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Estructura, Arreglos y Movimientos De Los tomos

La estructura microscpica de los materiales se ha determinado por tcnicas especiales como la difraccin de rayos X, difraccin de electrones y la microscopia elctrica. Los mtodos mencionados hicieron posible el estudio microscpico de los materiales cristalinos y los no cristalinos y se determino que se componen de unidades bsicas a las que se les llama clulas o celdas unitarias. Estas estructuras constituyen la unidad ms pequea que se estudia de los materiales.

IMPORTANCIA Y CLASIFICACIN DE LOS MATERIALES EN INGENIERA


Probablemente, la importancia de los materiales en nuestra cultura es mayor de lo que habitualmente se cree. Prcticamente cada segmento de nuestra vida cotidiana est influido en mayor o menor grado por los materiales, como por ejemplo transporte, vivienda, vestimenta, comunicacin, recreacin y alimentacin. Se han desarrollado decenas de miles de materiales distintos con caractersticas muy especiales para satisfacer las necesidades de nuestra moderna y compleja sociedad; se trata de metales, plsticos, vidrios y fibras. El progreso de muchas tecnologas, que aumentan la confortabilidad de nuestra existencia, va asociado a la disponibilidad de materiales adecuados. El avance en la comprensin de un tipo de material suele ser el precursor del progreso de una tecnologa. Por ejemplo, la fabricacin de automviles fue posible por la aparicin de un acero idneo y barato o de algn sustituto comparable. Actualmente los adelantos electrnicos ms sofisticados se basan en componentes denominados materiales semiconductores.

CLASIFICACIN DE LOS MATERIALES EN INGENIERA


Los materiales se clasifican en 5 grupos: metales, cermicos, polmeros, semiconductores y materiales compuestos. Cada uno de estos grupos de materiales posee caractersticas distintas. Metales: Los metales y sus aleaciones generalmente tienen como caracterstica una buena conductividad elctrica y trmica, una resistencia relativamente alta, una alta rigidez, ductilidad o conformabilidad y resistencia al impacto. Son particularmente tiles en aplicaciones estructurales o de carga. Aunque en ocasiones se utilizan metales puros, las combinaciones de metales conocidas como aleaciones proporcionan mejora en alguna propiedad particularmente deseable o permiten una mejor combinacin de propiedades.. Cermicos: Los cermicos son fuertes y duros, aunque tambin muy frgiles o quebradizos. Las nuevas tcnicas de procesamiento han conseguido que los cermicos sean lo suficientemente resistentes a la fractura para que puedan ser utilizados en

aplicaciones de carga, como los impulsores en los motores de turbina. Algunos materiales cermicos pueden soportar temperaturas extremadamente altas sin perder su solidez. Son los denominados materiales refractarios. Generalmente tienen baja conductividad trmica por lo que son empleados como aislantes. Por ejemplo, partes de los cohetes espaciales son construidos de azulejos cermicos que protegen la nave de las altas temperaturas causadas durante la entrada a la atmsfera. Polmeros: Producidos mediante un proceso conocido como polimerizacin, los polmeros incluyen el hule, los plsticos y muchos tipos de adhesivos. Los polmeros tienen baja conductividad elctrica y trmica, reducida resistencia y no son adecuados para utilizarse a temperaturas elevadas. Los polmeros termoplsticos, en los cuales las largas cadenas moleculares no estn conectadas de manera rgida, tienen buena ductilidad y conformabilidad; los polmeros termoestables son ms resistentes aunque ms frgiles porque las cadenas moleculares estn fuertemente enlazadas. Semiconductores:La conductividad elctrica de estos materiales puede controlarse para su uso en dispositivos electrnicos como transistores, diodos y circuitos integrados. La informacin hoy da se transmite por luz a travs de sistemas de fibras pticas; los semiconductores, que convierten las seales elctricas en luz y viceversa con componentes esenciales de estos sistemas. Materiales compuestos:Los materiales compuestos se forman a partir de dos o ms materiales, produciendo propiedades que no se encuentran en ninguno de los materiales de manera individual. Con materiales compuestos podemos producir materiales ligeros, fuertes, dctiles, resistentes a altas temperaturas, o bien, podemos producir herramientas de corte duras y a la vez resistentes al impacto, que de otra manera se haran aicos. Un ejemplo de material compuesto es el concreto.

ARREGLOS ATMICOS
El arreglo atmico juega un papel importante en la determinacin de la micro estructura y en el comportamiento de un material slido. Los materiales slidos se pueden clasificar segn la regularidad con que se sitan, unos respecto de otros, los tomos o iones. En un material cristalino, los tomos se sitan en una disposicin repetitiva o peridica a lo largo de muchas distancias atmicas; es decir, existe un orden de largo alcance tal que, al solidificar el material, los tomos se sitan segn un patrn tridimensional repetitivo, en el cual cada tomo est enlazado con su vecino ms prximo. Los metales, muchas cermicas y ciertos polmeros adquieren estructuras cristalinas en condiciones normales de solidificacin. El orden de largo alcance no existe en los materiales que no cristalizan. Antes de comenzar a analizar los conceptos de orden de corto y largo alcance, es necesario conocer la estructura de un

tomo. Estructura del tomo Un tomo est compuesto de un ncleo rodeado por electrones. El ncleo contiene neutrones y protones de carga positiva y tiene una carga positiva neta. Los electrones, de carga negativa, estn sujetos al ncleo por atraccin electrosttica. La carga elctrica q que llevan cada electrn y cada protn es de 1.60 x 10-19 coulomb (C). Dado que el nmero de electrones y protones en el tomo es el mismo, en su conjunto el tomo es elctricamente neutro. El nmero atmico de un elemento es igual al nmero de electrones o protones en cada tomo. La mayor parte de la masa del tomo se encuentra en el ncleo. La masa de cada protn y cada neutrn es de 1.67 x 10-24g, pero la de cada electrn es de nicamente 9.11 x 10-28 g. La masa atmica de un tomo especfico se puede expresar como la suma de las masas de los protones y los neutrones del ncleo. Aunque el nmero de protones es igual en todos los tomos de un mismo elemento, el nmero de neutrones puede variar. As, los tomos de un mismo elemento que tienen dos o ms masas atmicas se denominan istopos. El peso atmico corresponde al peso ponderado de las masas atmicas de los istopos, de acuerdo a la abundancia relativa de cada istopo en la naturaleza. Para calcular el peso atmico se utiliza el concepto de unidad de masa atmica (uma). Estructura electrnica del tomo Los electrones ocupan niveles de energa discontinuos dentro del tomo. Cada electrn posee una energa en particular; no existen ms de dos electrones en cada tomo con una misma energa. Esto tambin implica que existe una diferencia de energa discreta entre cualesquiera dos niveles diferentes de energa. Nmeros cunticos: El nivel de energa al cual corresponde cada electrn queda determinado por cuatro nmeros cunticos. El nmero de niveles de energa posibles es determinado por los tres primeros nmeros cunticos. I) Numero cuntico principal(n = 1, 2, 3, 4 ), indica el nivel de energa en el que se halla el electrn. Esto determina el tamao del orbital. Toma valores enteros. Se relaciona con la distancia promedio del electrn al ncleo del orbital. El nmero cuntico del momento angular o acimutal (= 0, 1, 2, 3, 4, 5,..., n1), indica la forma de los orbitales y el subnivel de energa en el que se encuentra el electrn. Si: = 0: Suborbital "s" ("forma circular") s proviene de Sharp (ntido). = 1: Suborbital "p" ("forma semicircular achatada") p proviene de principal. = 2: Suborbital "d" ("forma lobular, con anillo nodal") d proviene de Diffuse (difuso). = 3: Suborbital "f" ("lobulares con nodos radiales") f proviene de fundamental. El nmero cuntico magntico (m), Indica la orientacin espacial del subnivel de energa, "(m = - ,..., 0,...,)". Para cada valor de hay 2 +1 valores de m.

II)

III)

IV)

El nmero cuntico de spin (s), indica el sentido de giro del campo magntico que produce el electrn al girar sobre su eje. Toma valores 1/2 y -1/2. El principio de exclusin de Pauli establece que no puede haber ms de dos electrones con giros propios opuestos en cada orbital. Estructura atmica del sodio, nmero atmico 11, mostrando los electrones de las capas cunticas

K(n=1), L(n=2) y M(n=3)

ORDEN DE CORTO Y LARGO ALCANCE


Si no se consideran las imperfecciones que aparecen en los materiales, entonces existen tres niveles de arreglo atmico. Sin Orden: En gases como el argn, los tomos no tienen orden y llenan de manera aleatoria el espacio en el cual est confinado el gas. Orden de corto alcance: Un material muestra orden de corto alcance si el arreglo especial de los tomos se extiende slo a los vecinos ms cercanos de dicho tomo. Cada molcula de agua en fase vapor tiene un orden de corto alcance debido a los enlaces covalentes entre los tomos de hidrgeno y oxgeno; esto es, cada tomo de oxgeno est unido a dos tomos de hidrgeno, formando un ngulo de 104.5 entre los enlaces. Sin embargo, las molculas de agua no tienen una organizacin especial entre s. Orden de largo alcance: Los metales, semiconductores, muchos materiales cermicos e incluso algunos polmeros tienen una estructura cristalina en la cual los tomos muestran tanto un orden de corto alcance como un orden de largo alcance; el arreglo atmico especial se extiende por todo el material. Los tomos forman un patrn repetitivo, regular, en forma de rejilla o de red. Los niveles de arreglo atmico en los materiales: (a) los gases inertes no tienen un orden regular en sus tomos. Algunos materiales, incluyendo el vapor de agua y el vidrio, tienen orden en una distancia muy corta. (d) Los metales y muchos otros slidos tienen un orden regular de los tomos que se extiende por todo el material

REDES, CELDAS UNITARIAS, BASES Y ESTRUCTURAS CRISTALINASREDES


La red es un conjunto de puntos, conocidos como puntos de red, que estn organizados siguiendo un patrn peridico de forma que el entorno de cada punto en la red es idntico. Uno o ms tomos quedan asociados a cada punto de la red. La red difiere de un material a otro en tanto en tamao como en forma, dependiendo del tamao de los tomos y del tipo de enlace entre ellos. La estructura cristalina de un material se refiere al tamao, la forma y la organizacin atmica dentro de la red.

CELDAS UNITARIAS: La celda unitaria es la subdivisin de la red cristalina que sigue conservando las caractersticas generales de toda la red. Al apilar celdas unitarias idnticas, se puede construir toda la red. Una red es un arreglo peridico de puntos que definen un espacio. La celda unitaria (contorno grueso) es una subdivisin de la red que sigue conservando las caractersticas de la red. Se identifican 14 tipos de celdas unitarias o redes de Bravas agrupadas en siete sistemas cristalinos. Los puntos de la red estn localizados en las esquinas de las celdas unitarias y, en algunos casos, en cualquiera de las caras o en el centro de la celda unitaria. BASE S: Un grupo de uno o ms tomos ubicados de forma determinada entre s, y asociados con cada punto de red, se llama motivo, motif o base. Se obtiene una estructura cristalina sumando la red y la base; es decir: estructura cristalina = red + base. ESTRUCTURAS O SISTEMAS CRISTALINOS: Existen muchas estructuras cristalinas diferentes y es conveniente clasificarlas en grupos de acuerdo con las configuraciones de la celda unitaria y/o la disposicin atmica. Uno de estos esquemas se basa en la geometra de la celda unitaria, la forma del paraleleppedo sin tener en cuenta la posicin de los tomos en la celdilla. Se establece un sistema, y de coordenadas cuyo origen coincide con un vrtice de la celda; los ejes y coinciden con lazaristas del paraleleppedo que salen de este vrtice. La geometra de la celda unitaria se define en funcin de seis parmetros: la longitud de tres aristas, y los tres ngulos inter axiales, y. Estos ngulos se denominan parmetros de red de una estructura cristalina. Celda unitaria con los ejes de coordenadas, y mostrando las longitudes de las aristas (, y) y los ngulos inter axiales (, y).Los catorce tipos de celdas unitarias, o redes de Bravas, agrupados en siete sistemas cristalinos. Parmetro de red Los parmetros de la red, que describen el tamao y la forma de la celda unitaria, incluyen las dimensiones de los costados de la celda unitaria y los ngulos entre sus costados. Se requieren varios parmetros de red para definir el tamao y la forma de celdas unitarias complejas. Sistema Cristalino Relacin axial ngulos inter axiales Geometra de la celda unitaria        Cbico Hexagonal Tetragonal Rombodrico Ortorrmbico Monoclnico Triclnico

Nmero de tomos por celda unitaria Cada una de las celdas unitarias est definida por un nmero especfico de puntos de red. Por ejemplo, las esquinas de las celdas se identifican fcilmente, igual quelas posiciones de centrado en el cuerpo y centrado en las caras. Al contar el nmero de puntos de red que corresponden a cada celda unitaria, se deben identificar los puntos de la red que van a ser compartidos por ms de una celda unitaria. Un punto de red en la esquina de una celda unitaria estar compartido por siete celdas unitarias adyacentes; slo una octava parte de cada esquina corresponde a una celda particular. Las esquinas contribuyen con 1/8 de un punto, las caras con y las posiciones en el centro del cuerpo contribuyen con todo un punto. Radio atmico comparado con el parmetro de la red Las direcciones en la celda unitaria a lo largo de las cuales los tomos estn en contacto continuo son las direcciones compactas. En estructuras simples, particularmente en aquellas con slo un tomo por punto de red, se utilizan esas direcciones para calcular la relacin entre el tamao aparente del tomo y el tamao de la celda unitaria. Al determinar geomtricamente la longitud de la direccin, relativa a los parmetros de red y a continuacin sumando los radios atmicos en esa direccin, es posible determinar la direccin deseada. Nmero de coordinacin El nmero de tomos que tocan a otro en particular, es decir, el nmero de vecinos ms cercanos, es el nmero de coordinacin y es una indicacin de que tan estrecha y eficazmente estn empaquetados los tomos. En estructuras cbicas que contengan solamente un tomo por punto de la red, los tomos tienen un nmero de coordinacin relacionado con la estructura de la red. Ilustracin de coordinacin entre las celdas unitarias cbica simple y cbica centrada en el cuerpo. En CS seis tomos tocan a cada tomo, en tanto que en CC los ocho tomos de esquina tocan al tomo centrado en el cuerpo. Factor de empaquetamiento El factor de empaquetamiento es la fraccin de espacio ocupada por tomos, suponiendo que los tomos son esferas slidas. La expresin general para el factor de empaquetamiento es: Densidad: La densidad terica de un metal se puede calcular utilizando las propiedades de la estructura cristalina. La frmula general es: Estructura hexagonal compacta Una forma especial de la red hexagonal, la estructura hexagonal compacta (HC). La celda unitaria es el prisma sesgado que se muestra por separado. La estructura HC tiene un punto de red por celda (uno proveniente de cada una de las ocho esquinas del prisma) pero conchada punto de la red estn asociados dos tomos. Un tomo est ubicado en una esquina, en tanto que el otro est localizado dentro de la celda unitaria. La red hexagonal compacta (HC) (izquierda) y su celda unitaria (derecha).

Puntos direcciones y planos de la celda unitaria


Es posible localizar ciertos puntos, como las posiciones de los tomos en la red o en la celda unitaria, construyendo el sistema de coordenadas dextrgiro de la figura. La distancia se mide en funcin del nmero de parmetros de red que habr que moverse en cada una de las coordenadas, y para pasar desde el origen hasta el punto en cuestin. Las coordenadas se expresan como tres distancias, y separando cada nmero con comas. Coordenadas de puntos seleccionados en la celda unitaria. Los nmeros se refieren a la distancia des de el origen en funcin de los nmeros de parmetros de red. DIRECCIONES EN LA CELDA UNITARIA : Ciertas direcciones en la celda unitaria son de particular importancia. Los metales se deforman, por ejemplo, en aquellas direcciones a lo largo de las cuales los tomos estn en contacto ms estrecho. Los ndices de Miller para las direcciones son la notacin abreviada de estas direcciones. El procedimiento que determina los ndices de Miller para las direcciones es el siguiente: 1. Utilizando un sistema de coordenadas dextrgiro, determine las coordenadas de dos puntos que estn en esa direccin. 2. Rstelas coordenadas del punto inicial de las coordenadas a las del punto final para obtener el nmero de parmetros de red recorridos en la direccin de cada eje del sistema de coordenadas. 3. Reduzca las fracciones y/o los resultados obtenidos de la resta a los mnimos enteros. 4. Encierre los nmeros encorchetes [ ]. Si se obtiene un signo negativo, represntelo con una barra sobre el nmero. Debern observarse varios puntos acerca del uso de los ndices de Miller para las direcciones: 1. Dado que las direcciones son vectores, una direccin y su negativo no son idnticas 2. Una direccin y su mltiplo son idnticos. 3. Ciertos grupos de direcciones son equivalentes; sus ndices particulares dependen de cmo se construyen las coordenadas. Es posible referirse a grupos de direcciones equivalentes como familias de direcciones. Se utilizan los parntesis angulares < > para indicar este conjunto. Otra manera de caracterizar direcciones equivalentes es mediante la distancia de repeticin, es decir, la distancia entre puntos de la red a lo largo de la direccin. Densidad Lineal La densidad lineal es el nmero de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de una direccin. En el cobre, existen dos distancias de repeticin a

lo largo de la direccin [110] en cada celda unitaria; dado que esta distancia es, entonces: Observe que la densidad lineal tambin es el recproco de la distancia de repeticin. Fraccin de empaquetamiento Finalmente, se podra calcular la fraccin de empaquetamiento en una direccin en particular, es decir, la fraccin verdaderamente cubierta por tomos. En el caso del cobre, en el cual un tomo est localizado en cada punto de la red, esta fraccin es igual al producto de la densidad lineal por dos veces el radio atmico PLANOS DE LA CELDA UNITARIA: Ciertos planos de tomos en un cristal tambin son significativos; por ejemplo, los metales se deforman a lo largo de aquellos planos de tomos que estn empaquetados ms estrechamente. Se utilizan los ndices de Miller como una notacin abreviada para identificar estos planos importantes, tal y como se describe en el procedimiento siguiente. 1. Identifique los puntos en los cuales el plano interseca los ejes de coordenadas, y en funcin del nmero de parmetros de red. Si el plano pasa a travs del origen, el origen del sistema de coordenadas deber moverse. 2. Tome los recprocos de estas intersecciones 3. Elimine las fracciones pero no reduzca a los mnimos enteros, 4. Encierre los nmeros resultantes entre parntesis ( ). De nuevo, los nmeros negativos se escribirn con una barra sobre los mismos. Debern anotarse varios aspectos de importancia en los ndices de Miller para los planos: 1. Los planos y sus negativos son idnticos (que esto no era cierto en el caso de direcciones). 2. Los planos y sus mltiplos no son idnticos (de nuevo, esto resulta ser lo opuesto a lo que se encontr en el caso de direcciones). Es posible demostrar esto definiendo densidades planar es y fracciones de empaquetamiento planar. La densidad planar es el nmero de tomos por unidad de superficie cuyo centro est sobre el plano; la fraccin de empaquetamiento es el rea sobre dicho plano cubierta por dichos tomos. En la figura a continuacin se ven las representaciones de planos cristalogrficos correspondientes a las series (a) (001), (b) (110) y (c) (111) ndices de Miller para celdas hexagonales Un conjunto especial de ndices de MillerBravas ha sido diseado para las celdas unitarias hexagonales debido a la simetra singular del sistema. El sistema de coordenadas utiliza cuatro ejes en vez de tres, con el eje a3 redundante. El procedimiento para localizar los ndices de los planos es exactamente el mismo que antes, pero se requiere de cuatro intersecciones, dando

ndices de la forma ( ). En funcin de la redundancia a3 y de la geometra especial del sistema, los primeros tres enteros de la designacin, que corresponden a las intersecciones de a1, a2 y a3, estn relacionados por la ecuacin .En el sistema cristalino hexagonal, (a) las direcciones [0001], [1100] y [1120] y (b) los planos (0001),(1011) y (1010).

DEFECTOS E IMPERFECCIONES
Hasta aqu se ha supuesto plsticamente que los materiales cristalinos presentan, en todas partes, un ordenamiento perfecto de sus tomos. Sin embargo, un tal slido ideal no existe: todos tienen gran nmero de defectos e imperfecciones de ndole variada. De hecho, muchas de las propiedades de los materiales son muy sensibles al desvo de la perfeccin cristalina. Esta influencia no siempre es negativa, sino que algunas caractersticas especficas se consiguen deliberadamente introduciendo cantidades controladas de defectos particulares. Un defecto cristalino es una irregularidad de red en la cual una o ms de sus dimensiones son del orden de un dimetro atmico. La clasificacin de las imperfecciones cristalinas se realiza frecuentemente segn la geometra o las dimensiones del defecto.

DEFECTOS PUNTUALES
Los defectos puntuales son discontinuidades de la red que involucran uno o quiz varios tomos. Estos defectos o imperfecciones, pueden ser generados en el material mediante el movimiento de los tomos al ganar energa por calentamiento; durante el procesamiento del material; mediante la introduccin de impurezas; o intencionalmente a travs de las aleaciones. Vacancias: Una vacancia se produce cuando falta un tomo en un sitio normal. Las vacancias se crean en el cristal durante la solidificacin a altas temperaturas o como consecuencia de daos por radiacin. A temperatura ambiente aparecen muy pocas vacancias, pero stas se incrementan de manera exponencial conforme se aumenta la temperatura; como se muestra en la siguiente ecuacin de Arrhenius: Donde nv es el nmero de vacancias por cm3; n es el nmero de puntos de red por cm3; Q es la energa requerida para producir una vacancia, en cal/mol; R es la constante de los gases, y T es la temperatura en grados Kelvin, Debido a la gran energa trmica existente cerca del punto de fusin, pudiera existir vacancia por cada 1000 puntos de la red.

Defectos intersticiales
Se forma un defecto intersticial cuando se inserta un tomo adicional en una posicin normalmente desocupada dentro de la estructura cristalina. Los tomos intersticiales,

aunque mucho ms pequeos que los tomos localizados en los puntos de la red, an as son mayores que los sitios intersticiales que ocupan; en consecuencia, la red circundante aparece comprimida y distorsionada. Los tomos intersticiales como el hidrgeno a menudo estn presentes en forma de impurezas; los tomos de carbono se agregan al hierro para producir acero. Una vez dentro del material, el nmero de tomos intersticiales en la estructura se mantiene casi constante, incluso al cambiar la temperatura. Defectos sustitucionales Se crea un defecto sustitucional cuando se remplaza un tomo por otro de un tipo distinto. El tomo sustitucional permanece en la posicin original. Cuando estos tomos son mayores que los normales de la red, los tomos circundantes se comprimen; si son ms pequeos, los tomos circundantes quedan en tensin. En cualquier caso, el defecto sustitucional distorsiona la red circundante. Igualmente, se puede encontrar el defecto sustitucional como una impureza o como un elemento aleante agregado deliberadamente y, una vez introducido, el nmero de defectos es relativamente independiente de la temperatura. Otros defectos puntuales Se crean un intersticio cuando un tomo idntico a los de los puntos normales de la red se coloca en un lugar intersticial. Estos defectos aparecen con mayor frecuencia en redes comn factor de empaquetamiento bajo. El defecto Frenkel es un par de defectos, intersticio-vacancia formado cuando un in salta de un punto normal de la red a un sitio intersticial, dejando detrs una vacancia. Defecto Frenkel: Un defecto Schottky es un par de vacancias en un material de enlace inico; deben faltar tanto un anin como un catin de la red si se ha de preservar la neutralidad elctrica del cristal. Este defecto es comn en materiales cermicos de enlace inico Defecto Schottky: Un ltimo defecto puntual importante ocurre cuando un ion remplaza a otro con carga distinta. Este caso puede darse cuando un ion con valencia de +2 remplaza a uno con valencia de +1. En este caso, se introduce una carga positiva adicional en la estructura. Para mantener el equilibrio de cargas, podra crearse una vacancia donde normalmente estara localizado un catin de carga +1. Esta imperfeccin se observa en materiales que tienen un enlace inico pronunciado. Cuando un catin bivalente remplaza a un catin monovalente, deber eliminarse tambin un catin monovalente adicional, creando as una vacancia.

DISLOCACIONES
Las dislocaciones son imperfecciones lineales en una red que de otra forma sera perfecta. Generalmente se introducen en la red durante el proceso de solidificacin del material o al deformarlo. Aunque en todos los materiales hay dislocaciones presentes, incluyendo los materiales cermicos y los polmeros, son de particular utilidad para explicar la deformacin y el endurecimiento de los metales. Podemos

identificar dos tipos de dislocaciones: la dislocacin de tornillo y la dislocacin de borde. Dislocacin de tornillo: La dislocacin de tornillo se puede ilustrar haciendo un corte parcial a travs de un cristal perfecto, torcindolo y desplazando un lado del corte sobre el otro la distancia de un tomo. Si en un plano cristalogrfico describimos una revolucin completa alrededor del eje sobre el cual el cristal fue torcido, partiendo del punto y recorriendo espaciamientos atmicos iguales en cada direccin, terminaremos a un espacio atmico por debajo de nuestro punto de partida (punto). El vector que se requiere para cerrar la trayectoria y volver a nuestro punto inicial se conoce como el vector de Burgers. Si continuramos nuestra rotacin, trazaramos una trayectoria en espiral. El eje, es decir la lnea alrededor de la cual trazamos esta trayectoria, es la dislocacin del tornillo. El vector de Burgers es paralelo a la dislocacin de tornillo. Se requiere de un vector de Burgers para cerrar la trayectoria de espaciamientos atmicos alrededor de la dislocacin de tornillo.

Dislocaciones de borde: Una dislocacin de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial a travs de un cristal perfecto, separndolo y rellenando parcialmente el corte con un plano de tomos adicional. El borde inferior de este plano adicional representa la dislocacin de borde. Si seguimos una trayectoria en crculo a favor de las manecillas del reloj alrededor de la dislocacin del borde, partiendo del punto y recorriendo un nmero igual de espaciamientos atmicos en cada direccin,

terminaramos alejados un espaciamiento atmico del punto de partida. El vector que se requiere para completar el crculo es, de nuevo, el vector de Burgers. En este caso, el vector de Burgers es perpendicular a la dislocacin. Al introducir la dislocacin, los tomos encima de la lnea de dislocacin se comprimen acercndose los unos a los otros, en tanto que los que quedan por debajo se estiran alejndose de sus posiciones de equilibrio. La red que los rodea ha sido distorsionada debido a la presencia de la dislocacin.

Deslizamiento Podramos trasladar el vector de Burgers del circuito a la dislocacin de borde. Despus de ese traslado, encontramos que el vector de Burgers y la dislocacin del borde definen un plano en la red. El vector de Burgers y el plano resultan tiles para explicar cmo se deforman los materiales. Una vez trasladado el vector de Burgers del circuito cerrado a la lnea de dislocacin, se define un plano de deslizamiento. Cuando se aplica una fuerza cortante en la direccin del vector de Burgers a un cristal que contenga una dislocacin, sta se puede mover al romper los enlaces entre los tomos de un plano. El plano cortado se desplaza ligeramente para establecer enlaces con el plano parcial original de tomos. Este desplazamiento hace que la dislocacin se mueva un espacio de un tomo hacia el lado. Si este proceso contina, la dislocacin se recorre a travs del cristal hasta que se produce un escaln en el exterior del mismo; el cristal ha sido deformado. Si se pudieran introducir continuamente dislocaciones en el mismo plano del cristal y se movieran a lo lardo de la misma trayectoria, el cristal quedara cortado en dos. Cuando se aplica un esfuerzo cortante a la dislocacin los tomos se desplazan haciendo que la dislocacin se

mueva un vector de Burgers en la direccin de deslizamiento Un movimiento continuo de la dislocacin finalmente causar un escaln y de formacin permanente del cristal. El proceso mediante el cual se mueve una dislocacin causando que se deforme un material se conoce como deslizamiento. La direccin en la cual se mueve la dislocacin, la direccin de deslizamiento, es la direccin del vector de Burgers para las dislocaciones de borde. Durante el deslizamiento, la dislocacin de borde barre el plano formado por el vector de Burgers y la dislocacin; este plano se conoce como plano de deslizamiento. La combinacin de direccin de deslizamiento y plano de deslizamiento se denomina sistema de deslizamiento. Una dislocacin de tornillo produce el mismo resultado, la dislocacin se mueve perpendicularmente al vector de Burgers, aunque el cristal se deforma en una direccin paralela a dicho vector.

DEFECTOS SUPERFICIALES
Los defectos superficiales o de superficie son las fronteras o planos que separan un material en regiones de la misma estructura cristalina pero con orientaciones cristalogrficas distintas. Superficie del Material En las superficies externas del material la red termina de matera abrupta. Cada tomo de la superficie ya no tiene el mismo nmero de coordinacin y se altera el enlace atmico. Asimismo, la superficie puede ser muy spera, contener pequeas muescas y quiz ser mucho ms reactiva que el interior del material. Fronteras de grano La micro estructura de la mayor parte de los materiales est formada por muchos granos. Un grano es una porcin del material dentro del cual el arreglo atmico es idntico. Sin embargo, la orientacin del arreglo atmico, o de la estructura cristalina, es distinta para cada grano. La frontera de grano, que es la superficie que separa los granos, es una zona estrecha en la cual los tomos no estn correctamente espaciados. Esto quiere decir que, en algunos sitios, los tomos estn tan cerca unos de otros en la frontera de grano que crean una regin de compresin y en otras reas estn tan alejados que crean una regin de tensin. Los tomos cerca de las fronteras de los tres granos no tienen un espaciamiento o arreglo de equilibrio. Bordes de grano de ngulo pequeo Un borde de grano de ngulo pequeo es un arreglo de dislocaciones que produce una pequea desviacin de la orientacin cristalogrfica entre redes adyacentes. Dado que la energa de la superficie es menor que la de un borde de grano normal, los bordes de grano de ngulo pequeo no son tan eficaces para bloquear el deslizamiento. Los bordes de ngulo pequeo formados por dislocaciones de borde se conocen como bordes inclinados y aquellos causados por dislocaciones de tornillo se conocen como bordes torcidos. El borde de grano de ngulo pequeo es producido por un arreglo de dislocaciones, causando una falta de coincidencia angular entre las redes en ambos lados del borde. Fallas de apilamiento Las fallas de apilamiento, que ocurren en los metales CCC (celda unitaria cbica

centrada en las caras), representan un error de la secuencia de apilamiento de planos compactos. Bordes de macla Un borde de macla es un plano que separa dos partes de un grano que tienen una pequea diferencia en la orientacin cristalogrfica. Estas partes de la red parecen formar una imagen especular en el plano del borde de macla. Las maclas se producen cuando una fuerza de corte, que acta a lo largo del borde de macla, hace que los tomos cambien de posicin. Las maclas ocurren durante la deformacin o el tratamiento trmico de ciertos metales. Los bordes de macla interfieren con el proceso de deslizamiento incrementando la resistencia del metal. El movimiento de los bordes de macla tambin puede hacer que un metal se deforme Aplicacin de un esfuerzo a un cristal perfecto (a) que puede causar un desplazamiento de los tomos (b) causando la formacin de una macla. Note que el cristal se ha deformado debido a la macla. (c) Una microfotografa de maclas dentro de un grano de latn (x 250).

IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS


Los defectos extendidos y los puntuales desempean una funcin de la mayor importancia en la determinacin de las propiedades mecnicas, elctricas, pticas y magnticas de los materiales diseados EFECTO SOBRE LAS PROPIEDADES MECNICAS A TRAVS DEL CONTROL DEL PROCESODE DESLIZAMIENTO. Toda imperfeccin en el cristal aumenta la energa interna en el lugar de la imperfeccin. La energa local aumenta porque, cerca de la imperfeccin, los tomos estn muy comprimidos y cercanos entre s (compresin) o muy apartados (tensin). Una dislocacin en un cristal metlico, que por lo dems sera perfecto, se puede mover con facilidad por el cristal si el esfuerzo cortante resuelto es igual al esfuerzo cortante crtico resuelto. Sin embargo, si la dislocacin se encuentra con una regin donde los tomos estn desplazados respecto a sus posiciones normales, se requiere un esfuerzo mayor para forzar el paso de la dislocacin por la regin de alta energa local; en consecuencia, el material es ms resistente. En los materiales, los defectos como las dislocaciones, defectos puntuales y lmites de grano sirven como obstculo a las dislocaciones. Es posible controlar la resistencia de un material metlico controlndola cantidad y el tipo de las imperfecciones. Hay tres mecanismos comunes de endurecimiento (o reforzamiento) que se basan en las tres categoras de defectos en los cristales. Endurecimiento por deformacin Las dislocaciones interrumpen la perfeccin de la estructura cristalina. Al aumentar la cantidad de dislocaciones, sigue aumentando la resistencia del material, porque al aumentar la densidad de las dislocacin es se producen ms obstculos al movimiento de las dislocaciones. Este mecanismo de aumentar la resistencia de un material por medio de la deformacin se

llama endurecimiento por deformacin (o endurecimiento por trabajo en fro). Tambin es posible reducir la densidad de dislocaciones, en forma apreciable, calentando un material a una temperatura relativamente alta y mantenindolo en ella durante largo tiempo. A este tratamiento se le llama recocido y se usa para impartir ductilidad a los materiales metlicos. Por lo anterior, el control de la densidad de dislocaciones es un mtodo importante para controlar la resistencia y la ductilidad de los metales y las aleaciones Endurecimiento por solucin slida Cualquiera de los defectos puntuales tambin interrumpe la perfeccin de la estructura cristalina. Cuando la estructura cristalina del material anfitrin asimila por completo los tomos o los iones de un elemento o compuesto husped, se forma una solucin slida. Esto ocurre de manera parecida a la forma en que la sal o el azcar se disuelven en agua, en bajas concentraciones. Si en forma intencional se introducen tomos sustitucional o intersticiales, se produce un endurecimiento por solucin slida. Este mecanismo explica por qu el acero simple al carbono es ms resistente que el Fe puro, o por qu las aleaciones de cobre con pequeas concentraciones de Be son mucho ms resistentes que el Cu puro. El oro y la plata puros, que son metales FCC con muchos sistemas de deslizamientos activos, son demasiado suaves mecnicamente. Endurecimiento por tamao de grano Las imperfecciones de la superficie, tales como los lmites de grano, perturban el arreglo de los tomos en los materiales cristalinos. Al aumentar la cantidad de granos, o reducir el tamao de grano, se produce un endurecimiento por tamao de grano en los materiales metlicos. Hay otros mecanismos ms para endurecer los metales y las aleaciones. Se conocen como endurecimiento por segunda fase y endurecimiento por precipitacin.

MOVIMIENTO DE TOMOS
La difusin es el movimiento de los tomos en un material. Los tomos se mueven de una manera predecible, tratando de eliminar diferencias de concentracin y de producir una composicin homognea y uniforme. La difusin indica el flujo neto de cualquier especia, como iones, tomos, electrones, vacancias y molculas. La magnitud de este flujo depende del gradiente inicial de concentraciones y de la temperatura-

APLICACIONES DE LA DIFUSIN
El movimiento de los tomos es necesario para muchos de los tratamientos que llevamos a cabo sobre los materiales. Es necesaria la difusin para el tratamiento trmico de los metales, la manufactura de los cermicos, la solidificacin de los materiales, la fabricacin de transistores y celdas solares y la conductividad elctrica de muchos cermicos. Los siguientes son slo unos pocos ejemplos: Cementacin o

carbonizacin para el endurecimiento superficial de los aceros. En la cementacin, una fuente de carbono, por ejemplo, polvo de grafito o un gas que contenga carbono, difunde el carbono en partes de acero tales como engranes. En forma parecida a la introduccin del carbono, tambin se usa un proceso llamado nitruracin, en el que se introduce nitrgeno en la superficie de un material metlico. Tambin la difusin desempea un papel central en el control de las transformaciones de fase necesarias para el tratamiento trmico de metales y aleaciones, el procesamiento de cermicos y la solidificacin y unin de materiales. Difusin de dopantes para dispositivos semiconductores La creacin de la unin p-n implica la difusin de tomos dopantes, como por ejemplo de fsforo (P), arsnico (As), antimonio (Sb), boro (B), aluminio (Al), etc., en ciertas regiones ultra pequeas de obleas de silicio. Una unin p-n es una regin del semiconductor, uno de cuyos lados est dopado con dopantes tipo n (por ejemplo, As en Si) y el otro lado est dopado con dopantes tipo p (por ejemplo, Ben Si). Cermicos conductores En general, los cermicos poli cristalinos tienden a ser buenos aislantes de electricidad. Los fuertes enlaces covalentes y inicos junto con sus propiedades micro estructurales contribuyen a la conductividad elctrica relativamente pobre que tienen muchos cermicos. Sin embargo, hay muchos cermicos que pueden conducir electricidad y, de hecho, algunos son superconductores. Estos materiales inicamente conductores se usan en productos como sensores de oxgeno en los automviles, pantallas sensibles al tacto, celdas de combustible y bateras. La capacidad de los iones para difundir y proporcional un trayecto para la conduccin elctrica desempea un papel importante para permitir esas aplicaciones. Materiales magnticos para discos duros Las aleaciones de cobalto se usan en la fabricacin de discos duros para computadoras personales. Se pueden producir capas delgadas de estas aleaciones con un proceso llamado pulverizacin catdica. En el proceso de pulverizacin catdica, los blancos se bombardean con haces de iones. Esos blancos se hacen con elementos compuestos que contengan los sustituyentes necesarios con los que se forman las pelculas delgadas. Los tomos saltan de los blancos y se depositan sobre un sustrato, produciendo una pelcula delgada. Con la pulverizacin de partculas delgadas de aleacin de cobalto se agrega con frecuencia como para mejorar sus propiedades magnticas. Para que el cromo tenga un efecto magntico til, se necesita un tratamiento trmico que difunda los tomos de cromo hacia los lmites de grano del material magntico. Esto se loga usando un tratamiento trmico de recocido que implica calentar la pelcula depositada a una alta temperatura, durante un tiempo razonablemente largo, para permitir la difusin de los tomos de cromo, desde el interior de los granos hasta los lmites de grano. Fabricacin de botellas de plstico para bebidas y de globos de Mylar No siempre es benfica la difusin. En algunas aplicaciones, es deseable limitar el grado de difusin para ciertas especies. Por ejemplo, en la fabricacin de ciertas botellas de plstico, debe minimizarse la difusin del dixido de carbono. Otro ejemplo de una

aplicacin donde se debe limitar la difusin es el de los globos de Mylar . Los globos de helio hechos con Mylar retienen al helio mucho ms tiempo, porque la delgada capa de aluminio ayuda a evitar la difusin del helio hacia el exterior. Oxidacin del aluminio El aluminio se oxida con ms facilidad que el hierro. Sin embargo, el xido de aluminio forma una capa muy protectora, pero delgada, sobre la superficie del aluminio, impidiendo la difusin del oxgeno e inhibiendo la posterior oxidacin del aluminio en el interior. La capa de xido no tiene color y es delgada; por consiguiente, es invisible. Es la razn por la cual se cree que el aluminio no se oxida Recubrimiento y pelculas delgadas Los recubrimientos y las pelculas delgadas se usan frecuentemente en el proceso de manufactura para limitar la difusin del vapor de agua, oxgeno y otras sustancias. Por ejemplo, las estructuras de acero se pintan para evitar o minimizar la oxidacin. Cuando un ambiente corrosivo es ms agresivo, se puede aplicar una capa de zinc a las estructuras de hierro. El proceso de aplicar una cubierta de zinc sumergiendo las partes en un gran bao de zinc fundido se llama galvanizado por inmersin en caliente. La naturaleza qumica del zinc, y no slo su barrera a la difusin, desempea un papel muy importante en la proteccin del acero del interior. Recubrimientos de barrera trmica en labes de turbinas En los motores de avin, algunos labes de turbina estn recubiertos con xidos cermicos. Estos recubrimientos cermicos protegen a la aleacin contra las altas temperaturas, de aqu el nombre de recubrimientos de barrera trmica.

MECANISMOS DE DIFUSIN
Incluso en materiales slidos absolutamente puros, los tomos se mueven de una posicin en la red a otra. Este proceso, que se conoce como auto difusin, puede detectarse utilizando trazadores radioactivos. Aunque el auto difusin ocurre de manera continua en todos los materiales, su efecto en el comportamiento del material no es importante. Difusin de tomos de cobre en el nquel. Finalmente, los tomos de cobre quedarn distribuidos aleatoriamente en todo el nquel Tambin ocurre la difusin de tomos distintos en los materiales. Si se suelda una lmina de nquel aun a lmina de cobre, los tomos de nquel gradualmente se difunden en el cobre y los de cobre emigran hacia el nquel. De nuevo, al transcurrir el tiempo los tomos de nquel y cobre quedarn uniformemente distribuidos. Hay dos mecanismos importantes mediante los cuales se difunden los tomos: Difusin por vacancia En el auto difusin y en la difusin de tomos sustitucional, un tomo abandona su sitio en la red para llenar una vacancia cercana (creando as una nueva vacancia en su lugar original en la red). Conforme contina la difusin se tiene un flujo de vacancias y tomos en sentidos opuestos conocido como difusin por vacancia. El nmero de vacancias, que se incremente al aumentar la temperatura, ayuda a determinar la extensin tanto del auto difusin como de la difusin de los tomos

sustitucional. Difusin intersticial Cuando en la estructura cristalina est presente un pequeo tomo intersticial, este tomo pasar de un sitio intersticial a otro. Para este mecanismo no es necesario que existan vacancias. En parte porque el nmero de sitios intersticiales es mucho mayor que el de vacancias, por lo tanto se espera que la difusin intersticial sea rpida. Mecanismos de difusin en materiales: (a) difusin de tomos por vacancia o por tomos sustitucional es y (b) difusin intersticial http://estudia-materiales.blogspot.com/