SEMICONDUCTORES Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante.

En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones as como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Peridica (Silicio, Germanio, etc) . Generalmente a stos se le introducen tomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra caracterstica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando sta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.

Disposicin esquemtica de los tomos de un semiconductor de silicio puro, No existen electrones ni huecos libres La disposicin esquemtica de los tomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en la figura anterior. Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de los ncleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos. La fuerza que mantiene unidos a los tomos entre s es el resultado del hecho de que los electrones de conduccin de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro tomos vecinos. A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la cual no se observa ningn electrn ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta como un aislante.

El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre tomos liberndose un cierto nmero de electrones. En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los tomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa esta situacin. La ausencia del electrn que perteneca a la unin de dos tomos de silicio se representa por un crculo. La forma en que los huecos contribuyen a la corriente, se detalla seguidamente. Cuando un electrn puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al ncleo y por tanto abandona su posicin, aparece un hueco, y le resulta relativamente fcil al electrn del tomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco. Este electrn que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posicin inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrn, con una trayectoria de sentido opuesto a la de ste. Semiconductores Intrnsecos o puros, Impurezas dadoras o donadoras e Impurezas aceptadoras. Se denomina semiconductor puro intrnseco aqul en que los tomos que lo constituyen son todos del mismo tipo, es decir no tiene ninguna clase de impureza. Si a un semiconductor puro como el silicio o el germanio, se le aade una pequea cantidad de tomos distintos se transforma en un semiconductor impuro. A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptoras. Si a la estructura del semiconductor de silicio se le aade alguna impureza, como puede ser el arsnico (As), que tiene cinco electrones externos ligados al ncleo con carga positiva +5. Cuatro de los cinco electrones del tomo de arsnico se unirn a los correspondientes electrones de los cuatro tomos de silicio vecinos, y el quinto quedar inicialmente libre, sin una posible unin, y por tanto se convertir en un portador de corriente. A este tipo de impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del tipo n. En un semiconductor con impurezas del tipo n, no slo aumenta el nmero de electrones sino que tambin la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tena el semiconductor puro.

La causa de esta disminucin se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos de los huecos existentes. Si al semiconductor puro de silicio se le aade algn tipo de impureza que tenga tres electrones externos, solo podr formar tres uniones completas con los tomos de silicio, y la unin incompleta dar lugar a un hueco. Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores, o impurezas del tipo p. Al contrario de lo que suceda antes en el tipo n en un semiconductor con impurezas de tipo p los portadores que disminuyen son los electrones en comparacin, con los que tena el semiconductor puro. A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptoras, se les llama respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se denominan portadores mayoritarios y los huecos portadores minoritarios. En un material de tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones portadores minoritarios.

MATERIALES SEMICONDUCTORES El trmino semiconductor revela por s mismo una idea de sus caractersticas. El prefijo semi suele aplicarse a un rango de niveles situado a la mitad entre dos lmites. El trmino conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de carga, cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a travs de sus terminales. Un aislante es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la presin de una fuente de voltaje aplicada. Un semiconductor, por tanto, es un material que posee un nivel de conductividad sobre algn punto entre los extremos de un aislante y un conductor. Aunque se puede estar familiarizado con las propiedades elctricas del cobre y la mica, las caractersticas semiconductores, germanio (Ge) y silicio (Si), pueden ser relativamente nuevas. Algunas de las cualidades nicas del Ge y el Si es que ambos forman un patrn muy definido que es peridico en naturaleza (continuamente se repite el mismo). A un patrn completo se le llama cristal y al arreglo peridico de los tomos, red cristalina. Para el Ge y el Si el cristal tiene la estructura de diamante de tres dimensiones que se muestra en la figura 4.4

Figura 4.4. Estructura de un solo cristal de Ge y Si.

Materiales Extrnsecos tipo N y tipo P Las caractersticas de los materiales semiconductores pueden ser alteradas significativamente por la adicin de ciertos tomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro. Estas impurezas, aunque slo haya sido aadida 1 parte en 10 millones, pueden alterar en forma suficiente la estructura de la banda y cambiar totalmente las propiedades elctricas del material. Un material semiconductor que haya sido sujeto de dopado se denomina un material extrnseco. Existen dos materiales extrnsecos de gran importancia para la fabricacin de dispositivos semiconductores: el tipo n y el tipo p.

Material tipo N Tanto el material tipo n como el tipo p se forman mediante la adicin de un nmero predeterminado de tomos de impureza al germanio o al silicio. El tipo n se crea a travs de la

introduccin de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, arsnico y fsforo. Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se les llaman tomos donadores. Es importante comprender que, aunque un nmero importante de portadores "libres" se han creado en el material tipo n, ste an es elctricamente neutral, debido a que de manera ideal el nmero de protones cargados positivamente en los ncleos es todava igual al nmero de electrones "libres" cargados negativamente y en rbita en la estructura.

Material tipo P El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con tomos de impureza que poseen tres electrones de valencia. Los elementos que se utilizan con mayor frecuencia para este propsito son el boro, galio e indio. A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como tomos aceptores. El material resultante tipo p el elctricamente neutro, por las mismas razones descritas para el material tipo n. Flujo de electrones comparado con flujo de huecos Si un electrn de valencia adquiere suficiente energa cintica para romper su unin covalente y llena un hueco, entonces se crear un hueco en la unin covalente que liber el electrn. Portadores mayoritarios y minoritarios En el estado intrnseco, el nmero de electrones libres en Ge o en Si se debe slo a aquellos electrones en la banda de valencia que han adquirido suficiente energa de las fuentes trmicas o lumnicas para romper la unin covalente o a las pocas impurezas que no pudieron eliminarse. Las "vacantes" dejadas atrs en la estructura de uniones covalentes representan una cantidad muy limitada de huecos. En un material tipo n, el nmero de huecos no ha cambiado de manera significativa de su nivel intrnseco. El resultado neto, por tanto, es que el nmero de electrones supera por mucho el nmero de huecos. Por esta razn: En un material tipo n al electrn se le llama portador mayoritario y el hueco es el portador minoritario. En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrn el portador minoritario. Cuando el quinto electrn de un tomo donador deja a su tomo, el tomo restante adquiere una carga positiva neta: de ah el signo positivo en la representacin de in donador. Por razones anlogas, el signo negativo aparece en el in aceptor. Los materiales tipo n y p representan los bloques de construccin bsicos de los dispositivos semiconductores. En la siguiente seccin se encontrar que la "unin" de un solo material tipo n con un material tipo p tendr por resultado un elemento semiconductor de importancia considerable en los sistemas electrnicos.

Diodo semiconductor El diodo semiconductor se forma cuando un fabricante dopa un cristal de tal manera que una mitad sea tipo p y la otra mitad sea tipo n. En el momento en que son "unidos" los dos materiales, los electrones y los huecos en la regin de la unin se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la regin cercana a la unin. A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se le llama regin de agotamiento, debido al agotamiento de portadores en esta regin. Polarizacin de un diodo semiconductor Como el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicacin de un voltaje a travs de sus terminales permite tres posibilidades: a) Sin polarizacin (VD = 0V): en ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de la carga en cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero.

Figura 4.5. Unin p-n sin polarizar externamente b) Polarizacin directa (VD > 0V): en esta condicin se logra que disminuya la regin de agotamiento. Debido a esto, existe un flujo de corriente ID mayoritaria y una corriente de saturacin, y se representa mediante Is.

Figura 4.6. Unin p-n con polarizacin directa.

c) Polarizacin inversa (VD < 0V): un diodo semiconductor tiene polarizacin inversa cuando se ha establecido la asociacin tipo p y potencial negativo y tipo n con el potencial positivo. Logrando con esto que se ensanche la regin de agotamiento y la corriente que fluye en el semiconductor es muy pequea debido a los portadores minoritarios y es unos cuantos nanoamperes.

Figura 4.7. Unin p-n con polarizacin inversa. Regin Zener El potencial de polarizacin inversa que da como resultado un cambio muy drstico de las caractersticas se le llama potencial Zener y se le da el smbolo VZ. Mientras el voltaje a travs del diodo se incrementa en la regin de polarizacin inversa, la velocidad de los portadores minoritarios responsables de la corriente de saturacin inversa IS tambin se incrementarn. Eventualmente, su velocidad y energa cintica asociada ser suficiente para liberar portadores adicionales por medio de colisiones con otras estructuras atmicas estables. Esto es, se generar un proceso de ionizacin, hasta el punto en el cual se establece una gran corriente de avalancha que determina la regin de ruptura de avalancha. La regin de avalancha (VZ) se puede acercar al eje vertical al incrementar los niveles de dopado en los materiales tipo p y tipo n. sin embargo, mientras VZ disminuye a niveles muy bajos, como -5V, otro mecanismo llamado ruptura Zener contribuir con un cambio agudo en la caracterstica. Esto ocurre debido a que existe un fuerte campo elctrico en la regin de la unin que puede superar las fuerzas de unin dentro del tomo y "generar" portadores. Aunque el mecanismo de ruptura Zener es un contribuyente significativo slo en los niveles ms bajos de VZ, utilizan esta porcin nica de la caracterstica de una unin p-n los diodos Zener.

Figura 4.8. Regin Zener

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede ser aplicado antes de entrar a la regin Zener se conoce como voltaje pico inverso. Tcnicas de fabricacin El primer paso en la fabricacin de algn dispositivo es obtener materiales semiconductores del nivel de pureza deseado, como el silicio, germanio y arseniuro de galio. En la actualidad se requieren niveles de impureza de menos de una parte de mil millones (1 en 1, 000, 000,000) para la fabricacin de la mayora de los dispositivos semiconductores. Las materias primas se sujetan primero a una serie de reacciones qumicas y aun proceso de refinacin por zona para formar un cristal policristalino del nivel de pureza que se desea. Los tomos de un cristal policristalino estn acomodados en forma aleatoria, mientras que en el cristal nico, los tomos estn acomodados en una red cristalina geomtrica, simtrica y uniforme. El aparato para refinacin por zona consiste en un recipiente de grafito o cuarzo, para tener la contaminacin mnima, un tubo contenedor de cuarzo y un juego de bobinas de induccin de RF (radiofrecuencia). Las bobinas o el bote deben ser movibles a lo largo de la longitud del tubo de cuarzo. Se obtendr el mismo resultado en cualquier caso, aunque aqu se presenta el mtodo de las bobinas movibles porque parece ser el ms comn. El interior del tubo contenedor de cuarzo est lleno con un gas inerte (con poca o ninguna reaccin qumica) o al vaco, para reducir ms la posibilidad de contaminacin. En el proceso de refinacin por zona se pone en el bote una barra de silicio con las bobinas en un extremo de la barra. Luego se aplica la seal de radiofrecuencia a la bobina, la cual induce un flujo de carga (corrientes parsitas) en el lingote de silicio. Se aumenta la magnitud de estas corrientes hasta que se desarrolla suficiente calor para fundir esa regin del material semiconductor. Las impurezas del lingote entrarn en un estado ms lquido que el material semiconductor que las rodea. Las bobinas de induccin se mueven lentamente hacia la derecha para inducir la fusin de la regin vecina, las impurezas "ms fluidizas" "seguirn" a la regin fundida. El resultado neto es que un gran porcentaje de las impurezas aparecern al extremo derecho del lingote cuando las bobinas de induccin hayan llegado a ese extremo. Este lado de la pureza con impurezas puede despus cortarse y se repite el proceso completo hasta que se llega al nivel de pureza deseado.

Materiales semiconductores Los materiales semiconductores son aquellos que no permiten el flujo libre de los electrones como es el conductor. un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la presin de una fuente de voltaje aplicada es considerado un aislante ya que este no permite el flujo de los electrones. Un semiconductor por tanto como no deja el flujo libre de electrones se puede decir que tiene componentes aislantes Si echamos un vistazo a la tabla peridica, veremos que en la columna donde se encuentra el carbono, tambin aparecen el silicio y el germanio. Todos ellos se caracterizan porque en la ltima capa de electrones de su estructura atmica poseen cuatro electrones. Se sabe que estos elementos tienen una estructura ms estable si comparten electrones, formando enlaces covalentes, de forma que al compartir estos electrones con tomos vecinos todos ellos tengan en la ltima capa ocho electrones, situacin que es muy estable.

Esto hace que se forme una malla de tomos que se denomina red cristalina. El diamante es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por tomos de carbono. El silicio y el germanio forman redes similares. En estas condiciones todos los electrones tienen su lugar en la red, as que estos materiales no permiten la movilidad de electrones y por lo tanto son aislantes.

Las caractersticas de los materiales semiconductores pueden ser alteradas significativamente por la adicin de ciertos tomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro. Estas impurezas, aunque slo haya sido aadida 1 parte en 10 millones, pueden alterar en forma suficiente la estructura de la banda y cambiar totalmente las propiedades elctricas del material.

Material tipo N El arsnico As (al igual que el fsforo P) poseen ambos cinco electrones en su ltima capa.

Si introducimos tomos de As dentro de la red cristalina de Ge en cantidades relativamente pequeas cuatro de los electrones de la ltima capa forman enlaces covalentes, como lo hara un tomo de Ge. El quinto electrn sin embargo, queda libre para moverse. Esto tiene como resultado propiedades elctricas muy diferentes a las que tena el cristal de Ge puro. Solo es necesario introducir cantidades pequeas de As o P para obtener un nmero de portadores de carga suficiente. El procedimiento de introducir estas impurezas en el cristal se denomina dopado. Material tipo P El boro B (al igual que el aluminio Al) poseen ambos tres electrones en su ltima capa.

Si introducimos tomos de B dentro de la red cristalina de Ge en cantidades relativamente pequeas los tres electrones de la ltima capa forman enlaces covalentes, como lo hara un tomo de germanio. Existe por lo tanto un hueco, y una tendencia a que se pueda alojar en l un electrn a pesar de que se pueda romper de forma instantnea la neutralidad elctrica. Esto tiene como resultado propiedades elctricas muy diferentes a las que tena el cristal de Ge puro. Solo es necesario introducir cantidades pequeas de B para obtener un nmero de portadores de carga suficiente, que en este caso son huecos electrnicos. El procedimiento de introducir estas impurezas en el cristal se denomina dopado.