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Tema: Anlisis de Corto Circuito(falla simtrica).

Facultad de Ingeniera. Escuela de Elctrica. Asignatura Anlisis de Sistemas de Potencia II.

I. OBJETIVOS.

Que el alumno conozca detalladamente los diferentes tipos de fallas que existen en un sistema de potencia. Que aprenda cual es de ellas es la mas daina siendo capaz de observar los fenmenos y problemas que esta causa al sistema Utilizar las herramientas con las que se cuenta hoy en da para el anlisis de todo tipo de fallas en los sistemas de potencia.

Observar como se comportan los sistemas antes de la falla y despus de esta. Reconocer cuando una proteccin esta bien dimensionada y que tipo de regulacin debe tener para no poseer una seal de alerta en el sistema. Conocer los dos diferentes anlisis que se le pueden realizar a una falla de sistema, ya sea por norma ANSI o por la norma IEEE .

II. INTRODUCCIN. Cortocircuitos: desde el punto de vista elctrico, cortocircuito es la conexin accidental o intencionada, mediante una resistencia o impedancia relativamente baja, de dos o ms puntos de un circuito que estn normalmente a tensiones diferentes. Un cortocircuito origina aumentos bruscos en las corrientes circulantes en una instalacin, pudiendo daar al equipamiento elctrico, equipos cercanos a la instalacin y hasta personas no adecuadamente protegidas. Algunos de los incidentes ms graves en la instalacin elctrica pueden ser representados por cortocircuitos: la cada de un rayo en una lnea de transmisin, el incendio de un transformador, la inundacin de una sub-estacin, etc. Dada la gravedad de un cortocircuito Existen diferentes tipos de cortocircuitos, en funcin de las fases afectadas. Los cortocircuitos pueden clasificarse en: GUA 4 Pg. 1 Pg.

Trifsicos: consisten en el contacto de las tres fases, directamente o a travs de una impedancia de valor bajo. Un ejemplo de cortocircuito trifsico es la cada de una torre de transmisin. Este tipo de cortocircuitos es el ms grave en el sistema, produciendo las mayores corrientes. Por consiguiente, debe ser detectado rpidamente y eliminada la fuente de fallo del sistema (por medio de la actuacin del sistema de proteccin) en el plazo menor posible. Desde el punto de vista de anlisis, es el mas simple de ser calculado, porque al estar involucradas las tres fases en la misma forma las corrientes de cortocircuito son iguales en las tres fases, siendo representado por un sistema de corrientes simtrico. Bifsicos: los cortocircuitos bifsicos consisten en el contacto de dos fases entre si. Como ejemplos de cortocircuito bifsico puede citarse: el roce de dos fases en lneas areas y la falla de aislamiento puntual en cables aislados. Este tipo de cortocircuito produce un sistema desequilibrado de corrientes, con intensidades diferentes en las tres fases. Bifsicos con contacto a tierra: en este tipo de cortocircuitos, dos de las fases toman contacto entre s y con la tierra en el punto de fallo. Es este el tipo de cortocircuito estadsticamente menos frecuente. Monofsico: el cortocircuito monofsico (contacto de una fase y tierra) es responsable de la mayor cantidad de cortocircuitos en el sistema (en lneas areas, 80% de los cortocircuitos son monofsicos). Las corrientes de cortocircuito que provoca dependen de la impedancia de la falla y de las conexiones a tierra de los transformadores en la lnea. De los cuatro tipos de cortocircuitos descritos, solo el primero (trifsico) produce un sistema de intensidades simtricas en las tres fases. A fin de calcularse las corrientes circulantes por las fases en cortocircuitos bifsicos, bifsicos con contacto a tierra y monofsicos se usar el mtodo de las componentes simtricas. Por ser el mas simple de estudiar y el que produce las condiciones mas crticas, ser estudiado en primer lugar el cortocircuito trifsico.

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III. EQUIPO DIDCTICO. Cantidad 1 Descripcin Ordenador con procesador Pentium III y 512MB RAM como 1 1 requisitios minimos ETAP 5.5.6 Dispositivo de Almacenamiento externo(USB) Tabla 1.1: Materiales y equipo. IV. PROCEDIMIENTO. Parte I: Analisis de Cortocircuito. Paso 1: Cargar el programa ETAP Power Station a su ordenador. Paso 2: Crear un nuevo proyecto en ETAP, siguiendo los pasos de las guas anteriores. Paso 3: realizar el siguiente circuito utilizando las herramientas e iconos con los que se ha venido trabajando en ETAP.

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Nota: Recordar que los sub sistemas del diagrama son un conjunto de cargas conectadas concentradas de carcter resistivo, inductivo y de corriente continua. Paso 4: dirigirse hacia la barra de herramientas Mode en la parte superior del programa y dar click en el botn Short-CIrcuit Analisis para abrir el modo de cortocircuito.

Paso 5: En la Barra de Herramientas Study Case, hacer click en el botn Edit Study Case. Este paso abrir el editor Short Circuit Study Case, permitindole cambiar los criterios y opciones de calculo. De la pagina Info, seleccione una barra o varias barras que se quiere se muestren defectuosas. GUA 4 Pg. 4 Pg.

Paso 6: haga click en todas las barras, excepto la barra con el nombre sub3 y seleccione Fault para colocarlas en la categora Dont Fault. Sub 3 ahora debera aparecer sola en la catergoria Fault. Haga click en el botn OK cuando se haya finalizado este paso. Notese que la barra cambiara de su color original a un rojo oscuro para denotar que esta se encuentra defectuosa.

Paso 7: Seleccione la pestana Estndar en el Short Circuit Study Case y asegurese que el parmetro ANSI con el cual se desea realizar el estudio se encuentre bien marcado; existen varios tipos de estudios que se pueden realizar en ETAP nosotros utilizaremos el 3 Phase ANSI, el cual se lleva bajo la configuracin estndar del mismo nombre. Se puede realizar el mismo estudio utilizando la norma IEC, utilizaremos el que se muestra como predeterminado (ANSI).

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Cambiar los parmetros de la barra tambin se puede realizar, haciendo click derecho sobre el elemento y seleccionando que parmetro se desea modificar (Fault o Dont Fault). Paso 8: seleccione un estudio de cortocircuito; en nuestro caso Duty, haciendo click en el botn Run 3-Phase Device Duty. Sabiendo que en la barra Study Case se encuentra en Promt ingrese un nombre especifico para recibir el informe de salida del estudio que se ha realizado.

Paso 9: La vista unilineal OLV mostrara los resultados del calculo realizado por el Device Duty Short Circuit. Se pueden modificar los resultados en el diagrama unilineal o OLD cambiando las configuraciones del cortocircuito en la ventana Display Options.

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Paso 10: Anote los valores que se muestran en el diagrama luego de la simulacin y mustrelos en el anlisis de resultados. Que efectos tiene un cortocircuito en nuestro sistema? _________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________ ________________________ Que observa con los interruptores colocados en nuestro sistema, nota algn cambio en el diagrama? _________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________ Paso 11: ahora, haga click en el botn Alert View en la barra de herramientas ANSI Short Circuit Toolbar, para observar los dispositivos que se encuentran sealizados como defectuosos en el diagrama.

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Paso 12: Modificaremos la configuracin de la alarma del programa para tener una lista mas detallada de todos los elementos de proteccin, pues con la configuracin predeterminada solo aparecen en la lista las protecciones que poseen un excedente critico. Paso 13: abra el editor Short Circuit Study Cas en la pagina Alert. Active la casilla Marginal y cambie el limite a 70%. Asimismo, active la casilla Auto Display y luego haga click en el botn OK. Habiendo realizado esta operacin, todos los dispositivos que han excedido este limite, pero que permanezcan bajo un 100% aparecern en el Alert View en la categora Marginal. No obstante los dispositivos que han excedido el 100% siempre sern sealados y aparecern en la categora Critical en el Alert View.

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Paso 14: Inicie Nuevamente la simulacin de cortocircuito siguiendo el procedimiento utilizado anteriormente. Observe que ahora cuando se completa el calculo, se abrir automticamente la ventana Alert View, segn el cambio realizado a la pagina Alert View en el editor Short Circuit Study. Note que ahora aparecen otros dispositivos de proteccin en el Marginal Alert View que antes no aparecan en la lista, estos tambin aparecern sealados en el Diagrama unilineal. Anote estos nuevos valores y presntelos en su anlisis de resultados.

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V. DISCUSIN DE RESULTADOS. 1. Presente el diagrama implementado en la practica con sus respectivos valores de simulacin.

2. Presente en una tabla los valores de alert view que se mostraron en la gua antes y despus
del cambio de parmetros. Que ocurre si se cambian los valores del alert view que se colocaron en la practica. Que valor de porcentaje debemos considerar para tener una lectura eficiente de las protecciones. 3. Que ocurre si adems de colocar como defectuosa la barra sub3 lo hacemos tambin con la barra sub A2? Que ocurre si la defectuosa es la Main Bus. Profundice su respuesta. 4. Cual de todas las fallas se considera la mas daina? Porque?

VI. INVESTIGACIN COMPLEMENTARIA. 1. Investigar el tipo de indicadores utilizados para detectar fallas trifsicas, en las empresas de transmisin. 2. Por qu las fallas trifsicas son consideradas fallas simetricas? 3. Explicar grafica y detalladamente las etapas de una falla.

VIII. BIBLIOGRAFA.
Stevenson, Jr. Williams. Anlisis de Sistemas de Potencia. McGraw Hill Inc. USA, 1985. Luis Maria Checa. Lneas de Transporte de Energa. 1988 Marcombo Boixareu Editores.

Jos Miguel Valencia & Otto Tvez. Elaboracin de una herramienta asistida por computadora para el diseo elctrico y el calculo de tensiones. Tesis de Ingeniera Elctrica. _ Harper, Gilberto Henrquez. Tcnicas, Computacionales en Sistemas Elctricos de Potencia.

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