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Università degli Studi di Catania

Corso di Laurea in
Ingegneria Elettronica N.O.

Amplificatore operazionale a due


stadi con coppia differenziale a
canale p con carico a specchio e stadio
di uscita CMOS in classe AB.
A.A. 2004-2005
Corso di Microelettronica
Ingegneria Elettronica N.O.
Prof. Ing. Pennisi Salvatore

Gruppo di lavoro:
Fidone Vincenzo 615/001060
Giuffrida Giuseppe 615/000861
Greco Giuseppe Francesco Agatino 615/000414
L’Episcopo Gaetano 615/000440
Introduzione
Lo scopo del nostro lavoro è quello di progettare un amplificatore operazionale a due
stadi, dove il primo stadio è costituito da una coppia differenziale a canale P con
carico a specchio mentre il secondo è uno stadio di uscita CMOS in classe AB. La
topologia circuitale richiesta consta quindi di:

● Coppia differenziale PMOS con carico a specchio NMOS


● Stadio di uscita CMOS in classe AB migliorato con source comune

Le specifiche richieste prevedono una realizzazione di un amplificatore in grado di


ottenere:

● Guadagno in DC maggiore di 60dB


● Prodotto Banda Guadagno maggiore di 10MHz
● Margine di Fase di 70°

Facendo uso di un’alimentazione di 5 Volt e dovendo pilotare un carico sia di tipo


resistivo (RL=1kΩ) sia di tipo capacitivo (CL=10pF).

Nella relazione verranno discusse la progettazione carta e penna e le simulazioni al


calcolatore. Gli aspetti caratterizzanti il circuito che verranno presi in considerazione
sono:

● Punto di lavoro;
● Offset sistematico;
● Dissipazione di potenza statica;
● Diagrammi di Bode di Guadagno e Fase;
● Rumore equivalente in ingresso;
● CMRR;
● PSRR+ e PSRR-;
● Dinamica;
● Risposta al gradino (Slew Rate e Tempo di assestamento);
● TDH per una sinusoide posta in ingresso a differenti frequenze e ampiezze.

Per la simulazione abbiamo utilizzato il simulatore PSpice versione 9.2,


mentre per i transistori MOS abbiamo utilizzato i seguenti modelli:

● NMOS: Lmin=0.8µm , Wmin=1.2µm , KN=µnCox =95µA/V² , VTN=0.7V.


● PMOS: Lmin=0.8µm , Wmin=1.2µm , KP=µpCox =32µA/V² , VTP=-0.8V.

2
Equazioni di progetto e di
dimensionamento
Abbiamo iniziato a progettare il circuito tramite calcoli eseguiti “carta e penna”
cercando di avvicinarci attraverso le equazioni di progetto fondamentali al
comportamento reale del nostro amplificatore e alle specifiche richieste.

Lo schema del circuito risulta quindi essere il seguente:

Nel quale, il primo stadio è costituito dai transistori PMOS M1 ed M2 che


rappresentano la coppia differenziale d’ingresso, dai transistori NMOS M3 ed M4
che rappresentano il carico a specchio della coppia differenziale M1-M2, e dai
transistori PMOS M5 ed M6 che formano lo specchio che ci polarizza, “specchiando”
la corrente data dal riferimento di corrente IB, i transistori M1-M2-M3-M4.
Abbiamo polarizzato il gate di M2 (morsetto non invertente) con una tensione di
2.5V, pari alla massa analogica.
Il secondo stadio è invece costituito dal transistore NMOS M8 (un source comune
che ci pilota lo stadio di uscita), dai transistori PMOS M5 ed M7 che formano lo
specchio che ci polarizza, “specchiando” la corrente data dal riferimento di corrente
IB, i transistori dello stadio di uscita, e dai transistori M9-M10-M11-M12 che
formano lo stadio di uscita CMOS in classe AB.
La resistenza di carico RL è stata poi posta a massa analogica, in modo che
connettendo a Buffer il nostro amplificatore lo corrente su di essa sia trascurabile e
quindi in polarizzazione avremo: ID11 ≅ ID12

Per quanto riguarda la connessione dei Bulk dei nostri transistor, nei PMOS, essendo
realizzati,nel nostro caso, in un processo N-Well, abbiamo cortocircuitato il Bulk con
il Source per annullare l’effetto Body e gli altri effetti parassiti causati dalla tensione
esistente fra Bulk e Source; negli NMOS siamo costretti, invece, a porre il Bulk ad un
potenziale fisso per tutti i transistori, e la scelta deve cadere su VSS (massa), cioè
poniamo i Bulk degli NMOS a VSS, in modo tale da eliminare il suddetto effetto

3
Body nei transistori M3-M4-M8, ciononostante avremo questi effetti parassiti nei
transistori M9-M11.

Partendo dalle specifiche che ci sono state date nel progetto ricaveremo quelli che
sono i parametri fondamentali del circuito come le transconduttanze, le correnti e i
fattori di forma di ogni transistore MOS presente, inoltre compenseremo il nostro
circuito.

Guardando i dati che abbiamo a disposizione, abbiamo deciso di partire dal rumore
del nostro amplificatore per poi ricavarci il valore di gm1,2 . Esso sarà circa uguale a:

(
S 0 ≅ 2 S1, 2 (g m1, 2 r(1) g m8 r( 3) ) + 2 S 3, 4 g m3, 4 r(1) g m8 r( 3)
2
)2

Dove r(1) ed r(3) sono le impedenze ai nodi 1 e 3:


r(1) ≅ rd2//rd4 (ipotesi di segnale puramente differenziale) ed
⎛ 1 1 ⎞
r(3) ≅ rd 8 // ⎜⎜ + + rd 7 ⎟⎟ .
⎝ g m10 g m9 ⎠
Poiché trascuriamo gli altri contributi dovuti ai guadagni di ogni singolo transistore
MOS. Infatti contribuiscono prevalentemente al rumore in uscita i transistori del
primo stadio (coppia differenziale e rispettivo carico a specchio), in quanto sono gli
unici contributi al rumore ad essere amplificati da due stadi di guadagno.

Mettendo in evidenza il Guadagno di anello otteniamo:

⎡ ⎛ g m3, 4 ⎞
2

S 0 ≅ 2(g m1, 2 r(1) g m8 r(3) ) S1, 2 + S 3, 4 ⎜ ⎟ ⎥
2⎢

⎢ ⎜ gm ⎟ ⎥
⎣ ⎝ 1, 2 ⎠ ⎦
dividiamo adesso S 0 per il nostro guadagno di anello ed otteniamo la sorgente di
rumore equivalente in ingresso:

⎡ ⎛ g m3, 4 ⎞ ⎤
2

S i ≅ 2 ⎢ S1, 2 + S 3, 4 ⎜ ⎟ ⎥
⎢ ⎜ gm ⎟ ⎥
⎣ ⎝ 1, 2 ⎠ ⎦
2 2
sostituiamo S1, 2 ≅ 4 KT e S 3, 4 ≅ 4 KT ,
3g m1, 2 3 g m 3, 4
J
dove K ≅ 1.381E-23 (Costante di Boltzmann) e T=300K (temperatura ambiente in
K
gradi Kelvin).
⎡ ⎛ g m3, 4 ⎞
2
⎤ ⎡ g ⎤ ⎡ g ⎤
2 2 ⎜ ⎟ ⎥ = 16 KT ⎢ 1 + m3, 4 ⎥ = 16 KT 1 ⎢1 + m3, 4 ⎥
Si = 2⎢4KT + 4KT
⎢ 3g m1, 2 3g m3, 4 ⎜ gm ⎟ ⎥ 3 2
⎢⎣ g m1, 2 ( g m1, 2 ) ⎥⎦ 3 g m1, 2 ⎢⎣ g m1, 2 ⎥⎦
⎣ ⎝ 1, 2 ⎠ ⎦

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volendo minimizzare il contributo del carico attivo si deve imporre che:

g m3, 4 << g m1, 2 ⎛W ⎞ ⎛W ⎞


⇒ ⎜ ⎟ << ⎜ ⎟ ,
⎝ L ⎠ 3, 4 ⎝ L ⎠1, 2
g m 3, 4
ma poiché il rapporto g m1, 2 resta pur sempre finito e diverso da zero, scegliamo
così, come ipotesi di progetto, di fissare questo rapporto ad un valore pari a
g m 3, 4
≅ 0.5 , inoltre imponiamo che il rapporto segnale-rumore in ingresso sia
g m1, 2
⎛S⎞ nV
⎜ ⎟ = S i ≅ 10 quindi otterremo che:
⎝ N ⎠ in Hz

16 KT ⎛⎜ g m 3, 4 ⎞⎟ 16 1,381 ⋅ 10 −23 ⋅ 300 ⋅ A


g m1, 2 ≅ 1 + ≅ ⋅ ⋅ (1 + 0 . 5 ) ≅ 331 . 44μ
3 S i ⎜⎝ g m1, 2 ⎟⎠ 3 10 ⋅ 10 −9 (2
) V
Di conseguenza:
A
g m 3, 4 ≅ 0.5 ⋅ g m1, 2 ≅ 0.4 ⋅ 331.44 ⋅ 10 −6 ≅ 165μ .
V
Una volta trovato gm1,2 possiamo ricavarci CC (la capacità di compensazione) tramite
la nota formula sul prodotto banda guadagno:

ω GBW = ω DT(0 )
Dove il guadagno di anello in continua è:

T(0 ) = g m1, 2 r(1) g m8 r( 3)

Mentre ω D (il polo dominante) si ricava attraverso la compensazione per Effetto


Miller ai nodi 1 e 11:
1
ωD ≅
r(1) CC g m8 r(3) .
Dove r(1) ed r(3) sono le impedenze ai nodi 1 e 3, già viste prima.
La compensazione per Effetto Miller è giustificata dal fatto che ci troviamo di fronte
a due nodi di alta impedenza posti alle estremità di uno stadio invertente (quello del
source comune M8). Abbiamo poi messo in serie alla capacità di compensazione CC
una resistenza RC allo scopo di compensare, portandolo ad alta frequenza, lo zero che

5
esiste fra i nodi 1 e 11. Inoltre abbiamo preferito collegare il ramo di compensazione
al nodo 11 invece che al nodo 3 per una questione di pura simmetria.

Dalle relazioni scritte precedentemente, e dalle specifiche di progetto ricaviamo che:


g m1, 2
ωGBW = ≅ 2π ⋅ 10 ⋅ 106 Hz
CC

Quindi ci possiamo ricavare il valore di CC:


g m1, 2 331.44 ⋅10−6
CC ≅ = ≅ 5 pF
ωGBW 2π ⋅10 ⋅106

A questo punto possiamo ricavarci le altre specifiche ragionando sullo Slew Rate del
circuito.
Il circuito che andiamo a considerare è il seguente:

Lo Slew Rate è definito come la massima velocità di variazione della tensione di


uscita, cioè:

dV
SR =
dt

Se applichiamo un gradino negativo al nostro circuito notiamo che è solo il nostro


transistore M2 a restare acceso mentre M1-M3-M4 sono spenti. La tensione sul nodo
1 aumenta facendo incrementare cosi la corrente di M8. Ciò che otteniamo sarà
quindi:

ΔV1 IB
SRINT = =
Δt MAX CC
Non abbiamo, invece, alcuna formula sullo Slew Rate esterno.

6
Se invece applichiamo un gradino positivo ciò che accade è l’opposto,cioè tutti i
transistori tranne M2 sono accesi,la tensione al nodo 1 diminuisce facendo cosi
diminuire la corrente su M8. Ciò che otteniamo sarà quindi:

ΔV1 IB
SRINT = =
Δt MAX CC
Non abbiamo, invece, alcuna formula sullo Slew Rate esterno.
Dallo Slew Rate interno abbiamo, allora, la formula:
IB
= SR
CC
Imponendo, quindi, un valore allo Slew Rate, e poiché conosciamo CC , possiamo
ricavarci il valore della corrente di polarizzazione IB . B

V
Un buon valore dello Slew Rate è maggiore di 5 , noi abbiamo deciso di fissarlo a
μs
V
8
μs , quindi ci ricaviamo:
IB = CC ⋅ SR = 5 ⋅ 10−12 ⋅ 8 ⋅ 106 ≅ 40μA
⎛W ⎞ ⎛W ⎞
Supponendo unitario il rapporto di specchio M5-M6, cioè ⎜ ⎟ = ⎜ ⎟ ,
⎝ L ⎠5 ⎝ L ⎠6
⎛W ⎞ ⎛W ⎞
1
ID1,2= IB=20μA e poiché gm1,2= 2 ⋅ K P ⋅ ⎜ ⎟ ⋅ I D1, 2 ci possiamo ricavare ⎜ ⎟ ,
2 ⎝ L ⎠1, 2 ⎝ L ⎠1, 2
B

⎛W ⎞ (g m1, 2 )
2
(331.44 ⋅10 −6 )
2

quindi: ⎜ ⎟ = = ≅ 75 ,
⎝ L ⎠1, 2 2 ⋅ K P ⋅ I D1, 2 2 ⋅ 32 ⋅10 −6 ⋅ 20 ⋅10 −6
⎛W ⎞
allo stesso modo possiamo ricavarci ⎜ ⎟ quindi:
⎝ L ⎠ 3, 4
⎛W ⎞ (g m3,4 ) = (165 ⋅10−6 )
2 2

≅ 10
⎜ ⎟ = −6 −6
⎝ L ⎠ 3, 4 2 ⋅ K N ⋅ I D 3, 4 2 ⋅ 95 ⋅ 10 ⋅ 20 ⋅ 10
Occorre a questo punto fissare il secondo polo ω S , in base alle specifiche date sul
margine di fase e la banda, di conseguenza ci serve la nota formula

ω s = ωGBW tan (Mf )


Nel nostro circuito, sostituendo i valori numerici dati dalle specifiche avremo:

ω s = ωGBW tan (Mf ) = 2π ⋅10 ⋅106 ⋅ tan (70o ) ≅ 172 ⋅106 rad / s

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Analizzando il nostro circuito, osserviamo che il secondo polo ω S si trova in uscita,
al nodo 2, a causa della grande capacità CL che abbiamo sul carico, di conseguenza:
1 ⎛ 1 ⎞
−1
ωS ≅ 1 1
⎜ ⎟
C L ⋅ r( 2 ) dove r(2) = g m11 // g m12 // RL = ⎜⎝ g m11 + g m12 + RL ⎟⎠ .

Solo per facilitare i calcoli, in seguito potremo venir meno a questa ipotesi al fine di
migliorare il comportamento del nostro circuito, poniamo gm11=gm12 , il che comporta:
⎛W ⎞ ⎛W ⎞
ID11 = ID12 e K P ⋅ ⎜ ⎟ = K N ⋅ ⎜ ⎟
⎝ L ⎠12 ⎝ L ⎠11

⎛W ⎞
⎜ ⎟ −6
⎝ L ⎠12 K N 95 ⋅ 10
e di conseguenza ⎛ W ⎞ = = ≅3 ,
K P 32 ⋅ 10 −6
⎜ ⎟
⎝ L ⎠11
−1
⎛ 1 ⎞ RL

quindi r(2)= ⎜ 2 ⋅ g m11,12 + ⎟⎟ = .
⎝ R L ⎠ 1 + 2 ⋅ R L ⋅ g m11.12
Fissiamo,inoltre, noi la corrente ID11,12=40μA, abbiamo scelto questo valore invece di
valori più alti per evitare di avere problemi di dinamica (visto che le VGS e le VDSsat
dei transistori sono proporzionali alla corrente ID) e un’eccessiva dissipazione di
potenza statica, lo abbiamo, invece, preferito a valori più bassi perché una piccola
corrente in uscita avrebbe richiesto troppo tempo per caricare la nostra capacità di
carico CL di 10pF,con conseguenze disastrose sullo Slew Rate e gli altri parametri
della risposta al gradino.
Dopo questo, allora, abbiamo trovato che il secondo polo è:
1 + 2 ⋅ R L ⋅ g m11,12
ωS ≅ = 172 ⋅ 10 6 rad / s
RL ⋅ C L
Da qui, ci ricaviamo il valore di gm11,12 :
RL ⋅ C L ⋅ ω S − 1 (1 ⋅ 10 3 ⋅ 10 ⋅ 10 −12 ⋅ 172 ⋅ 10 6 ) − 1 A
g m11,12 = = ≅ 360 μ
2 ⋅ RL 2 ⋅ 1 ⋅ 10 3 V
⎛W ⎞ ⎛W ⎞
Noto gm11,12 , ci ricaviamo ⎜ ⎟ e ⎜ ⎟ :
⎝ L ⎠11 ⎝ L ⎠12

⎛W ⎞ ( g m11 ) 2 (360 ⋅10 −6 ) 2


⎜ ⎟ = = = 17 ≅ 20
⎝ L ⎠11 2 ⋅ K ⋅ ⎛⎜ W ⎞⎟ ⋅ I 2 ⋅ 95 ⋅10 −6 ⋅ 40 ⋅10 −6
N D11
⎝ L ⎠11
⎛W ⎞ ( g m12 ) 2 (360 ⋅10 −6 ) 2
⎜ ⎟ = = −6 −6
≅ 50
L ⎛
⎝ ⎠12 2 ⋅ K ⋅ ⎜ ⎟ ⋅ I
W ⎞ 2 ⋅ 32 ⋅ 10 ⋅ 40 ⋅ 10
P D12
⎝ L ⎠12
A questo punto ci calcoliamo le tensioni ai nodi 3 e 10. Sappiamo che a causa della
retroazione a Buffer che abbiamo supposto inizialmente: V(2)=Vin+=2.5V, quindi:
8
I D12 40 ⋅10 −6
V(3) = V( 2 ) − VSG12 = V( 2 ) − VTP − = 2.5 − 0.8 − = 1.47V
1 ⎛W ⎞ 1
⋅ KP ⋅⎜ ⎟ ⋅ 32 ⋅10 −6 ⋅ 50
2 ⎝ L ⎠12 2

I D11 40 ⋅ 10 −6
V(10 ) = V( 2 ) + VGS 11 = V( 2 ) + VTN + = 2 .5 + 0 .7 + = 3.5V
1 ⎛W ⎞ 1
⋅ KN ⋅⎜ ⎟ ⋅ 95 ⋅ 10 −6 ⋅ 20
2 ⎝ L ⎠11 2

Inoltre, poiché sappiamo che in uno Stadio di Uscita CMOS in classe AB:
VGS11+VSG12=VGS9+VSG10

⎛W ⎞ ⎛W ⎞ ⎛W ⎞ ⎛W ⎞
Imponiamo ID7,8,9,10=ID11,12=40μA e ⎜ ⎟ = ⎜ ⎟ = 20 e ⎜ ⎟ = ⎜ ⎟ = 50
⎝ L ⎠9 ⎝ L ⎠11 ⎝ L ⎠10 ⎝ L ⎠12
in modo da ottenere:
VGS9=VGS11=0.905V e VSG10=VSG12=1.02V
Restano da fissare le dimensioni dei transistori M5-M6-M7-M8.

Per avere un buono Specchio M3-M4, occorre che: VDS3=VDS4 ovvero V(1)=V(7) , cioè
I D 3, 4 20 ⋅10 −6
VGS3,4=VDS3,4= VTN + 1 ⎛W ⎞
=
1 −6
≅ 0.905V
⋅ KN ⋅⎜ ⎟ ⋅ 95 ⋅10 ⋅10
2 ⎝ L ⎠ 3, 4 2

⎛W ⎞
Di conseguenza V(1)=VGS8=0. 905V,da qui ci ricaviamo ⎜ L ⎟ :
⎝ ⎠8

⎛W ⎞ I D8 40 ⋅10 −6
⎜ ⎟ = = ≅ 20
⎝ L ⎠8 1 ⋅ K N ⋅ (VGS 8 − VTN ) 2 1 ⋅ 95 ⋅10 −6 ⋅ (0.905 − 0.7) 2
2 2
⎛W ⎞ ⎛W ⎞
Prima avevamo supposto che ⎜ ⎟ = ⎜ ⎟ , anche qui per avere un buono
⎝ L ⎠5 ⎝ L ⎠6
Specchio dobbiamo supporre VSD5=VSD6 ovvero V(8)=V(9) :
I D1, 2 20 ⋅ 10 −6
V(8) = Vin+ + VSG1, 2 = Vin+ + VTP + = 2.5 + 0.8 + = 3.429V
1 ⎛W ⎞ 1
⋅ KP ⋅ ⎜ ⎟ ⋅ 32 ⋅ 10 −6 ⋅ 75
2 ⎝ L ⎠1, 2 2

Da questo risultato,deve essere VSG5,6=3.429V e da ciò ricaviamo:

9
⎛W ⎞ I D 5, 6 40 ⋅ 10 −6
⎜ ⎟ = = = 0.335
⎝ ⎠ 5, 6
L 1 1 −
⋅ K P ⋅ (VSG 5, 6 − VTP ) 2
⋅ 32 ⋅ 10 ⋅ (3.429 − 0.8)
6 2

2 2
Poiché si tratta di una dimensione troppo piccola, scegliamo noi un valore da dare
⎛W ⎞ ⎛W ⎞
alle dimensioni di questi transistori, e poniamo ⎜ ⎟ = ⎜ ⎟ = 10
⎝ L ⎠5 ⎝ L ⎠6
⎛W ⎞ ⎛ W ⎞ I D7 40 ⋅ 10 −6
A questo punto possiamo calcolarci ⎜ ⎟ = ⎜ ⎟ ⋅ = 10 ⋅ = 10
⎝ L ⎠ 7 ⎝ L ⎠5 I D5 40 ⋅ 10 −6
L’ultimo parametro che ci calcoliamo è:
1 1 1
RC ≅ = = ≅ 2.5kΩ
g m8 ⎛W ⎞ 2 ⋅ 95 ⋅10 −6 ⋅ 20 ⋅ 40 ⋅10 −6
2 ⋅ K P ⋅ I D8 ⋅ ⎜ ⎟
⎝ L ⎠8
Con le ipotesi e le scelta fatte tutti i transistor sono in saturazione.

Adesso che abbiamo dimensionato il nostro circuito, siamo pronti per fare le nostre
simulazioni al Computer, con i parametri ricavati, con la riserva, però, di apportare
delle modifiche se non otterremo i risultati che ci aspettavamo.

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Simulazioni al Computer
Polarizzazione
Analizziamo adesso la polarizzazione
del nostro Amplificatore connettendolo
a Buffer, come in figura.
Poiché esistono delle discrepanze fra i
modelli utilizzati da noi nei calcoli
“carta e penna” e i modelli usati da
PSpice, abbiamo ottenuto dei risultati un
po’ diversi da quelli che ci
aspettavamo,e per questo siamo stati
costretti, dopo alcune simulazioni, ad
apportare le seguenti modifiche ai valori ottenuti precedentemente “carta e penna”, al
fine di migliorare il nostro progetto e raggiungere le specifiche date:

• Poiché in simulazione abbiamo ottenuto un valore troppo basso di gm1,2 rispetto


a quello che avevamo progettato, per evitare di non soddisfare la specifica sul
rumore e sul Prodotto Banda-Guadagno, abbiamo deciso di aumentare i fattori
⎛W ⎞
di forma di M1-M2: ⎜ ⎟ = 150
⎝ ⎠1, 2
L
• Poiché nei calcoli “carta e penna” abbiamo trascurato l’effetto Body, dato dalle
tensioni fra Bulk e Source, l’ipotesi fatta in fase di progetto, solo per
⎛W ⎞ ⎛W ⎞
semplificarci i calcoli, di porre K P ⋅ ⎜ ⎟ = K N ⋅ ⎜ ⎟ non ci garantisce più
⎝ L ⎠12 ⎝ L ⎠11
la simmetria del nostro stadio di uscita e nemmeno una buona dinamica (visto
che abbiamo trovato un valore di VGS11 troppo alto, e quindi tale da
“schiacciare” il transistore M7). La causa di tutto questo è che le tensioni di
soglia, in valore assoluto, dei transistori PMOS ed NMOS dello stadio di uscita
sono molto diverse (0.8V contro circa 1.4V), perciò abbiamo deciso di
abbandonare questa ipotesi, anche se questo ci renderà gm11 ≠ gm12 , e così
⎛W ⎞ ⎛W ⎞ ⎛W ⎞ ⎛W ⎞
poniamo: ⎜ ⎟ = ⎜ ⎟ = 300 e ⎜ ⎟ = ⎜ ⎟ = 100 .
⎝ L ⎠9 ⎝ L ⎠11 ⎝ L ⎠10 ⎝ L ⎠12
• Poiché non siamo riusciti a soddisfare il guadagno d’anello in continua
richiesto, abbiamo deciso di aumentare il valore della transconduttanza gm8 ,
⎛W ⎞
ponendo ⎜ ⎟ = 50 e ID7,8,9,10=80μA , abbiamo fissato quest’ultimo valore di
⎝ L ⎠8
⎛W ⎞
corrente cambiando il fattore di forma di M7 ponendo ⎜ ⎟ = 20 , questo,
⎝ L ⎠7
11
però ci ha provocato che ID11,12 ≅ 100 μA e ha abbassato l’impedenza al nodo
2 portando il secondo polo a frequenze più alte.
• Per poter, infine, rispettare le specifiche sul Margine di Fase e sul Prodotto
Banda-Guadagno, abbiamo deciso di cambiare i valori trovati in precedenza di
CC ed RC , ponendoli a CC=1.8pF ed RC=2.3kΩ . Con queste scelte siamo
arrivati a garantire una banda ben maggiore di quella richiesta, salvando nel
contempo la specifica sul Margine di fase.

Con le modifiche apportate il nostro circuito risulta, allora, essere:

Connettendo quindi il precedente schema circuitale a Buffer ed inserendo in PSpice il


seguente file .cir:

Prova
.LIB C:\Programmi\orcad\stud_lib.lib
Vdd 6 0 5V
Vin+ 5 0 2.5
Ib 9 0 40U
M1 7 2 8 8 MODP W=150U L=1U AD=345P AS=345P PD=154.6U PS=154.6U
M2 1 5 8 8 MODP W=150U L=1U AD=345P AS=345P PD=154.6U PS=154.6U
M3 7 7 0 0 MODN W=10U L=1U AD=23P AS=23P PD=14.6U PS=14.6U
M4 1 7 0 0 MODN W=10U L=1U AD=23P AS=23P PD=14.6U PS=14.6U

12
M5 9 9 6 6 MODP W=10U L=1U AD=23P AS=23P PD=14.6U PS=14.6U
M6 8 9 6 6 MODP W=10U L=1U AD=23P AS=23P PD=14.6U PS=14.6U
M7 10 9 6 6 MODP W=20U L=1U AD=46P AS=46P PD=24.6U PS=24.6U
M8 3 1 0 0 MODN W=50U L=1U AD=115P AS=115P PD=54.6U PS=54.6U
M9 10 10 11 0 MODN W=300U L=1U AD=690P AS=690P PD=304.6U PS=304.6U
M10 3 3 11 11 MODP W=100U L=1U AD=230P AS=230P PD=104.6U PS=104.6U
M11 6 10 2 0 MODN W=300U L=1U AD=690P AS=690P PD=304.6U PS=304.6U
M12 0 3 2 2 MODP W=100U L=1U AD=230P AS=230P PD=104.6U PS=104.6U
Rl 2 13 1K
Vgnd 13 0 2.5
Cl 2 0 10P
Rc 12 11 2.3K
Cc 12 1 1.8P
.OP
.END

Abbiamo ottenuto i seguenti risultati:

ALLA TEMPERATURA DI 27.000 DEG C

Tensioni ai nodi
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE

(1) 0 .9021 (2) 2.4991 (3) 1.3969 (5) 2.5000

(6) 5.0000 (7) 0.9448 (8) 3.4156 (9) 3.5663

(10) 3.8752 (11) 2.4964 (12) 2.4964 (13) 2.5000

Punto di lavoro dei Mosfet


NAME M1 M2 M3 M4 M5
MODEL MODP MODP MODN MODN MODP
ID -2.03E-05 -2.03E-05 2.03E-05 2.03E-05 -4.00E-05
VGS -9.17E-01 -9.16E-01 9.45E-01 9.45E-01 -1.43E+00
VDS -2.47E+00 -2.51E+00 9.45E-01 9.02E-01 -1.43E+00
VBS 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00
VTH -8.59E-01 -8.58E-01 7.79E-01 7.79E-01 -8.89E-01
VDSAT -1.02E-01 -1.02E-01 1.71E-01 1.71E-01 -4.79E-01
Lin0/Sat1 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00
if -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00
ir -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00
TAU -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00
GM 3.24E-04 3.23E-04 1.88E-04 1.87E-04 1.33E-04
GDS 5.19E-06 5.17E-06 1.72E-06 1.76E-06 4.00E-06
GMB 9.59E-05 9.56E-05 8.51E-05 8.49E-05 3.79E-05
CBD 1.71E-13 1.70E-13 1.42E-14 1.43E-14 1.49E-14
CBS 3.02E-13 3.02E-13 1.84E-14 1.84E-14 2.23E-14
CGSOV 5.10E-14 5.10E-14 3.40E-15 3.40E-15 3.40E-15
CGDOV 5.10E-14 5.10E-14 3.40E-15 3.40E-15 3.40E-15
CGBOV 1.40E-16 1.40E-16 1.40E-16 1.40E-16 1.40E-16
13
NAME M6 M7 M8 M9 M10
MODEL MODP MODP MODN MODN MODP
ID -4.06E-05 -8.14E-05 8.14E-05 8.14E-05 -8.14E-05
VGS -1.43E+00 -1.43E+00 9.02E-01 1.38E+00 -1.10E+00
VDS -1.58E+00 -1.12E+00 1.40E+00 1.38E+00 -1.10E+00
VBS 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 -2.50E+00 0.00E+00
VTH -8.87E-01 -8.85E-01 7.65E-01 1.38E+00 -8.78E-01
VDSAT -4.80E-01 -4.83E-01 1.52E-01 8.18E-02 -2.22E-01
Lin0/Sat1 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00
if -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00
ir -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00
TAU - 1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00
GM 1.34E-04 2.68E-04 8.40E-04 1.42E-03 6.38E-04
GDS 3.95E-06 8.60E-06 6.12E-06 2.08E-05 1.34E-05
GMB 3.83E-05 7.59E-05 3.78E-04 1.94E-04 1.87E-04
CBD 1.45E-14 2.98E-14 5.77E-14 2.59E-13 1.43E-13
CBS 2.23E-14 4.22E-14 8.18E-14 2.92E-13 2.02E-13
CGSOV 3.40E-15 6.80E-15 1.70E-14 1.02E-13 3.40E-14
CGDOV 3.40E-15 6.80E-15 1.70E-14 1.02E-13 3.40E-14
CGBOV 1.40E-16 1.40E-16 1.40E-16 1.40E-16 1.40E-16

NAME M11 M12


MODEL MODN MODP
ID 1.02E-04 -1.02E-04
VGS 1.38E+00 -1.10E+00
VDS 2.50E+00 -2.50E+00
VBS -2.50E+00 0.00E+00
VTH 1.37E+00 -8.59E-01
VDSAT 8.41E-02 -2.40E-01
Lin0/Sat1 -1.00E+00 -1.00E+00
if -1.00E+00 -1.00E+00
ir -1.00E+00 -1.00E+00
TAU -1.00E+00 -1.00E+00
GM 1.70E-03 7.41E-04
GDS 2.35E-05 1.41E-05
GMB 2.27E-04 2.15E-04
CBD 2.41E-13 1.14E-13
CBS 2.92E-13 2.02E-13
CGSOV 1.02E-13 3.40E-14
CGDOV 1.02E-13 3.40E-14
CGBOV 1.40E-16 1.40E-16

14
Offset Sistematico
L’offset sistematico del circuito risulta quindi essere pari a:
OFFSET SISTEMATICO = V(5)-V(2)=2.5-2.4991=0.9mV
che risulta un valore accettabile.

Dissipazione di Potenza statica


Per quanto riguarda la dissipazione di potenza statica, abbiamo ottenuto i seguenti
risultati:

VOLTAGE SOURCE CURRENTS


NAME CURRENT

Vdd -2.635E-04
Vin+ 0.000E+00
Vgnd -9.139E-07

TOTAL POWER DISSIPATION = 1.32mW

15
Studio in frequenza
Per lo studio in frequenza dell’amplificatore mediante il simulatore PSpice abbiamo
usato la seguente configurazione:

Abbiamo retroazionato il nostro


amplificatore tramite un induttore
di valore molto alto (1GH), in
modo tale che in DC il circuito
lavori ad anello chiuso mentre in
AC lavori ad anello aperto. Il
generatore di segnale è accoppiato
all’ingresso tramite un capacitore
di elevato valore (1F).
Da questa analisi si sono tracciati i diagrammi di Bode di modulo e fase del
guadagno d’anello.

Diagramma dei Moduli


Dal Diagramma di Bode dei Moduli (diagramma in dB della T(jω)) ricaviamo la
Banda (fGBW) ed il Guadagno in Continua (T(0)) e precisamente:

fGBW = fT ≅ 18.7MHz e T(0)=64.944dB

16
Diagramma delle Fasi
Dal diagramma di Bode delle fasi ricaviamo il Margine di fase (Mf) del circuito:

Mf = 70.34o

Le specifiche sul Guadagno in continua, Prodotto Banda-


Guadagno e Margine di Fase sono, quindi, rispettate!!!

17
Rumore equivalente in ingresso
Nel grafico è riportato l’andamento in frequenza del valore efficace del rumore in
ingresso all’amplificatore, ottenuto con la stessa configurazione usata per lo studio in
frequenza:

La prima parte a bassa frequenza è dominata dal rumore Flicker (poiché il rumore
Flicker è proporzionale all’inverso della frequenza) che dipende quasi essenzialmente
dalle caratteristiche dei transistori MOS utilizzati.
Dal grafico comunque si evince che il nostro amplificatore è soggetto ad un rumore
pari a:
nV
Vnoise=129 per fnoise=10kHz ;
Hz
nV
Vnoise=42 per fnoise=100kHz ;
Hz
nV
Vnoise=17 per fnoise=1MHz ;
Hz
nV
Vnoise=13 per fnoise=10MHz .
Hz

18
CMRR
Il calcolo del CMRR necessita dell’utilizzo di un doppio circuito per la simulazione.

Uno per calcolare il guadagno di modo differenziale e un altro per calcolare il


guadagno di modo comune, ci ricaveremo poi il CMRR facendo il rapporto, o la
differenza se siamo in db, fra i valori trovati.

Il circuito usato per il calcolo del guadagno di modo differenziale è:

Mentre il circuito usato per il calcolo del guadagno di modo comune è:

Calcoliamoci, allora, queste due grandezze:

19
Guadagno di Modo differenziale
Il grafico in dB del guadagno di modo differenziale è:

Dal quale otteniamo che:

ADM=64.908dB @ 1kHz ;

ADM=62.311dB @ 10kHz ;

ADM=45.642dB @ 100kHz ;

ADM=25.723dB @ 1MHz ;

ADM=5.695dB @ 10MHZ ;

20
Guadagno di Modo Comune
Il grafico in dB del guadagno di modo comune è:

Dal quale otteniamo che:

ACM=-7.060dB @ 1kHz ;

ACM=-9.751dB @ 10kHz ;

ACM=-26.481dB @ 100kHz ;

ACM=-45.844dB @ 1MHz ;

ACM=-57.418dB @ 10MHz .

21
CMRR
I risultati per il calcolo del CMRR, come anticipato prima, derivano dalla formula:

CMRRdB = AdiffdB − AcomdB

nata dalla seguente dimostrazione:

AD
CMRRdB = 20 log10 ( ) = 20 log10 ( AD ) − 20 log10 ( AC )
AC

Applicando la suddetta formula ai risultati precedentemente trovati otteniamo che:

CMRR=71.968dB @ 1kHz ;

CMRR=72.062dB @ 10kHz ;

CMRR=72.123dB @ 100kHz ;

CMRR=71.567dB @ 1MHz ;

CMRR=50.871dB @ 10MHz .

22
PSRR+
Per simulare il PSRR+ (Rapporto di Reiezione dell’Alimentazione) useremo il
seguente circuito:

Nel quale Vdd-ac rappresenta un


disturbo (in frequenza)
sull’alimentazione positiva VDD.
Dal simulatore PSpice otteniamo il
seguente grafico (in dB).

Guardando il grafico possiamo vedere che:

PSRR+=113.934dB @ 1kHz;

PSRR+=102.417dB @ 10kHz ;

PSRR+=82.688dB @ 100kHz ;

PSRR+=62.674dB @ 1MHz ;

PSRR+=41.368dB @ 10MHz .

23
PSRR-
Per simulare il PSRR- useremo, invece, il seguente circuito:

Nel quale Vss-ac rappresenta un


disturbo in frequenza sull’alimentazione
negativa Vss, che, nel nostro caso,
essendo Vss=0V,rappresenta un
disturbo su massa. Dal simulatore
PSpice otteniamo il seguente grafico (in
dB).

Guardando il grafico possiamo vedere che:

PSRR- =75.534dB @ 1kHz ;


PSRR- =67.875dB @ 10kHz ;
PSRR- =48.639dB @ 100kHz ;
PSRR- =28.652dB @ 1MHz ;
PSRR- =9.077dB @ 10MHz .

24
Dinamica
In uscita la nostra dinamica è limitata, in alto, da:

VO < VDD - VGS11 - VSDsat7


poiché il transistore M7 rischia di andare in triodo se la tensione in uscita sale...

Sempre in uscita, la nostra dinamica è limitata, in basso, da:

VO > VDSsat8 + VSG12


poiché il transistore M8 rischia di andare in triodo se la tensione in uscita scende...

In ingresso, invece, la nostra dinamica di modo comune è limitata, in alto, da:

VCM < VDD – VSG1,2 – VSDsat6


poiché il transistore M6 rischia di andare in triodo se la tensione di modo comune in
ingresso sale...

Sempre in ingresso, invece, la nostra dinamica di modo comune è limitata, in basso,


da:

VCM > VDSsat4 + VSDsat2 – VSG2


poiché il transistore M4 rischia di andare in triodo se la tensione di modo comune in
ingresso scende...

Per poter vedere quali di queste condizioni è più stringente, e quali sono i nostri limiti
numerici di dinamica, abbiamo simulato su PSpice il nostro circuito connesso a
Buffer (poiché la connessione a Buffer è il caso peggiore che potrebbe capitarci per la
nostra dinamica...), ponendo in ingresso un gradino positivo da VSS a VDD , ovvero
da 0V a 5V, come in figura, e vediamo entro quali valori la nostra uscita riesce a
seguire l’ingresso senza saturare...

Dalla simulazione abbiamo ottenuto i seguenti risultati:

25
Come possiamo ben osservare l’uscita satura per

V > 3.3V e V < 1.67V


Quindi se il punto di lavoro in ingresso e in uscita è fissato in DC alla tensione di
polarizzazione di 2.5V, troviamoci la massima escursione del segnale in ingresso...

Per definizione è pari al

MIN ( VDC –Vmin , Vmax -VDC ) = MIN ( 2.5 – 1.67 , 3.3 – 2.5 ) =
= MIN ( 0.83 , 0.8 ) = 0.8V
Quindi la massima escursione del nostro segnale in ingresso attorno al punto di
lavoro di 2.5V è di 0.8V! Un valore accettabile, soprattutto se consideriamo che il
limite principale della topologia del nostro circuito è dato dalla dinamica, in
particolare dalla dinamica in uscita!

26
Analisi del transitorio
Per lo studio del Transitorio abbiamo utilizzato la configurazione a Buffer vista in
precedenza aggiungendo in ingresso un gradino e abbiamo poi valutato la risposta del
nostro Amplificatore Operazionale in termini di Slew Rate e di Settling Time.

La configurazione utilizzata per analizzare il nostro Amplificatore in questo caso è la


seguente:

In simulazione abbiamo ottenuto il seguente grafico:

27
Slew Rate
Per calcolare lo Slew Rate poniamo in ingresso un gradino, prima positivo e poi
negativo, pari alla massima escursione picco-picco del segnale, ovvero 1.6V.
Dalla simulazione otteniamo:

Gradino positivo:
ΔV 1.6V V
SR+ = ≅ = 11.73
Δ t (1140 − 1000) n s μs

Gradino negativo:
ΔV 1.6V V
SR− = ≅ = 13.38
Δ t (619.52 − 500) n s μs

Settling time (Tempo di assestamento) 1%


Rifacendoci al grafico ottenuto dall’ultima risposta al gradino (quella con la massima
ampiezza di segnale) si ricavano i seguenti dati:
Gradino positivo:
Ta1+% ≅ 1.156μs − 1μs = 156ns
Gradino negativo:
Ta1−% ≅ 620ns − 500ns = 120ns

28
THD
Proseguiamo la nostra analisi nel Transitorio applicando in ingresso una sinusoide. Il
circuito per la simulazione in questo caso è il seguente:

La sinusoide posta in ingresso


assumerà tre differenti ampiezze
(0.1V, 0.4V, 0.8V) e ad ognuna di esse
verranno attribuite quattro diverse
frequenze(100Hz, 1KHz, 100KHz e
10MHz). Il parametro di interesse sarà
la THD (Total Harmonic
Distorsion),definita come la radice
quadrata della somma dei quadrati
delle singole componenti armoniche
superiori alla prima fratto il valore
della prima armonica.

Per effettuare la simulazione abbiamo scelto di analizzare 3 periodi della nostra


sinusoide con una risoluzione di 100000 punti per periodo.
I risultati ottenuti in simulazione sono:

29
Sinusoide di ampiezza 0,1V ad 100Hz
Sinusoide in ingresso
DC COMPONENT = 2.500000E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+02 1.000E-01 1.000E+00 -1.800E-03 0.000E+00


2 2.000E+02 3.644E-09 3.644E-08 -1.000E+02 -1.000E+02
3 3.000E+02 3.460E-09 3.460E-08 -8.122E+01 -8.121E+01
4 4.000E+02 3.398E-09 3.398E-08 -1.118E+02 -1.118E+02
5 5.000E+02 3.865E-09 3.865E-08 -1.025E+02 -1.025E+02
6 6.000E+02 4.602E-09 4.602E-08 -1.088E+02 -1.088E+02
7 7.000E+02 3.233E-09 3.233E-08 -9.657E+01 -9.656E+01
8 8.000E+02 4.554E-09 4.554E-08 -1.131E+02 -1.130E+02
9 9.000E+02 3.801E-09 3.801E-08 -1.125E+02 -1.125E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.088807E-05 PERCENT

THDIN=20log(1.088807E-07) = -139.26dB

Sinusoide in uscita

DC COMPONENT = 2.499088E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+02 9.997E-02 1.000E+00 -2.098E-03 0.000E+00


2 2.000E+02 1.571E-06 1.572E-05 -8.906E+01 -8.906E+01
3 3.000E+02 1.937E-07 1.937E-06 3.384E-01 3.447E-01
4 4.000E+02 1.173E-08 1.173E-07 9.507E+01 9.507E+01
5 5.000E+02 3.654E-09 3.655E-08 -9.275E+01 -9.274E+01
6 6.000E+02 3.565E-09 3.566E-08 -1.018E+02 -1.018E+02
7 7.000E+02 3.876E-09 3.877E-08 -1.043E+02 -1.043E+02
8 8.000E+02 4.858E-09 4.859E-08 -1.090E+02 -1.090E+02
9 9.000E+02 3.142E-09 3.143E-08 -1.050E+02 -1.050E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.583940E-03 PERCENT

THDOUT=20log(1.583940E -05) = -96.005dB

30
Sinusoide di ampiezza 0,4V ad 100Hz
Sinusoide in ingresso

DC COMPONENT = 2.500000E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+02 4.000E-01 1.000E+00 -1.800E-03 0.000E+00


2 2.000E+02 1.348E-08 3.370E-08 -8.678E+01 -8.677E+01
3 3.000E+02 1.514E-08 3.784E-08 -8.689E+01 -8.688E+01
4 4.000E+02 1.501E-08 3.752E-08 -9.543E+01 -9.542E+01
5 5.000E+02 1.613E-08 4.032E-08 -9.562E+01 -9.561E+01
6 6.000E+02 1.621E-08 4.051E-08 -1.046E+02 -1.046E+02
7 7.000E+02 1.469E-08 3.673E-08 -9.599E+01 -9.598E+01
8 8.000E+02 1.902E-08 4.755E-08 -1.050E+02 -1.050E+02
9 9.000E+02 1.571E-08 3.926E-08 -1.102E+02 -1.102E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.113282E-05 PERCENT

THDIN=20log(1.113282E-07) = -139.067dB

Sinusoide in uscita
DC COMPONENT = 2.499108E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+02 3.999E-01 1.000E+00 -2.113E-03 0.000E+00


2 2.000E+02 2.020E-05 5.052E-05 -8.915E+01 -8.915E+01
3 3.000E+02 4.700E-06 1.175E-05 3.459E-01 3.522E-01
4 4.000E+02 2.460E-06 6.152E-06 -8.820E+01 -8.819E+01
5 5.000E+02 7.169E-07 1.793E-06 3.026E+00 3.037E+00
6 6.000E+02 1.601E-07 4.003E-07 9.109E+01 9.110E+01
7 7.000E+02 4.768E-07 1.192E-06 1.194E+00 1.208E+00
8 8.000E+02 1.059E-07 2.649E-07 9.907E+01 9.909E+01
9 9.000E+02 2.066E-08 5.167E-08 -2.870E+01 -2.868E+01

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 5.227561E-03 PERCENT

THDOUT=20log(5.227561E -05) = -85.634dB

31
Sinusoide di ampiezza 0,8V ad 100Hz
Sinusoide in ingresso

DC COMPONENT = 2.500000E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+02 8.000E-01 1.000E+00 -1.800E-03 0.000E+00


2 2.000E+02 2.863E-08 3.579E-08 -9.238E+01 -9.237E+01
3 3.000E+02 2.924E-08 3.655E-08 -8.754E+01 -8.754E+01
4 4.000E+02 3.068E-08 3.835E-08 -9.481E+01 -9.480E+01
5 5.000E+02 3.254E-08 4.067E-08 -9.166E+01 -9.165E+01
6 6.000E+02 3.415E-08 4.269E-08 -1.056E+02 -1.055E+02
7 7.000E+02 3.108E-08 3.885E-08 -9.490E+01 -9.489E+01
8 8.000E+02 3.634E-08 4.543E-08 -1.093E+02 -1.093E+02
9 9.000E+02 3.066E-08 3.833E-08 -1.073E+02 -1.073E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = = 1.112272E-05 PERCENT

THDIN=20log(1.112272E-07) = -139.075dB

Sinusoide in uscita
DC COMPONENT = 2.499055+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+02 7.986E-01 1.000E+00 -2.128E-03 0.000E+00


2 2.000E+02 2.976E-05 3.726E-05 8.933E+01 8.933E+01
3 3.000E+02 7.865E-04 9.848E-04 2.666E-02 3.304E-02
4 4.000E+02 1.001E-04 1.253E-04 8.979E+01 8.980E+01
5 5.000E+02 4.316E-04 5.405E-04 -1.799E+02 -1.799E+02
6 6.000E+02 1.953E-04 2.446E-04 -8.993E+01 -8.992E+01
7 7.000E+02 2.301E-04 2.881E-04 7.263E-02 8.753E-02
8 8.000E+02 1.543E-04 1.931E-04 9.003E+01 9.005E+01
9 9.000E+02 1.358E-04 1.701E-04 -1.799E+02 -1.799E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.219885E-01 PERCENT

THDOUT=20log(1.219885E -03) = -58.273dB

32
Sinusoide di ampiezza 0,1V ad 1kHz
Sinusoide in ingresso

DC COMPONENT = 2.500000E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+03 1.000E-01 1.000E+00 -1.797E-03 0.000E+00


2 2.000E+03 7.373E-09 7.373E-08 8.939E+01 8.940E+01
3 3.000E+03 6.641E-09 6.641E-08 6.533E+01 6.533E+01
4 4.000E+03 7.874E-09 7.874E-08 7.186E+01 7.186E+01
5 5.000E+03 7.087E-09 7.087E-08 5.429E+01 5.430E+01
6 6.000E+03 9.439E-09 9.439E-08 5.116E+01 5.117E+01
7 7.000E+03 1.073E-08 1.073E-07 5.051E+01 5.053E+01
8 8.000E+03 1.385E-08 1.385E-07 4.408E+01 4.409E+01
9 9.000E+03 1.527E-08 1.527E-07 3.914E+01 3.915E+01

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 2.897982E-05 PERCENT

THDIN=20log(2.897982E-07) = -130.758dB

Sinusoide in uscita
DC COMPONENT = 2.499088E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+03 9.997E-02 1.000E+00 -4.781E-03 0.000E+00


2 2.000E+03 1.582E-06 1.582E-05 -8.102E+01 -8.101E+01
3 3.000E+03 2.027E-07 2.028E-06 1.471E+01 1.472E+01
4 4.000E+03 2.190E-08 2.191E-07 9.837E+01 9.839E+01
5 5.000E+03 8.377E-09 8.380E-08 4.943E+01 4.945E+01
6 6.000E+03 9.404E-09 9.407E-08 4.689E+01 4.692E+01
7 7.000E+03 1.157E-08 1.157E-07 4.880E+01 4.884E+01
8 8.000E+03 1.185E-08 1.186E-07 4.013E+01 4.017E+01
9 9.000E+03 1.633E-08 1.634E-07 4.257E+01 4.261E+01

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.595682E-03 PERCENT

THDOUT=20log(1.595682E-05) = -95.941dB

33
Sinusoide di ampiezza 0,4V ad 1kHz
Sinusoide in ingresso

DC COMPONENT = 2.500000E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+03 4.000E-01 1.000E+00 -1.796E-03 0.000E+00


2 2.000E+03 2.719E-08 6.797E-08 8.786E+01 8.786E+01
3 3.000E+03 2.515E-08 6.287E-08 6.702E+01 6.702E+01
4 4.000E+03 3.220E-08 8.050E-08 7.514E+01 7.515E+01
5 5.000E+03 3.133E-08 7.833E-08 5.696E+01 5.697E+01
6 6.000E+03 3.889E-08 9.724E-08 5.571E+01 5.572E+01
7 7.000E+03 4.457E-08 1.114E-07 5.466E+01 5.467E+01
8 8.000E+03 5.266E-08 1.317E-07 4.964E+01 4.966E+01
9 9.000E+03 6.106E-08 1.526E-07 4.284E+01 4.286E+01

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 2.892924E-05 PERCENT

THDIN=20log(2.892924E-07) = -130.773dB

Sinusoide in uscita

DC COMPONENT = 2.499108E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+03 3.999E-01 1.000E+00 -4.928E-03 0.000E+00


2 2.000E+03 2.038E-05 5.096E-05 -8.155E+01 -8.154E+01
3 3.000E+03 4.732E-06 1.183E-05 5.587E+00 5.602E+00
4 4.000E+03 2.539E-06 6.351E-06 -7.168E+01 -7.166E+01
5 5.000E+03 9.247E-07 2.313E-06 3.742E+01 3.744E+01
6 6.000E+03 2.132E-07 5.333E-07 7.765E+01 7.768E+01
7 7.000E+03 5.763E-07 1.441E-06 2.886E+01 2.889E+01
8 8.000E+03 1.822E-07 4.556E-07 1.172E+02 1.172E+02
9 9.000E+03 1.067E-07 2.668E-07 5.087E+01 5.091E+01

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 5.277806E-03 PERCENT

THDOUT=20log(5.277806E-05) = -85.550dB

34
Sinusoide di ampiezza 0,8V ad 1kHz
Sinusoide in ingresso

DC COMPONENT = 2.500000E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+03 8.000E-01 1.000E+00 -1.796E-03 0.000E+00


2 2.000E+03 5.677E-08 7.096E-08 8.471E+01 8.472E+01
3 3.000E+03 5.080E-08 6.350E-08 6.728E+01 6.729E+01
4 4.000E+03 6.398E-08 7.998E-08 7.446E+01 7.446E+01
5 5.000E+03 6.361E-08 7.952E-08 5.640E+01 5.641E+01
6 6.000E+03 7.620E-08 9.525E-08 5.503E+01 5.504E+01
7 7.000E+03 8.981E-08 1.123E-07 5.502E+01 5.503E+01
8 8.000E+03 1.049E-07 1.311E-07 4.998E+01 5.000E+01
9 9.000E+03 1.217E-07 1.521E-07 4.255E+01 4.257E+01

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 2.894905E-05 PERCENT

THDIN=20log(2.894905E -07) = -130.767dB

Sinusoide in uscita
DC COMPONENT = 2.499055E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+03 7.986E-01 1.000E+00 -5.079E-03 0.000E+00


2 2.000E+03 3.004E-05 3.761E-05 8.333E+01 8.334E+01
3 3.000E+03 7.865E-04 9.849E-04 3.413E-01 3.566E-01
4 4.000E+03 1.002E-04 1.255E-04 8.794E+01 8.796E+01
5 5.000E+03 4.316E-04 5.405E-04 -1.794E+02 -1.794E+02
6 6.000E+03 1.952E-04 2.445E-04 -8.916E+01 -8.913E+01
7 7.000E+03 2.302E-04 2.882E-04 9.341E-01 9.696E-01
8 8.000E+03 1.544E-04 1.933E-04 9.039E+01 9.043E+01
9 9.000E+03 1.357E-04 1.699E-04 -1.794E+02 -1.794E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.219960E-01 PERCENT

THDOUT=20log(1.219960E-03) = -58.273dB

35
Sinusoide di ampiezza 0,1V ad 100kHz
Sinusoide in ingresso

DC COMPONENT = 2.500000E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+05 1.000E-01 1.000E+00 -1.804E-03 0.000E+00


2 2.000E+05 3.093E-09 3.093E-08 3.698E+00 3.702E+00
3 3.000E+05 1.778E-09 1.778E-08 1.263E+01 1.263E+01
4 4.000E+05 1.180E-08 1.180E-07 -6.314E+00 -6.307E+00
5 5.000E+05 1.188E-07 1.188E-06 -7.202E+00 -7.193E+00
6 6.000E+05 5.221E-09 5.221E-08 1.683E+02 1.683E+02
7 7.000E+05 1.124E-07 1.124E-06 -7.829E+00 -7.817E+00
8 8.000E+05 2.158E-08 2.158E-07 1.715E+02 1.715E+02
9 9.000E+05 1.165E-08 1.165E-07 1.648E+02 1.648E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.659236E-04 PERCENT

THDIN=20log(1.659236E-06) = -115.601dB

Sinusoide in uscita
DC COMPONENT = 2.499088E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+05 9.997E-02 1.000E+00 -3.003E-01 0.000E+00


2 2.000E+05 2.476E-05 2.477E-04 -4.883E+00 -4.282E+00
3 3.000E+05 4.640E-06 4.642E-05 8.553E+01 8.643E+01
4 4.000E+05 5.035E-07 5.037E-06 1.736E+02 1.748E+02
5 5.000E+05 1.125E-07 1.125E-06 1.727E+00 3.228E+00
6 6.000E+05 3.451E-08 3.453E-07 1.771E+02 1.789E+02
7 7.000E+05 1.142E-07 1.142E-06 -1.290E+01 -1.080E+01
8 8.000E+05 2.146E-08 2.147E-07 1.664E+02 1.688E+02
9 9.000E+05 8.870E-09 8.873E-08 1.667E+02 1.694E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 2.520919E-02 PERCENT

THDOUT=20log(2.520919E-04) = -71.968dB

36
Sinusoide di ampiezza 0,4V ad 100kHz
Sinusoide in ingresso

DC COMPONENT = 2.500000E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+05 4.000E-01 1.000E+00 -1.804E-03 0.000E+00


2 2.000E+05 1.448E-08 3.621E-08 3.717E+00 3.721E+00
3 3.000E+05 3.532E-09 8.829E-09 -2.736E+00 -2.730E+00
4 4.000E+05 4.598E-08 1.150E-07 -6.558E+00 -6.551E+00
5 5.000E+05 4.753E-07 1.188E-06 -7.640E+00 -7.631E+00
6 6.000E+05 2.019E-08 5.048E-08 1.634E+02 1.634E+02
7 7.000E+05 4.470E-07 1.117E-06 -7.617E+00 -7.604E+00
8 8.000E+05 8.510E-08 2.128E-07 1.703E+02 1.704E+02
9 9.000E+05 4.517E-08 1.129E-07 1.671E+02 1.671E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.653978E-04 PERCENT

THDIN=20log(1.653978E -06) = -115.629dB

Sinusoide in uscita
DC COMPONENT = 2.499106E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+05 3.999E-01 1.000E+00 -3.150E-01 0.000E+00


2 2.000E+05 3.006E-04 7.517E-04 -5.541E+00 -4.911E+00
3 3.000E+05 4.463E-05 1.116E-04 7.924E+01 8.019E+01
4 4.000E+05 7.915E-05 1.980E-04 -3.532E+00 -2.272E+00
5 5.000E+05 5.361E-05 1.341E-04 8.456E+01 8.613E+01
6 6.000E+05 2.947E-06 7.370E-06 2.452E+01 2.641E+01
7 7.000E+05 2.433E-05 6.085E-05 8.365E+01 8.586E+01
8 8.000E+05 1.171E-05 2.929E-05 1.707E+02 1.732E+02
9 9.000E+05 4.210E-06 1.053E-05 9.141E+01 9.425E+01

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 7.996676E-02 PERCENT

THDOUT=20log(7.996676E-04) = -61.941dB

37
Sinusoide di ampiezza 0,8V ad 100kHz
Sinusoide in ingresso

DC COMPONENT = 2.500000E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+05 8.000E-01 1.000E+00 -1.804E-03 0.000E+00


2 2.000E+05 2.747E-08 3.434E-08 1.951E+00 1.955E+00
3 3.000E+05 8.709E-09 1.089E-08 -5.088E+00 -5.083E+00
4 4.000E+05 9.179E-08 1.147E-07 -6.277E+00 -6.270E+00
5 5.000E+05 9.513E-07 1.189E-06 -7.527E+00 -7.518E+00
6 6.000E+05 4.094E-08 5.117E-08 1.642E+02 1.642E+02
7 7.000E+05 8.927E-07 1.116E-06 -7.576E+00 -7.563E+00
8 8.000E+05 1.692E-07 2.115E-07 1.705E+02 1.706E+02
9 9.000E+05 9.173E-08 1.147E-07 1.672E+02 1.672E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.653488E-04 PERCENT

THDIN=20log(1.653488E -06) = -107.853 dB

Sinusoide in uscita
DC COMPONENT = 2.499046E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+05 7.986E-01 1.000E+00 -3.301E-01 0.000E+00


2 2.000E+05 3.479E-04 4.357E-04 1.834E+00 2.495E+00
3 3.000E+05 9.343E-04 1.170E-03 3.019E+01 3.118E+01
4 4.000E+05 3.706E-04 4.640E-04 1.451E+01 1.583E+01
5 5.000E+05 6.334E-04 7.932E-04 -1.362E+02 -1.346E+02
6 6.000E+05 3.627E-04 4.541E-04 -3.868E+01 -3.670E+01
7 7.000E+05 4.619E-04 5.783E-04 5.261E+01 5.492E+01
8 8.000E+05 2.165E-04 2.710E-04 1.209E+02 1.235E+02
9 9.000E+05 2.237E-04 2.801E-04 -1.403E+02 -1.374E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.759379E-01 PERCENT

THDOUT=20log(1.759379E-03) = -55.092dB

38
Sinusoide di ampiezza 0,1V ad 10MHz
Sinusoide in ingresso

DC COMPONENT = 2.500000E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+07 1.000E-01 1.000E+00 -1.801E-03 0.000E+00


2 2.000E+07 2.007E-09 2.007E-08 1.388E+02 1.388E+02
3 3.000E+07 1.305E-09 1.305E-08 4.453E+01 4.453E+01
4 4.000E+07 9.498E-10 9.498E-09 1.079E+02 1.080E+02
5 5.000E+07 5.260E-10 5.260E-09 -1.645E+02 -1.645E+02
6 6.000E+07 7.788E-10 7.788E-09 1.101E+02 1.101E+02
7 7.000E+07 1.017E-09 1.017E-08 6.230E+01 6.232E+01
8 8.000E+07 9.377E-10 9.377E-09 9.662E+01 9.663E+01
9 9.000E+07 2.639E-09 2.639E-08 -1.594E+02 -1.594E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 4.048612E-04 PERCENT

THDIN=20log(4.048612E-06) = -107.853 dB

Sinusoide in uscita
DC COMPONENT = 2.497889E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+07 9.556E-02 1.000E+00 -3.053E+01 0.000E+00


2 2.000E+07 3.247E-03 3.398E-02 -1.206E+02 -5.957E+01
3 3.000E+07 6.258E-04 6.549E-03 1.742E+02 2.658E+02
4 4.000E+07 1.016E-04 1.063E-03 1.096E+02 2.317E+02
5 5.000E+07 1.816E-05 1.900E-04 8.428E+00 1.611E+02
6 6.000E+07 4.545E-06 4.756E-05 -9.319E+01 8.997E+01
7 7.000E+07 8.567E-07 8.966E-06 1.733E+02 3.870E+02
8 8.000E+07 2.675E-07 2.800E-06 5.537E+01 2.996E+02
9 9.000E+07 1.206E-07 1.262E-06 -4.902E+01 2.257E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 3.462596E+00 PERCENT

THDOUT=20log(3.462596E-02) = -29.221 dB

39
Sinusoide di ampiezza 0,4V ad 10MHz
Sinusoide in ingresso

DC COMPONENT = 2.500000E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+07 4.000E-01 1.000E+00 -1.801E-03 0.000E+00


2 2.000E+07 6.095E-09 1.524E-08 1.236E+02 1.236E+02
3 3.000E+07 2.106E-09 5.265E-09 5.810E+01 5.811E+01
4 4.000E+07 3.467E-09 8.669E-09 1.287E+02 1.287E+02
5 5.000E+07 8.867E-10 2.217E-09 -1.743E+02 -1.743E+02
6 6.000E+07 2.774E-09 6.936E-09 1.224E+02 1.224E+02
7 7.000E+07 2.421E-09 6.051E-09 -1.607E+02 -1.607E+02
8 8.000E+07 3.560E-09 8.901E-09 1.041E+02 1.041E+02
9 9.000E+07 1.320E-08 3.300E-08 -1.709E+02 -1.709E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 3.991494E-04 PERCENT

THDIN=20log(3.991494E-06) = -107.977dB

Sinusoide in uscita
DC COMPONENT = 2.442562E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+07 2.644E-01 1.000E+00 -5.659E+01 0.000E+00


2 2.000E+07 3.082E-02 1.166E-01 1.146E+02 2.278E+02
3 3.000E+07 2.399E-02 9.073E-02 1.242E+01 1.822E+02
4 4.000E+07 7.400E-03 2.799E-02 1.553E+02 3.817E+02
5 5.000E+07 5.343E-03 2.021E-02 7.028E+01 3.532E+02
6 6.000E+07 3.763E-03 1.424E-02 -1.356E+02 2.040E+02
7 7.000E+07 1.587E-03 6.004E-03 1.341E+02 5.302E+02
8 8.000E+07 1.858E-03 7.028E-03 -7.059E+01 3.822E+02
9 9.000E+07 4.124E-04 1.560E-03 -1.748E+02 3.345E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.526685E+01 PERCENT

THDOUT=20log(1.526685E-01) = -16.325dB

40
Sinusoide di ampiezza 0,8V ad 10MHz
Sinusoide in ingresso

DC COMPONENT = 2.500000E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+07 8.000E-01 1.000E+00 -1.801E-03 0.000E+00


2 2.000E+07 9.949E-09 1.244E-08 1.283E+02 1.283E+02
3 3.000E+07 2.862E-09 3.578E-09 5.181E+01 5.182E+01
4 4.000E+07 6.470E-09 8.088E-09 1.244E+02 1.244E+02
5 5.000E+07 2.820E-09 3.524E-09 1.713E+02 1.713E+02
6 6.000E+07 7.075E-09 8.844E-09 1.245E+02 1.245E+02
7 7.000E+07 3.151E-09 3.939E-09 -1.702E+02 -1.702E+02
8 8.000E+07 9.095E-09 1.137E-08 9.686E+01 9.687E+01
9 9.000E+07 2.501E-08 3.126E-08 -1.695E+02 -1.694E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 3.801883E-04 PERCENT

THDIN=20log(3.801883E-06) = -108.4dB

Sinusoide in uscita
DC COMPONENT = 2.377746E+00

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED


NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1 1.000E+07 2.688E-01 1.000E+00 -7.408E+01 0.000E+00


2 2.000E+07 3.120E-02 1.161E-01 6.332E+01 2.115E+02
3 3.000E+07 3.162E-02 1.177E-01 -5.520E+01 1.670E+02
4 4.000E+07 8.832E-03 3.286E-02 5.405E+01 3.504E+02
5 5.000E+07 8.515E-03 3.168E-02 -4.333E+01 3.271E+02
6 6.000E+07 5.151E-03 1.916E-02 6.774E+01 5.122E+02
7 7.000E+07 3.571E-03 1.329E-02 -3.233E+01 4.862E+02
8 8.000E+07 2.802E-03 1.042E-02 8.009E+01 6.727E+02
9 9.000E+07 1.622E-03 6.034E-03 -2.567E+01 6.410E+02

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.734720E+01 PERCENT

THDOUT=20log(1.734720E-01) = -15.215dB

41
Caratteristiche del nostro
Amplificatore Operazionale
Alimentazione 5V
Carico RL=1kΩ e CL=10pF
Guadagno di anello in continua 64.944dB
Prodotto Banda-Guadagno 18.7MHz
Margine di Fase 70.34°
Massima Ampiezza del Segnale in ingresso 0.8V
Offset Sistematico 0.9mV
Dissipazione di Potenza Statica 1.32mW
Guadagno Differenziale in continua 64.944dB
Guadagno di Modo Comune in continua -7.042dB
CMRR in continua 71.986dB
PSRR+ in continua 114.55dB
PSRR- in continua 75.752dB
Rumore equivalente in ingresso a 10MHz 13
nV
Hz
SR+ 11.73
V
μs
SR- 13.38
V
μs
Tempo di Assestamento(1%)+ 156ns
Tempo di Assestamento(1%)- 120ns

42