S i l i c o n

C o n t r o l l e d

R e c t i f i e r

El SRC es un rectificador construido de silicon con una tercera terminal con fines de control. El material fue seleccionado por su capacidad de soportar altas temperaturas. La tercera terminal de un SCR tambin llamada gate determina cuando el rectificador cambia de circuito abierto a corto circuito. La resistencia dinmica de ste elemento es comnmente de 0.01 resistencia reversa es comnmente 100k o mas. 0.1 y la

Con la puerta en circuito abierto o cortocircuitada al ctodo, el tiristor es capaz de bloquear tensin directa o inversa aplicada a los terminales de nodo y ctodo hasta un cierto valor lmite. Con tensin positiva entre nodo y ctodo, el tiristor entra en conduccin si se le aplica a la puerta un impulso de intensidad adecuada, cayendo la tensin vAK a un valor muy pequeo (1 V aproximadamente). Este estado se mantiene an en ausencia de la corriente de puerta gracias a un proceso interno de regeneracin de portadores. Cuando las corrientes que circulan por el tiristor disminuyen por debajo de cierto valor el tiristor pasa a estado de bloqueo.

Parmetros tcnicos Las caractersticas de un SCR se muestran en la siguiente figura para diferentes valores de corriente gate.

1. Forward breakover voltage V(BR)F* Es el voltaje por encima de la region de conduccion del SCR. El asterisco es la letra que se debe agregar dependiendo de la condicin de la terminal de disparo: O S R V = = = = Circuito abierto de G a K Corto circuito de G a K resistor de G a K voltaje de G a K

2. Holding current (IH) Es el valor de corriente por debajo de donde el SCR cambia. 3. Forward and reverse blocking regions Son las regions correspondientes a la condicion de circuito abierto para el SCR el cual bloquea el flujo de corriente de anodo a catodo. 4. Reverse breakdown voltage Es equivalente a la regin Zener del diodo semiconductor de dos capas.

Caractersticas de la terminal de disparo

a) Bloqueo directo: vAK > 0. Si la tensin en el nodo es mayor que la del ctodo, las uniones J1 y J3 se encuentran directamente polarizadas (figura 5.3), por lo que la cada de tensin en ellas es prcticamente nula. En cambio, la unin de control J2 se encuentra polarizada en inversa, es decir, toda la tensin vAK aplicada en los terminales del tiristor cae en J2:

Si en esta situacin de polarizacin directa la tensin vAK en los terminales del tiristor crece mucho, la cada de tensin en J2 tambin aumentar y podra entrar en ruptura por avalancha, provocando la entrada en conduccin del tiristor.

b) Bloqueo inverso: vAK < 0. Si la tensin aplicada al nodo es menor que la aplicada al ctodo, la unin de control J2 se encuentra directamente polarizada, por lo que su cada de tensin es prcticamente nula. Las uniones J1 y J3 se encuentran inversamente polarizadas, por lo que prcticamente toda la tensin exterior aplicada al tiristor cae en estas uniones, esto es:

La unin catdica o unin J3 se encuentra muy prxima a las zonas ms dopadas, y por tanto, con ms portadores que ofrecen una menor resistencia a la conduccin. Sin embargo, la unin andica o unin J1 se encuentra prxima a las regiones menos dopadas con pocos portadores, lo que supondr una mayor resistencia a la conduccin. As, la unin J1 es la que soporta casi toda la tensin inversa exterior aplicada en los terminales de nodo y ctodo del tiristor.

Por tanto, las propiedades del tiristor en bloqueo inverso dependen casi exclusivamente de la unin de nodo J1. De ah que se construyan las capas de nodo (capa P1) y de bloqueo (capa N1) de gran espesor y poco dopadas en las proximidades de la unin, con el fin de conferirles una alta resistencia a la conduccin.

Bibliografa ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT THEORY, ROBERT BOYLESTAD