2011

TRANSISTORES BJT
Antecedentes y generalidades del funcionamiento de un transistor BJT

INSTITUTO TECNOLOGICO DE AGUASCALIENTES DIEGO RADAMES BECERRA CRUZ 06/12/2011

TRANSISTORES Antecedentes. Antes de que aparecieran los transistores, existieron otros dispositivos que movan a todos los aparatos electrnicos. De los primeros aparatos de los que se tiene evidencia es de los bulbos de vaco creado en 1906 por J. A. Fleming. Posteriormente Lee De Forest modifico el bulbo de vacio original y lo convirti en un aparato con 3 componentes denominado trodo que serbia como amplificador. Posteriormente al bulbo de vaco y a sus diversas modificaciones, en el ao de 1947 se dio la primera construccin de un transistor por Walter H. Brattain y John Bardeen. Las diferencias entre el bulbo de vaco y los transistores eran muy notorias, principalmente por el tamao, as como el peso ms ligero de los transistores, adems de que se poda realizar de materiales ms resistentes para que pudiera resistir mayores temperaturas durante la operacin. Transistores BJT (Transistores de Juntura Bipolar). El transistor BJT es un dispositivo semiconductor de silicio o germanio compuesto de 3 capas, de las cuales 2 pueden estar hechas de material tipo n o p y la capa restante puede ser de los mismos materiales. Debemos resaltar que en un transistor no pueden existir ms de 2 capas del mismo tipo de material y estas capas no pueden estar en contacto directo. Al transistor que tiene 2 capas de material tipo p y 1 de material tipo n se le denomina pnp y al que tiene 2 capas de tipo n y 1 de tipo p se le denomina npn. Se dice que este transistor es bipolar ya que para que se transfiera la corriente elctrica de un punto a otro participan tanto los electrones como los huecos (protones).

Como se dijo anteriormente, el transistor consta de 3 componentes o capas, en donde todas poseen diferente tamao y cantidad de dopaje. La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, es la ms dopada de la 3 y tiene un rea mediana. La capa del colector esta medianamente dopada y tiene el rea ms grande de las 3 y la capa de la base es la que posee menor rea y el menor dopado. Como podemos observar en la figura anterior cada tipo de transistor tiene una forma diferente de conectarse a las fuentes. El transistor tipo pnp est conectado en el emisor de forma directa mientas que en el colector est conectado en forma inversa. Para el transistor tipo npn tenemos la misma forma de conectar la terminales del transistor solo que en esta ocasin tenemos que colocar las fuentes volteando los polos a comparacin del caso anterior.

Smbolo del Transistor NPN Corrientes del Transistor BJT. Para sealar cada una de las terminales las identificamos con letras maysculas: Emisor (E), Base (B) y Colector (C). Por lo anterior, las corrientes se identifican como IC, IB e IE. As que las corrientes dentro de un transistor se comportan de diferente manera para cada uno de los 2 tipos de transistores pero obedeciendo a la ecuacin: IE= IB + IC

Operacin del Transistor. Como ya dijimos anteriormente, hay una parte del transistor que est conectada en forma directa, mientas que la otra est conectada en forma inversa. Sabemos que la conexin en forma directa se localiza en el terminal emisor, esto con la finalidad de reducir la zona de agotamiento entre emisor-base, mientas que en la terminal del colector se conecta de forma inversa para ensanchar la regin de agotamiento y combinando estas 2 configuraciones se facilita el flujo de electrones y/o huecos.

Parmetros del Transistor. Existen 2 parmetros fundamentales para entender el funcionamiento de un transistor; el parmetro alfa (a), que indica la relacin entre las corrientes del colector y el emisor; y el parmetro beta ( ), tambin llamado ganancia de corriente , que es la relacin entre las corrientes de colector y base.

Encapsulado de un Transistor. Los encapsulados de un transistor pueden ser de diferentes formas y tamaos pero todos desempean la misma funcin, disipar potencia, y es que segn el material del que estn elaborados, al momento de estar en operacin el transistor tiende a aumentar su temperatura por lo que se tienen que utilizar dispositivos para sacar todo ese calor y evitar que el transistor se dae.

Regiones Operativas del transistor. a) Regin de Corte: La regin de corte es aquella que se produce cuando la corriente del emisor es igual a la corriente del colector, teniendo ambas una corriente igual a 0. En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito, pero como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje. Ic = Ie = 0 b) Regin de Saturacin: Se dice que un transistor est en su regin de saturacin cuando la corriente del emisor es igual a la corriente del colector y esta a su vez es igual a la corriente mxima que puede soportar el transistor para que no pierda sus propiedades. En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos. Ic = Ie = Imaxima c) Regin Activa: El transistor est en su regin activa cuando no est ni en la regin de saturacin ni en la de corte. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base, de la ganancia de corriente (es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y el emisor. Corriente Mxima del Colector. Esta corriente viene limitada por la superficie de la unin colector-base y por los conductores que conectan los terminales del transistor con los terminales exteriores. En algunos componentes se especifican los valores que puede soportar un dispositivo de manera continua. Estos valores que estn condicionados por problemas trmicos pueden excederse durante tiempos muy cortos pero si el transistor tiene una elevada temperatura durante un largo periodo de tiempo, entonces este perder sus propiedades. Mxima Potencia Disipada. La potencia que puede disipar un transistor est condicionada por la mxima temperatura que puede soportar la unin semiconductora colector-base. Para que la temperatura de esta unin no 5

supere los valores permitidos, que comnmente esta en 125 C en el silicio y los 85 C en el germanio, debe proveerse de dispositivos que extraigan al exterior el calor generado en las uniones. Configuraciones del Transistor. Los transistores pueden estar configurados de tres formas; base comn, emisor comn y colector comn. a) Base Comn: Cuando nos encontramos con un transistor que posee la configuracin de base comn se refiere a aquel transistor en donde la base es comn tanto a la entrada, como a la salida del transistor. b) Emisor Comn: Este tipo de configuracin es la ms usual y se denomina emisor comn ya que al igual que con la base comn pero usando el emisor como referencia, este es comn a las terminales de entrada y de salida. c) Colector Comn: La nica diferencia con los dos tipos de configuraciones anteriores es que en esta ocasin el colector es el componente del transistor que es comn a las terminales de entrada y de salida de la configuracin

Hoja de Caractersticas. En la hoja de caractersticas de un transistor aparecen una serie de valores que deben ser respetados si no se quiere que el transistor se destruya o pierda sus propiedades. Aunque estas caractersticas estn marcadas para los transistores bipolares, las de los transistores unipolares son casi iguales. Punto Q de Operacin. El punto Q es aquel el donde el transistor tiene un funcionamiento ptimo por lo que podemos deducir que este punto no se encuentra ni en la regin de corte ni en la de saturacin sino que se encuentra dentro de la regin activa. Este punto se genera cuando polarizamos un transistor. Aunque comnmente el punto Q se hace que trabaje en la zona activa, existen casos especiales en donde se polariza el transistor de tal manera que se trabaje de forma lineal en la zona de saturacin o en la zona de corte.

Ejemplo de Hoja de Caractersticas de un Transistor.

Amplificacin de Seal. Para poder analizar un transistor se debe comprender como se comporta este cuando se le conecta una fuente continua para poder polarizarlo (punto Q) y tambin su comportamiento con la corriente alterna correspondiente a la seal que queremos amplificar. Pero al igual que estas corrientes, hay otro elemento que se utiliza mucho y son los condensadores usados para acoplar o desacoplar una seal, as que para el anlisis utilizamos la frmula de reactancia capacitiva de un condensador. Xc = 1/ 2 . F . C El comportamiento de un condensador es importante porque cuando queremos polarizar un transistor, el condensador se comporta como un interruptor, mientras que con una seal alterna a frecuencias medias, el condensador se comporta como un interruptor cerrado. Para poder analizar las amplificaciones de seal, el comportamiento del transistor se debe describir mediante ecuaciones lineales y sencillas. Tambin el transistor se puede sustituir por un circuito equivalente compuesto por elementos lineales, lo cual permite usar diversas tcnicas de anlisis de circuitos como el circuito de Thevenin, ley de Ohm, ley de Kirchoff, etc. Caractersticas de los Amplificadores para seal Alterna. a) La Ganancia: Esta se define como la medida de la cantidad de amplificacin y es la relacin numrica entre la seal de salida y la seal de entrada. En esta caracterstica, dependiendo de la seal que estamos amplificando podemos hablar de ganancia de corriente, ganancia de voltaje o ganancia de potencia. b) Impedancia de Entrada: Esta es la resistencia vista por la fuente que genera la seal que queremos amplificar. Esta se obtiene con la relacin entre el voltaje y la corriente entre las terminales de entrada del amplificador. Es afectada por la presencia de condensadores, resistencias, etc. c) Impedancia de Salida: Esta es la resistencia vista por la carga que recibe la seal amplificada. Esta se calcula con la relacin entre el voltaje y la corriente entre los terminales de salida del amplificador. d) Respuesta de Frecuencia: Est muy relacionada con la ganancia. Pero aunque tericamente el amplificador debera amplificar todas las seales posibles, no sucede as. En la prctica sucede que 2 o ms seales con las mismas caractersticas pero de frecuencias diferentes no reciben la misma cantidad de amplificacin. Por lo anterior, cuando se seala la ganancia de un amplificador, debe expresarse al mismo tiempo el rango de frecuencia dentro del cual es vlida la ganancia. Este rango recibe el nombre de Ancho de Banda del Amplificador y se mide en unidades de frecuencia. Circuito equivalente del BJT para pequea seal. Como sabemos existen 3 configuraciones para un transistor: emisor comn, base comn y colector comn. Estas tres configuraciones se utilizan para el anlisis de una amplificacin de seal. A continuacin se presentan los circuitos con las tres configuraciones y sus respectivas ecuaciones.

a) Emisor Comn

b) Base Comn

c) Colector Comn

Transistores en Cascada. En ocasiones es necesario conectar varios amplificadores a la vez, lo que se conoce como transistores en cascada, esto con la finalidad de obtener una seal cada vez mas amplificada segn las necesidades. Un ejemplo de transistores en cascada se muestra en la siguiente imagen:

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