrique Garca Snchez, Octubre 2002 Dpto. de Ing. Elctrica, Electrnica y Automtica. Universidad de Castilla La Mancha
Sensores resistivos
INTRODUCCIN
Los sensores basados en la variacin de la resistencia elctrica de un dispositivo son probablemente los ms abundantes. Ello se debe a que son muchas las magnitudes fsicas que afectan al valor de la resistencia elctrica de un material. En este captulo se describen los sensores ms frecuentes basados en la variacin de resistencia, exponiendo su: Fundamento Tecnologa Circuito elctrico equivalente Aplicaciones
Para la clasificacin de los diversos sensores de esta clase se ha tomado como criterio la magnitud fsica medida. El orden seguido es: Variables mecnicas Variables trmicas Variables magnticas Variables pticas Variables qumicas
Sensores resistivos
POTENCIMETROS
Un potencimetro es un resistor con un contacto mvil deslizante.
Rp R = L = x = x A A L x = ; 0 1 L
Se observa que la resistencia entre el cursor y uno de sus terminales es proporcional al desplazamiento del mismo.
Desde un punto de vista dinmico, suponiendo la masa del cursor despreciable, es un sistema de orden cero. Suponiendo que el potencimetro se alimenta con una tensin V, su circuito equivalente de Thevenin sera:
Rp
+ VT
RT
R T = Rp (1 ) // Rp = VT = V Rp = V Rp
Rp Rp (1 ) = Rp (1 ) Rp + Rp (1 )
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POTENCIMETROS (Continuacin)
El comportamiento descrito es ideal e implica aceptar algunas simplificaciones cuya validez no se puede garantizar en todos los casos. Se asume que: La resistencia es uniforme a lo largo de todo el recorrido o bien sigue una ley determinada. El contacto del cursor proporciona una variacin de resistencia continua (no a saltos) por tanto, la resolucin es infinita. Si se alimenta el potencimetro con una tensin alterna, su inductancia y capacidad deben ser despreciables. Para valores de Rp bajos, la inductancia no siempre es despreciable, sobre todo para potencimetros bobinados. Para valores de Rp altos, la capacidad parsita puede tener importancia. La temperatura del potencimetro es uniforme. Esta se debe tanto al medio que lo rodea como al propio autocalentamiento. El rozamiento del cursor y su inercia son despreciables. Estas caractersticas ideales, obviamente, no se consiguen plenamente en los potencimetros comerciales. No obstante, estas limitaciones son compensadas sobradamente por las ventajas de este dispositivo que, siendo simple y robusto, permite obtener exactitudes elevadas en relacin con su precio.
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POTENCIMETROS (Continuacin)
Aplicaciones: Existen potencimetros en los que la resistencia no es una funcin lineal del desplazamiento del cursor. Se utilizan cuando se quieren conseguir efectos no lineales con el desplazamiento. Por ejemplo: logartmicos, exponenciales, cuadrticos, etc. En la figura se muestra un caso en el que la dependencia del desplazamiento es cuadrtica. Existen potencimetros para detectar todo tipo de desplazamientos: lineales, angulares, etc. En la figura se muestra un potencimetro especial para la medida de inclinaciones. El anillo conductor gua una bola que hace las veces de cursor. La resistencia es proporcional a la inclinacin ya que la bola siempre permanece en la posicin vertical. Existen potencimetros dobles que permiten determinar la posicin de un punto en el plano. Se emplean, por ejemplo, en los joysticks.
+y L
R CM
(L x )2 tan g = = K (L x ) 2 A 2D
Vx = E(1 2 ) Vy = E(1 2 )
-x
(0,0)
+x
-y
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POTENCIMETROS (Continuacin)
En general, los potencimetros se aplican a la medida de desplazamientos que excedan de 1 cm. o 10. Desplazamientos de esta magnitud se encuentran en servosistemas de posicin y tambin en ciertos sensores primarios como los que se muestran a continuacin.
Materiales: Los potencimetros ms empleados son los basados en una pelcula de carbn depositada sobre un soporte, sola o bien aglomerada con plstico, y un cursor de metales nobles aleados. Si se deben disipar potencias altas y se quiere tener alta resolucin se suelen utilizar elementos resistivos formados por partculas de metales preciosos fundidas sobre una base cermica (cermet) mediante tcnicas de pelcula gruesa.
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GALGAS EXTENSOMTRICAS.
Las galgas extensomtricas son dispositivos utilizados para la medida de fuerzas. Se basan en la variacin de la resistencia de un conductor o un semiconductor cuando es sometido a un esfuerzo mecnico.
D F F
L R= A
(esfuerzo) =
F A
dR =
R R R L L d + dL + dA = d + dL 2 dA L A A A A
dR d dL dA + = R L A
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GALGAS EXTENSOMTRICAS(continuacin)
El cambio de longitud que resulta al aplicar un esfuerzo en el sentido longitudinal, siempre que no se supere el lmite de elasticidad del material, est regido por la siguiente expresin:
=E
dL = E L
(Ley de Hooke)
donde E es una constante del material, denominada mdulo de Young, (Nw/m2) es el esfuerzo mecnico aplicado y es la deformacin por unidad de longitud. es adimensional y se suele dar en microdeformaciones (1=10-6 m/m). Si se considera que el material bajo tensin es un hilo de dimetro D, longitud l y seccin A, el esfuerzo aplicado incrementa la longitud y decrementa el dimetro. La relacin entre ambos cambios () viene dada por la ley de Poisson: = dD dL D L dL dA = 2 A L
D2 A= 4
2DdD dA 4 = 2 dD = 2 D A D 4
de modo que
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GALGAS EXTENSOMTRICAS(continuacin)
La variacin que experimenta la resistividad () de un material como resultado del esfuerzo mecnico aplicado es lo que se conoce como efecto piezoresistivo. Para el caso de los metales, resulta que los cambios relativos de resistividad y de volumen son proporcionales: LD 2 V= ; 4 d dV =C V donde C es la denominada constante de Bridgman. 2 LD D 2 dL + dD dL dV dD 4 4 = +2 = LD 2 V L D 4 d dL = C(1 2 ) L
2 LD D 2 dD ; dV = dL + 4 4
Por tanto:
dR dL dL = [1 + 2 + C(1 2 )] =K R L L
A la vista de la expresin anterior, R=RK y, por tanto, para pequeas variaciones de la resistencia del hilo deformado, esta puede expresarse:
R = R 0 (1 + x ) ;
x = K
R0 es la resistencia en reposo. El cambio de resistencia no excede, normalmente, del 2%. En el caso de un material semiconductor, al someterlo a un esfuerzo, predomina el efecto piezorresistivo.
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GALGAS EXTENSOMTRICAS(continuacin)
Hemos visto que existe una relacin entre el cambio de resistencia de un material y la deformacin que experimenta este. Si se conoce la relacin entre la deformacin y el esfuerzo que la provoca, a partir de la medida de los cambios de resistencia se podrn determinar los esfuerzos aplicados.
Para cada material, se conoce con precisin la relacin entre esfuerzos y deformaciones en la zona elstica, que es la que tiene utilidad en la fabricacin de galgas extensomtricas. En esta zona, segn la ley de Hooke ya mencionada, la deformacin es proporcional al esfuerzo aplicado.
Un resistor fabricado y dispuesto de forma que sea sensible a la deformacin constituye una galga extensomtrica. Se disponen varios tramos longitudinales para que la galga tenga una resistencia apreciable. La seccin de los tramos transversales es mucho mayor para que la sensibilidad en esta direccin sea despreciable.
1. Anchura del soporte; 2. Anchura de la galga; 3. Longitud del soporte; 4. extremos ensanchados; 5. Longitud activa; 6. Longitud total de la galga; 7. Marcas de alineacin.
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GALGAS EXTENSOMTRICAS(continuacin)
Las limitaciones que cabe considerar en la aplicacin de este principio de medida son numerosas y conviene conocerlas con detalle. El esfuerzo aplicado no debe llevar a la galga fuera del margen elstico. Este no excede del 4% de su longitud y va desde unas 3000 para las semiconductoras a unas 40000 para las metlicas. La medida de un esfuerzo slo ser correcta si la deformacin que provoca es transmitida totalmente a la galga. Ello se logra pegando esta, al elemento que soporta el esfuerzo, mediante un adhesivo elstico que sea estable con el tiempo y la temperatura. La galga debe estar aislada elctricamente del objeto donde se mide y protegida del ambiente. Se supone que no hay esfuerzos en la direccin perpendicular a la superficie de la galga. La temperatura afecta a la resistividad del material, a sus dimensiones y a las dimensiones del soporte. Como consecuencia, un incremento en la temperatura implica una variacin de la resistencia an sin aplicar ningn esfuerzo. En las galgas metlicas puede ser de hasta 5 /C. El efecto de la temperatura se minimiza utilizando galgas iguales a las activas dispuestas junto a estas pero no sometidas a esfuerzo. Son las denominadas galgas pasivas, que son tenidas en cuenta por el circuito de acondicionamiento. Para evitar dilataciones diferenciales excesivas que provoquen sobreesfuerzos en la galga, en cada material a ensayar hay que utilizar galgas previstas para l que tengan un coeficiente de dilatacin similar. En las galgas semiconductoras el efecto de la temperatura es muy acusado. Un factor a tener en cuenta es el propio autocalentamiento de la galga como consecuencia de la corriente que inyecta el circuito de acondicionamiento. Conviene, por tanto, minimizarla.
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GALGAS EXTENSOMTRICAS(continuacin)
En la figura se muestra el montaje de una galga sobre la superficie del elemento a ensayar.
1. Sustrato donde se monta; 2. adhesivo; 3. Galga; 4. Terminales para soldar; 5. Soldadura; 6. Hilos de conexin; 7. Aislamiento protector
En el cuadro siguiente se muestran algunas de las caractersticas habituales en la galgas metlicas y semiconductoras Parmetro Margen de medida () Factor de sensibilidad Resistencia () Tolerancia de la resistencia(%) Tamao (mm) Metlicas 0.1 a 40000 1.8 a 2.35 120, 350, 600, ..., 5000 0.1 a 0.2 0.4 a 150 Semiconductoras 0.001 a 3000 50 a 200 1000 a 5000 1a2 1a5
Las galgas extensomtricas se pueden aplicar a la medida de cualquier variable que pueda convertirse, con el sensor apropiado, en una fuerza capaz de provocar deformaciones del orden de 10 m e incluso inferiores.
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GALGAS EXTENSOMTRICAS(continuacin)
En la figura se muestran diversos tipos de galgas extensomtricas.
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R = R0 (1 + 1T + 2T 2 + ... + nTn )
donde R0 es la resistencia a la temperatura de referencia y T el incremento de temperatura. La variacin de resistencia se debe tanto al cambio de resistividad como al cambio de dimensiones asociado al incremento de temperatura. En el caso de los metales empleados en estos sensores (platino, nquel, cobre, molibdeno) y para los mrgenes de medida de cada uno, prevalece el trmino lineal (1T) sobre los dems, con una proporcin de ms de 10 a 1. Se puede decir, por tanto, que existe una linealidad aceptable dentro del margen de medida. El comportamiento dinmico de estos sensores se corresponde con un sistema de paso bajo de primer orden, debido a la capacidad calorfica no despreciable del resistor. Si adems existe un recubrimiento, sera un sistema de segundo orden sobreamortiguado.
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R = R0 (1 + T )
Un procedimiento aceptado para obtener el coeficiente , en un rango de temperaturas, consiste en tomar los puntos extremos del rango (t1, t2>t1) y, a partir de los valores reales de resistencia en estos puntos, despejar de la expresin anterior.
En todo caso es el fabricante del sensor el que proporciona el valor del coeficiente .
Parmetro a 20C (cm) (//K) R0 a 0C () Margen (C) Platino 10.6 0.00385 25, 50, 100,200,500 -200 a +850 Cobre 1.673 0.0043 10 (20C) -200 a 260 Nquel 6.844 0.00681 50, 100, 120 -80 a 320 Molibdeno 5.7 0.003786 100, 200, 500, 1000, 2000 -200 a 200
En los RTD es preciso minimizar el error por autocalentamiento limitando la corriente que inyecta en el sensor el circuito de acondicionamiento. Un dato proporcionado por los fabricantes que se debe tener en cuenta es la denominada resistencia trmica (Rt, =1/Rt es el coeficiente de disipacin trmica) de la RTD. Se expresa en C/W y permite calcular el error por autocalentamiento aplicando la siguiente expresin.
PDISIPADA = T
Rt
= T
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TERMISTORES.
Los termistores son resistores variables con la temperatura, pero no estn basados en conductores como los RTD, sino en materiales semiconductores. Si su coeficiente de temperatura es negativo se denominan NTC (Negative Temperature Coefficient), mientras que si es positivo se denominan PTC (Positive Temperature Coefficient). Los smbolos respectivos son los siguientes, donde el trazo horizontal en el extremo de la lnea inclinada indica que tienen un comportamiento no lineal.
-t
+t
El fundamento de los termistores est en la dependencia de la resistencia de los semiconductores con la temperatura, debida a la variacin con esta del nmero de portadores. Al aumentar la temperatura lo hace tambin el nmero de portadores reducindose la resistencia (coeficiente de temperatura negativo, NTC) Esta dependencia vara con la concentracin de impurezas. Si el dopado es muy fuerte, el semiconductor adquiere propiedades metlicas y presenta un coeficiente de temperatura positivo (PTC) en un margen de temperaturas limitado.
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R T = R0e
1 1 B T T 0
Donde R0 es la resistencia a 25C u otra temperatura de referencia, y T0 es dicha temperatura expresada en kelvins. Otra expresin para RT equivalente a la anterior sera:
RT = Ae
B T
donde
A = R0 e
B T0
El parmetro B (beta) es la denominada temperatura caracterstica del material, y tiene valores que van de 2000K a 5000K. Pero no es constante para un mismo material, aumenta con la temperatura. Tambin vara de una unidad a otra para un mismo material, salvo en el caso de modelos intercambiables. Por analoga con las RTD se puede definir el coeficiente de temperatura o sensibilidad relativa .
dR T = dT = B
T2 RT que obviamente no es constante y, por tanto, expresa el comportamiento no lineal del termistor. A 25C (298K) y con B=4000K, resulta =-4.5%/K (ms de diez veces superior a la de la PT100)
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Ln R T R = A +BT + C 2 +D 3 T T 25
100
Rt/R25
10
0,1
TEMPERATURA (C)
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BETA
3950
3900
3850
3800
3750
3700
3650
TEMPERATURA
20
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550
R ()
500 450 400 350 300 250 200 150 100 50 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100
I (mA)
V(v)
6
1 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
I (mA)
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V(v)
8,0
7,5
7,0
6,5
6,0 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
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RT -t R
Aunque RP sigue sin ser lineal, su variacin con la temperatura es menor que antes al estar dRT/dT multiplicado por el factor R2/(RT+R)2 , menor que uno. Se ha ganado en linealidad a costa de sensibilidad. Existen varios mtodos para obtener el valor de R ms adecuado. Uno de ellos consiste en forzar tres puntos de paso en la curva resistencia-temperatura resultante. RP1 RP 2 = RP 2 RP3 RRT1 RRT 2 RRT 2 RRT 3 = R + R T1 R + R T 2 R + R T 2 R + R T 3 R= RT 2 (RT1 + RT 3 ) 2RT1RT 3 RT1 + RT 3 2RT 2 B 2TC B + 2TC
Otro mtodo consiste en forzar un punto de inflexin en la curva resistenciatemperatura que est justo en el centro del margen de medida (TC). Para obtener el valor de R basta con imponer la condicin de que la segunda derivada de RP con respecto de la temperatura sea igual a cero. Se obtiene as:
R = RTC
Existen modelos de NTC lineales en un margen de T, que incorporan una o varias resistencias en combinaciones serie y paralelo con uno o varios termistores, segn los criterios descritos anteriormente.
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TERMISTORES. (continuacin)
Caractersticas a modo de resumen. Posibilidad de ligeros cambios de las caractersticas con el paso del tiempo. Este fenmeno se minimiza en los modelos sometidos a envejecimiento artificial. Intercambiabilidad slo garantizada para modelos especiales. Necesidad de reajuste del circuito en caso de sustitucin. Alta sensibilidad y alta resistividad. Comportamiento no lineal. Linealizable a costa de perder sensibilidad. Considerando varios modelos, amplio margen de temperaturas [-100C, +450C] Bajo coste.
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FOTORRESISTENCIAS (LDR).
Las LDR (Light Dependent Resistors) Se basan en la variacin de la resistencia elctrica de un semiconductor al incidir en l radiacin ptica (radiacin electromagntica con longitud de onda entre 1mm y 10 nm). La radiacin ptica aporta la energa necesaria para aumentar el nmero de electrones libres (efecto fotoelctrico) disminuyendo la resistividad. La relacin entre la resistencia (R) de una LDR y la intensidad luminosa (E, en lux) recibida, es fuertemente no lineal. Un modelo de dependencia simple es:
R = AE
donde A y son constantes que dependen del material y de las condiciones de fabricacin.
HIGRMETROS RESISTIVOS.
La mayora de los aislantes elctricos presentan un descenso brusco de resistividad al aumentar la humedad de su entorno. Si se mide la variacin de su resistencia se tiene un higrmetro resistivo. La relacin entre la humedad relativa y la resistencia no es lineal, es casi exponencial. La resistencia se debe medir con una corriente alterna de valor medio cero.
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