Drogaggio dei semiconduttori Def.

Semiconduttori:
sono materiali che hanno una resistivit (o anche una conducibilit) intermedia tra i conduttori e gli isolanti. Essi sono alla base di tutti i principali dispositivi elettronici e microelettronici a stato solido Le propriet dei semiconduttori diventano interessanti se vengono opportunamente drogati con impurit.. A temperature molto basse il comportamento dei semiconduttori analogo a quello degli isolanti, mentre con l aumento della temperatura aumenta la conducibilit elettrica.

Semiconduttori intrinseci
I semiconduttori naturali usati per la produzione di dispositivi elettronici sono stati per molti anni il silicio e il germanio. Il germanio andato, con il passar del tempo, in disuso a causa delle migliori prestazioni del silicio. Ora si stanno diffondendo semiconduttori costituiti non da elementi naturali ma da leghe Il silicio e il germanio appartengono al gruppo del carbonio e sono tetravalenti, sono quindi in grado di formare quattro legami covalenti In un reticolo cristallino ogni atomo di silicio dunque legato ad altri quattro atomi.

Lacune
La prima cosa che bisogna comprendere che in un semiconduttore, a differenza dei conduttori, esistono due tipi di cariche libere: cariche libere negative costituite dagli elettroni e cariche libere positive dette lacune. Premettiamo fin da subito che le lacune, intese come cariche positive, non esistono ma costituiscono soltanto un modello molto efficace per rappresentare il comportamento dei semiconduttori. Immaginiamo che un elettrone coinvolto in un legame fra due atomi di silicio, acquisisca lenergia sufficiente per effettuare il salto dalla banda di valenza alla banda di conduzione. Lelettrone andr ad arricchire la popolazione di elettroni liberi mentre lorbitale da cui proveniva presenter uno spazio vuoto. Tale spazio vuoto quello che noi chiamiamo lacuna.

Drogaggio
(1)Con il termine drogaggio, nell'ambito dei semiconduttori, si intende l'aggiunta al semiconduttore puro ("intrinseco") di piccole percentuali di atomi non facenti parte del semiconduttore stesso allo scopo di modificare le propriet elettroniche del materiale. Il drogaggio in genere aumenta la conducibilit del semiconduttore. Un drogaggio pesante pu fargli assumere propriet elettriche simili a quelle di un metallo ("semiconduttore degenere"). (2)Le caratteristiche elettriche dei semiconduttori possono essere variate e controllate aggiungendo piccole quantit di impurit, dette sostanze droganti. Questoperazione detta drogaggio (doping) ed i semiconduttori cos ottenuti sono denominati semiconduttori drogati o semiconduttori estrinseci. Solitamente si droga soprattutto per aumentare la conducibilit del semiconduttore. I semiconduttori possono essere cos drogati di due tipi: di tipo n e di tipo p.

Tipo n
(1)Da semiconduttori intrinseci si ottengono semiconduttori di tipo n aggiungendo ad essi impurit di elementi pentavalenti (cinque elettroni di valenza), come il fosforo (P), larsenico (As), lantimonio (Sb). Gli atomi di tali impurit sono cos detti atomi donatori, in quanto donano elettroni. Quattro degli elettroni esterni di un atomo donatore nel cristallo di silicio, ad esempio, si

legano ad altrettanti atomi silicio, mentre il quinto elettrone diviene libero. Latomo donatore diviene cos uno ione positivo, in quanto ha donato elettroni, ed ad un suo elettrone, quello libero, non corrisponde una lacuna. (2)Con questo tipo di drogaggio ci si pone lobiettivo di aumentare il numero di elettroni liberi. Si realizza inserendo nel reticolo cristallino del semiconduttore materiale drogante pentavalente (cinque elettroni di valenza) come il fosforo. IL fosforo in grado di formare cinque legami differenti, ma a causa della struttura del reticolo cristallino, esso risulta circondato da soli quattro atomi di silicio. Poich il quinto legame non si pu formare, lelettrone superfluo, non essendo coinvolto in un orbitale di legame, abbisogna di una piccola quantit di energia per diventare libero. In pratica, per ogni atomo di fosforo che introduciamo nel reticolo del semiconduttore si introduce un elettrone libero.

Tipo p
Con questo tipo di drogaggio aumentiamo il numero di lacune. Si introducono nel reticolo atomi di materiale trivalente come il Boro. Poich il boro pu realizzare tre legami soltanto, pur essendo circondato da quattro atomi di silicio, si realizza automaticamente una lacuna, poich vi sar un orbitale incompleto fra i quattro orbitali di legame in cui sar coinvolto latomo di boro.

GIUNZIONE P- N Consideriamo 2 blocchetti di semiconduttore, uno drogato P e laltro drogato N in egual percentuale. Nel blocchetto di tipo P avremo unaltra presenza di lacune libere, mentre in quello di tipo N unaltra presenza di elettroni liberi. Immaginiamo ora di portarli a contatto. Nella zona di giunzione si verificher un processo di diffusione, creando una zona dove gli elettroni, maggioritari nella zona N, si sposteranno nella zona P ricombinandosi con le lacune, e viceversa faranno le lacune dalla zona P alla zona N. Si creer una zona in cui si verificher una forte diminuzione delle cariche mobili (elettroni e lacune). Questa zona costituir una specie di barriera di potenziale alla completa ricombinazione delle coppie elettrone-lacuna. La giunzione p-n la base del dispositivo elettronico chiamato diodo, che consente il flusso di corrente solo in una direzione del dispositivo

Diodo a semiconduttore
(intro) Il materiale semiconduttore nei dispositivi quasi sempre accuratamente drogato per scopi ingegneristici. Le giunzioni tra semiconduttori di tipo n e di tipo p, chiamate giunzioni p-n, sono gli elementi fondamentali di molti dispositivi a semiconduttore come il diodo a semiconduttore. Mettiamo a contatto un semiconduttore di tipo n con un cristallo dello stesso semiconduttore con drogaggio di tipo p: la superficie di separazione detta giunzione p-n. A causa del moto di agitazione termica, alcuni elettroni si diffondono attraverso la giunzione di tipo n al tipo p, mentre alcune lacune si diffondono nel verso opposto. A causa di questa doppia diffusione, il semiconduttore di tipo n assume una carica positiva, quello di tipo p una carica negativa. Fra le due parti si genera una differenza di potenziale che impedisce la diffusione di elettroni e lacune e la regione intorno alla giunzione resta priva di cariche mobili. Le due estremit hanno le caratteristiche dei buoni conduttori.

POLARIZZAZIONE DIRETTA DELLA GIUNZIONE p-n

Si dice che la congiunzione polarizzata direttamente se il semiconduttori di tipo p collegato al polo positivo di una batteria e quello di tipo n al polo negativo. La differenza di potenziale applicata riduce la barriera di potenziale che impediva il movimento delle lacune e degli elettroni: le lacune si muovono dal semiconduttore p verso il semiconduttore n, gli elettroni dal n a p. Le due regioni cariche in prossimit della giunzione si restringono.

Se la tensione applicata supera un certo valore viene ripristinata la diffusione di lacune da p a n e di elettroni da n a p. Nel circuito si ha pertanto, nel verso da p a n, il passaggio di una corrente detta corrente diretta, la cui intensit cresce con il crescere della tensione applicata. La giunzione oppone una bassissima resistenza al passaggio della corrente diretta.

POLARIZZAZIONE INVWERSA DELLA GIUNZIONE P-N la giunzione polarizzata inversamente se il semiconduttore di tipo p collegato al polo negativo della batteria mentre quello di tipo n al polo positivo. In questo caso, le lacune di tipo p e gli elettroni del semiconduttore di tipo n sono attratti dal polo negativo e dal polo positivo della batteria. Le ragioni adiacenti assumono pertanto una carica elettrica maggiore di quella che avevano prima del collegamento e diventano sempre pi povere di portatori di mobilit elettrica; questa giunzione oppone una resistenza molto elevata al passaggio della corrente da n a p. Tuttavia scorre una debole corrente da p a n, chiamata corrente inversa, dovuta all esistenza dei portatori minoritari di carica, lacune nel semiconduttore n ed elettroni nel semiconduttore p.