Semicondutores

Captulo
Semicondutores
Semicondutores j foram definidos no captulo anterior, como sendo materiais com suas bandas de valncia e de conduo separados por uma faixa proibida de energia de valor no muito elevado (da ordem frao ou alguns eV), sendo que temperatura de 0 K, todos os estados da banda de valncia esto ocupados e todos os estados da banda de conduo esto desocupados. Tal material ter uma condutividade eltrica bastante reduzida em temperaturas normais de operao (bem maiores que 0 K), de valor intermedirio entre as condutividades de isolantes e de condutores. Veremos neste captulo diversas propriedades de semicondutores, bem como a alterao destas pela adio de pequena quantidade de impurezas. Na verdade, o sucesso dos semicondutores deve-se aos seguintes trs fatores principais:
Existncia de tcnicas de sintetizao de materiais semicondutores de alta pureza, com nvel de impurezas bem menor que partes por bilho, ppb. Os semicondutores constituem os materiais de maior pureza usada em aplicaes. Nenhuma outra aplicao requer tamanho nvel de pureza, exceto talvez, alguns materiais nucleares. Existncia de tcnicas de cristalizao de materiais semicondutores com alto nvel de perfeio cristalina. Disponibilidade de tcnicas de dopagem (adio de pequena quantidade de impurezas especficas) controlada, em nvel e local no semicondutor, permite assim alterar localmente as propriedades do semicondutor. Isto por sua vez permite o desenvolvimento de inmeros dispositivos, eletrnicos, pticos e sensores.
Existe um grande nmero de materiais semicondutores. A tabela 8.1 lista uma srie delas. J foi mencionado na captulo 5 que o semicondutor mais usado o silcio e explicado o porqu, baseado nas vrias boas propriedades deste. Aplicaes especficas, no entanto, podem requerer semicondutores diferentes ao do Si, como o caso de dispositivos pticos, detetores, dispositivos de alta freqncia e outros. Cada semicondutor tem a sua estrutura de banda especfica, com parmetros especficos de banda proibida, EG, massa efetiva, estrutura direta ou indireta e outros. Tambm o parmetro de rede de cada cristal semicondutor especifico, onde lembramos que parmetro de rede o valor da dimenso do lado da clula unitria da sua rede cristalina. Os grficos da Fig. 8.1 apresentam valores de EG e de parmetros de rede de vrios semicondutores. As linhas representam ligas formadas pela mistura dos materiais dos semicondutores dos extremos das mesmas. Observa-se que tanto a banda proibida como o parmetro de rede varia gradualmente entre os valores dos dois semicondutores, dependendo diretamente da frao dos dois componentes na liga. A importncia do parmetro de rede est relacionada com a compatibilidade de fabricar estruturas de semicondutores compostas por camadas de diferentes materiais. relativamente simples crescer uma camada cristalina de material semicondutor que tenha parmetro de rede bem prximo ao do substrato, enquanto que o oposto ocorre se os dois materiais apresentarem parmetros de rede distintos. As linha cheias e os pontos cheios da Fig. 8.1a indicam semicondutores de estrutura
Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.1
de bandas do tipo direta, enquanto que linhas tracejadas e pontos no preenchidos indicam semicondutores de estrutura de bandas do tipo indireta. A Fig. 8.1b refere-se a semicondutores em desenvolvimento mais recente e de grande interesse para aplicaes pticas de emisso no azul (alto EG, ou baixo comprimento de onda).
Fig. 8.1 Valores de banda proibida e de parmetros de rede de vrios semicondutores e de suas ligas, representados pelas linhas de ligao entre semicondutores, a) semicondutores tradicionais e b) semicondutores mais recentes. Tabela 8.1 Materiais semicondutores Classificao Exemplos Elementares Compostos III-V Binrios Ternrios Quaternrios Binrios Ternrios Si, Ge GaAs, InP, GaSb, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, InAs, InSb AlXGa1-XAs, InXGa1-XP, GaAsXP1-X, InXGa1-XAsYP1-Y ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS HgXCd1-XTe
Compostos II-VI
Nota: Os ndices X e Y representam fraes estequiomtricas variando de 0 a 1. Por exemplo, o composto Al0.3Ga0.7As significa que para cada 10 tomos de As tem-se 3 tomos de Al e 7 tomos de Ga.
8.1 Reviso de Modelos para Semicondutores

Podemos representar o semicondutor pelo modelo de bandas como mostrado nas figuras 7.3 e 7.13, ou ainda alternativamente por modelo de ligaes qumicas como mostrado na Fig. 8.2. Este modelo uma representao idealizada bidimensional. Sabemos que na verdade cada tomo apresenta ligaes covalentes com 4 tomos vizinhos, como representados na Fig. 8.2, porm em configurao tridimensional, como ilustrado na Fig. 8.3. O modelo como apresentado na Fig. 8.2 no entanto uma
simplificao e tem tambm a sua utilidade, como ilustrado na Fig. 8.4. A Fig. 8.4a utiliza o modelo de ligaes para representar uma vacncia (falta de um tomo) no cristal, enquanto a Fig. 8.4b ilustra o rompimento de uma ligao covalente entre dois tomos vizinhos, criando um ligao incompleta (lacuna) e um eltron livre (eltron na banda de conduo). A Fig. 8.5 detalha a equivalncia entre os modelos de ligaes qumicas e de bandas, nos casos de material a) sem portadores (por exemplo, semicondutor a 0 K), b) com eltrons livre na banda de conduo criados pelo rompimento de ligaes qumicas e c) com o deslocamento de uma lacuna pela transferncia de uma ligao incompleta para uma posio vizinha. Lembramos que a gerao de um par eltron-lacuna se d pela passagem de eltrons da banda de valncia para um estado da banda de conduo, atravs de recebimento de energia por alguma forma (por exemplo por temperatura ou vibrao da rede do cristal). Este fenmeno equivalente ao do rompimento da ligao qumica covalente entre dois tomos vizinhos. Ambos os modelos, de bandas de energia e de ligaes qumicas podem ser usados indistintamente, dependendo apenas da convenincia. Sem dvida, o modelo de bandas de energia usado com maior freqncia.
Fig. 8.2 Modelo de ligaes qumicas de semicondutores
Fig. 8.3 a) Ilustrao da clula unitria de cristal de Si (ou similar) com a representao das ligaes qumicas entre os tomos vizinhos em arranjo tridimensional; b) Detalhe das ligaes qumicas de um tomo com seus 4 vizinhos.
Fig. 8.4 Uso do modelo de ligaes para representar a) uma vacncia (falta de um tomo no cristal) e b) rompimento de uma ligao com liberao do eltron (gerao do par eltrons-lacuna).
Fig. 8.5 Visualizao de portadores usando o modelo de ligaes (esquerda) e de bandas de energia (direita) nos casos a) sem portadores, b) eltron livre e c) lacuna.
8.2 Propriedades dos Portadores

Apresentaremos neste item duas propriedades bsicas de semicondutores, ou seja, a concentrao intrnseca de portadores (eltrons e lacunas) e a massa efetiva dos mesmos. Lembramos do captulo 7 que, um semicondutor a 0 K apresenta todos os estados da banda de valncia ocupados e nenhum eltron ocupando estados da banda de conduo, ou seja, todas as ligaes covalentes entre tomos vizinhos esto completas. Ao aquecermos o material semicondutor, os tomos da rede comeam a vibrar e podem eventualmente transferir energia a eltrons da banda de valncia, os quais iro ento ocupar estados da banda de conduo. Este processo chamado de gerao trmica de portadores e ilustrado na Fig. 8.6. Em semicondutor puro, sem impurezas, chamado de semicondutor intrnseco, o nmero de eltrons e de lacunas sempre ser igual, j que os dois so gerados (termicamente) aos pares. Definimos n como o nmero de eltrons/cm3 e p como o nmero de lacunas/cm3. Definimos ainda o nmero ni como sendo a concentrao de portadores de um material intrnseco, sendo que neste caso teremos ni = n = p. intuitivo assumir que o nmero destes portadores cresce com a temperatura do material e que, quanto menor a banda proibida maior este nmero (maior nmero de eltrons da banda de valncia receber energia suficiente para alcanar um estado na banda de conduo). Desta forma podemos afirmar que a taxa de gerao de portadores uma funo da temperatura de da largura da banda proibida, como indicado na relao: G = f (T , EG ) (8.1)
Fig 8.6 Ilustrao da gerao do par eltron-lacuna, pelo modelo de bandas de energia. Concomitantemente com a gerao trmica de portadores teremos tambm o processo de recombinao de portadores. Tambm por intuio podemos dizer que a taxa de recombinao deve ser dada por:
R = .n. p
(8.2)
O processo de recombinao depende da probabilidade de um par eltron e lacuna se encontrarem e o eltron decair para o estado da lacuna. Esta probabilidade aumenta linearmente com o aumento de ambas as concentraes, e portanto dada como proporcional ao produto das mesmas. Aps o semicondutor permanecer numa dada temperatura, as concentraes de eltrons e lacunas tendem a um valor de equilbrio, dado pela condio em que as taxas de gerao e de recombinao se igualam. Desta forma teremos:
R = .n. p = G = f (T , EG ) n = p = ni = f (T , EG )
(8.3) (8.4)
A tabela 8.2 apresenta valores de concentrao intrnseca de portadores em diferentes semicondutores temperatura ambiente. Observa-se que o valor de ni maior quanto menor o EG do semicondutor. Avaliando os valores da tabela, observase que os mesmos so relativamente muito baixos. Tomemos por exemplo o Si e comparemos o valor de ni com o nmero total de ligaes covalentes. Si apresenta uma densidade atmica de 5 x 1022 cm-3 e portanto uma densidade de ligaes covalentes 4 vezes maior, ou seja, 2 x 1023 cm-3. Isto significa que o nmero de ligaes qumicas rompidas (gerao de pares eltron-lacuna) dado por ni/(2 x 1023), ou aproximadamente 10-13. No caso de GaAs este nmero de aproximadamente 1017 . Portanto, o nmero de ligaes qumicas rompidas temperatura ambiente relativamente muito pequeno. Tabela 8.2 Valores de concentrao intrnseca de portadores e da massa efetiva de eltron (m*n) e de lacuna (m*p) normalizadas pela massa em repouso do eltron (m0), para diferentes semicondutores temperatura de 300 K. Semicondutor EG[eV] ni[cm-3] m*n/m0 m*p/m0 13 Ge 0.66 2.4 x 10 0.55 0.37 Si 1.12 1.18 x 1010 1.18 0.81 GaAs 1.42 1.76 x 106 0.065 0.52 No item 7.4 foi apresentado o conceito de massa efetiva de portadores. Foi mostrado que a massa efetiva do portador uma massa que permite usar a lei de Newton da fsica clssica. Portanto, a massa efetiva engloba os efeitos qunticos do potencial interno da rede cristalina, sobre o portador. A definio da massa efetiva como apresentada, permite tratar os portadores como sendo partculas clssicas de massa igual sua massa efetiva. A tabela 8.2 apresenta os valores mdios das massas efetivas de eltrons e lacunas normalizadas com a massa de repouso de eltrons. Observa-se destes valores que a massa efetiva dos eltrons bem pequena no caso de GaAs e maior no caso de Si. A massa efetiva de lacunas no varia muito entre os 3 semicondutores listados.
8.3 Semicondutores Extrnsecos

No item anterior apresentamos propriedades de semicondutores considerados intrnsecos, ou seja, semicondutores puros sem adio de impurezas que alterem a concentrao dos portadores. Semicondutores dopados, pela adio de impurezas que alterem a concentrao dos portadores, so chamados de semicondutores extrnsecos. Impurezas de elementos qumicos das colunas IIIA e VA da tabela peridica constituem dopantes para semicondutores elementares como Si e Ge. No caso de semicondutores compostos como GaAs e similares, a dopagem, com alterao da concentrao de portadores, pode ser obtida por elementos das colunas II, IV e VI da tabela peridica. Na prtica, no existem semicondutores com nvel de pureza que os tornem intrnsecos. Como j apresentamos anteriormente (Captulo 5), os materiais sintetizados podem chegar a nvel de pureza de ppb, o que representa uma concentrao de impurezas da ordem de 1013 tomos/cm3. Veremos agora, como
impurezas no semicondutor alteram as concentraes de seus portadores (eltrons e lacunas). Adicionando pequenas concentraes de elemento da coluna VA da tabela peridica rede cristalina de Si, com estes elementos tornando-se substitucionais (ocupando posio da rede cristalina, com ligao qumica com os 4 tomos vizinhos de Si), teremos uma situao como ilustrado na Fig. 8.7a. Observa-se da Fig.8.7a que o tomo substitucional de valncia 5, ter um eltron em excesso que no tem como formar um par de ligao covalente. Este quinto eltron, sem formar par de ligao qumica, ficar fracamente ligado ao seu tomo, sendo facilmente liberado pelo mesmo, tornando-se um eltron livre do cristal. Em outras palavras, com pouca energia (trmica por exemplo), este eltron passa para a banda de conduo do cristal, aumentando a concentrao n de eltrons. Considerando agora a relao (8.2), conclui-se que, pelo aumento da concentrao n, resulta um aumento na taxa de recombinao dos portadores e conseqentemente, uma reduo na concentrao das lacunas. Isto significa que, pela adio de elementos da coluna VA ao cristal de Si, teremos um incremento na concentrao n e uma reduo na concentrao p. Nesta situao, os eltrons sero portadores majoritrios e as lacunas, portadores minoritrios. Como a conduo eltrica deste material ser feita predominantemente por cargas negativas (eltrons), o mesmo ser chamado de material tipo n (de negativo). A impureza da coluna VA, que liberou o seu quinto eltron, chamado de doadora, por ter doado um eltron. Como dopantes doadoras para Si tem-se os seguintes elementos: P, As e Sb. Os outros elementos da mesma coluna, N e Bi, apresentam caractersticas no desejadas que os tornam no prticos para serem usados. O tomo doador, aps doar seu quinto eltron, transforma-se num on de carga +q. A criao destes ons positivos concomitante com a gerao equivalente de eltrons de carga negativa na banda de conduo, de forma que a neutralidade de cargas do material preservada.
Fig 8.7 Ilustrao da dopagem de cristal de Si por tomos a) tipo doadores (elementos da coluna VA) e b) tipo aceitador (elemento da coluna IIIA), em posies substitucionais. Adicionando agora pequenas concentraes de elemento da coluna IIIA da tabela peridica rede cristalina de Si, de forma tambm substitucional, teremos uma situao como ilustrada na Fig. 8.7b. Observa-se da Fig.8.7b, que o tomo substitucional de valncia 3 apresenta a falta de um eltron, deixando a ligao covalente incompleta com um dos 4 tomos vizinhos de Si. Esta ligao qumica com orbital incompleto, pode facilmente receber um eltron de uma ligao qumica vizinha, formando-se assim uma lacuna. Em outras palavras, com pouca energia
(trmica por exemplo), um eltron da banda de valncia do cristal passa para o estado vazio associado a tomo da coluna IIIA, aumentando assim a concentrao p de lacunas. Considerando agora a relao (8.2), conclui-se que, pelo aumento da concentrao p, resulta um aumento na taxa de recombinao dos portadores e conseqentemente, uma reduo na concentrao dos eltrons. Isto significa que, pela adio de elementos da coluna IIIA ao cristal de Si, teremos um incremento na concentrao p e uma reduo na concentrao n. Nesta situao, as lacunas sero portadores majoritrios e os eltrons, portadores minoritrios. Como a conduo eltrica deste material ser feita predominantemente por cargas positivas (lacunas), o mesmo ser chamado de material tipo p (de positivo). A impureza da coluna IIIA, que recebeu o eltron proveniente da banda de valncia, chamada de aceitadora, por ter aceito um eltron. Como dopantes aceitadoras para Si tem-se os seguintes elementos: B, Al, Ga e In. Dentre estes, o B o dopante aceitador mais usado, tendo em vista que apresenta maior solubilidade slida (ver Fig. 4.18) e outras consideraes tcnicas. O tomo aceitador, aps receber seu quarto eltron transforma-se num on de carga -q. A criao destes ons negativos concomitante com a gerao equivalente de lacunas de carga positiva na banda de valncia, de forma que a neutralidade de cargas do material preservada. Pelo exposto acima, temos que um semicondutor tipo n apresenta alta concentrao n e baixa concentrao p e vice-versa para o semicondutor tipo p. No item 8.6 ser demonstrado que, independente do nvel de dopagem, o produto n.p constante e dado pela relao (8.5), desde que o material esteja em equilbrio trmico. Por equilbrio trmico entende-se que o material est em temperatura uniforme e que no h outra forma de energia sendo fornecida ao material. A relao (8.5) coerente com os argumentos usados acima, pelos quais, pelo aumento artificial de um dos portadores reduz-se concomitantemente a concentrao do portador complementar. imediato observar que a relao (8.5) vale tambm para o caso particular do semicondutor intrnseco (a partir da relao 8.4).
n. p = ni2
(8.5)
Associado aos tomos doadores e aceitadores devemos ter nveis de energia no previstos no cristal perfeito. No cristal perfeito temos a banda proibida totalmente livre de estados, como visto no captulo anterior. Um defeito cristalino, tipo tomo de impureza substitucional e outros, causa uma perturbao no potencial peridico da rede. Esta perturbao altera a soluo local da equao de Schrdinger, podendo resultar inclusive num estado permitido dentro da banda proibida do cristal. Isto realmente acontece no caso dos dopantes doadores e aceitadores. No caso dos dopantes doadores, introduzido um estado prximo e logo abaixo do mnimo da banda de conduo. Uma interpretao e clculo aproximado da posio do nvel da energia deste estado apresentado como segue. O quinto eltron do tomo doador no forma par de ligao qumica e fica orbitando em torno do seu tomo com baixa energia de ligao e raio bem grande, como ilustrado na Fig. 8.8. Este sistema pode ser visto como um par on positivo (de fsforo na Figura) e um eltron, similar ao tomo de hidrognio. Assim, em primeira aproximao, pode-se usar os resultados dos clculos da energia de ligao do eltron ao ncleo de hidrognio (relao 2.20), substituindo agora a constante dieltrica do vcuo pela constante dieltrica do Si e a massa do eltron pela massa efetiva do eltron no Si. Desta forma, obtm-se:
Fig 8.8 Ilustrao dos estados introduzidos pelos tomos de fsforo em cristal de Si. Os traos indicam a natureza localizada dos estados. Portanto, os tomos doadores introduzem um estado em nvel de energia de aproximadamente 0.1 eV abaixo do mnimo da banda de conduo. Por clculos mais precisos e por medidas experimentais obtm-se os valores apresentados na Tabela 8.3, para tomos doadores e aceitadores. No caso dos tomos aceitadores, a energia refere-se distncia do nvel em relao ao topo da banda de valncia do Si e acima desta. A Fig. 8.8i uma ilustrao dos nveis dos tomos de fsforo introduzidos no cristal de Si. Nota-se que os estados so representados por linhas tracejadas. Isto se deve ao fato dos tomos dopantes estarem em concentraes bem menores que a densidade dos tomos de Si, ou seja, tem-se tomos dopantes distantes entres si de vrias dezenas a milhares de distncias atmicas do cristal. Os dopantes no formam um contnuo de tomos mas sim uma distribuio discreta de tomos localizados. Tabela 8.3 Energias dos nveis introduzidos por dopantes doadores (abaixo do nvel EC) e aceitadores (acima no nvel EV) em cristal de Si. Doador EC-ED [eV] Aceitador EA-EV [eV] Sb 0.039 B 0.045 P 0.045 Al 0.067 As 0.054 Ga 0.072 In 0.16 Um outro aspecto a ser considerado a influncia da temperatura do material sobre a ocupao por eltrons dos estados introduzidos. Este comportamento ilustrado na Fig. 8.8ii para material tipo n (a) e para material tipo p (b). No caso de temperatura de 0 K, todos os eltrons iro ocupar os estados de mais baixa energia possvel. Desta forma, temos que no material tipo n, os eltrons doados pelos tomos dopantes retornam a seus nveis originais, ou seja, voltam a se ligar aos tomos doadores, ocupando os estados ED logo abaixo de EC. No caso do material tipo p, os ons aceitadores liberam os eltrons que estavam ocupando os estados EA introduzidos, com estes eltrons retornando ao seu nvel original na banda de valncia. Aquecendo novamente o material, temos inicialmente os eltrons dos estados de nvel ED do material tipo n adquirindo energia e indo para estados dentro da banda de conduo. temperatura ambiente podemos considerar que todos os tomos doadores estejam ionizados, ou seja, com seus eltrons dos estados ED mudados para a banda de conduo. No caso do material tipo p, com aumento da temperatura, temos inicialmente alguns eltrons da banda de valncia indo ocupar os estados associados aos tomos aceitadores, criando assim lacunas. temperatura
mq 4 EB = 2(4 . K S o .
)2
m 1 m 1 = . 2 .E H = . 2 ( 13.6 ) 0.1eV m KS m KS
(8.6)
ambiente, podemos considerar que todos os tomos aceitadores estejam ionizados, ou seja, com os estados em nvel EA todos ocupados. Veremos nos prximos itens que, temperatura ambiente, podemos aproximar a concentrao de eltrons em material tipo n concentrao de impurezas doadoras e a concentrao de lacunas em material tipo p concentrao de dopantes aceitadores.
Fig 8.8ii Visualizao do efeito dos dopantes, temperatura de O K, a baixa temperatura e temperatura ambiente, usando diagramas de banda para material a) tipo n e b) tipo p. Neste momento, o autor recomenda que o aluno faa uma reviso dos seguintes conceitos e termos apresentados no item: semicondutor intrnseco, semicondutor extrnseco, dopantes, doadores, aceitadores, material tipo n, material tipo p, portadores majoritrios e portadores minoritrios.
8.4 Distribuio de Estados e Portadores nas Bandas

A distribuio da densidade de estados nas bandas de valncia e de conduo obtida a partir das solues da equao de Schrdinger no potencial peridico do cristal, como apresentado no captulo 7. Mostra-se que as densidades de estados na parte inferior da banda de conduo e na parte superior da banda de valncia podem ser aproximadas respectivamente por:
mn 2mn (E EC ) g C (E ) = 2 3
para E EC
(8.8)
A Fig. 8.9 apresenta as curvas de densidade de estados nas duas bandas de energia. Nota-se das expresses 8.8 e 8.9 que o formato das duas curvas so as mesmas, porm ambas apresentam constantes distintas, dada a diferena das massas efetivas dos eltrons de conduo e de valncia (lacunas). Lembramos tambm o fato j
gV ( E ) =
m 2m (EV E ) p p
para E EV
(8.7)
discutido no captulo 7, que o nmero total de estados na banda de conduo e na banda de valncia dado por 4 vezes N, onde N a densidade de tomos de Si. Em razo disto, o nmero total de estados conservado quando aproximamos os tomos de Si (cada tomo de Si apresenta 8 estados disponveis na sua ltima camada, os quais so transformados nas bandas de valncia e de conduo do cristal).
Fig 8.9 Representao das distribuies de densidade de estados nas bandas de conduo e de valncia. Conhecida a densidade de estados, a prxima questo saber quais estados estaro ocupados por eltrons. Para responder a esta questo devemos novamente tomar os resultados dados pela mecnica estatstica, como apresentado no captulo 6 e vlida apenas em condies de equilbrio trmico do material. A funo estatstica vlida para descrever a distribuio mais provvel de eltrons em estados qunticos a funo de Fermi-Dirac e dado por:
f (E ) = 1 1+ e
( E E F ) kT
(8.9)
onde: EF a energia de referncia de Fermi ou nvel de Fermi, k a constante de Boltzmann (8.62 x 10-5 eV/K) e T a temperatura absoluta (K). A Fig. 8.10 mostra curvas da funo de Fermi-Dirac para a) temperatura de 0 K e b) temperatura maior que 0 K. A 0 K observa-se que a funo abrupta em E=EF, enquanto que para temperatura maior a funo torna se mais gradual em torno de E=EF, onde ela sempre vale 0.5. A funo de Fermi-Dirac pode ser aproximada para funes mais simples nos casos da energia ser bem maior ou bem menor que o nvel EF. No caso de termos E > EF + 3 kT, podemos usar a seguinte aproximao:
f ( E ) e ( E EF ) kT
(8.10)
Fig 8.10 Curvas da funo de Fermi-Dirac para a) T = 0 K e b) T > 0 K A funo dada em (8.10) corresponde funo estatstica de Maxwell-Boltzmann (usada em sistemas como gases, onde no h a restrio do princpio de excluso de Pauli). Agora, no caso de termos E < EF - 3 kT, podemos usar a seguinte aproximao:
f ( E ) 1 e ( E EF ) kT
(8.11)
Ao invs de calcular a probabilidade de ocupao do estado, podemos calcular seu complemento, ou seja, a probabilidade do estado estar desocupado. Para os estados da banda de valncia, isto corresponde probabilidade de termos uma lacuna. Assim definimos esta funo como sendo fL(E). A partir da relao (8.11) obtemos:
f L = 1 f ( E ) e ( E EF ) kT
(8.12)
Desta forma, podemos novamente usar a funo estatstica de Maxwell-Boltzmann para descrever a probabilidade de ter-se lacunas na banda de valncia, desde que satisfeita a desigualdade E < EV < EF - 3 kT. De forma geral no devemos usar a funo estatstica de Boltzmann mas sim a funo de Fermi-Dirac. Inicialmente iremos considerar o caso genrico para determinar a distribuio de eltrons e de lacunas nas bandas de conduo e de valncia respectivamente. Nesta situao a definio da funo fL(E) a mesma, porm sua expresso como segue:
f L = 1 f (E) = 1 1 1+ e
( E EF ) kT
1+ e
(EF E )
kT
(8.13)
A distribuio de eltrons na banda de conduo obtida pela multiplicao da funo densidade de estados, (8.7), pela funo probabilidade de ocupao dos estados, (8.9). Similarmente, a distribuio de lacunas na banda de valncia obtida pela multiplicao da funo densidade de estados, (8.8), pela funo probabilidade de desocupao dos estados, (8.13). Estas operaes so ilustradas graficamente na Fig. 8.11, para trs posies do nvel de Fermi, a) dentro da metade superior da banda proibida, b) na metade da banda proibida e c) dentro da metade inferior da banda proibida. Observa-se que, no caso do nvel de Fermi estar na metade superior da banda proibida, o nmero de eltrons muito superior ao nmero de lacunas,
correspondendo a material tipo n. Similarmente, no caso do nvel de Fermi estar na metade inferior da banda proibida, o nmero de lacunas muito superior ao nmero de eltrons, correspondendo a material tipo p. No caso particular do nvel estar exatamente no meio da banda proibida, teremos aproximadamente igual nmero de eltrons e de lacunas, correspondendo ao caso do material intrnseco. O leitor devese perguntar porque aproximadamente e no exatamente. A resposta est relacionada diferena das massas efetivas dos eltrons e das lacunas e portanto funes densidades de estados um pouco distintas. Podemos dizer que num material intrnseco, o nvel de Fermi localiza-se aproximadamente no nvel mdio entre EC e EV. A Fig. 8.12 mostra a posio do nvel de Fermi em materiais intrnseco, tipo n e tipo p, usando como referncia o nvel de Fermi intrnseco.
Fig. 8.11 Diagrama de bandas, funes de densidade de estados, funes de probabilidade de ocupao de estados e seu complemento e funes de distribuies dos portadores nas bandas de conduo e de valncia para os casos do nvel de Fermi localizado a) na faixa da metade superior, b) na metade e c) na faixa da metade inferior da banda proibida.
Fig 8.12 Representao usual dos diagramas de bandas de material a) intrnseco, b) material tipo n e c) material tipo p. O nvel de energia de Fermi intrnseco serve de referncia e representado por linha tracejada
8.5 Concentrao de Portadores em Equilbrio

Para o clculo do nmero total de eltrons na banda de conduo e de lacunas na banda de valncia devemos efetuar as integrais dadas abaixo:

n=
p=
EC ,sup EC
g C ( E ). f ( E ).dE
gV ( E ).[1 f ( E )].dE
(8.14)
EV EV ,inf
(8.15)
Tendo em vista que a funo de Fermi tende a zero rapidamente para energia acima de EF, podemos substituir os limites EC,sup e EV,inf, no bem conhecidos, por + e - respectivamente (isto no altera o resultado, mas simplifica os clculos). Substituindo as funes dadas em (8.7) e (8.9) na integral (8.14) e as funes dadas em (8.8) e (8.13) na integral (8.15) e efetuando as integraes obtm-se:
n = NC p = NV
F1 2 (C ) F12 (V )
onde C = onde V =
E F EC kT EV E F kT
(8.16)
(8.17)
Onde: A funo F1/2() uma funo tabulada e no analtica.

* 2 .mn .kT N C = 2. h2

(8.18)
NC a densidade efetiva de estados na banda de conduo.

N V = 2.

2 .m * .kT p h2
(8.19)
NV a densidade efetiva de estados na banda de valncia.
temperatura ambiente (300 K) obtm-se NC = 2.5 x 1019
( )
* mn m
(cm)-3.
O fato de termos uma soluo no analtica para as densidades de portadores dificulta em muito a sua utilizao, que no seja por clculo numrico. Mas felizmente, em muitos casos prticos, podemos utilizar as aproximaes da funo de Fermi dadas em (8.10) e (8.12). Estas aproximaes podem ser utilizadas sempre que o nvel de Fermi estiver distante de mais 3.kT das bandas de conduo e de valncia, como indicado na Fig. 8.13. Define-se o material como sendo degenerado se o nvel de Fermi estiver com distncia menor que 3kT da banda de conduo ou de valncia. O material ser chamado de no degenerado no caso contrrio. Desta forma, as expresses da estatstica de Maxwell-Boltzmann valem apenas no caso de semicondutores no degenerados. Realizando agora as integrais das expresses (8.14) e (8.15) com as funes de probabilidades (8.10) e (8.12) obtm-se expresses analticas simples para as concentraes dos portadores, chamadas de relaes de Boltzmann:
Fig 8.13 Definio de semicondutores degenerados e no degenerados, como funo da posio do nvel de Fermi dentro da banda proibida.
n = N C .e
( E F EC )
kT
(8.20) (8.21)
p = N V .e
( EV E F )
kT
Estas duas relaes de Boltzmann podem ainda ser reescritas nas seguintes formas:
n = ni .e
( EF Ei )
kT
(8.22) (8.23)
p = ni .e
( Ei E F )
kT
Deixamos como exerccio para o leitor a prova de que as relaes (8.22) e (8.23) so equivalentes s relaes (8.20) e (8.21) respectivamente (sugesto: considere inicialmente EF=Ei obtendo n=p=ni). Das relaes (8.22) e (8.23) obtm-se diretamente que:
n. p = ni2
(8.24)
ni = N C N V .e
EG
2 kT
(8.25)
A relao (8.24) j foi mencionada no item 8.4 acima, porm sua demonstrao s foi possvel neste momento. Esta relao indica que, se por alguma maneira artificial, aumentarmos a concentrao de um dos portadores, a concentrao do outro portador ser reduzida. Esta relao, importante frisar, s vlida para semicondutor em condio de equilbrio trmico (pois as funes estatsticas so vlidas apenas nestas condio). Ainda da relao (8.25), observamos que a concentrao intrnseca de portadores aumenta exponencialmente com a temperatura e com o inverso da largura da banda proibida do semicondutor. A variao da concentrao intrnseca de portadores com a temperatura mostrado na Fig. 8.14, para os semicondutores Ge, Si e GaAs, de acordo com a relao (8.25). Considerando agora a condio de neutralidade de cargas do material, alm de assumir semicondutor em equilbrio trmico e com dopagem uniforme, temos:
+ p n + ND N A = 0
(8.26)
+ onde N D a densidade de impurezas doadoras ionizadas e N A a densidade de impurezas aceitadoras ionizadas.
No caso do semicondutor estar temperatura ambiente ou maior, podemos assumir que todos os dopantes estejam ionizados, e nesta situao podemos assumir: + N D = N D e N A = N A , onde ND e NA so as concentraes dos dopantes doadores e aceitadores respectivamente. Considerando agora que temos um material tipo n, tal que ND>>NA e n>>p, resulta das relaes (8.26) e (8.24):
ni2 (8.27) ND Analogamente, considerando um material tipo p, tal que NA>>ND e p>>n, resulta: n ND
e
p NA
ni2 NA
(8.28)
Como exemplo numrico, para o caso de material de Si tipo p com NA=1015 cm-3 e ni=1010 cm-3, resulta: p=1015 cm-3 e n=105 cm-3. Estes nmeros reforam bem o significado de portadores majoritrios e minoritrios, tendo em vista a grande diferena das suas concentraes, de muitas ordens de grandeza.
Fig 8.14 Curvas de concentrao intrnseca de portadores versus temperatura para semicondutores de Ge, Si e GaAs. Em certos casos, de semicondutores no muito dopados, onde no podemos desprezar a concentrao de um dos portadores frente do outro, no podemos fazer as simplificaes assumidas acima na relao (8.26) de neutralidade de cargas. Assim devemos substituir a relao (8.24) na relao (8.26), como segue:
ni2 n + ND NA = 0 n
Resolvendo esta relao de segundo grau obtm-se:
(8.29)
As relaes (8.30) e (8.31) tm validade para dopagem genrica do semicondutor, enquanto que as relaes (8.27) e (8.28) so aproximaes das mesmas, vlidas para materiais com dopagem lquida tipo n ou p bem definidos (>> ni) respectivamente. As relaes (8.27) a (8.31) mostram como variam as concentraes dos portadores com o nvel de dopagem. Porm elas mostram tambm que as concentraes dos portadores dependem da concentrao ni do material, sendo que esta por sua vez, como j foi visto acima, apresenta uma dependncia exponencial com a temperatura. Como conseqncia, as concentraes dos portadores tambm variam com a temperatura. A Fig. 8.15 ilustra como a concentrao de eltrons de um material n, com dopagem uniforme, varia com a temperatura. temperatura de 0 K, logicamente a concentrao de eltrons zero. Isto se deve ao fato que, nesta condio, todos os eltrons ocuparo os estados de mais baixa energia possvel, com os eltrons extras dos tomos doadores retornando aos seus respectivos estados originais. Aumentando a temperatura a nveis ainda relativamente baixos, tem-se que uma frao dos eltrons extras dos tomos doadores liberam-se destes, alm da eventual e desprezvel gerao de pares eltron-lacunas a partir da transio de eltron da banda de valncia para a banda de conduo. A frao dos tomos doadores que liberam seu eltron extra depende da posio relativa do nvel de Fermi na temperatura em questo (item 8.7), mas certamente crescente com a temperatura. A faixa de temperatura onde apenas frao dos tomos doadores esto ionizados chama-se regio de congelamento (T menor que aproximadamente 100 K para Si). Para temperatura acima da faixa de congelamento temos uma faixa de temperatura chamada de regio extrnseca de temperatura. Nesta faixa temos que todos os tomos doadores esto ionizados e ainda valem as seguintes aproximaes: ni << ND e n ND. Aumentando mais a temperatura, acima da faixa de regio extrnseca de temperatura, no valem mais as duas aproximaes acima, ou seja, a gerao de pares eltron-lacuna por transio direta de eltrons da banda de conduo para a banda de valncia causa um incremento considervel na concentrao dos portadores majoritrios. Isto significa que a concentrao intrnseca de portadores torna-se relativamente considervel. Nesta situao o semicondutor pode voltar a tornar-se novamente intrnseco, caso a temperatura seja to alta na qual a concentrao intrnseca de portadores torna-se muito maior que o nvel de dopagem, como ilustra a Fig. 8.15.
!"#

n2 N N D p= i = A + n 2
N A ND 2
+n
2 i

N NA n= D + 2
ND N A 2
+n
2 i
(8.30)
(8.31)
Fig. 8.15 a) Variao da concentrao de portadores majoritrios em Si tipo n com dopagem ND = 1015 cm-3. A curva tracejada representa a variao da concentrao intrnseca de portadores com a temperatura, a qual torna-se significativa a partir de temperatura maior que 400 K. b) Explicao qualitativa relativo s curvas da parte a).
8.6 Variao do Nvel de Fermi com Dopagem e Temperatura

Vimos pelas relaes de Boltzmann que, para o clculo da concentrao dos portadores, necessrio conhecermos a posio relativa do nvel de Fermi dentro da banda proibida. Estudaremos neste item as dependncias do nvel de Fermi com a dopagem do material e com a temperatura. Consideremos inicialmente um material intrnseco. Neste caso temos a partir das relaes (8.20) e (8.21):
p = n = ni = N C .e ( Ei EC ) kT = N V .e ( EV Ei ) kT
(8.32)
A partir de (8.32) obtm-se a posio do nvel de Fermi intrnseco:

Ei = m* EC + EV 1 N E + EV 3 p + kT . ln V = C + kT . ln * 2 2 2 4 mn NC
(8.33)
A relao (8.33) mostra que o nvel de Fermi intrnseco no exatamente o valor mdio da banda proibida, porm bem prximo a este nvel. Considerando valores de massas efetivas da Tabela 8.2 e temperatura ambiente de 300 K, obtm-se o nvel de Fermi intrnseco 0.0073 eV abaixo do nvel mdio da banda proibida para o caso de Si (lembre-se que o valor de EG 1.12 eV para Si). Para o caso de semicondutor extrnseco podemos usar as relaes de Boltzmann, dadas em (8.22) e (8.23), desde que o nvel da dopagem no chegue a tornar o material dito degenerado (ou seja, EF deve estar distante dos nveis EC e EV com diferena maior que 3kT). Assim obtm-se: a) para material tipo p:

N A p = ni .e ( Ei EF ) kT
E F = Ei kT . ln
NA ni
(8.34)
b) para material tipo n:
N D n = ni .e ( EF Ei ) kT
E F = Ei + kT . ln
ND ni
(8.35)
A Fig. 8.16 mostra a variao do nvel de Fermi versus concentrao da dopagem em Si, considerando temperatura ambiente, calculado a partir das relaes (8.34) e (8.35).
Fig. 8.16 Curvas de variao da posio do nvel de Fermi com a dopagem de Si temperatura ambiente. Analisemos agora a variao do nvel de Fermi com a temperatura do material, sempre considerando equilbrio trmico. Para determinar a posio do nvel EF devemos resolver o seguinte sistema de equaes:
n = N C .e
( E F EC )
kT
(8.36)
p = N V .e
( EV E F )
kT
(8.37) (8.38) (8.39) (8.40)

( EF ED )
+ N D = N D [1 F ( E D )] N A = N A .F ( E A ) + p n + ND N A = 0
sendo que: F ( E D ) =
1 + 1 .e 2
kT
(8.41)
O fator na expresso (8.41) deve-se ao fato do nvel ED apresentar uma degenerescncia quntica, ou seja, este estado pode ser ocupado tanto por um eltron de spin + como de spin -. Isto aumenta a sua probabilidade de ocupao. Consideremos o caso de material de Si do tipo n, sem aceitadores. Neste caso, realizando as substituies e simplificaes pertinentes, a relao (8.40) fica como segue:
N V .e ( EV EF ) kT N C .e ( EF EC ) kT + N D .
( EF ED )
1 + 2.e
kT
=0
(8.42)
A determinao do nvel de Fermi pode ser realizada pela soluo da equao (8.42) acima. A resoluo desta equao no trivial, mas pode ser realizada por mtodos numricos. No caso do material estar em temperatura maior que a regio de congelamento dos dopantes, temos ionizao completa dos mesmos. Neste caso, o procedimento de clculo do nvel de Fermi torna-se bem mais simples. Calcula-se inicialmente a concentrao intrnseca de portadores pela relao (8.25). Em seguida podemos calcular as concentraes de portadores pelas relaes (8.30) e/ou (8.31). Tendo a concentrao de um dos portadores, podemos calcular o nvel de Fermi diretamente por uma das relaes de Boltzmann, relaes (8.22) e/ou (8.23). A Fig.8.17 apresenta as solues determinadas pelos procedimentos expostos acima para material tipo p e para material tipo n, com vrios nveis de dopagem. As curvas da Fig. 8.17 merecem as seguintes interpretaes: temperatura de 0 K, o nvel de Fermi localiza-se junto a ED para material tipo n e junto a EA para material tipo p. Isto conseqncia do fato da funo de Fermi ser abrupta a esta temperatura, sendo que os estados dos tomos doadores em E = ED de material tipo n esto todos ocupados e os estados dos tomos aceitadores em E = EA de material tipo p esto todos desocupados. A altas temperaturas, o nvel de Fermi tende ao nvel de Fermi intrnseco do material. Isto explicado pelo fato da alta taxa de gerao trmica de portadores, tornando a dopagem desprezvel, comparada aos portadores trmicos. Para semicondutores com maior nvel de dopagem, necessrio maior temperatura para alcanar esta situao.
Fig 8.17 Curvas da posio do nvel de Fermi versus temperatura calculada para materiais tipo p e tipo n com diferentes valores de dopagem.
8.7 Aes de Portadores

Nos itens anteriores estudamos modelos relativos aos portadores em condies de equilbrio trmico, ou seja com temperatura uniforme e sem aplicao de outra forma de energia externa, tipo potncia eltrica, radiao luminosa ou outras. No entanto, os semicondutores so utilizados normalmente fora desta condio de equilbrio, como por exemplo, com passagem de corrente eltrica, ou ainda recebendo luz. Mesmo assim, o estudo dos itens anteriores fundamental, pois os seus resultados sero usados como referncia para os casos de fora do equilbrio trmico. Neste e nos prximos itens estudaremos as aes que os portadores podem exercer sob algum estmulo externo, ou mesmo em alguns casos de condies de equilbrio trmico. Estas aes so as de deriva, de difuso, de gerao e recombinao, emisso terminica, tunelamento e avalanche. Neste captulo estudaremos apenas as trs primeiras aes. 8.7.1 Ao de Deriva A ao de deriva de portadores o movimento dos mesmos como resposta aplicao ou presena de um campo eltrico no material. Como descrito pela teoria de eletromagnetismo, portadores livres respondem a um campo aplicado no sentido de neutralizar o mesmos. Desta forma, cargas positivas movimentam-se no sentido do campo eltrico e cargas negativas movimentam-se em sentido contrrio, como ilustrado na Fig. 8.18. A corrente eltrica resultante deste movimento pode ser expresso por:
I = q. A.( p.v p + n.v n )
(8.43)
onde: A a seo de rea do semicondutor, vp e vn so as velocidades de deriva ou de deslocamento das lacunas e dos eltrons respectivamente.
Fig 8.18 Movimento de deriva dos portadores em uma barra semicondutora submetida a um campo eltrico. As concentraes dos portadores necessrios para calcular a corrente podem, em muitos casos, ser determinadas supondo o semicondutor em equilbrio, como apresentado nos itens anteriores. O que falta determinar portanto, so as velocidades de deriva das lacunas e eltrons, resultantes da aplicao do campo eltrico. Mesmo sem campo eltrico aplicado, os portadores esto continuamente em movimento, devido energia trmica que recebem. Este movimento trmico no entanto em direo randmica, de forma que, no h um movimento lquido de portadores. A velocidade trmica dos portadores pode ser estimado a partir da energia cintica mdia dos portadores e dada por:
EC = 1 * 2 3 m vter = kT 2 2
(8.44)
Considerando a massa efetiva de eltrons em Si e temperatura ambiente, obtm-se velocidade trmica de 2.3 x 107 cm/s e energia cintica mdia de 0.04 eV. Esta energia cintica significa que em mdia os eltrons tem energia que corresponde a nvel de 0.04 eV acima do mnimo da banda de conduo, EC. O valor da velocidade trmica, da ordem de 107 cm/s, um valor relativamente bem alto. Comparando com a velocidade da luz, ela da ordem de um milsimo desta. O movimento trmico randmico dos portadores no do tipo linear contnuo, mas sim por movimento interrompido por colises de vrios tipos. Aps cada coliso o portador muda de direo, mantendo no entanto a randomicidade, como ilustrado na Fig. 8.19a. Com aplicao de campo eltrico, tem-se superposto ao movimento Brauniano, uma acelerao das cargas pelo campo eltrico entre uma coliso e outra, como ilustrado na Fig. 8.19b, resultando num deslocamento lquido. Entre os instantes das colises, os portadores apresentam variao da velocidade dada por:
v (t ) = v (0) + a.t
onde: a a acelerao dada pela fora do campo eltrico, , dada por a =
(8.45)
q. m* Podemos considerar que a mdia das velocidades iniciais aps as colises seja 0, dado que as colises resultam em novas direes totalmente aleatrias, sobretudo se considerarmos que, para campos eltricos no muito intensos, a velocidade de deriva dos portadores ainda muito menor que sua velocidade trmica. Definimos c como sendo o tempo mdio entre colises dos portadores. Desta forma podemos calcular a velocidade mdia de deriva, vd, a partir da relao (8.45), resultando:
vd =
a. c q c = * = . 2 m 2 q. c chamado de mobilidade do portador, dado em [cm2/V.s]. * 2.m
(8.46)
onde: =
Fig. 8.19 a) Ilustrao do movimento trmico randmico de portadores a T > 0 K e sem campo eltrico aplicado e b) deslocamento lquido de portadores submetivos a um campo eltrico superposto ao movimento randmico. A relao (8.45) mostra que a velocidade de deriva dos portadores proporcional ao campo eltrico aplicado, ao contrrio de termos uma acelerao constante e proporcional ao campo eltrico como acontece com cargas submetidos a um campo eltrico no espao livre. Este resultado aplica-se a todos os slidos em geral, dando origem conhecida lei de Ohm. A validade da relao (8.45) confirmada experimentalmente para campos eltricos no muito intensos, como mostram as curvas da Fig. 8.20. Para campos eltricos fracos, o tempo mdio entre colises constante e determinado pela velocidade trmica dos portadores. Para campos eltricos intensos no entanto, a velocidade de deriva torna-se da mesmo ordem de grandeza da velocidade trmica, causando uma reduo do tempo mdio entre colises, com conseqente reduo da mobilidade. Por este motivo, fica impossvel aumentar a velocidade dos portadores alm de uma velocidade de saturao, da ordem de 107 cm/s, como indicam as curvas da Fig. 8.20. Da relao (8.45), temos que a mobilidade depende diretamente do tempo mdio entre colises e inversamente proporcional massa efetiva dos portadores. Isto explica porque a mobilidade de eltrons e lacunas em Si so diferentes entre Si (tempo mdio entre colises das lacunas deve ser bem menor, dado que sua massa efetiva menor que a do eltron, ver Tabela 8.2) e porque a mobilidade de eltrons em GaAs bem maior que em Si (massa efetiva de eltrons em GaAs bem menor que em Si, ver Tabela 8.2). Observa-se no entanto uma particularidade interessante na curva de velocidade de deriva de eltrons em GaAs, com uma reduo de velocidade para campos acima de 3 x 103 V/cm. Isto explicado pela transio de estados dos eltrons quando estes adquirem maior energia cintica.
Fig. 8.20 Variao da velocidade de deriva versus campo eltrico aplicado para eltrons e lacunas de Si e eltrons em GaAs. Para campo eltrico intenso estes eltrons passam de estados do mnimo principal da banda de conduo para o mnimo secundrio, onde a massa efetiva maior (ver Fig. 7.12). A massa efetiva no varia apenas com o tipo de portador e com o tipo do material, mas tambm com a direo cristalina, ou seja com a orientao cristalina do plano da corrente eltrica. Como conseqncia, em Si, a mobilidade de eltrons maior em planos (100), enquanto que a mobilidade de lacunas maior em planos (111). Vimos acima que a mobilidade varia linearmente com o tempo mdio entre colises. Mas o que so estas colises afinal? As colises no incluem apenas colises do portador com o ncleo dos tomos, mas sobretudo espalhamentos (scattering) causados por perturbao no potencial peridico da rede cristalina. Num potencial peridico ideal fixo, clculos de mecnica quntica no prevem espalhamentos do portador e portanto nem troca de energia com a rede. Num cristal real a T > 0 K, tem-se trs possveis causas de espalhamentos dos portadores: Espalhamento com o potencial oscilante da rede, causada pela vibrao trmica do tomos do material, ou seja, com a energia dos fnons. Quanto maior a temperatura, maior a amplitude desta vibrao, maior a perturbao do potencial eletrosttico da rede, maior a seo de choque do espalhamento e portanto aumenta a probabilidade do espalhamento do portador. A presena de impurezas, tipo dopantes ou outros, causa uma perturbao contnua do potencial eletrosttico na posio do mesmo. Esta perturbao constitui uma fonte de espalhamento do portador ao se deparar com a mesma. Esta fonte de espalhamento mais pronunciada quanto maior a densidade de impurezas e quanto menor a temperatura, quando o espalhamento com os fnons reduzido.
Como terceira fonte de espalhamento temos os defeitos cristalogrficos tipo vacncias, discordncias, etc. Estes tambm introduzem perturbaes no potencial peridico da rede, dando origem a espalhamento dos portadores. Nos cristais disponveis de semicondutores, esta fonte de espalhamento normalmente insignificante.
A freqncia de colises dada pela soma das colises de cada tipo. Desprezando a freqncia de colises por defeitos cristalogrficos, resulta:
ter
imp
(8.47)
Como conseqncia podemos tambm desmembrar a mobilidade em dois termos correspondentes como segue:
ter
imp
(8.48)
A Fig. 8.21 mostra a variao da mobilidade de eltrons em Si versus temperatura parametrizado com o nvel de dopagem ND. Para baixas dopagens, prevalece o efeito do espalhamento trmico sobre a curva da mobilidade. Mostra-se que o tempo mdio entre colises com os tomos da rede, bem como a mobilidade, segue uma relao 3 proporcional a T 2 . Para altas dopagens tem-se um efeito predominante do espalhamento com impurezas, sobretudo a baixas temperaturas. Mostra-se que o tempo mdio entre colises com impurezas, bem como a mobilidade, segue uma 3 relao proporcional a T 2 . Uma explicao para este ltimo comportamento como segue. A energia trmica do portador aumenta com a temperatura (ver relao 8.44), enquanto que a energia potencial de uma carga em torno de uma impureza ionizada independente da temperatura e dada por:
Ep =
Z .q 2 4 Si r
(8.49)
Assim, quanto maior a temperatura, a energia potencial relativa ao on torna-se desprezvel comparada com a energia trmica do portador, como conseqncia o portador tende a no mais sentir o efeito da impureza, aumentando assim o tempo mdio entre estas colises. A variao da mobilidade de eltrons e de lacunas com o nvel de dopagem em Ge, Si e GaAs para temperatura fixa de 300 K mostrada na Fig. 8.22. Valores tpicos de mobilidade de portadores para vrios semicondutores temperatura ambiente e com baixa dopagem (< 1016 cm-3) so apresentados na Tabela 8.4. Observa-se valores altos de mobilidades de eltrons para semicondutores compostos tipo III-V, especialmente os de menor valor de banda proibida.
Fig. 8.21 Variao da mobilidade de eltrons em Si versus temperatura, parametrizado com o nvel de dopagem Nd. O inserto ilustra a variao das duas componentes (trmica e impurezas) da mobilidade com a temperatura. Tabela 8.4 Valores de mobilidade de eltrons e de lacunas e do valor de EG em vrios semicondutores, para baixa dopagem e temperatura fixa de 300 K. Material EG [eV] n [cm2/V.s] p [cm2/V.s] C (diamante) 5.47 1800 1200 Ge 0.66 3900 1900 Si 1.12 1500 450 GaSb 0.72 5000 850 GaAs 1.42 8500 400 GaP 2.26 110 75 InSb 0.17 80000 1250 InAs 0.36 33000 460 InP 1.35 4600 150
Fig. 8.22 Variao da mobilidade de eltrons e de lacunas em Ge, Si e GaAs versus nvel de dopagem, temperatura de 300 K. Tendo agora a relao da velocidade de deriva de portadores em funo do campo eltrico no material (relao 8.46), podemos voltar expresso da corrente dada em (8.43). Desta expresso podemos escrever a densidade de corrente de deriva como dado por:
J der = J p + J n = q( p.v d , p + n.v d ,n ) = q( p. p + n. n )
(8.50)
A partir da expresso (8.50) podemos determinar a expresso da resistividade do semicondutor, , dadas as definies de densidade de corrente e de resistncia de uma barra de semicondutor, ilustrado na Fig. 8.23:
J= I 1 V = . A A R R = . l A
(8.51)
Combinando estas definies (8.51) com a expresso (8.50) obtm-se:
1V 1 = = J l J q( p. p + n. n )
(8.52)
Fig. 8.23 Uma barra de material semicondutor de comprimento l e seo de rea A, com uma aplicao de uma tenso V. No caso de material tipo p ou tipo n com nvel de dopagem no muito reduzido, podemos aproximar (8.52) para as seguintes expresses: Material tipo p:
1 q. p. p 1 q.n. n
(8.53)
Material tipo n:
(8.54)
Levando em considerao a dependncia da mobilidade com a dopagem, discutida acima, podemos calcular a resistividade dos materiais versus concentrao da dopagem. Estas relaes so apresentadas na curvas da Fig. 8.24. A resistividade pode ser medida diretamente no material semicondutor atravs de mtodo de medida de 4 pontas ilustrado na Fig. 8.25. Uma ponta de prova com 4 agulhas alinhadas e eqidistantes com distncia S, aplicada sobre a superfcie do semicondutor. Uma fonte de corrente faz passar uma dada corrente I entre as agulhas 1 e 4, enquanto que entre as agulhas 2 e 3 medida a tenso V. demonstrado que vale a seguinte relao para a resistividade:
= 2. .S .F .
V I
(8.55)
onde F um fator de correo tabelada, que depende da geometria da amostra. Para amostra ou camada fina e com dimenses horizontais muito maiores que a distncia S entre as agulhas, mostra-se que vale:
ln 2
.d .
V V = 4.532.d . I I
(8.56)
onde d a espessura da amostra ou da camada medida.
Fig 8.24 Curvas de resistividade versus nvel de dopagem tipo p e tipo n, para semicondutores de Ge, Si e GaAs.
Fig. 8.25 a) Exemplo de um diagrama de banda de uma certa estrutura semicondutora (juno pn), b) Indicao de energia cintica e energia de potencial de um eltron localizado acima do mnimo da banda de conduo, c) Variao do potencial eletrosttico, d) Variao do campo eltrico na estrutura. ainda usual definir uma grandeza chamada resistncia de folha ou resistncia por quadrado, como sendo a resistncia de uma amostra de rea de superfcie quadrada (w = l) e espessura d:
RS = .
l = d .w d
(8.57)
A ao de deriva de portadores somente ocorre quando houver um campo eltrico e ela aprecivel quando houver altas concentraes de portadores, podendo ser aprecivel para os portadores majoritrios. A componente de corrente de deriva muitas vezes pode ser desprezada. Vimos nas sees anteriores como determinar as concentraes dos portadores. Falta vermos como determinar o campo eltrico para completar o clculo da corrente de deriva. Mostraremos que este tambm pode ser obtido diretamente do diagrama de bandas do semicondutor. Na Fig. 8.25a mostrado um exemplo de diagrama de bandas de uma certa estrutura semicondutora. Um eltron localizado no mnimo da banda de conduo apresenta apenas energia potencial em relao a uma referncia arbitrria e no possui energia cintica. Qualquer energia em excesso ao mnimo da banda de conduo representa energia cintica do eltron, como ilustrado na Fig. 8.25b e descrito por:
E = ECin + E Pot
E Pot = EC E Re f
(8.58) (8.59)
Por outro lado temos da teoria eletrosttica que a energia potencial de um eltron relacionada com o potencial eletrosttico como:
E Pot = q.V
Das relaes (8.59) e (8.60) resulta:
(8.60)
1 V = ( EC E Re f ) q
Ainda da eletrosttica, temos a definio do campo eltrico dada por:
= V
(8.61)
(8.62)
No caso de estudo unidimensional temos:

= dV dx
(8.63)
Das relaes (8.61) e (8.63), e considerando que dentro de um mesmo semicondutor, os nveis de energia EC, EV e Ei so sempre paralelos, resulta:
1 dEC 1 dEV 1 dEi = = q dx q dx q dx
(8.64)
Conclumos assim que o diagrama de bandas contm as informaes sobre o campo eltrico e a variao do potencial eletrosttico. Havendo variao do nvel de energia das bandas existe campo eltrico, sendo dado pela relao (8.64). A variao do
potencial eletrosttico tambm pode ser lida diretamente do diagrama, pela adio de mais um eixo vertical no grfico, sendo seu sentido oposto ao da energia do eltron (relao 8.61). 8.7.2 Ao de Difuso A ao de difuso de portadores ocorre sempre que houver uma variao espacial nas suas concentraes. O processo de difuso um processo que ocorre com qualquer tipo de partcula, com ou sem carga eltrica, que tenha movimento trmico randmico. Estas partculas tendem a espalhar-se e distribuir-se uniformemente no espao. Durante o processo ocorre um transporte lquido de partculas da regio de maior concentrao para as regies de menor concentrao inicial. Como exemplos de difuso temos: Fumaa de cigarro espalhando-se pela sala. Percepo do cheiro de perfume aps algum abrir um frasco do mesmo no recinto. Ao introduzir uma quantidade de tinta solvel em gua num copo j com gua, observa-se uma mudana gradual da cor a partir do ponto onde a tinta foi adicionada. Um sistema hipottico com 4 compartimentos como mostrado na Fig. 8.26. Neste sistema tem-se que, durante cada intervalo de tempo 0, todas as partculas de um compartimento movem-se para os compartimentos vizinhos, sendo metade para cada vizinho, com o detalhe que nas paredes externas tem-se uma reflexo das mesmas. Tendo inicialmente 1024 partculas no compartimento da esquerda, indicado na Fig. 8.26, resultam as distribuies tambm indicadas aps alguns mltiplos do intervalo de tempo 0. Aps um longo perodo de tempo resulta uma distribuio totalmente uniforme, com 256 partculas por compartimento.
Fig 8.25ii Ilustrao esquemtica da medida de 4 pontas: posicionamento das 4 pontas e modo de polarizao e medida. Similarmente aos exemplos listados acima e de conhecimento emprico das pessoas em geral, o processo de difuso ocorre tambm com as lacunas e os eltrons em um semicondutor, dado que os mesmos possuem movimento trmico aleatrio. Basta haver uma no uniformidade nas suas concentraes para ocorrer a difuso dos portadores. O gradiente na concentrao de portadores constitui a fora propulsora para a ao de difuso. A difuso de portadores constitui um segundo modo de transporte ou de conduo de corrente eltrica em semicondutores, aps o mecanismo de deriva do item anterior.
Fig. 8.26 Processo de difuso em um sistema hipottico unidimensional. Os nmeros acima das flechas indicam a quantidade de partculas em cada compartimento no instante indicado ao lado da caixa. Consideremos um perfil de portadores como indicado na Fig. 8.27i. Os portadores possuem velocidade trmica aleatria, de forma que, em qualquer instante, teremos igual nmero de portadores em A-, indo para a direita e para a esquerda, dado como proporcional ao produto N2.vter. Analogamente, em A+ teremos igual nmero de portadores indo para a direita e para a esquerda, dado como proporcional ao produto N1.vter. A partir deste raciocnio, podemos concluir que o nmero lquido de portadores atravessando o plano A, vindo de A- e de A+, dado pela diferena dos fluxos vindo de cada lado. Assim teremos o fluxo atravs do plano A expresso por:
F = .( N 2 N 1 ).v ter
(8.65)
onde: uma constante de proporcionalidade, vter a velocidade trmica dos portadores, N2 e N1 so as concentraes nos pontos A- e A+ respectivamente. Na anlise acima, os pontos A- e A+ devem ser tomados dentro de uma distncia menor que o caminho livre mdio dos portadores. Nestas condies, a relao (8.65) pode ser reescrita em forma diferencial como sendo:
F = D. dN dx
(8.66)
onde: D o coeficiente de difuso dos portadores, dado em [cm2/s].
Fig 8.27 Um exemplo de perfil de portadores para anlise da difuso. O sinal negativo na expresso (8.66) deve-se ao fato que o fluxo sempre da regio de maior concentrao para a regio de menor concentrao. Assim, se o gradiente da concentrao for negativo, o fluxo ser no sentido positivo (de x crescente). Por definio do sentido da corrente eltrica, esta coincide com o sentido do fluxo de lacunas e contrrio ao sentido dos eltrons. Como conseqncia teremos as seguintes relaes para as componentes de corrente de difuso de lacunas e de eltrons, de acordo com as ilustraes da Fig. 8.27ii:
J dif , p = q. DP . J dif , N = q. DN . dp dx
(8.67)
dn dx
(8.68)
No captulo 5, item 5.5, apresentamos a medida de ponta de prova quente para a determinao do tipo de condutividade do material, seja tipo n ou tipo p. Esta medida, realizada pela montagem do circuito como mostrado na Fig. 5.13, pode agora ser entendida, baseada no mecanismo da difuso, porm com o seguinte detalhe. Neste caso, a fora propulsora no simplesmente o gradiente de concentrao dos portadores mas sim um gradiente na concentrao de portadores majoritrios com velocidades trmicas diferentes. Na regio prxima ponta quente, os portadores apresentam velocidade trmica, vter,1, maior que no resto do material, vter,2. Como conseqncia, entre 2 dois pontos prximos, aparecer um fluxo de portadores dado por expresso similar (8.65), porm levando em conta a diferena de velocidades trmicas:
F = . N .(vter ,1 vter , 2 )
(8.69)
Sendo o material do tipo p por exemplo, teremos um fluxo lquido interno de lacunas da ponta quente para a regio fria (ponta fria). Esta corrente ter continuidade pelo circuito fechado atravs do ampermetro que indicar uma corrente eltrica saindo da ponta fria para a ponta quente. No caso do semicondutor tipo n, teremos agora um fluxo interno de eltrons da ponta quente para a ponte fria. Este fluxo de eltrons ter continuidade pelo circuito do ampermetro indicando agora uma corrente eltrica contrria, ou seja, saindo da ponta quente para a ponta fria.
Fig 8.27ii Indicao do sentido do fluxo de portadores e da corrente eltrica por mecanismo de difuso, a partir do exemplo de gradiente negativo de concentrao de portadores (com gradiente positivo de concentrao resulta em sentidos de fluxo e de corrente eltrica em sentido oposto). 8.7.3 Superposio das Aes de Deriva e de Difuso De forma geral, as aes de deriva e de difuso podem ocorrer concomitantemente, basta haver um campo eltrico e um gradiente nas concentraes. Como conseqncia, a corrente total a soma das componentes de corrente de deriva e de difuso de lacunas e de eltrons. Assim podemos escrever a relao da corrente dada pelas seguintes equaes:
J = JP + JN
onde:
J P = q. P . p. q. DP . dp dx
(8.70)
(8.71)
J N = q. N .n. + q. D N .
dn dx
(8.72)
Mais genericamente, em espao tridimensional, podemos escrever as relao acima como segue:
J P = q. P . p. q.DP .p J N = q. N .n. + q.DN .n
(8.73) (8.74)
8.7.4 Relao de Einstein Foi visto acima que as grandezas de mobilidade e constante de difuso de portadores so fundamentais para a modelagem do transporte de portadores no material. Foi visto tambm, como a mobilidade varia com a temperatura, com a concentrao das impurezas e com o campo eltrico. Questo similar deve ser analisada para a constante de difuso, ou seja, como esta varia com temperatura, nvel de dopagem e campo eltrico. Mostraremos que esta varia da mesma maneira que a mobilidade e que a mobilidade e constante de difuso so proporcionais entre si. Esta proporcionalidade entre estas duas grandezas de certa forma esperada uma vez que as duas esto associadas ao movimento trmico aleatrio dos portadores. Consideremos um semicondutor em equilbrio trmico e com dopagem varivel como no exemplo da Fig. 8.28a. O diagrama de bandas correspondente como mostrado na Fig. 8.28b. O diagrama de bandas desenhado a partir das seguintes duas condies: O nvel de Fermi de semicondutor em equilbrio trmico necessariamente constante. Caso contrrio haveria uma corrente lquida de portadores. Esta condio constitui uma lei fundamental da Fsica e foi explicado em maior detalhe no final do captulo 6. Ela pode ser interpretada em analogia com nvel da superfcie da gua em tanques conectados entre si por encanamento. A relao de Boltzmann de concentrao de portadores, em material no degenerado, dada pelas expresses (8.22) e (8.23).
Fig 8.28 Semicondutor com dopagem no uniforme, a) exemplo de perfil de concentrao de impurezas doadoras e b) correspondente diagrama de bandas.
Estando o semicondutor em equilbrio, a densidade de corrente necessariamente nula. Desta condio e a partir dos dados do diagrama de bandas (Fig.8.28b) podemos escrever as seguintes relaes:
J N = J der , N + J dif , N = q. N .n. + q. D N . dn =0 dx
(8.75)
1 dEi q dx
( EF Ei )
kT
(8.76)
n = ni .e
(8.77)
dE F =0 dx
(8.78)
Da relao de Boltzmann (8.77), obtemos:

n ( EF Ei ) kT dEi dn q = i .e = .n. dx kT dx kT
(8.79)
Substituindo a relao (8.79) em (8.75), obtm-se:

J N = ( q.n. ). N ( q.n. ). q . DN = 0 kT
(8.80)
Da relao (8.80) conclui-se diretamente a relao de Einstein para eltrons, ou seja:
DN
kT q
Um raciocnio anlogo leva relao de Einstein para lacunas:
(8.81)
DP
kT q
(8.82)
Embora as relaes de Einstein tenham sido deduzidas considerando o semicondutor em equilbrio trmico, elas so gerais e valem tambm fora do equilbrio.
8.7.5 Processos de Gerao e de Recombinao Como discutido no item 8.2, eltrons e lacunas sofrem processo contnuo de gerao e de recombinao trmica no semicondutor, sendo que em equilbrio, as taxas de gerao, GTer, e de recombinao, RTer, se igualam, mantendo as concentraes dos portadores em nveis constantes e de equilbrio, com seu produto satisfazendo pn=ni2. No caso do semicondutor estar fora da condio de equilbrio, tem-se que o produto dos portadores diferente de ni2 e que as taxas de gerao e de
recombinao de portadores so distintas. Qual das duas taxas ser maior depende do tipo de condio de fora do equilbrio, sendo no entanto no sentido de trazer o semicondutor de volta ao equilbrio. A reao do material no sentido da sua volta condio de equilbrio. Assim, caso tivermos uma condio de falta de portadores em relao ao equilbrio (pn<ni2), resultar uma taxa de gerao maior que a da recombinao (GTer>RTer). A falta de portadores reduz a taxa de recombinao como pode ser visto pela relao (8.2). No caso de termos uma condio de excesso de portadores (pn>ni2), resultar uma taxa de recombinao maior que a da gerao (RTer>GTer), como pode ser visto diretamente da relao (8.2). O estudo dos modelos de gerao e de recombinao so essenciais tendo em vista que estes mecanismos afetam as concentraes dos portadores, no espao e no tempo, e como conseqncia influenciam diretamente a determinao das correntes de deriva e de difuso. Veremos neste item detalhes sobre os processos de gerao e de recombinao de portadores bem como expresses das taxas. Definimos inicialmente condies de baixa e de alta injeo. Define-se baixo nvel de injeo quando o material, fora da condio de equilbrio, apresentar uma perturbao significativa apenas na concentrao dos portadores minoritrios, sendo que esta perturbao mantm ainda a concentrao dos minoritrios bem menor que a concentrao dos majoritrios. Matematicamente podemos definir a condio de baixo nvel de injeo se forem satisfeitas as seguintes condies: i) para material tipo n nn n0
pn << n0 ii) para material tipo p p p p0

n p << p0
onde: n0, p0 so as concentraes em condies de equilbrio n, p so as concentraes em condies arbitrrias n = n n0 o desvio da concentrao de eltrons em relao ao equilbrio p = p p0 o desvio da concentrao de lacunas em relao ao equilbrio. Como exemplo numrico ilustrativo de condio de baixa injeo, consideremos um semicondutor de Si tipo n, com dopagem ND=1014 cm-3 temperatura ambiente e com desvio das concentraes de portadores em relao aos valores de equilbrio dado por p = n = 109 cm-3. Como concentraes de equilbrio temos n0 = 1014 cm-3 e p0 = 106 cm-3. Desta forma resulta n = n0 + n ~ 1014 cm-3 e p = p0 + p ~ 109 cm-3. Observa-se que os majoritrios praticamente no sofreram alterao na concentrao enquanto que os majoritrios tiveram um aumento de 3 ordens de grandeza na sua concentrao, permanecendo no entanto em nveis bem abaixo do nvel da concentrao dos majoritrios. Por outro lado, a condio de alta injeo definida como sendo a condio onde as premissas acima no forem satisfeitas. Os mecanismos de gerao e de recombinao podem incluir as seguintes formas de transies: a) Transio banda a banda:
No mecanismo de transio banda a banda, o eltron de uma das bandas recebe ou cede energia de alguma forma e passa de um estado de uma das bandas para estado da outra banda diretamente, como ilustrado por 2 modelos de semicondutores na Fig. 8.29. No processo de fotogerao, pares de eltron-lacuna so criados pela absoro de ftons de energia maior ou igual a EG, por eltrons da banda de valncia. No processo de gerao trmica direta, eltron da banda de valncia recebe energia trmica pela interao com um fnon da rede cristalina. O processo de recombinao trmica direta o processo inverso do anterior. Os 3 processos citados acima so os processos mais simples de absoro e de emisso de energia. Outros processos mais complexos so possveis, como por exemplo o processo chamado Auger. No processo Auger, um segundo eltron participa do processo, sendo este o que cede ou recebe a energia necessria para a transio de estado do primeiro.
Fig. 8.29 Processos de gerao e recombinao de portadores do tipo banda a banda, ilustrados em modelo de ligaes (esquerda) e de bandas de energia (direita), sendo a) fotogerao, b) gerao trmica direta e c) recombinao trmica direta. Da relao (8.2) temos que em equilbrio, quando as taxas de gerao e de recombinao se igualam, vale a seguinte igualdade:
R = Gter = .n0 . p0
(8.83)
Comparando a relao (8.83) com a relao (8.2) , podemos definir uma taxa lquida de recombinao, U, pela diferena entre as taxas de recombinao e de gerao trmica, ou seja:
U = .(n. p n0 . p0 ) = .(n. p ni2 )
(8.84)
A taxa lquida de recombinao implica numa variao na concentrao dos portadores, e assim temos:
dp dn = = .(n. p ni2 ) dt dt
(8.85)
Considerando agora a condio de baixa injeo temos: i) para material tipo n:
p dp = .n0 .( p p0 ) = n p dt
onde: p =
(8.86)
1 = tempo de vida de minoritrios p em material tipo n .n0
ii) para material tipo p:
n p dn = . p0 .(n n0 ) = n dt
onde: n =
(8.87)
1 = tempo de vida de minoritrios n em material tipo p . p0
O valor de nas relaes acima depende fortemente do tipo de semicondutor como mostram os dados da tabela 8.5. Observa-se que o valor da constante muito pequeno para materiais semicondutores com estrutura de bandas do tipo indireto, como o caso de Ge, Si e GaP. Semicondutores do tipo direto como GaAs apresentam com valor bem maior. Isto deve-se ao fato que apenas no caso de semicondutor com banda direta que a transio banda a banda significativa. No caso de semicondutores com banda indireta, a transio de eltron entre as duas bandas tambm requer a mudana do vetor de onda do mesmo, o que por sua vez requer a interao com uma terceira partcula, tornando o evento menos provvel. Considerando o valor de de tabela para Si e uma dopagem tipo n com ND=1015 cm-3, calcula-se um tempo de vida, pela relao (8.86), de 0.56 s. Valores experimentais de tempo de vida de minoritrios medidos em Si no entanto, so ordens de grandeza menores que o valor calculado acima. Isto demonstra que neste caso o mecanismo predominante de gerao e de recombinao em materiais como o Si no o processo de transio banda a banda. Tabela 8.5 Valores da constante de gerao e recombinao tipo banda a banda a 300 K. Semicondutor Ge Si GaP GaAs -14 -15 -14 5.3 x 10 1.8 x 10 5.4 x 10 7.2 x 10-10 b) Transio indireta via estados profundos na banda proibida: Em semicondutores com estrutura de banda indireta, a transio de eltrons entre as bandas se d predominantemente via estados qunticos localizados dentro da banda proibida. Uma questo como aparecem estados dentro da banda que proibida. Lembramos que a banda proibida o resultado da equao de Schrdinger
sobre o potencial peridico e infinito da rede cristalina do material. Isto o caso de um cristal ideal e no real. Um cristal real comumente apresenta defeitos cristalogrficos e certa quantidade de impurezas. Estes apresentam uma perturbao no potencial peridico do cristal e como conseqncia nas solues da equao de Schrdinger, incluindo estados qunticos dentro da banda proibida do cristal ideal. Como exemplo, a Fig. 8.30 apresenta os nveis de energia de estados permitidos dentro da banda proibida do Si, para diversos tipos de impurezas. Cada impureza apresenta um nvel caracterstico. Chamamos de nvel profundo quanto mais prximo o nvel estiver do meio da banda e de nvel raso, quanto mais prximo o nvel estiver da banda de conduo ou de valncia. Os estados localizados dentro da banda proibida facilitam a transio de eltrons entre as banda de conduo e de valncia, assim como uma pedra no meio de um crrego facilita uma pessoa a atravess-lo sem molhar os ps. Com a probabilidade da transio de um eltron entre estados inversamente proporcional diferena de energia entre os mesmos, um estado no meio do caminho aumenta a probabilidade da transio. Um estado raso no ajuda muito no aumento da probabilidade, uma vez que um dos passos na seqncia continua com grande diferena de energia. Porm, estados profundos, prximos ao meio da banda proibida, so os mais eficientes em aumentar a probabilidade da transio seqencial em 2 passos. Desta forma, a anlise que segue considera apenas estados profundos para a gerao e recombinao trmica indireta.
Fig 8.30 Estados qunticos intriduzidos dentro da banda proibida do Si por impurezas metlicas. A Fig. 8.31 mostra os passos envolvidos no processo de gerao e de recombinao trmica indireta. comum chamar o estado dentro da banda proibida de armadilha, pelo fato dele poder armadilhar ou capturar um portador. Os passos so: a) emisso de lacuna (transio de eltron da banda de valncia at a armadilha, com a criao de uma lacuna); b) emisso do eltron (transio do eltron da armadilha at a banda de conduo); c) captura de eltron (transio de eltron da banda de conduo at a armadilha); d) captura de lacuna (transio de eltron da armadilha at a banda de valncia, aniquilando uma lacuna). Foi desenvolvida uma teoria por Hall, Schokley e Read, que estabelece relao para as taxas dos 4 passos citados acima, para em seguida estabelecer uma relao para a taxa lquida de recombinao. As relaes propostas, baseadas em argumentos similares aos usados para o estabelecimento da relao (8.2) so:
Fig. 8.31 Representao dos processos de transio de portadores entre as bandas de conduo e de valncia via estados profundos na banda proibida, sendo a) emisso de lacuna, b) emisso de eltron, c) captura de eltron e d) captura de lacuna. a) Emisso de lacuna:
ra = e p . N t .[1 f ( E t )]
(8.88)
Onde: ep a probabilidade de emisso de lacuna, sendo uma funo do nvel de energia Et da armadilha; Nt a densidade de armadilhas (cm-3); o termo entre colchetes representa a probabilidade da armadilha estar desocupada. Desta forma a expresso diz que a taxa de emisso de lacunas proporcional densidade de armadilhas desocupadas. b) Emisso de eltron:
rb = en .N t . f ( Et )
(8.89)
Onde: en a probabilidade de emisso de eltron e f(Et) a probabilidade das armadilhas estarem ocupadas. Ou seja, a taxa de emisso de eltrons proporcional densidade de armadilhas ocupadas. c) Captura de eltron:
rc = vter . n .n.N t .[1 N ( Et )]
(8.90)
Onde vter a velocidade trmica dos eltrons e n a rea de seo de captura de eltron de armadilhas desocupadas e de nvel de energia Et. Segundo esta relao, a taxa de captura de eltrons pelas armadilhas proporcional ao produto da densidade de eltrons na banda de conduo e da densidade de armadilhas desocupadas. d) Captura de lacuna:
rd = vter . p . p. N t . f ( E t )
(8.91)
Onde p a rea de seo de captura de lacuna de armadilha ocupada e de nvel de energia Et. Tambm esta relao baseada no argumento intuitivo que a taxa de captura de lacunas deve ser proporcional ao produto da densidade de lacunas na banda de valncia e da densidade de armadilhas ocupadas. Podemos determinar as constantes de probabilidade de emisso de eltrons e de lacunas, en e ep respectivamente, considerando a condio de equilbrio trmico. Nestas condies valem as seguintes relaes: ra=rd rb=rc Substituindo nas igualdades acima, as expresses de Boltzmann das concentraes de eltrons e de lacunas e a funo de Fermi do nvel de energia Et:
f ( Et ) =
1 1+ e
( Et E F ) kT
(8.92)
obtm-se: a) en = v ter . n .ni .e ( E E ) kT

t i
(8.93) (8.93)
b) e = vter . p .ni .e ( Ei Et ) kT
Da relao (8.93) conclui-se que a probabilidade de emisso de eltrons aumenta exponencialmente com o nvel de energia Et, ou seja, aumenta se o nvel aproximarse mais do nvel da banda de conduo, EC. Analogamente, da relao (8.93) tem-se que a probabilidade de emisso de lacunas tanto maior quanto mais prximo o nvel Et estiver de EV. Estas duas observaes confirmam que as armadilhas mais eficientes no processo de gerao e recombinao so realmente os de nvel de energia Et prximo ao meio da banda, Ei, pois nesta situao o produto das duas probabilidades de emisso (de lacunas e de eltrons) mxima, correspondendo mxima probabilidade da ocorrncia dos dois processos em srie. Supondo agora o semicondutor fora de equilbrio trmico, no ser permitido usar as equaes de Boltzmann de concentraes de eltrons e de lacunas, mas assumido que as probabilidades de emisso de eltrons e de lacunas no sejam afetadas. Nestas condies e assumindo condio de regime estacionrio, podemos igualar a emisso lquida de eltrons emisso lquida de lacunas, ou seja, o nmero de eltrons chegando na banda de conduo deve ser igual ao nmero de eltrons saindo da banda de valncia: rb-rc = ra-rd A partir desta igualdade pode-se resolver uma expresso para a probabilidade de ocupao das armadilhas, vlido agora em condies fora de equilbrio e em regime estacionrio, obtendo-se:
f ' ( Et ) =
n .n + p . p.e ( E E ) kT n [n + ni .e ( E E kT ] + p [ p + ni .e ( E E ) kT ]
i t t i i t
(8.94)
Substituindo esta expresso da probabilidade de ocupao das armadilhas, nas expresses das emisses e de capturas de eltrons e de lacunas, podemos determinar a taxa lquida de recombinao atravs de armadilhas e em regime estacionrio, como sendo: U = rc-rb = rd-ra Efetuando as substituies nesta igualdade, resulta:
p . n .vter . N t [ pn ni2 ] U= n [n + ni .e ( E E ) kT ] + p [ p + ni .e ( E E ) kT ]
t i i t
(8.95)
Podemos simplificar ainda esta expresso assumindo que as reas de seo de captura de eltron (n) e de lacuna (p) sejam iguais (na realidades so da mesma ordem de grandeza). Neste caso teremos:
U = .vter . N t .
pn ni2 n + p + 2.ni . cosh(( Et Ei ) kT )
(8.96)
A expresso (8.96) mostra que a fora propulsora do processo de recombinao lquido de portadores a diferena do produto p.n em relao ao ni2, ou seja, o quanto o material est fora da condio de equilbrio. A taxa ser positiva quando o semicondutor estiver com excesso de portadores e ser negativa quando o semicondutor estiver depletado de portadores. A resistncia contra a recombinao ser mnima quando o nvel de energia da armadilha for prxima ao meio da banda, Ei, e quando a soma de eltron e de lacunas for mnima. Desta forma, sendo estas armadilhas no meio da banda proibida as mais efetivas no processo de recombinao lquido, podemos limitar a anlise a estas armadilhas. Nestas condies podemos reescrever (8.95) como segue:
pn ni2 U= p ( n + ni ) + n ( p + ni )
(8.97)
onde:
p =
1 p .N t
n =
1 n .N t
Na caso de termos condio de baixa injeo, de acordo com a definio dada acima, podemos simplificar a relao (8.97) para as seguintes: i) material tipo n:
U=
ii)
p n
(8.98)
material tipo p:
U=
n p
(8.99)
De forma anloga ao caso de gerao e recombinao por processo de transio direta banda a banda, tambm na transio via estados profundos, a taxa lquida de recombinao implica numa variao na concentrao dos portadores dada por:
dp dn = = U dt dt
(8.100)
sendo U dado pelas relaes (8.98) ou (8.99), no caso de valerem as condies de baixo nvel de injeo. Como a variao da concentrao dos majoritrios relativamente desprezvel, na grande maioria dos caso s interessa considerar a variao da concentrao dos minoritrios pela equao diferencial simples (8.100). Com o intuito de esclarecer conceitos expostos acima, vamos supor que um semicondutor tipo n apresente uma perturbao inicial na sua concentrao de portadores pn = nn > 0, dentro dos limites da condio de baixa injeo e que a fonte da perturbao seja desligada neste instante. A partir deste instante, o semicondutor tender a retornar condio de equilbrio, pela recombinao do excesso dos portadores, seguindo a equao (8.100), cuja soluo neste caso ser uma funo exponencial no tempo, dada por:
p n (t ) = pn (t = 0).e
t p
(8.101)
A Fig. 8.32 ilustra este caso de estudo. O tempo de vida de portadores minoritrios pode ser interpretado como sendo o tempo mdio que um excesso de portadores minoritrios sobrevive num mar de majoritrios. No caso da equao (8.101) tem-se que, aps um tempo igual ao tempo de vida dos minoritrios, a concentrao do seu excesso reduz-se de um fator e. Temos das relaes em (8.97) que o tempo de vida varia inversamente com a densidade de estados profundos, ou seja, varia com a perfeio cristalina e pureza do material semicondutor. Seus valores podem variar de muitas ordens de grandeza, desde ns at ms. A Fig. 8.33 mostra a variao do tempo de vida de lacunas em Si tipo n com contaminao varivel de Au. O Au introduz um nvel profundo como mostrado na Fig. 8.30, e, quanto maior sua densidade, menor o tempo de vida. A introduo de Au em Si era muito usada em circuitos digitais em tecnologia bipolar chamada TTL, com o intuito de reduzir o tempo necessrio para cortar o transistor, ou seja, o tempo gasto para remover a carga armazenada na base no instante da transio do transistor do estado on para o estado off. A grande maioria dos CIs modernos feitos em tecnologia MOS, requer baixas correntes de fuga das junes, e para isto necessrio que o material apresente altssimo tempo de vida de portadores. Isto significa o emprego de tcnicas de processamento que resultem em alta perfeio cristalina e ausncia de contaminao. comum ainda o uso de tcnicas de gettering, que significa a criao de regio com defeitos localizados longe o suficiente da superfcie, onde se encontram os dispositivos. Estes defeitos atuam como centros sorvedouros de contaminantes metlicos, limpando assim as regies dos transistores em si. Com estes procedimentos, obtm-se tempos de vida
na faixa dos mili-segundos ou maiores, conforme dados experimentais do prprio autor (J.E.S.,1981).
Fig. 8.32 Ilustrao esquemtica da situao interna de semicondutor com perturbao momentnea na concentrao dos portadores em condio de baixo nvel de injeo A superfcie do semicondutor deve ser tratada como uma regio especial, dada que ela nica e por apresentar uma densidade de estados relativamente alta dentro da sua banda proibida. Como conseqncia, a taxa lquida de recombinao na superfcie sempre alta. Ao invs de usar o termo de tempo de vida de portadores numa camada fina junto superfcie, conveniente definir uma velocidade de recombinao superficial de portadores, S0, dado por:
S 0 = .v ter . N st
(8.102)
onde Nst a densidade efetiva de estados de superfcie. Usando esta definio, a relao (8.96) pode ser reescrita na seguinte forma para a regio da superfcie (considerando apenas os estados em E = Ei):
U S = .vter . N st .
p s .n s ni2 ps .n s ni2 = S0 . n s + p s + 2.ni n s + p s + 2.ni
(8.103)
Fig. 8.33 Relao entre concentrao de Au em Si tipo n e o tempo de vida dos seus portadores minoritrios. Os ndices s nas concentraes referem-se s concentraes de portadores na superfcie. Por meio de uma estrutura de um capacitor MOS possvel variar as concentraes dos portadores na superfcie do semicondutor, pela variao da polarizao do eletrodo de porta, VG (ver captulo 10). Como conseqncia observa-se uma variao da corrente reversa de um diodo como mostrado na Fig. 8.34. Dos degraus na corrente, associados a mudanas nas condies de superfcie do semicondutor, pode-se determinar o valor de S0. Valores menores que 1 cm/s podem ser obtidos, sendo que quanto melhor a qualidade da superfcie, menor o seu valor. Cuidados especiais no processamento dos circuitos integrados so necessrios, para resultar em superfcie sem contaminao de impurezas e de alta qualidade da terminao do cristal e sua transio com a camada isolante.
Fig. 8.34 Estrutura de diodo pn controlado por porta MOS e curvas de corrente reversa versus tenso aplicada porta (trabalho do autor, S.S.E., 1983).
8.8 Equaes de Estado de Semicondutores

As aes dos portadores ou mecanismos de transporte podem ocorrer ao mesmo tempo. Assim, a determinao do estado de um sistema semicondutor s pode ser determinado se considerarmos o efeito combinado das mesmas. O equacionamento conjunto destas aes leva ao desenvolvimento das equaes de estado, ou seja, as equaes bsicas necessrias para determinar o estado do semicondutor. Estas equaes, juntamente com a lei de Gauss, permitem resolver muitas das questes encontradas em semicondutores e dispositivos fabricados com os mesmos.
8.8.1 Equao de Continuidade Cada ao de portadores pode causar uma alterao na variao da concentrao de portadores no espao e no tempo. Assim, uma variao na
concentrao de portadores deve ser expressa como a soma das contribuies de todos as possveis aes, dada abaixo:
n n n n n + + + = t t der t dif t R G ,ter t outros p p p p p + + + = t t der t dif t R G ,ter t outros
(8.104)
(8.105)
onde outros refere-se soma de todas as outras possveis aes, tais como gerao de portadores por luz ou outro tipo de radiao, gerao de portadores por efeito piezoeltrico, transporte por tunelamento, emisso terminica, gerao de portadores por impacto, etc. A equao de continuidade dos dois portadores significa que s pode haver variao na concentrao de portadores num ponto, atravs dos mecanismos de transporte e de gerao e recombinao de portadores, baseado no princpio de conservao de portadores. Consideremos por simplicidade apenas as aes de transporte por deriva e por difuso. Neste caso, podemos expressar a contribuio destas duas aes na equao da continuidade atravs da seguinte relao:
1 n n = .. J n + t der t dif q
p p 1 + = ..J p t der t dif q

(8.106)
(8.107)
O raciocnio usado no estabelecimento da relao (8.106) o seguinte. Considerando um volume infinitesimal do semicondutor, com uma dada densidade de corrente J1 entrando no mesmo, e uma densidade de corrente J2 saindo, teremos uma variao na concentrao de eltrons dada pela diferena das duas densidades de corrente. Se J2 for maior que J1, significa que a quantidade de eltrons entrando no volume maior que a quantidade de eltrons saindo (lembre-se que o fluxo de eltrons no sentido contrrio ao do sentido da densidade de corrente), como conseqncia, haver um aumento na concentrao de eltrons no volume. Raciocnio anlogo deve ser usado para justificar a expresso (8.107), com a ressalva de que no caso da densidade de corrente de lacunas, esta tem o sentido na mesma direo ao do fluxo das lacunas. Como conseqncia, teremos um aumento na concentrao de lacunas quando a densidade de corrente J1 (entrando) for maior que a densidade de corrente J2 (saindo). Isto significa o sinal negativo expresso na relao (8.107). Substituindo as relaes (8.106) e (8.107) nas relaes da equao de continuidade, respectivamente (8.104) e (8.105), resulta: n 1 n n = ..J n + + t q t R G ,ter t outros
(8.108)
p p 1 = ..J p + q t t
+
R G ,ter
p t
(8.109)
outros
As equaes de continuidade nas formas (8.108) e (8.109) so totalmente genricas e podem ser usadas na determinao de solues de n(x,y,z,t) e p(x,y,z,t) em problemas de estudo de fenmenos e dispositivos. A resoluo requer, no entanto, que sejam conhecidas e substitudas expresses para os termos R-G,ter e outros. Normalmente, a resoluo obtida por mtodos numricos usando programa de computador. 8.8.2 Equaes de Difuso de Portadores Minoritrios As duas formas da equao da continuidade dadas em (8.108) e (8.109) podem ser simplificadas e apresentar solues analticas se forem vlidas certas condies, listadas abaixo. Estas condies e conseqentes simplificaes permitem transformar as equaes de continuidade nas equaes chamadas equaes de difuso de portadores minoritrios, como veremos a seguir. As condies assumidas so: o sistema em estudo pode ser considerado unidimensional a anlise limitada a portadores minoritrios o campo eltrico na regio em anlise pode ser aproximado a zero a concentrao de equilbrio dos portadores minoritrios no varia com x. as condies de baixo nvel de injeo so vlidas o termo outros (variao da concentrao de portadores por outros processos) limitado gerao de portadores por luz, ou seja, no ocorrem os outros processos, exceto possivelmente, incidncia de luz. Considerando as condies expostas, podemos introduzir as seguintes simplificaes nas expresses associadas equao da continuidade, assumindo o caso de material tipo p, ou seja, os minoritrios sendo eltrons:
1 1 J ..J n = . n q q x
J n = q. n .n. + q. Dn .
(sistema unidimensional)
n n q. Dn . x x
(campo eltrico ~ 0)
n n0 n n = + = x x x x
(n0 no varia com x)
n t
=
R G ,ter
(baixo nvel de injeo) (outros inclui apenas luz, sendo GL a taxa de ftons incidentes e absorvidos com gerao de pares eltron-lacunas; logicamente GL ser nula, no caso de material no iluminado)
n = GL t outros
n n0 n n = + = t t t t
(n0 no pode variar no tempo)
das primeiras 3 simplificaes acima obtemos ainda:
1 2 n ..J n = Dn . q x 2
Substituindo estas relaes simplificadas acima na equao da continuidade (8.108) para eltrons em material tipo p, obtemos:
n p t = Dn . 2 n p x
2
n p
+ GL
(8.110)
Um procedimento anlogo nos leva equao de difuso de portadores minoritrios para lacunas, em material tipo n:
2 p n pn pn + GL = Dp . x 2 t p
(8.111)
8.8.3 Simplificaes e Solues Especficas das Equaes de Difuso de Portadores Minoritrios Apresentaremos a seguir simplificaes possveis das equaes de difuso de portadores minoritrios em alguns casos particulares de interesse e suas solues. Estas simplificaes e solues particulares so de grande utilidade na anlise e resoluo de muitos problemas relativos a dispositivos e/ou fenmenos em semicondutores. i) Simplificaes:
a) Caso de estado estacionrios:
n p t
= 0 , ou,
pn =0 t
b) Sem gradiente de concentrao:
Dn
2 n p x 2
= 0 , ou, D p n p
2 p n =0 x 2 p n =0
c) Sem R-G trmico: d) Sem luz:
= 0 , ou,
GL = 0
ii)
Solues de casos particulares: (usamos como exemplo material tipo p ou minoritrios de eltrons; caso de material tipo n similar)
a) Caso de estado estacionrio e sem luz: Equao:

0 = Dn . 2 n p x
2
n p
Soluo:
n p ( x ) = A.e x Ln + B.e x Ln
A e B so constantes a serem determinadas pelas Ln Dn . n , Onde: condies de contorno do problema. b) Caso sem gradiente de concentrao e sem luz: Equao:
n p t
n p
Soluo:
n p (t ) = n p (0).e t n
c) Caso de estado estacionrio e sem gradiente de concentrao: Equao: Soluo:
0=
n p
+ GL
n p = GL . n
c) Caso de estado estacionrio, sem R-G trmico e sem luz: Equao: Soluo:
0 = Dn .
2 n p x 2
n p ( x ) = A + B. x
Onde A e B so constantes a serem determinadas pelas condies de contorno do problema. 8.8.4 Lei de Gauss Alm da equao de continuidade, ou da sua derivao na equao de difuso de portadores minoritrios, em muitos casos h necessidade tambm da lei de Gauss para a completa determinao do estado do semicondutor. Sobretudo na determinao do campo eltrico e do potencial interno do semicondutor, a lei de Gauss essencial, como ficar claro no desenvolvimento do captulo 10, onde
estudaremos vrios tipos de junes. Os leitores j devem conhecer a lei de Gauss de disciplina de eletromagnetismo. Reproduzimos a seguir a lei de Gauss com intuito de record-la, dada sua importncia para o estudo de dispositivos semicondutores. A lei de Gauss estabelece que a integral da densidade de fluxo eltrico normal superfcie sobre uma superfcie fechada iguala-se integral da densidade de carga eltrica, , no volume interno superfcie. Matematicamente ela expressa como:
S
D.ds =

.dv
Ela ainda pode ser expressa na forma equivalente diferencial dada em (8.113), que uma das equaes de Maxwell de eletromagnetismo:
.D =
Em semicondutores, o interesse maior pelo campo eltrico e no pelo vetor de fluxo eltrico. Desta forma, conveniente substituir o vetor D pelo campo vetor de campo eltrico, de acordo com a relao (8.114), vlido para meios isotrpicos com constante dieltrica s:
D = s.
Efetuando esta substituio em (8.113) resulta:
. =
Lembrando agora que por definio de potencial eltrico, V, este relaciona-se com o campo eltrico pela relao abaixo:
= V
Substituindo (8.116) em (8.115) obtemos:
2V =
A relao (8.117) chamada de equao de Poisson. Esta relao equivalente equao diferencial da lei de Gauss e ela pode ser usada para determinar o campo eltrico e o potencial eltrico versus posies x, y e z, se a distribuio de densidade de cargas for conhecida.
8.8.5 Exemplos de resoluo de Problemas Com o intuito de facilitar a absoro dos conceitos apresentados neste item a ganhar familiaridade na resoluo de problemas de semicondutores, apresentaremos neste item 2 problemas e suas solues:
(8.112)
(8.113)
(8.114)
(8.115)
(8.116)
(8.117)
a) Problema no 1: Seja um semicondutor fino de Si, tipo n com dopagem uniforme de doadores igual a 1015 cm-3 e temperatura de 300 K. No instante t=0, uma fonte de luz ligada e isto resulta na gerao de 1017 pares de eltron-lacunas cm-3s-1, uniformemente ao longo de todo semicondutor. Assumindo que o material tenha tempo de vida de minoritrios de 10-6 s, determine a funo pn(t) para t>0. Este um problema tpico para ser resolvido pela equao de difuso de portadores minoritrios. Antes de usar esta equao, no entanto, devemos verificar se as premissas adotadas para a mesma sejam satisfeitas, ou seja: O problema limita-se a portadores minoritrios. A concentrao de portadores de equilbrio constante. Isto satisfeito dado que a concentrao de dopantes constante. O termo outros na equao limita-se ao processo de gerao por luz. O problema no cita outras fontes. O campo eltrico nulo. Falta ver se a condio de baixo nvel de injeo satisfeita. Devemos assumir esta condio a priori e verificar se est correta aps termos a soluo determinada. Agora, antes de escrever a equao (8.111), devemos verificar as possveis simplificaes que podem ser aplicadas. Como o enunciado afirma que a gerao de pares eltrons-lacunas uniforme ao longo de todo semicondutor, teremos que pn(x,y,z) ser tambm uniforme. Como estamos interessados na soluo unidimensional, usaremos ento que pn(x) constante. Como resultado temos que:
Dn .
2 n p x 2
=0
Introduzindo esta simplificao na relao (8.111), temos:
pn p = n + GL p t
A soluo genrica desta equao diferencial :
pn (t ) = G L . p + A.e
t p
Como condio de contorno temos que no instante t=0, pn(0)=0. Esta condio determina o valor de A como sendo: A = -GL.p. Com este valor de A, podemos escrever a soluo como sendo:
p n (t ) = G L . p (1 e
t p
A Fig. 8.35 mostra o grfico da soluo, ou seja, ao ligarmos a fonte de luz resulta um aumento exponencial do excesso de portadores, sendo que o mesmo satura aps um certo intervalo de tempo (algumas vezes a constante de tempo de vida) num valor dado pelo produto GL.p. Falta verificar se a soluo pode ser aceita como correta, ou seja, se realmente a condio de baixo nvel de injeo satisfeita. Efetuando as contas obtm-se GL.p =1017 x 10-6 = 1011 cm-3. Este resultado indica que o excesso
de portadores minoritrios sempre muito menor que a concentrao de portadores majoritrios, e portanto, a condio de baixo nvel de injeo satisfeita e portanto a soluo obtida correta.
Fig. 8.35 Soluo do problema no 1, mostrando a variao do excesso de portadores gerados versus tempo, aps ligar uma fonte de luz. b) Problema no 2: Num semicondutor de Si semi-infinito, com dopagem tipo n uniforme com ND=1015 cm-3, incide-se luz com absoro apenas na sua superfcie (Fig. 8.36a), tal que pn(x=0) = pn0 = 1010 cm-3. Determine a funo pn(x). Novamente, trata-se de problema tpico para ser resolvido pela equao de difuso de portadores minoritrios. Inicialmente chequemos se as premissas para a equao so satisfeitas: um problema unidimensional. restrito a portadores minoritrios. No h outros processos de transporte e de gerao e recombinao, alm da gerao por luz. satisfeita a condio de baixo nvel de injeo, tendo em vista que pn,MAX = 1010 cm-3, o que muito menor que nn0 = 1015 cm-3. Falta verificar se o campo eltrico nulo. Temos um aumento na concentrao de portadores na superfcie, porm satisfazendo a condio de baixo nvel de injeo, ou seja, temos pn(x)<<nn0. Assim, considerando a expresso de densidade de carga, resulta: = q.(p n + ND) 0. Substituindo este valor de densidade de carga na expresso (8.115), resulta um campo eltrico nulo para qualquer posio x. Podemos assim concluir que a equao de difuso de portadores minoritrios valida e que deve ser resolvida. O prximo passo verificar as possveis simplificaes que se aplicam no problema. Podemos adotar a condio de estado estacionrio, tendo em vista que o problema no mencionou nada sobre o tempo, indicando tratar-se de uma situao estacionria. Alm disto podemos adotar GL = 0 para x > 0, tendo em vista que h absoro de luz apenas na superfcie do semicondutor. Desta forma, para x > 0, podemos reescrever a equao (8.111) na seguinte forma:
2 p n pn 0 = Dp . x 2 p
Como soluo geral desta equao diferencial temos:

p n ( x ) = A.e
x Lp
+ B.e
x Lp
Onde L p = D p . p . As constantes A e B devem ser determinadas a partir das seguintes condies de contorno: pn(x=0+) = pn(x=0) = pn0 = 1010 cm-3 pn(x=) = 0 Estas condies de contorno resultam em: B=0 A = pn0 A soluo do problema portanto:
p n ( x ) = pn 0 .e
x Lp
O grfico da soluo mostrado na Fig. 8.36b. Este exemplo mostra que, se tivermos uma fonte pontual de excesso de portadores em x = 0, teremos um decaimento exponencial do excesso de portadores com a distncia, com comprimento caracterstico de decaimento dado por Lp, como resultado dos processos de difuso e de recombinao deste excesso de portadores.
Fig. 8.36 a) Ilustrao do enunciado do problema no 2 e b) o grfico da soluo do problema, com a variao do excesso de portadores versus distncia a partir da superfcie do semicondutor. 8.9 Conceitos Complementares Apresentaremos neste item 3 conceitos complementares relacionados ao estado do semicondutor, ou seja, o significado do conceito de comprimento de difuso, determinao da corrente de difuso de minoritrios a partir das solues da distribuio do excesso de minoritrios e o conceito de nveis de energia de quaseFermi.
i)
Comprimento de Difuso
bem comum encontrarmos uma situao similar ao do problema no 2 do item anterior, ou seja, a injeo de excesso de portadores minoritrios em posio definida como x = 0, a difuso dos mesmos para a regio de x > 0 e sua recombinao concomitante, resultando numa soluo com decaimento exponencial em x com comprimento caracterstico dado por Lp. Este comprimento caracterstico de decaimento chamado de comprimento de difuso de minoritrios, e dados por:
L p D p . p Ln Dn . n
para lacunas para eltrons
(8.118) (8.119)
Fisicamente, o comprimento de difuso de portadores minoritrios representa a distncia mdia que portadores minoritrios conseguem difundir-se num mar de majoritrios, at serem aniquilados por processo de recombinao trmica. Por definio de posio mdia de excesso de portadores (lacunas como exemplo) temos a relao:
Substituindo a soluo do problema no 2 na relao (8.118) obtm-se tambm o comprimento de difuso Lp, de acordo com a interpretao fsica dada acima. Uma analogia, embora ttrica, muitas vezes apresentada, a seguinte: suponha uma boiada tentando atravessar um rio no pantanal cheio de piranhas. Nesta situao observa-se uma reduo gradual no nmero de bois com a distncia da margem inicial do rio. A distncia mdia que os bois conseguem sobreviver no rio seria uma analogia do comprimento de difuso minoritrios, dos portadores minoritrios difundindo-se num mar de portadores majoritrios. Como indicao da ordem de grandeza de comprimentos de difuso de minoritrios temos valores tpicos de 10 a 1000 m. Como exemplo, consideremos um material tipo n com ND = 1015 cm-3 e tempo de vida p = 1 s. dopagem dada, corresponde uma mobilidade de lacunas de 458 cm2/V.s (ver Fig. 8.22), e correspondentemente, uma constante de difuso dado por Dp = 0.0259 x 458 cm2/s (relao 8.82). Substituindo estes valores em (8.118) resulta Lp = 35 m. ii) Corrente de Difuso de Portadores Minoritrios
Como citado acima, muito comum ter-se uma distribuio de excesso de portadores minoritrios como dado na soluo do problema no 2 do item anterior. Um exemplo prtico onde ocorre tal situao nas regies neutras de um diodo pn, a partir das bordas das regies de depleo internas da juno, como mostrado no lado p do diodo da Fig. 8.37. O entendimento mais detalhado do diodo pn ser apresentado no captulo 10. Por ora iremos aceitar os seguintes resultados:
< x >=
x.pn ( x ).dx
pn ( x ).dx
(8.120)
O diodo apresenta uma regio interna, chamada de depleo, com campo eltrico e potencial interno As regies fora da regio de depleo continuam neutras, ou seja com a densidade de cargas total nula. Pela polarizao direta do diodo, sero injetados portadores minoritrios na regio p, oriundos do lado n. aceita a seguinte condio de contorno para o excesso de portadores minoritrios em x =0 (borda da regio de depleo no lado p), dado pela chamada lei do diodo: n p (0) = n p 0 (e q.Va kT 1) (8.121) onde va a tenso direta aplicada no diodo. Como condio de contorno para x = , tem-se np() = 0. Com as condies de contorno dados acima e a soluo do problema no 2, resulta a seguinte distribuio de portadores minoritrios na regio p, a partir da borda da regio de depleo:
n p ( x ) = n p 0 (e q.Va
kT
1).e x Ln
(8.122)
Fig. 8.37 a) Ilustrao das regies de um diodo n+p, com uma regio de depleo interna e regies neutras a partir das bordas da primeira e b) distribuio do excesso de portadores minoritrios no lado p. Dada a distribuio de portadores minoritrios acima, podemos determinar a corrente de difuso dos mesmos pela relao (8.68). Fazendo a substituio de (8.122) em (8.68) e efetuando o clculo, obtm-se:
J n (0) = q. Dn . dn p dx
x =0
q. Dn q.Va (e Ln
kT
1)
(8.123)
O resultado da expresso (8.123) parte da expresso da corrente de um diodo, como ser mostrado em maior detalhe no captulo 10. O exposto acima visa sobretudo, mostrar a importncia e utilidade do conhecimento da resoluo da equao de difuso de minoritrios para a determinao do estado do semicondutor
para sua posterior utilizao em terminao do funcionamento de dispositivos, como por exemplo a corrente de um diodo. iii) Nveis de Quase-Fermi
Foi exposto anteriormente que as funes estatsticas, de distribuio de eltrons nos estados qunticos, s se aplicam em casos de equilbrio trmico, e como conseqncia, nveis de Fermi s tem sentido quando o material estiver em equilbrio trmico. Assim, como na maioria das aplicaes de dispositivos semicondutores, estes encontram-se em condies fora de equilbrio, no ser permitido usar o nvel de Fermi como referncia para as funes estatsticas. Para contornar este problema, define-se nveis de quase-Fermi, um para cada tipo de portador. Os nveis de quaseFermi so definidos como nveis tais que, substituindo o nvel de Fermi nas expresses de Boltzmann, estas relacionam corretamente as concentrao de eltrons e de lacunas, estando o material fora de equilbrio trmico. Ou seja, conhecendo-se as concentraes de eltrons e lacunas podemos determinar os nveis de quase-Fermi. A Fig. 8.38 apresenta diagramas de bandas a) de um semicondutor em equilbrio e b) de um semicondutor fora de equilbrio, com indicao dos nveis de quase-Fermi de eltrons, FN, e de lacunas, FP. As expresses (8.124) e (8.125) repetem as expresses de Boltzmann vlidas em condies de equilbrio, enquanto que as expresses (8.126) e (8.127) so as expresses de Boltzmann, vlidas fora da condio de equilbrio, usando as definies dos nveis de quase-Fermi.
Fig. 8.38 Exemplos de uso de nveis de Fermi e de quase-Fermi em diagramas de bandas de semicondutor tipo n, a) em equilbrio trmico e b) em condio fora de equilbrio trmico.
n = ni .e
( EF Ei )
kT
(8.124) (8.125) (8.126) (8.127)
p = ni .e n = ni .e
( Ei E F )
kT
( FN Ei )
kT
p = ni . e
( Ei FP )
kT
A partir das expresses (8.126) e (8.127) podemos determinar os nveis de quaseFermi de eltrons e de lacunas como sendo:
FN Ei + kT . ln
n ni
(8.128)
FP Ei kT . ln
p ni
(8.129)
Quando um sistema semicondutor retornar sua condio de equilbrio, tem-se que ambos os nveis de quase-Fermi retornaro ao nvel de Fermi. Comparando os diagramas de bandas da Fig. 8.38, pode-se concluir que o semicondutor com diagrama da Fig. 8.38b encontra-se em condio de baixo nvel de injeo. Esta concluso deve-se ao fato do nvel de quase-Fermi dos majoritrios coincidir com o nvel de Fermi de equilbrio e que a distncia (FN Ei) continuar relativamente maior que a distncia (Ei FP). Deste ltimo fato tem-se que a concentrao dos portadores minoritrios continua bem menor que a concentrao dos portadores majoritrios. Tendo apresentado o conceito bsico dos nveis de quase-Fermi podemos discutir algumas conseqncias resultantes da sua definio: a) Tambm j foi apresentado anteriormente que o produto pn iguala-se a ni2 apenas quando o semicondutor estiver em equilbrio trmico. Agora, com a definio dos nveis de quase-Fermi podemos estabelecer uma relao vlida genericamente. Efetuando o produto pn pelas expresses (8.126) e (8.127) obtm-se:
pn = ni2 .e ( FN FP ) kT
(8.130)
b) Novas expresses de densidade de corrente de eltrons e de lacunas podem ser desenvolvidas a partir das definies dos nveis de quase-Fermi. Temos a corrente de lacunas dada pela expresso (8.71):
J P = q. P . p. q.DP .p
(8.131)
O gradiente da concentrao de lacunas pode ser obtido a partir de (8.127), resultado em:
p = ni ( Ei FP ) kT p .e .(Ei FP ) = .(Ei FP ) kT kT
(8.132)
Da relao (8.64), na sua forma genrica, temos que:
1 .Ei q
(8.133)
Substituindo (8.133) em (8.132) resulta:

p = q. p p . .FF kT kT
(8.134)
Substituindo agora (8.134) em (8.131) temos:
J p = q.( p
q.D p kT
). p. +
q.D p kT
. p.FP
(8.135)
Temos da relao de Einstein (8.82) que:
q.D p kT
= p
(8.136)
Pela substituio de (8.136) em (8.135) temos:

J p = p . p.FP
(8.137)
De forma anloga, deduz-se relao similar para densidade de corrente de eltrons, dada por: J n = n .n.FN (8.138)
As relaes (8.137) e (8.138) mostram que corrente lquida de lacunas ou de eltrons existe apenas quando houver um gradiente no nvel de quase-Fermi de lacunas ou de eltrons, respectivamente. Como gradientes dos nveis de quase-Fermi existem apenas para o semicondutor fora do equilbrio trmico, existe corrente lquida de portadores apenas neste caso. Inversamente, podemos concluir que um semicondutor em equilbrio trmico no pode ter corrente lquida de lacunas e/ou de eltrons. c) Exemplo de aplicao dos nveis de quase-Fermi ao problema no 2 do item 8.8.5. Tnhamos como soluo do problema as seguintes concentraes dos portadores:
p n = pn 0 + p n ( x ) = pn 0 + pn 0 .e
x Lp
n n = n n 0 + n n ( x ) n n 0 onde tnhamos: nn0 = 1015 cm-3, pn0 = 105 cm-3 e pn0 = 1010 cm-3. A partir destas distribuies de portadores e das relaes anteriores relacionadas aos nveis de quase-Fermi podemos realizar as seguintes anlises: c1) Estabelecer relaes para os nveis de quase-Fermi: Os nveis de quase-Fermi podem ser determinados diretamente das relaes (8.128) e (8.129). Desta forma, com base nas distribuies de portadores acima, obtemos: FN Ei + kT . ln n n Ei + kT . ln n 0 = E F ni ni

FP E i kT . ln
p p p x L = Ei kT . ln n 0 + n 0 .e p ni ni ni
No intervalo prximo origem do eixo x, temos que pn(x) >> pn0. Enquanto for vlida esta desigualdade podemos aproximar a expresso do nvel de quase-Fermi de lacunas como:

Esta relao mostra que, prximo origem, o nvel de quase-Fermi de lacunas varia linearmente com a distncia. c2) Desenhar os diagramas de banda com base nos nveis de Fermi e de quase-Fermi a) em condio de equilbrio e b) for a de equilbrio, sob iluminao: Com base nos dados do problema no 2 e nas expresses dos nveis de quase-Fermi estabelecidos acima, podemos calcular os seguintes dados relativos aos diagramas de bandas: Calculando o nvel de quase-Fermi FP em x = 0, obtemos: FP = Ei. Para x > 0 mas prximo origem foi mostrado que FP aumenta linearmente com x. No caso de x muito elevado (x = ) obtemos do clculo de FP:

Com estes dados podemos desenhar os diagramas de bandas em equilbrio e no caso fora de equilbrio, sob iluminao, como mostrado na Fig. 8.39.
Fig. 8.39 Diagramas de banda do Si relativo ao problema no 2 do texto, a) em condio de equilbrio e b) em condio fora de equilbrio, sob iluminao constante da sua superfcie. c3) Anlise sobre densidades de corrente em regime estacionrio: Vemos da Fig. 8.39b e da anlise acima que o nvel de quase-Fermi de lacunas varia prximo superfcie do Si iluminado. Como FP no constante, temos da relao (8.137) que existe corrente lquida de lacunas no sentido positivo, ou seja, partindo da superfcie. Para x muito elevado no entanto, o nvel de quase-Fermi tende ao nvel de Fermi de equilbrio, com gradiente nulo. Assim devemos nos perguntar se isto resultar num acmulo de lacunas em x = . Para responder a esta questo, vejamos primeiramente o que acontece com a corrente lquida de eltrons. Da relao (8.138) podemos calcular esta densidade de corrente. Como o nvel de quase-Femi de
FP = E i kT . ln
p n 0 p n 0 L p p + .e E i kT . ln n 0 = E F ni ni ni
FP E i kT . ln
p n 0 x L p p x .e = E i kT . ln n 0 + kT . ni ni Lp
eltrons, FN, aproximadamente constante, seu gradiente aproximadamente nulo. Acontece que neste caso o gradiente, mesmo quase nulo, multiplicado pela concentrao dos portadores majoritrios, que muito alta. O produto destes dois fatores pode resultar num valor finito no nulo. Na verdade devemos ter uma densidade de corrente de eltrons de igual valor ao da densidade de corrente de lacunas e de sentido oposto, tal que as duas correntes se cancelem:
J ( x) = J p ( x) + J n ( x) = 0
Apenas nestas condies podemos estar em condies estacionrias. O acmulo contnuo e crescente de cargas numa regio do semicondutor no corresponde a uma condio de regime estacionrio. Portanto, teremos um fluxo igual de eltrons e de lacunas a partir da superfcie, sendo que os mesmos so gradualmente reduzidos pelo processo de recombinao, at alcanarem concentraes iguais aos seus valores de equilbrio e ambos fluxos de corrente se anularem.
8.10 Caracterizao de Semicondutores.

No captulo 5 citamos vrias medidas de caracterizao de semicondutores usadas para qualificar os cristais sintetizados. Agora, aps estudar os tpicos dos itens precedentes do presente captulo, o leitor est apto a entender vrias destas tcnicas de caracterizao. Incluem-se entre as propriedades mais importantes dos semicondutores, que devem ser caracterizadas, as seguintes: tipo de condutividade, concentrao dos portadores em equilbrio, mobilidade dos portadores, massa efetiva dos portadores, largura da banda proibida, nveis e densidades de estados dentro da banda proibida, tempo de vida dos portadores. Descrevemos abaixo algumas das tcnicas usadas para medir tais propriedades dos semicondutores. a) Medida de Ponta Quente: Esta tcnica permite determinar o tipo de condutividade do semicondutor e j foi descrito neste captulo, no item 8.7.2. b) Medida de Efeito Hall: Esta medida j foi discutida resumidamente no captulo 2, item 2.1 e ser apresentada em maior detalhe em seguida. Esta medida fornece as seguintes propriedades do semicondutor: tipo de portador majoritrio, concentrao do portador majoritrio e a mobilidade do mesmo. O efeito Hall foi descoberto em 1879 por Edwin Hall e baseiase na medida esquematizada na Fig. 8.40. Uma fonte de corrente faz passar corrente, por exemplo, na direo x. Sendo o material do tipo p, esta corrente ser essencialmente composta por fluxo de lacunas. O campo magntico aplicado, por exemplo na direo z, produz uma fora de Lorentz na direo y dada por:
F = q( v xB )

(8.139)
Como os vetores do campo magntico e da velocidade dos portadores so perpendiculares entre si por construo, o mdulo do produto vetorial da relao (8.139) dado pelo produto do mdulo dos mesmos:
F = q.v.B
(8.140)
Fig. 8.40 Ilustrao esquemtica da medida de efeito Hall de uma amostra tipo p. Uma corrente eltrica aplicada na direo x e um campo magntico aplicado na direo z, resultando no aparecimento da tenso Hall entre 2 terminais entre as faces opostas na direo y. A fora de Lorentz causa o desvio das lacunas na direo perpendicular ao plano do campo magntico com a velocidade e no sentido de y negativo na Fig. 8.40. Este desvio causa um acmulo de cargas positivas na face inferior da amostra e de carga negativa na face oposta. Estas cargas opostas armazenadas nas duas faces superior e inferior do bloco semicondutor produz o aparecimento de um campo eltrico, causando uma fora eltrica sobre as lacunas no sentido oposto ao do produzido pelo campo magntico. Em regime estacionrio as duas foras se igualam em mdulo, fazendo as lacunas fluir no plano horizontal, sem desvio na vertical. Impondo assim a fora na direo y igual a zero, resulta:
Fy = q(y + v. B ) = 0 y = B.v
(8.141) (8.142)
O campo eltrico constante em y resulta na tenso Hall dada por:

VH =
W
y .dy = W . B.v
(8.143)
onde W a largura da amostra de semicondutor na direo y. A velocidade v de deriva das lacunas pode ser obtida a partir da expresso da corrente de deriva:
I = q.W .t. p.v

onde t a espessura da amostra de semicondutor na direo z. Substituindo a velocidade v, obtida a partir de (8.144) em (8.143) resulta:
(8.144)
VH =
B.I q. p.t
(8.145)
Conhecendo-se o campo magntico e a corrente eltrica aplicados, bem como as dimenses W e t da amostra, a relao (8.145) permite determinar a concentrao p a partir da medida de VH. O sinal positivo ou negativo da tenso Hall indica o material ser do tipo p ou n respectivamente. A corrente eltrica passando pelo semicondutor causa o aparecimento de uma queda de tenso hmica, V, medidos em dois terminais na superfcie do semicondutor como indicado na Fig. 8.40. A partir desta medida podemos determinar a resistividade do material:
V = . S .I W .t
(8.146)
onde S a distncia entre os 2 contatos da medida V. A partir da relao (8.53) e das relaes (8.145) e (8.146) acima, obtemos a expresso que permite determinar a mobilidade das lacunas:
p =
1 1 S V = . . H q. . p B W V
(8.147)
Para material tipo n obtm-se expresses totalmente anlogas, com a diferena que a tenso Hall ser de sinal oposto. c) Medida de Absoro de Ressonncia Ciclotrnica: Esta medida permite determinar a massa efetiva dos portadores, como j descrito de forma geral na captulo 2, item 2.1. Sugerimos que o leitor reveja esta descrio geral dada, para maior compreenso das informaes a seguir. A Fig. 8.41 ilustra um esquema da montagem experimental da medida. O campo magntico fixo produz um movimento oscilatrio circular do eltron, tal que a fora magntica seja igual fora centrfuga:
q.v.B =
m * .v 2 R
(8.148)
onde R o raio do crculo descrito pelo eltron.
Fig. 8.41 Esquema da montagem experimental da medida de ressonncia ciclotrnica. O sinal de microondas sai do gerador, entra na porta 1 do circular e sai pela porta 2, atravessa a amostra, reflete no espelho, atravessa novamente a amostra, entra pela porta 2 do circulador e sai pela porta 3, chegando no receptor. Como a freqncia, f, de oscilao dada pela razo entre a velocidade tangencial e o permetro do crculo descrito pelo eltron, resulta:
= 2. . f =
v q. B = R m*
(8.149)
onde a freqncia angular. Quando a freqncia do sinal de microondas coincidir com a freqncia de oscilao magntica do eltron, temos o caso de ressonncia e o eltron nestas condies consegue absorver mais energia das duas fontes. Nestas condies, o receptor detecta um sinal menor de microondas que passa pela amostra, refletido no espelho e retorna. A medida realizada mantendo fixa a freqncia do sinal de microondas e variando-se gradualmente o valor do campo magntico. No caso da absoro do sinal pela ressonncia ciclotrnica, obtm-se a massa efetiva da partcula a partir da relao (8.149), dada por:
m* =
q.B
(8.150)
onde c a freqncia angular do sinal de microondas. A Fig. 8.42 apresenta um espectro de absoro do sinal de microondas versus valor do campo magntico aplicado, para uma amostra de Ge. O espectro mostra 4 picos de absoro, que correspondem a 2 tipos de lacunas na banda de valncia e a 2 tipos de eltrons na banda de conduo, cada qual correspondendo ao pico, de mximo ou de mnimo, de uma curva ou regio de curva energia versus vetor de onda do seu
diagrama de bandas completo (Fig. 7.12). Esta medida experimental constitui um importante instrumento para confirmar informaes dos diagramas de bandas obtidos por clculos tericos de mecnica quntica. Alm da determinao da massa efetiva dos portadores, que corresponde ao inverso da derivada segunda da curva E x k do diagrama de bandas, tem-se informao sobre a densidade de portadores pela altura do pico da absoro do espectro. A largura dos picos de absoro apresenta relao com o tempo entre colises. Se no houvesse colises, o pico de absoro seria muito estreito, conforme a relao (8.150). Para reduzir o nmero de colises dentro do perodo de um ciclo, deve-se escolher um perodo de ciclo curto, ou seja, uma freqncia de sinal de RF alto, na faixa de microondas, bem como reduzir a temperatura da amostra. Pela reduo da temperatura reduzimos a vibrao dos tomos da rede cristalina e assim a freqncia de colises.
Fig. 8.42 Espectro de absoro versus valor do campo magntico na medida de ressonncia ciclotrnica de uma amostra de Ge. d) Medida de 4 Pontas: Por medida V I de 4 pontas podemos determinar a resistividade do material, como apresentado no item 8.7.1. Em seguida, podemos determinar a dopagem do semicondutor pela relao (8.53) ou (8.54), levando em conta a dependncia da mobilidade dos portadores com o nvel da dopagem conforme mostrado na Fig. 8.22. Um procedimento alternativo, equivalente e mais simples obter a dopagem diretamente pelo uso da Fig. 8.24. e) Medida da Condutividade versus Temperatura Esta medida permite determinar o valor da banda proibida, EG, do semicondutor. A condutividade dada pelo inverso da expresso da resistividade (8.52), ou seja:
= q.( n .n + p . p )
(8.151)
Como as concentraes de portadores varia com a temperatura, resulta uma correspondente variao na condutividade. A Fig. 8.15, apresentada no item 8.5, mostra a variao da concentrao de eltrons em material tipo n com a temperatura. Esta variao da concentrao de portadores explica em grande parte a variao da condutividade com a temperatura como a apresentada na Fig. 8.43. Para baixas temperaturas predomina o efeito do congelamento dos portadores. Na faixa
intermediria de temperatura, chamada de faixa extrnseca de temperatura, todos os dopantes esto eletricamente ativados, com a concentrao dos portadores majoritrios aproximadamente igual concentrao dos dopantes. Nesta faixa no entanto, observa-se uma reduo da condutividade, similar ao que ocorre nos metais, devido reduo da mobilidade dos portadores com a temperatura. Agora, ao aumentarmos a temperatura acima da faixa extrnseca, temos que a concentrao intrnseca de portadores torna-se considervel, tornando-se mesmo maior que o nvel da dopagem, como ilustrado na Fig. 8.15. Nesta faixa de temperatura, o semicondutor torna-se intrnseco e temos que:
Fig. 8.43 Curva tpica da condutividade de semicondutor extrnseco versus inverso da temperatura, em escala log linear. p n ni = f (T ) Das consideraes do item 8.5, temos que:
ni = A.( p + n )(T ) 3 2 .e EG
2 kT
(8.152)
onde A uma constante. Como a variao exponencial com temperatura muito maior que a variao polinomial da temperatura na expresso (8.152), teremos uma variao da condutividade aproximadamente exponencial com a temperatura, na faixa de alta temperatura (intrnseca). Desta forma temos que a inclinao da curva da condutividade nesta faixa de temperatura dada por: d (ln ) E = G 2k d (1 T ) (8.153)
A relao (8.153) mostra que a inclinao da curva de condutividade com a temperatura fornece diretamente o valor da banda proibida do semicondutor. e) Medida de Absoro ptica: A medida de absoro ptica outra medida que permite determinar o valor da banda proibida do semicondutor. Nesta medida, utiliza-se amostra bem fina de semicondutor para permitir a transmisso de luz atravs da mesma, como indicado na
Fig. 8.44a. Uma fonte de luz monocromtica, de freqncia varivel incide sobre o semicondutor, alinhado com um fotodetetor no outro lado da mesma. Para freqncias de luz com energia menor que o valor da banda proibida, o semicondutor transparente e o detetor indica alta fotocorrente, como indicado na Fig. 8.44b. Aumentando-se a freqncia da luz o semicondutor torna-se opaco a partir de certo valor. A freqncia limite para o incio da absoro da radiao pelo semicondutor est relacionada com o valor de EG como segue: h. f = EG (8.154)
Fig. 8.44 a) Esquema da montagem experimental da medida absoro ou transmisso de luz pelo semicondutor; b) Resultado de medida de transmisso de luz atravs de um semicondutor. Assim, a curva de absoro obtida fornece diretamente o valor de EG. Esta medida aplica-se muito bem a semicondutor que apresenta estrutura de banda do tipo direto, como ilustrado na Fig. 8.45a. Por outro lado, para semicondutor com diagrama de banda do tipo indireto, como ilustrado na Fig. 8.45b, a transio do eltron, da banda de valncia para a banda de conduo, bem menos provvel de ocorrer como j discutido no item 8.7.5. Como conseqncia, em semicondutor com estrutura de bandas do tipo indireta, a transio entre regio de transparncia e a regio com absoro bem mais gradual, tornando-se difcil determinar a freqncia limite e portanto a largura da banda proibida. f) Medida de Fotoluminescncia: A medida de fotoluminescncia fornece os nveis de energia de estados ou armadilhas de eltrons dentro da banda proibida. Nesta medida, o semicondutor excitado por meio de uma fonte de laser com freqncia de luz com energia maior que o valor de EG. A excitao provoca a transio de eltrons da banda de valncia para os vrios estados disponveis dentro da banda proibida, bem como para a banda de conduo. Em seguida, os eltrons excitados tendem a decair para seus estados
fundamentais, emitindo ftons com energia dada pela diferena entre a energia do estado e a energia do topo da banda de valncia, como ilustrado na Fig. 8.46. Medindo-se o espectro de radiao emitida pelo semicondutor excitado, obtm-se uma leitura direta dos estados ou armadilhas presentes dentro da banda proibida.
Fig. 8.45 Ilustrao de detalhe do processo de absoro de fton por eltron em semicondutor com diagrama de banda do tipo a) direto e b) indireto.
Fig. 8.46 Ilustrao dos diversos processos radiativos em semicondutor excitado por luz, em medida de fotoluminescncia. g) Medida de Fotocondutividade: A medida de fotocondutividade apropriada para a determinao do tempo de vida dos portadores. Uma fonte de luz, com comprimento de onda apropriada, incide sobre o semicondutor, pelo qual passado uma dada corrente eltrica, como mostrado na Fig. 8.47a. A luz incidente aumenta a concentrao dos portadores e como conseqncia, a condutividade do material, ou a corrente passando pelo circuito. Ao desligar-se a fonte de luz, a condutividade do material, ou a corrente eltrica pelo circuito, decai gradualmente (Fig. 8.47b), na mesma taxa da reduo da concentrao dos portadores do semicondutor. A taxa de reduo dos portadores diretamente relacionada com o tempo de vida dos
portadores, como discutido no item 8.8. Desta forma, o tempo de vida pode ser determinado a partir da taxa da reduo da corrente eltrica aps o desligamento da fonte de luz.
Fig. 8.47 a) Esquema do experimento de fotoconduo em semicondutor; b) curva da corrente, ilustrando o decaimento quando a fonte de luz desligada. No caso de um material semicondutor de um dado tipo, sem estrutura especial para separar os portadores minoritrios dos majoritrios, h necessidade de uma fonte de luz de alta intensidade para que tenhamos uma condio de alta injeo. Isto necessrio para que a variao da corrente seja significativa. No caso de condio de baixa injeo teremos variao significativa apenas na concentrao dos portadores minoritrios. Para detectar esta variao devemos dispor de estrutura especial que permita separar os portadores minoritrios dos majoritrios
Questes
8.1 A que principalmente devemos o sucesso dos semicondutores? 8.2 D exemplos de semicondutores compostos III-V, sendo 2 binrios e 2 ternrios. 8.3 Compare o "bandgap" entre o GaAs, InP, AlGaAs e InGaAs. Quais entre estes podem ter o mesmo parmetro de rede ? 8.4 Explique fisicamente porque o nmero de portadores minoritrios diminui com o nvel de dopagem. 8.5 Defina semicondutor intrnseco e extrnseco. 8.6 Indique a posio aproximada de estados associados s impurezas doadoras e aceitadoras. Justifique. Porque os representamos por linha tracejada e no contnua ? 8.7 Dado um diagrama de bandas de um semicondutor, com dada densidade de estados, e a probabilidade de ocupao dada pela funo de Fermi. Expresse a densidade de eltrons e de lacunas em funo destas relaes, justificando os limites de integrao. 8.8 Qual a motivao para usarmos a estatstica de Boltzmann ao invs da de Fermi? Qual a definio de semicondutor degenerado e no degenerado ? 8.9 Demonstre a partir das relaes de Boltzmann que o produto np igual a ni2 e qual a relao de ni com o parmetro EG do semicondutor e a temperatura. 8.10 D as relaes de concentraes de portadores para materiais tipo n e tipo p no degenerados. 8.11 A partir das relaes de Boltzmann, determine a posio do nvel de Fermi versus nvel de dopagem. 8.12 Use o modelo de bandas de energia em semicondutores e ilustre: a) um eltron, b) uma lacuna, c) posies de doadores, d) posies de aceitadores, e) congelamento de portadores majoritrios nos stios de doadores ao reduzirmos a temperatura em direo a 0 K, f) idem para aceitadores, g) a distribuio de portadores em energia na respectiva banda, h) um semicondutor intrnseco, i) um semicondutor tipo n, j) um semicondutor tipo p, l) um semicondutor degenerado, m) um semicondutor no degenerado. 8.13. Considere o nvel de Fermi em Ec e calcule a probabilidade de ocupao do estado em Ec + kT. 8.14. Considere um semicondutor no degenerado. Determine o nvel de energia nas bandas de conduo e de valncia onde o nmero de eltrons mxima. 8.15. Considere uma distribuio hipottica de estados nas bandas de conduo e de valncia, dados por: gc(E) = cte = Nc/kT p/ E > Ec gv(E) = cte = Nv/kT p/ E < Ev Desenvolva a relao de concentrao de portadores nas duas bandas em funo do nvel de Fermi. -3 8.16. Considere um semicondutor uniformemente dopado, NA = 1E15/cm . Qual a concentrao de portadores a 0 K, 300 K e 650 K ? Qual a posio do nvel de Fermi nestas mesmas temperaturas ? 8.17 Como varia o nvel de Fermi com a temperatura? Quais as relaes que devem ser usadas para determinarmos o nvel de Fermi a uma temperatura qualquer? 8.18 Porque em semicondutores teremos velocidade de deriva dos portadores proporcional ao campo eltrico e no uma acelerao dos portadores proporcional ao campo eltrico? 8.19 Sendo a mobilidade dada por: = q.tcol/(2.m*). Quais as dependncias fsicas da mobilidade?
8.20 Quais os dois tipos mais importantes de espalhamento de portadores em semicondutores? 8.21 Como varia a mobilidade com as temperatura? Explique qualitativamente por qu? 8.22 Como varia a mobilidade com as dopagem? Explique qualitativamente por qu? 8.23 Explique qualitativamente porque o tempo mdio entre espalhamento por impurezas aumenta com a temperatura. 8.24 Qual a razo entre a mobilidade eletrnica em Ge, Si e GaAs ? 8.25 Escreva a expresso da densidade de corrente de deriva. E da resistividade do semicondutor. 8.26 Qual a definio de resistncia de folha? Calcule a resistncia de uma camada semicondutora de 100 m de comprimento e de 20 m de largura, tendo como resistncia de folha 20 / . 8.27 Desenhe um diagrama de bandas de um semicondutor em equilbrio trmico, tipo n e com dopagem no constante. Abaixo deste, desenhe diagramas de potencial eltrico e outro de campo eltrico. 8.28 Por que ocorre a difuso de partculas? 8.29 D a expresso da corrente de difuso em semicondutor. 8.30 Explique a medida de ponta de prova quente para determinar o tipo de um semicondutor. 8.31 O que diz a relao de Einstein para semicondutores? 8.32 a) Uma amostra de Si possui dopagem uniforme com ND = 1016 cm-3 e mantido temperatura ambiente. Calcule a resistividade da amostra, usando a relao (8.54). Compare o resultado com dados da Fig. 8.24. b) Considere que a amostra do item a) tenha adicionado mais dopantes tipo p, com NA = 1016 cm-3. Recalcule a resistividade do material (cuidado com os valores das mobilidades dos portadores a serem usados). c) Calcule a resistividade de semicondutor intrnseco, sem dopagem. Compare o resultado com o do item b). d) Um resistor de Si tipo n, com rea de seo em corte de 10-2 cm2 e comprimento de 1 cm, apresenta resistncia de 500 . Determine a concentrao da dopagem. 8.33 Preencha a tabela abaixo com dados de interpretao do diagrama de bandas da Fig. P8.33. Portador Ecintica (eV) Epotencial (eV) Eltron 1 Eltron 2 Eltron 3 Lacuna 1 Lacuna 2 Lacuna 3
Figura do problema 8.33 8.34 Um dado semicondutor apresenta o diagrama de bandas, em condies de equilbrio, dado na Fig. P8.34. Dados EG = 1.12 eV, ni = 1010 cm-3, e kT = 0.0259 eV. a) Determine n em x = L/4, x = L/2, e x = 3L/4. b) Para que valores de x, se existir, devemos classificar o semicondutor como degenerado? c) Apresente curvas qualitativas da variao de n e p versus x. d) Apresente curvas esquemticas do potencial eltrico e do campo eltrico dentro do semicondutor. e) Sendo L = 10-2 cm, determine o valor do campo eltrico em x = L/2.
Figura do problema 8.34 8.35) Considere um semicondutor com o diagrama de bandas idealizado como na Fig. P8.35. Sendo dados: EG = 1.12 eV, ni = 1010 cm-3, kT = 25.9 meV, n = 1345 cm2/V.s, p = 458 cm2/V.s. a) Esquematize curva de potencial eltrico e do campo eltrico versus x (adote V = 0, em x = xa). b) Calcule a densidade de corrente eltrica de deriva de eltrons em x = xa e em x = xb. Qual o sentido destas mesmas correntes? c) Calcule a densidade de corrente de difuso de eltrons em x = xb e qual o sentido desta corrente? d) Calcule a densidade de corrente total em x = xb. Explique.
Figura do problema 8.35 8.36 Descreva o processo de gerao e recombinao (G-R) tipo banda a banda. Cite possveis fontes de energia envolvidas no processo. 8.37 Descreva o processo de G-R tipo indireto. 8.38 Qual a origem de estados com nveis prximo ao do meio da banda proibida? Por que estes so os mais efetivos para alterar as taxas de G-R ? 8.39 A densidade NT afeta a densidade de portadores em equilbrio ? E fora do equilbrio ? 8.40 Defina o conceito de baixa injeo. 8.41 Argumente porque a taxa de G-R trmico em baixa injeo, em material tipo p, dado por: - Cn x NT x n. 8.42 Qual o efeito do tempo de vida sobre a taxa de G-R trmico? Como define tempo de vida? Como pode se controlar ou alterar o tempo de vida? 8.43 O que representa a equao da continuidade? Descreva suas componentes. 8.44 Dada a equao de difuso de portadores minoritrios, qual a representao de cada termo ? 8.45 Dada a equao de difuso de portadores minoritrios, deduza as simplificaes possveis nos seguintes casos: a) estado estacionrio b) ausncia de gradiente de portadores minoritrios c) ausncia de campo eltrico, d) ausncia de R-G trmico e) ausncia de luz 8.46 Quais as solues da equao de difuso de portadores minoritrios nos seguintes casos: a) estado estacionrio e ausncia de luz b) ausncia de gradiente de portadores minoritrios e ausncia de luz c) estado estacionrio e ausncia de gradiente de portadores minoritrios d) estado estacionrio, ausncia de R-G e de luz. 8.47 Qual o significado do comprimento de difuso? 8.48 Defina nveis de quase-Fermi. 8.49 Qual a relao entre a densidade de corrente de portadores e o correspondente nvel de quase-Fermi? 8.50 Seja um semicondutor caracterizado pelo diagrama de energia dado na Fig. P8.50. Seja dado que: EG = 1.12 eV, kT = 25.9 meV, ni = 1010 cm-3, , n = 1345 cm2/V.s e n = 10-4 s. a) Desenhe o potencial eltrico e o campo eltrico dentro do semicondutor versus x. b) Para que valores de x existe neutralidade de cargas (lembre da equao de Poisson). c) Desenhe a curva de concentrao de eltrons versus x,
especificando os valores em x = xa e em x = xc. d) Calcule as densidades de corrente de eltrons de deriva, de difuso e total em x = xa. Explique suas respostas. e) Um eltron em x = xb com energia E = EC move-se da sua posio para x = 0, sem perder sua energia total. Qual ser sua energia cintica em x = 0 ? f) Sendo introduzido uma certa quantidade de excesso de eltrons em x = xc. Este excesso de eltrons ir difundir-se no semicondutor em direo a x = xb. Sendo xc xb = 10-3 cm, qual frao do excesso de eltrons alcanar xb ?
Figura do problema 8.50 8.51 Uma barra semicondutora semi-infinita, tipo p, iluminada, como na Fig. P8.51, gerando GL pares eltron-lacunas uniformemente ao longo de todo seu volume. Simultaneamente, h um sorvedouro de portadores em x = 0, impondo np(0) = 0 em x = 0. Assumindo condio de estado estacionrio e que np(x) << pp0, determine np(x).
Figura do problema 8.51 8.52 Considere um material de Si, tipo n, com dopagem uniforme ND = 1014 cm-3, e com tempo de vida de minoritrios p = 1 s. A amostra era inicialmente iluminada por longo perodo (>>p) com gerao GL = 1016 cm-3 pares eltron-lacunas, uniformemente em todo o volume do semicondutor. No instante t = 0, a fonte de luz desligada. Analise este transiente: a) A condio de baixa injeo satisfeita durante todo tempo t > 0 ? Explique. b) Assumindo n(t) = p(t), estabelea uma relao da condutividade do material ( = 1/) em funo do tempo. 8.53 Uma amostra de Si tipo n de comprimento L mantido em condio de estado estacionrio tal que, pn(x=0) = pn0 = 1012 cm-3 e pn(x=L) = 0. O semicondutor uniformemente dopado com ND = 1016 cm-3, mantido temperatura ambiente de 300 K e no h gerao por luz e nem outros processos ocorrendo no interior do semicondutor. a) satisfeita a condio de baixo nvel de injeo? Explique. b) Como varia n(x) ? c) Resolva p(x). d) Qual a posio do nvel de quase-Fermi de lacunas em x = 0 e em x = L ?
8.54 A condio de equilbrio e a condio de estado estacionrio sob iluminao de um semicondutor so caracterizadas pelos diagramas de bandas na Fig. P8.54. Sendo T = 300 K, ni = 1010 cm-3, n = 1345 cm2/V.s, p = 458 cm2/V.s, determine: a) As concentraes de equilbrio n0 e p0. b) As concentraes n e p nas condies estacionrias. c) ND. d) Vale a condio de baixa injeo no caso sob iluminao? Explique. e) Calcule a resistividade do semicondutor em equilbrio e sob iluminao. 8.55 Uma amostra de Si de comprimento L e dopagem uniforme ND = 1015 cm-3 mantida temperatura ambiente, com perturbao em condio de regime estacionrio, tal que: n ND, p = nI(1-x/L) + ni2/ND, para 0 x L. Como n ND podemos assumir que 0. Nestas condies, desenhe o diagrama de bandas com especificao de EC, EV, Ei, FN e FP versus x. 8.56 a) Desenhe o diagrama de bandas de um semicondutor de Si tipo n, de 2 cm de comprimento, dopado com fsforo e com boro. A amostra apresenta o nvel de Fermi a 4 kT abaixo do nvel EC. Considerando como referncia de potencial eltrico o nvel EI, indique no diagrama de bandas o potencial eltrico correspondentes aos nveis EC, EV, ED e EA. Assuma T = 300 K e os nveis ED e EA dados na Tabela 8.3. b) Desenhe o diagrama de bandas do material com aplicao de uma tenso de 2V. 8.57 Uma amostra de Si tem dopagem tipo n com ND = 1015 cm-3 e est temperatura ambiente de 300 K. Calcule a posio do nvel de Fermi e as concentraes p e n. Assumindo que a distribuio de estados na banda de conduo seja dada por gcdE = 8 x 1020 (E)0.5dE cm-3, calcule o nmero de eltrons no intervalo de 1.9 kT e 2.1 kT acima do mnimo da banda de conduo, EC. 8.58 Calcule o nvel de Fermi intrnseco de Si, Ge e GaAs. 8.59 Quais os parmetros mais importantes de caracterizao de semicondutores? 8.60 Explique o princpio da medida de ponta quente. 8.61 Explique o princpio da medida de efeito Hall. Que parmetros ela fornece? 8.62 Explique o princpio da medida de absoro de ressonncia ciclotrnica. Que parmetro ela fornece? 8.63 Descreva duas tcnicas usadas para determinar o band-gap do material. 8.64 Descreva uma tcnica usada para determinar os nveis localizados dentro da banda proibida. 8.65 Descreva a tcnica de fotocondutividade. Que parmetro ela fornece?

Semicondutores

Caricato da

Informazioni sul documento

Titolo originale

Copyright

Formati disponibili

Condividi questo documento

Condividi o incorpora il documento

Opzioni di condivisione

Hai trovato utile questo documento?

Questo contenuto è inappropriato?

Copyright:

Formati disponibili

Semicondutores

Caricato da

Copyright:

Formati disponibili

Captulo

8.1 Reviso de Modelos para Semicondutores

Fig. 8.2 Modelo de ligaes qumicas de semicondutores

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.3

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.4

8.2 Propriedades dos Portadores

8.3 Semicondutores Extrnsecos

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.8

8.4 Distribuio de Estados e Portadores nas Bandas

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.11

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.13

8.5 Concentrao de Portadores em Equilbrio

Onde: A funo F1/2() uma funo tabulada e no analtica.

NC a densidade efetiva de estados na banda de conduo.

NV a densidade efetiva de estados na banda de valncia.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.14

temperatura ambiente (300 K) obtm-se NC = 2.5 x 1019

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.15

+ onde N D a densidade de impurezas doadoras ionizadas e N A a densidade de impurezas aceitadoras ionizadas.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.16

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.17

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.18

8.6 Variao do Nvel de Fermi com Dopagem e Temperatura

A partir de (8.32) obtm-se a posio do nvel de Fermi intrnseco:

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.19

b) para material tipo n:

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.20

(8.37) (8.38) (8.39) (8.40)

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.21

8.7 Aes de Portadores

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.22

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.23

a. c q c = * = . 2 m 2 q. c chamado de mobilidade do portador, dado em [cm2/V.s]. * 2.m

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.24

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.25

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.26

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.27

Combinando estas definies (8.51) com a expresso (8.50) obtm-se:

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.28

onde d a espessura da amostra ou da camada medida.

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.29

No caso de estudo unidimensional temos:

1 dEC 1 dEV 1 dEi = = q dx q dx q dx

onde: D o coeficiente de difuso dos portadores, dado em [cm2/s].

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.33

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.34

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.35

J P = q. P . p. q.DP .p J N = q. N .n. + q.DN .n

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.36

Da relao de Boltzmann (8.77), obtemos:

Substituindo a relao (8.79) em (8.75), obtm-se:

Da relao (8.80) conclui-se diretamente a relao de Einstein para eltrons, ou seja:

pn << n0 ii) para material tipo p p p p0

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.38

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.39

Considerando agora a condio de baixa injeo temos: i) para material tipo n:

1 = tempo de vida de minoritrios p em material tipo n .n0

ii) para material tipo p:

1 = tempo de vida de minoritrios n em material tipo p . p0

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.41

rc = vter . n .n.N t .[1 N ( Et )]

Jacobus W. Swart Materiais Eltricos Cap.08 p.42

obtm-se: a) en = v ter . n .ni .e ( E E ) kT