UNIVERSIDAD TCNICA DE COTOPAXI Diego Lalaleo diego.-kb@hotmail.

com JFET

RESUMEN: Los JFET son dispositivo semiconductor en el que la corriente fluye por una zona denominada canal que une dos terminales que son fuente y drenador. Esta corriente se controla mediante un campo elctrico originado por una tensin aplicada en un tercer terminal denominado puerta. Los JFET bsicamente son de dos tipos, el de efecto de campo de juntura o JFET y el de efecto de campo de compuerta aislada IGFET ABSTRAC: JFETs are semiconductor device in which the current flows through an area called a channel connecting two terminals that are the source and drain. This current is controlled by an electric field caused by an applied voltage in a third terminal called the gate. JFETs are basically of two types, the field effect or JFET junction and field effect IGFET Insulated Gate OBJETIVO GENERAL: Conocer el funcionamiento de los transistores JFET a travs de diferentes fuentes de consulta para realizar ejercicios prcticos.

OBJETIVOS ESPECFICOS: Comprender el funcionamiento bsico de un JFET. Relacionar los JFET y los BJT. Conocer las Ventajas que ofrece los transistores JFET.

MARCO TERICO: Los JFET

En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin. Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre s (puerta). En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar una salida en el circuito que viene definida por la propia ID y la tensin entre el drenador y la fuente VDS. A la grfica o ecuacin que

relaciona ests dos variables se le denomina ecuacin de salida, y en ella es donde se distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: hmica y saturacin. Ecuaciones del transistor JFET

Grfica de entrada y de salida de un transistor JFET canal n. Las correspondientes al canal p son el reflejo horizontal de stas. Mediante la grfica de entrada del transistor se pueden deducir las expresiones analticas que permiten analizar matemticamente el funcionamiento de este. As, existen diferentes expresiones para las distintas zonas de funcionamiento. Para |VGS| < |Vp| (zona activa), la curva de valores lmite de ID viene dada por la expresin:

Siendo la IDSS la ID de saturacin que atraviesa el transistor para VGS = 0, la cual viene dada por la expresin:

Los puntos incluidos en esta curva representan las ID y VGS (punto de trabajo, Q) en zona de saturacin, mientras que los puntos del rea inferior a sta representan la zona hmica. Para |VGS| > |Vp| (zona de corte): ID = 0 Ecuacin de salida En la grfica de salida se pueden observar con ms detalle los dos estados en los que el JFET permite el paso de corriente. En un primer momento, la I D va aumentando progresivamente segn lo hace la tensin de salida VDS. Esta curva viene dada por la expresin: que suele

expresarse como

, siendo:

Por tanto, en esta zona y a efectos de anlisis, el transistor puede ser sustituido por una resistencia de valor Ron. El valor de VDS a partir del cual se entra en esta nueva zona de funcionamiento viene dado por la expresin: VDS = VGS Vp. Esta IDSAT, caracterstica de cada circuito, puede calcularse mediante la expresin:

MOSFET Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor. No se forman unin semiconductora entre canal y puerta Puerta separada del canal mediante una capa de Existe un cuarto terminal llamado sustrato Prestaciones similares a las del JFET Existen dos tipos , el empobrecimiento y enriquecimiento

CONCLUSIONES: El funcionamiento de los JFET, un pequeo voltaje de entrada en los terminales puerta (G) y fuente(S) controla la corriente de salida en el termina drenador (D). Los transistores BJT son accionados con intensidad y los JFET con son accionados con voltaje. Los transistores JFET por ser accionados con voltaje poseen una corriente mnima que produce que consuman poca potencia y los tiempos de conmutacin son ms rpidos que transistores BJT.

RECOMENDACIONES: Se recomienda verificar si es un voltaje el que se va a utilizar para accionar un JFET , caso contrario el dispositivo sufrir daos . Se recomienda tener en cuenta que tipo de transistor se utiliza, si es JFET o BJT para elegir el voltaje o corriente para accionarlos. Se recomienda utilizar los transistores JFET para accionamientos rpidos y para disipacin de calor. .

BIBLIOGRAFA: DAZ Javier, (2010), jfet, ingreso 02-ferbrero del 2012. Disponible

http://es.wikipedia.org/wiki/Wikipedia:Portada
DOVALE Mary,, (2009),estudio del funcionamiento de los MOSFET y el JFET, 01-febrero del 2012. Disponible http://www.slideshare.net/mdovale/mosfet-jfet FERNNDEZ Adoracin, (2008), transistor JFET, 02-febrero del 2012. Disponible

http://es.scribd.com/doc/8241546/JFET