Tr ansi st or es Bi pol ar es de J un o

(BJ T)
TE214 Fundamentos da Eletrnica
Engenharia Eltrica
O nome transistor vem
da frase transferring

an

electrical

signal

across

a resistor
Plano de Aula

Contextualizao

Objetivo

Definies e Estrutura

Caractersticas Tenso-Corrente

Modos de Operao

Aplicaes Bsicas

Concluses
Contextualizao

Onde os transistores bipolares so usados?

Veja mais exemplos em: www.nxp.com

bipolar
transistors application notes
Objetivo

Viso geral sobre os transistores bipolares

Compreender seus diferentes modos de
operao

Conhecer algumas aplicaes bsicas
Questes Chave

Qual a estrutura de um transistor bipolar?

Como uma transistor de juno bipolar opera?

Quais so as principais dependncias das
correntes de terminal de um BJT no regime ativo
direto?
Definies

O BJT

um dispositivo de 3 terminais

Dois tipos diferentes: npn e pnp.

Os smbolos do BJT e seus diagramas de bloco correspondentes:

Os BJTs

tem 2 junes (fronteira entre as regies n

e p).
Estrutura

Por enquanto

suficiente dizer que a estrutura mostrada na figura
anterior no

simtrica.

As regies n e p so diferentes tanto geometricamente quanto em
termos de concentrao de dopagem.

Por exemplo, a concentrao de dopagem no coletor, base e
emissor devem ser 10
15
, 10
17

e 10
19

respectivamente.

Portanto, o comportamento do dispositivo no

eletricamente
simtrico e as duas terminaes no podem ser permutados.
Atividade Extra-Classe: Ler sobre a estrutura do BJT. Sedra, Cap.5,
Sec. 5.1 a 5.3 / Boylestad

Cap.3, Sec. 3.1 a 3.3
Estrutura
Modos de Operao

Como cada juno possui dois modos de polarizao (direta ou
reversa), o BJT com suas duas junes tm 4 modos possveis de
operao.

Ativa Direta: dispositivo tem boa
isolao e alto ganho

regime mais
til;

Saturao: dispositivo no tem
isolao e

inundado com
portadores minoritrios). Leva tempo
para sair da saturao

evitar!

Ativa Reversa: ganho baixo pouco
til;

Corte: corrente desprezvel: quase
um circuito aberto

til;
Operao no Modo Ativo Direto

Considerando o circuito abaixo:

A juno Base-Emissor

(B-E)

polarizada diretamente

A juno Base-Coletor (B-C)

polarizada reversamente.

A corrente atravs da juno
B-E est

relacionada a
tenso B-E por:
) 1 ( =
T BE
V V
S E
e I i
Operao no Modo Ativo Direto
Operao no Modo Ativo Direto

Devido as grandes diferenas de dopagem das regies
do emissor e da base, os eltrons injetados na regio da
base (da regio do emissor) resulta na corrente do
emissor (i
E

).

Alm disso o nmero de eltrons injetados na regio do
coletor

diretamente relacionado aos eltrons injetados
na regio de base a partir da regio do emissor.

Portanto, a corrente de coletor est

relacionada a
corrente do emissor que

conseqentemente uma
funo da tenso B-E.
Operao no Modo Ativo Direto
A tenso entre dois terminais controla a
corrente atravs do terceiro terminal.
Este

o princpio bsico do BJT!
(efeito transistor)!
i
C

controlada por v
BE

, independente de v
BC
Operao no Modo Ativo Direto

A corrente de coletor e a corrente de base esto
relacionadas por:
e aplicando a LCK obtemos:

Ento, das equaes anteriores, o relacionamento entre
as correntes de emissor e base:
B C
i i | =
B C E
i i i + =
B E
i i ) 1 ( | + =


depende da largura da regio
da base e das dopagens
relativas das regies da base e
do emissor.
Operao no Modo Ativo Direto

e equivalentemente

A frao

chamada de

e i
E

pode ser escrita como:

Para transistores de interesse,

= 100 que corresponde a

= 0.99 e
i
C

~

i
E

BJTs

estado-da-arte

atuais: i
C

~ 0,1

1mA,

~ 50

300.

difcil de controlar rigorosamente. Tcnicas de projeto de circuito
so necessrias para insensitividade

a variaes em .
E C
i i
|
|
+
=
1
|
|
+ 1
T
BE
V
v
S
E
e
I
i
o
=
Operao no Modo Ativo Direto

Modelo de circuito equivalente
Operao no Modo Ativo Direto

A direo das correntes e as polaridades das
tenses para NPN

e PNP.
Caractersticas Tenso-Corrente

Trs tipos diferentes de tenses envolvidas na
descrio de transistores e circuitos. So elas:

Tenses das fontes de alimentao:V
CC

e V
BB

Tenses nos terminais dos transistores:V
C

, V
B

e

V
E

Tenses atravs das junes: V
BE

, V
CE

e V
CB
Caractersticas Tenso-Corrente

Os 3 terminais dos transistores e as duas junes,
apresentam mltiplos regimes de operao

Para distinguir estes regimes, temos que olhar as
caractersticas tenso-corrente do dispositivo.

A caracterstica mais importante do BJT

a o traado da
corrente de coletor (I
C

) versus a tenso coletor

emissor
(V
CE

), para vrios valores da corrente de base I
B

.
Caractersticas Tenso-Corrente

Curva caracterstica qualitativa do BJT.

O grfico indica as 4 regies de operao: saturao,
corte, ativa e ruptura.
Caractersticas Tenso-Corrente

Regio de Corte (cutoff):
juno Base-Emissor

polarizada reversamente. No
h

fluxo de corrente.

Regio de Saturao: juno
Base-Emissor

polarizada
diretamente, juno Coletor-

Base

polarizada
diretamente.I
C

atinge o
mximo, que

independente
de I
B

e . Sem controle. V
CE

<
V
BE

Regio Ativa: juno Base-

Emissor

diretamente
polarizada, juno Coletor-

Base

polarizada reversamente.
Controle, I
C

=

I
B

. V
BE

< V
CE

<
V
CC

Regio de Ruptura
(Breakdown):

I
C

e V
CE

excedem as especificaes.
Dano ao transistor.
Aplicaes do BJT

Como Chave

Se a tenso v
i

for menor que a tenso necessria para
polarizao direta da juno EB, ento I
B

=0 e o
transistor est

na regio de corte e I
C

=0. Como I
C

=0, a
queda de tenso sobre R
C

0 e ento V
o

=V
CC
.
Aplicaes do BJT

Como Chave (cont.)

Se a tenso v
i

aumenta de modo que a tenso V
BE

polariza
diretamente a juno BE, o transistor ligar

e

Uma vez ligado, ainda no
sabemos se ele est

operando
na regio ativa ou saturao
B
BE i
B
R
V v
I

=
Aplicaes do BJT

Como Chave (cont.)

Entretanto, aplicando LTK no lao C-E, temos:
ou

A equao acima

a equao
da linha de carga para este
circuito.

Note que V
CE

= V
o
C C CC CE
CE C C CC
R I V V
V R I V
=
= + + 0
Aplicaes do BJT

Como Chave (cont.)

Equao da linha de carga:
C C CC CE
R I V V =
Aplicaes do BJT

Lgica Digital

Circuito inversor bsico

Se a tenso v
i

for zero (baixa) o
transistor est

na regio de
corte, a corrente I
C

=0 e a tenso
V
o

=V
CC

(alta).

Por outro lado, se a tenso v
i

for
alta, igual a V
CC

, por exemplo, o
transistor

levado a saturao e
a sada

igual a V
CE(sat)

que
baixa.
Este circuito

a base para
construirmos qualquer
outra operao lgica.
Aplicaes do BJT

Exerccio: Lgica Digital

Para o circuito abaixo, complete a tabela lgica
V
1
V
2
V
o
Alto Baixo
Baixo Alto
Baixo Baixo
Alto Alto
Aplicaes do BJT

Como Amplificador

O circuito inversor bsico tambm forma
o circuito amplificador bsico.

A curva de transferncia de tenso
(tenso de sada em funo da tenso
de entrada)

a caracterizao
fundamental de um amplificador
Aplicaes do BJT

Como Amplificador (cont.)

Curva de transferncia de tenso

Note a grande inclinao da
curva no modo ativo.

Uma pequena mudana na
tenso de entrada v
i

induz uma
grande mudana na tenso de
sada V
o

uma amplificao.
Aplicaes do BJT

Como Amplificador (cont.)

Curva de transferncia de tenso
Principais Concluses

O emissor injeta

eltrons na base

O coletor coleta

eltrons da base

A base injeta

lacunas no emissor

I
C

controlada por V
BE

, independente de V
BC

(efeito
transistor)

Modo Ativo Direto: mais til, dispositivo tem ganho e
isolao.

Saturao: dispositivo inundado com portadores
minoritrios. No

til.

Corte: dispositivo aberto. til.
Referncias

SEDRA, A. S. e SMITH, K. C., Microeletrnica, 5a.
Edio, Makron

Books, 2005.

BOYLESTAD, R. L. e NASHELSKY, L., Dispositivos
Eletrnicos e Teoria de Circuitos, 6a. Edio, Editora
PHB, 1998.
Prxima Aula

Circuitos para polarizao de BJTs

Anlise DC