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Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2008/2009 17 Novembre 2008

Esercizio 1
Si consideri un blocchetto di Germanio (Ge) avente lunghezza L,
larghezza W e spessore t (vedere Figura 1). Il semiconduttore, le cui
propriet sono riportate in Tabella 1, drogato con una concentrazione
di atomi donori N
D
=10
17
cm
-3
.
a) Sapendo che la resistenza R del blocchetto pari a 960, calcolare
la mobilit degli elettroni
n
.
b) Sulla base del risultato ottenuto nel punto a), calcolare il tempo di
rilassamento degli elettroni
cn
.

Figura 1
L= 300m
W= 50m
t= 1m

N
D
= 10
17
cm-3
R= 960
Propriet del Germanio
Concentrazione intrinseca:
n
i
= 210
13
cm
-3

Energy gap:
E
GAP
= 0.66eV
Massa efficace dellelettrone:
m
n
*
= 0.12 m
0

Vita media della lacuna:

p
=100s
Tabella 1

A partire dallistante di tempo t
1
, il materiale viene illuminato con una
luce costante. I fotoni assorbiti generano coppie elettrone lacuna che
cambiano la concentrazione dei portatori allinterno del materiale stesso.
Dopo un transitorio iniziale, la concentrazione dei portatori minoritari
raggiunge un valore di regime indipendente dalla posizione e pari a
p=10
13
cm
-3
. Successivamente, allistante di tempo t
2
, il flusso di fotoni
si interrompe.
c) Studiare levoluzione temporale della concentrazione dei
portatori minoritari per t t
2
.

Massa dellelettrone
m
0
= 9.110
-31
Kg
Carica dellelettrone
q= 1.610
-19
C
Costanti

Esercizio 2

Figura 2
N
A
= 10
18
cm
-3

p
= 10s
N
D
= 10
16
cm
-3

n
= 10s
W
P
= 5m
n
= 300 cm
2
/Vs
W
N
= 500m
p
= 450 cm
2
/Vs
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Costante dielettrica del vuoto

0
= 8.8510
-14
F/cm
Costante dielettrica relativa del Si

r-Si
= 11.9
Costante dielettrica del Si

Si
=
0

r-Si
1pF/cm
Costante di Boltzmann
k=1.3810
-23
J/K
Tensione termica
V
TH
= 25.8mV
Carica dellelettrone
q= 1.610
-19
C
Si consideri la giunzione pn realizzata in Silicio e rappresentata in
Figura 2.
a) Calcolare la tensione di built-in V
BI
.
b) Calcolare la tensione inversa che necessario applicare al
diodo per avere uno spessore x
D
della zona svuotata pari a
1m.
c) Supponendo di continuare ad applicare al diodo la tensione
di cui al punto b), calcolare E
MAX
, valore massimo del campo
elettrico nella zona svuotata.
Si supponga ora di applicare una tensione diretta V
D
=600mV alla
giunzione di Figura 2.
d) Calcolare la concentrazione dei portatori minoritari al bordo
fra la zona svuotata e ciascuna delle due zone neutre.
e) Calcolare L
P
, lunghezza di diffusione delle lacune nella
regione neutra n. Alla luce del risultato ottenuto, dire se per
tale regione applicabile lapprossimazione di diodo a base
lunga o a base corta.
f) Rappresentare in un diagramma quotato landamento, in
funzione della posizione, dei portatori minoritari in ciascuna
delle due zone neutre.
g) Calcolare la densit di corrente di lacune J
p
alla sezione x
n
.
h) Suggerire una modifica alla struttura del diodo che
consenta di aumentare la densit di corrente J
p
(x
n
) senza
modificare i drogaggi.

Costanti
AVVERTENZA: I punti indicati in grassetto presentano una difficolt maggiore; si consiglia
pertanto di svolgerli solamente dopo aver completato gli altri punti.
Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2008/2009 6 Febbraio 2009

Esercizio 1
Si consideri un materiale semiconduttore caratterizzato dal diagramma a
bande riportato in Figura 1. Di tale materiale nota la densit di stati
equivalenti in banda di valenza N
V
e la concentrazione di drogante
accettore N
A
.
a) Calcolare lenergia di Fermi E
F
e rappresentarla nel diagramma a
bande.
b) Calcolare la concentrazione intrinseca dei portatori n
i
.
c) Calcolare la densit di stati equivalenti in banda di conduzione N
C
.



Figura 1

N
V
= 10
20
cm
-3

N
A
= 10
17
cm
-3



Esercizio 2

q
Al
= 4.1 eV
q= 4.05 eV
N
A
= 7*10
16
cm
-3

t
Ox
= 15 nm
t
Si
= 500 m

Figura 2.a Tabella 2.a

N
D
= 10
18
cm
-3

L= 10 m
W= 30 m

n
= 600 cm
2
/Vs
Figura 2.b Tabella 2.b


q
Al
= 4.1 eV
q= 4.05 eV
N
A1
= 7*10
16
cm
-3

N
A2
= 10
18
cm
-3

t
Ox
= 15 nm
t
Si1
= 400 m
t
Si2
= 100 m
Figura 2.c Tabella 2.c
Si consideri il condensatore MOS rappresentato in Figura 2.a, le
cui propriet sono riportate nella Tabella 2.a.
a) Assumendo nulla la carica presente nellossido di gate,
calcolare la tensione di flat-band V
FB
.
b) Calcolare la tensione di soglia V
T0
.
c) Calcolare la tensione che necessario applicare fra Body e
Gate per portare il sistema MOS al limite fra la condizione di
svuotamento e la condizione di inversione debole.
Rappresentare inoltre in un diagramma quotato landamento
della carica (x), dei campi D(x) ed E(x), nonch del
potenziale V(x) lungo il dispositivo.
Si consideri ora il transistore MOSFET rappresentato in Figura
2.b e realizzato a partire dalla struttura di Figura 2.a. In
particolare lo spessore dellossido di gate ed il drogaggio di
substrato sono identici. Gli altri parametri della struttura sono
riportati nella Tabella 2.b.
d) Sia V
SB
= 0V e V
DS
= 0V. Calcolare la tensione V
GS
che
necessario applicare fra Source e Gate per ottenere una
conduttanza di canale G
CH
= 1 mA/V.
e) Sia V
SB
= 0V, e V
GS
= 2.5V. Trascurando la variazione della
tensione di soglia lungo il canale, calcolare la tensione V
DS

che necessario applicare affinch la carica mobile al Drain
sia la met di quella al Source.
f) Sia V
SB
= 10V e V
DS
= 0V. Calcolare la tensione V
GB
che
necessario applicare fra Body e Gate per ottenere una
conduttanza di canale G
CH
= 1 mA/V.
Si consideri ora il condensatore MOS rappresentato in Figura 2.c,
le cui propriet sono riportate in Tabella 2.c.
g) Calcolare la tensione che necessario applicare fra Body e
Gate per avere campo elettrico nullo nellossido.


Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Tensione termica
V
TH
= 25.8mV
Carica dellelettrone
q= 1.610
-19
C
Densit di stati equivalente in
banda di conduzione
N
C
= 2.81*10
19
cm-3
Costante dielettrica del Si

Si
= 1 pF/cm
Costante dielettrica dellOssido

Ox
= 1/3 pF/cm


Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2008/2009 2 Marzo 2009



Costanti Universali
Massa dellelettrone
m
0
= 9.1 10
-31
kg
Carica dellelettrone
q= 1.610
-19

C
Costante di Boltzmann
k=1.3810
-23
J/K
Tensione termica
V
TH
= 25.8mV


Esercizio 1

Figura 1.a Figura 1.b
Concentrazione intrinseca
n
i
= 210
12
cm
-3

Tempo di rilassamento

c
= 0.2 ps
Si consideri un materiale semiconduttore caratterizzato dal
diagramma a bande di Figura 1.a e dalle propriet riportate
in Tabella 1.
a) Calcolare la concentrazione di elettroni n e di lacune p.
b) Sapendo che la conducibilit del materiale pari a =
60
-1
cm
-1
, calcolare la massa efficace del portatore
maggioritario.
A partire dallistante t=0, il semiconduttore viene
illuminato con una luce costante nel tempo; i fotoni
assorbiti determinano un tasso di generazione ottica G
PH

spazialmente uniforme. La Figura 1.b rappresenta il
corrispondente andamento temporale della concentrazione
dei portatori minoritari.
c) Calcolare il tasso di generazione G
PH
.



Tabella 1

Esercizio 2

N
A
= 10
18
cm
-3

N
D1
= 2.510
14
cm
-3

N
D2
= 10
15
cm
-3

W
P
= 50m
W
N1
= 5m
W
N2
= 200m
Figura 2
Si consideri la giunzione realizzata in Silicio e
rappresentata in Figura 2.
a) Calcolare la tensione di built-in e tracciare il
diagramma a bande qualitativo (banda di conduzione,
banda di valenza e livello di Fermi) della struttura
allequilibrio termodinamico.
b) Calcolare la tensione inversa V
R
da applicare alla
giunzione per ottenere un campo elettrico massimo
pari a E
MAX
= -510
4

V/cm.
c) Calcolare la capacit di giunzione (per unit di area)
del diodo nelle condizioni di cui al punto (b).

Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Costante dielettrica del Si

Si
= 1pF/cm

Esercizio 3

N
A
= 510
17
cm
-3

N
D
= 10
16
cm
-3

W
P
= 5m
W
N
= 500m

n
= 300 cm
2
/Vs

p
= 450 cm
2
/Vs
Figura 3
Si consideri la giunzione pn realizzata in Silicio (Figura 3)
a cui applicata una tensione diretta V
D
incognita. Siano x
n

e -x
p
le coordinate dei punti di separazione fra la zona di
carica spaziale e le regioni neutre.
a) Sapendo che la concentrazione di lacune alla
coordinata x
n
vale p(x
n
)= 510
15
cm
-3
, determinare il
valore della tensione V
D
e della concentrazione di
elettroni n(-x
p
).
V
D
assuma il valore calcolato al punto (a), sia
p
la vita
media delle lacune nella zona neutra n e sia
n
quella degli
elettroni nella zona neutra p.
b) Si assuma
p
=
n
=. Rappresentare in un diagramma
quotato landamento della concentrazione dei portatori
minoritari in ciascuna delle due regioni neutre.
Calcolare inoltre le densit di corrente di lacune J
p
alla
sezione x
n
.
c) Ora
p
assuma un valore finito incognito. Sapendo che
la corrente di lacune alla coordinata x
n
vale J
p
(x
n
)= 5
A/cm
2
, determinare
p
e rappresentare in un
diagramma quotato landamento della concentrazione
delle lacune nella regione neutra n.
d) Per
p
calcolato al punto precedente e
n
=, calcolare
le densit di corrente di lacune e di elettroni J
p
e J
n
alla
coordinata x
1
= 14m.


Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Costante dielettrica del Si

Si
= 1pF/cm

Esercizio 4

q
Al
= 4.1 eV
q= 4.05 eV
N
A
= 2*10
16
cm
-3

t
Si
= 500 m

Figura 4.a Tabella 4.a

N
D
= 10
18
cm
-3

L= 3 m

n
= 600 cm
2
/Vs
Figura 4.b Tabella 4.b
Si consideri il condensatore MOS rappresentato in Figura 4.a, le
cui propriet sono riportate nella Tabella 4.a.
a) Dimensionare lo spessore dellossido t
OX
per avere una
tensione di soglia V
T0
= 500mV.
Si consideri ora il transistore MOSFET rappresentato in Figura
4.b e realizzato a partire dalla struttura di Figura 4.a. In
particolare il drogaggio di substrato il medesimo e lo spessore
dellossido quello calcolato al punto (a). Gli altri parametri della
struttura sono riportati nella Tabella 4.b.
b) Sia V
SB
= 5V, V
DS
= 0V, e V
GS
=2.5V. Determinare il valore di
W affinch la conduttanza di canale sia pari a G
CH
= 0.65
mA/V.
c) Sia V
SB
= 5V, e V
DS
= 0V. Sapendo che lossido di gate si pu
danneggiare se il campo elettrico in esso presente supera il
valore E
OX-MAX
= 510
6
V/cm, determinare la massima
tensione V
GS
che possibile applicare fra Source e Gate.

Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Densit di stati equivalente in
banda di conduzione
N
C
= 2.81*10
19
cm
-3

Costante dielettrica del Si

Si
= 1 pF/cm
Costante dielettrica dellOssido

Ox
= 1/3 pF/cm

Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2008/2009 10 Luglio 2009



Costanti Universali
Massa dellelettrone
m
0
= 9.1 10
-31
kg
Carica dellelettrone
q= 1.610
-19

C
Costante di Boltzmann
k=1.3810
-23
J/K
Tensione termica
V
TH
= 25.8mV


Esercizio 1

Si consideri una lacuna che si muove allinterno di un
materiale semiconduttore sotto lazione di un campo
elettrico pari a E= 10V/cm. Il grafico di Figura 1.a
rappresenta landamento temporale della velocit della
lacuna (solo componente ordinata).
a) Calcolare la massa efficace della lacuna.
b) Stimare la mobilit della lacuna allinterno del
semiconduttore considerato.



Figura 1.a

Esercizio 2

N
D
= 10
18
cm
-3

N
A1
= 510
15
cm
-3

N
A2
= 10
12
cm
-3

N
A3
= 10
18
cm
-3

W
N
= 20m
W
P3
= 50m
Figura 2
Si consideri la giunzione realizzata in Silicio e
rappresentata in Figura 2.
a) Alla struttura viene applicata una tensione inversa V
R

sufficiente a svuotare completamente le regioni N
A1
e
N
A2
ed in parte la regione N
A3
. Tracciare un
diagramma qualitativo dellandamento della carica, del
campo elettrico e del potenziale lungo il dispositivo.
b) Dimensionare lo spessore W
P1
in modo tale che, al
breakdown, il campo elettrico allinterfaccia fra le
regioni N
A1
e N
A2
sia pari a 210
4
V/cm. Si assuma che
il campo di breakdown sia pari a E
BD
=110
5
V/cm.
c) Dimensionare lo spessore W
P2
in modo tale che la
tensione di breakdown sia pari a V
BD
=30V. Per
semplicit si trascurino le tensioni di built-in.
d) Rappresentare in un diagramma quotato landamento
della capacit di svuotamento C
J
(per unit di area) in
funzione della tensione inversa V
R
; si assuma V
R

compresa fra 0V e 30V.

Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Costante dielettrica del Si

Si
= 1pF/cm

Esercizio 3

N
A
= 2.510
17
cm
-3

N
D
= 510
16
cm
-3

W
N
= 30m

n
= 600 cm
2
/Vs

p
= 400 cm
2
/Vs

n
=
p
= 1 ms


Figura 3
Si consideri la giunzione pn realizzata in Silicio (Figura 3)
a cui applicata una tensione diretta V
D
=650mV. Siano x
n

e -x
p
le coordinate dei punti di separazione fra la zona di
carica spaziale e le regioni neutre. Sia inoltre
p
la vita
media delle lacune nella zona neutra n e sia
n
quella degli
elettroni nella zona neutra p.
a) Calcolare la concentrazione dei portatori minoritari
alla sezione x
n
.
b) Rappresentare in un diagramma quotato landamento
dei portatori minoritari e maggioritari nella regione
neutra n.
c) Calcolare la densit di corrente di lacune J
p
(x
n
) alla
sezione x
n
.
d) Dimensionare W
P
in modo tale che la densit di
corrente totale che attraversa il diodo sia pari a
J
TOT
= 1 Acm
-2
.

Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Costante dielettrica del Si

Si
= 1pF/cm

Esercizio 4

q= 4.05 eV
N
A
= 310
17
cm
-3

N
D
= 510
18
cm
-3

L= 4 m
W= 20 m

n
= 400 cm
2
/Vs
Figura 4.a Tabella 4.a

Figura 4.b
Si consideri il transistore MOSFET di Figura 4.a, le cui propriet
sono riportate nella Tabella 4.a.
Applicando le tensioni V
B
= 0V, V
S
= 0V, V
D
= 10mV e misurando
la corrente di drain I
D
in funzione della tensione V
GS
si ottiene il
grafico Figura 4.b.
a) Determinare la tensione di soglia V
T0
e lo spessore
dellossido t
OX
.
b) Determinare la funzione lavoro q
M
del metallo utilizzato per
realizzare il gate.
Sia ora V
S
= 0V, V
D
= 10mV.
c) Calcolare la tensione V
B
da applicare al contatto di Body
affinch la corrente che scorre nel MOS quando V
GS
= 2V si
riduca a I
D
= 10A.
Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Densit di stati equivalente in
banda di conduzione
N
C
= 2.8110
19
cm
-3

Costante dielettrica del Si

Si
= 1 pF/cm
Costante dielettrica dellOssido

Ox
= 1/3 pF/cm

Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2008/2009 2 Settembre 2009



Costanti Universali
Massa dellelettrone
m
0
= 9.1 10
-31
kg
Carica dellelettrone
q= 1.610
-19

C
Costante di Boltzmann
k=1.3810
-23
J/K
Tensione termica
V
TH
= 25.8mV


Esercizio 1

Figura 1
Densit equivalente di stati in banda di conduzione
N
C
= 210
18
cm
-3

Densit equivalente di stati in banda di valenza
N
V
= 10
18
cm
-3

Tempo di rilassamento

c
= 0.2ps
Si consideri un materiale semiconduttore
caratterizzato dal diagramma a bande di Figura 1 e
dalle propriet riportate in Tabella 1.
a) Calcolare la concentrazione di elettroni n, di
lacune p, e la concentrazione intrinseca n
i
.
b) Calcolare la massa efficace dellelettrone
sapendo che la resistivit pari a =50 cm .
Ora semiconduttore viene illuminato con una luce
costante nel tempo; i fotoni assorbiti determinano un
tasso di generazione ottica G
PH
spazialmente
uniforme. Si consideri la situazione a regime
c) Determinare il massimo valore di G
PH
che
consenta di continuare a lavorare in condizioni
di bassa iniezione. Per la vita media dei
portatori si assuma = 1 ms.
Tabella 1

Esercizio 2

N
D
= 10
18
cm
-3

N
A
= 210
15
cm
-3

W
N
= 100 m
W
P
= 100 m
A= 10
-2
cm
2



Figura 2
Si consideri la giunzione realizzata in Silicio e
rappresentata in Figura 2. Sia A larea della giunzione.
a) Calcolare la tensione di built-in V
BI
.
b) Calcolare la tensione inversa V
R1
da applicare alla
giunzione affinch il valore massimo del campo
elettrico allinterno della zona svuotata sia pari a
E
MAX
= 610
4
V/cm.
c) Calcolare la tensione inversa V
R2
da applicare affinch
la capacit di giunzione sia pari a C
J
= 25pF.

Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Costante dielettrica del Si

Si
= 1pF/cm

Esercizio 3

N
D
= 210
16
cm
-3

N
A
= 110
17
cm
-3

W
N
= 100m
W
P
= 200m

n
= 620 cm
2
/Vs

p
= 400 cm
2
/Vs

n
= 160 ns

p
=

Figura 3
Si consideri la giunzione pn realizzata in Silicio (Figura 3)
a cui applicata una tensione diretta V
D
=600mV. Siano x
p

e -x
n
le coordinate dei punti di separazione fra la zona di
carica spaziale e le regioni neutre. Sia inoltre
p
la vita
media delle lacune nella zona neutra n e sia
n
quella degli
elettroni nella zona neutra p.
a) Calcolare la concentrazione dei portatori minoritari
alle sezioni -x
n
e x
p
.
b) Rappresentare in un diagramma quotato landamento
dei portatori minoritari e maggioritari nelle due regioni
neutre.
c) Calcolare le densit di corrente J
n
(x
p
) e J
p
(-x
n
)
d) Calcolare la densit di corrente di lacune e di elettroni
J
p
(x
1
) e J
n
(x
1
) alla sezione x
1
=100m.
e) Rappresentare in un diagramma quotato landamento
della densit di corrente di elettroni e di lacune nella
zona neutra n.

Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Costante dielettrica del Si

Si
= 1pF/cm

Esercizio 4

q= 4.05 eV
t
OX
= 10nm
N
D
= 510
18
cm
-3

L= 10 m
W= 50 m

n
= 500 cm
2
/Vs
Figura 4.a Tabella 4.a

Figura 4.b
Si consideri il transistore MOSFET di Figura 4.a, le cui propriet
sono riportate nella Tabella 4.a. Si osservi in particolare che non
sono noti n il lavoro di estrazione del metallo con cui realizzato
il gate, n il drogaggio di substrato N
A
. nota invece la tensione
di soglia V
T0
= 0.5V.
a) Sia V
SB
= 0V e V
DS
= 0V. Calcolare la tensione V
GS
che
necessario applicare affinch la carica mobile
complessivamente accumulata sotto lossido di gate sia pari a
Q
CH
= 4pC.
b) Sapendo che applicando una tensione V
SB
=20V, la tensione
di soglia assume il valore V
T
=1.5V, calcolare il drogaggio di
substrato N
A
.
c) Determinare la funzione lavoro q
M
del metallo utilizzato per
realizzare il gate.
d) Sia V
SB
= 0V, V
DS
= 0V e V
GS
assuma il valore calcolato al
punto a). Tracciare in un diagramma quotato landamento
della densit di carica , dei campi D ed E, nonch del
potenziale V lungo la linea tratteggiata indicata in Figura
4.b.
Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Densit di stati equivalente in
banda di conduzione
N
C
= 2.8110
19
cm
-3

Costante dielettrica del Si

Si
= 1 pF/cm
Costante dielettrica dellOssido

Ox
= 1/3 pF/cm

Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2008/2009 4 Febbraio 2010


Costanti Universali

Massa dellelettrone
m
0
= 9.1 10
-31
kg
Carica dellelettrone
q = 1.610
-19

C
Costante di Boltzmann
k = 1.3810
-23
J/K
Tensione termica (T ambiente)
V
TH
= 25.8 mV
Costante dielettrica del vuoto

0
= 8.8510
-14
F/cm

Esercizio 1
Si consideri un materiale semiconduttore a
temperatura ambiente (T=300K) opportunamente
drogato e caratterizzato dal diagramma a bande di
Figura 1a e dalle propriet riportate in Tabella 1.
a) Calcolare i livelli di energia della banda di
conduzione E
C
[eV] e della banda di valenza E
V

[eV] a temperatura ambiente, noto E
F
= 0.6 eV.
Quotare correttamente il diagramma a bande e
specificare il tipo di drogaggio.
b) Calcolare mobilit e massa efficace (in frazioni
di m
0
) della lacuna sapendo che il dispositivo
un resistore integrato (Figura 1b) con
caratteristiche riportate in Tabella 1. (Si presti
estrema attenzione alle unit di misura!)
Ora il semiconduttore viene riscaldato per mezzo di
un termostato ad una temperatura T=400K. Si
consideri la situazione allequilibrio termico.
c) Calcolare la resistenza R del resistore di
dimensioni specificate al punto b) nelle nuove
condizioni operative, assumendo la densit
equivalente di stati in banda di valenza N
V

proporzionale a T
3/2
e la mobilit calcolata al
punto b) costante.

Figura 1a Figura 1b
Densit equivalente di stati in banda di conduzione
N
C
= 210
18
cm
-3

Densit equivalente di stati in banda di valenza
N
V
= 10
18
cm
-3

Concentrazione di elettroni in banda di conduzione
n= 7.510
9
cm
-3

Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.8410
12
cm
-3

Tempo di rilassamento

c
= 0.2ps


Lunghezza resistore integrato
L = 500 m
Sezione resistore integrato
S = 10
-3
cm
2

Resistenza resistore integrato
R = 1.5 k

Tabella 1

Esercizio 2
Si consideri la giunzione p-n in Silicio rappresentata in
Figura 2. Sia A larea della giunzione.
a) Progettare il drogaggio della regione n, N
D
, avendo
come specifica il campo elettrico massimo E
MAX
=
310
5
V/cm alla tensione inversa V
R
=25 V. (Sia fatta
opportuna assunzione relativamente al potenziale di
built-in.)
b) Calcolare il potenziale di built-in V
BI
, verificare
lassunzione fatta al punto a) e calcolare le estensioni
delle zone di carica spaziale x
p
e x
n
in condizioni di
zero bias. Di che tipo di giunzione si tratta?
c) Considerando il particolare tipo di giunzione e i dati
ottenuti nei punti a) e b), calcolare la capacit di
giunzione C.
d) Disegnare in tre grafici quotati: 1. densit di carica
spaziale, 2. profilo del campo elettrico, 3. potenziale
elettrico in zona di carica spaziale al built-in.
(facoltativo)



N
A
= 10
18
cm
-3

W
N
= 100 m
W
P
= 100 m
A= 10
-2
cm
2


Figura 2

Costanti

Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Costante dielettrica relativa del Si

Si
= 11.7

Esercizio 3
Si consideri la giunzione p-n in Silicio (Figura 3) a cui
applicata una tensione diretta V
D
=600mV. Siano -x
p
e x
n
le
coordinate dei punti di separazione fra la zona di carica
spaziale e le regioni neutre. Sia inoltre
p
la vita media delle
lacune nella zona neutra n e sia
n
quella degli elettroni
nella zona neutra p.
a) Nota la concentrazione di portatori minoritari al bordo
della zona di carica spaziale a lato n (x=x
n
),
p
n
=2.6510
14
cm
-3
, calcolare il drogaggio di donori N
D
.
b) Nota la densit di corrente di portatori minoritari alla
sezione x=-x
p
, J
n
=4.23 A/cm
2
, calcolare il drogaggio di
accettori N
A
.
c) Le zone di carica spaziale, lato p e lato n, hanno la
stessa estensione? (motivare la risposta)
d) Calcolare la densit di corrente di lacune e di elettroni
J
p
(x
1
) e J
n
(x
1
) alla sezione x
1
=150m.
e) Stimare il valore del campo elettrico alla sezione x
1

del punto d), assumendo n=N
D
, e commentare
conseguentemente lapprossimazione di campo
elettrico nullo in zona neutra.


W
N
= 200m
W
P
= 200m

n
= 620 cm
2
/Vs

p
= 400 cm
2
/Vs

n
= 160 ns

p
= 90 ns

Figura 3

Costanti

Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Costante dielettrica relativa del Si

Si
= 11.7


Esercizio 4
Si consideri il condensatore MOS di Figura 4a, le cui propriet
sono riportate nella Tabella 4.a. Si osservi che non noto il
drogaggio di substrato N
A
. Sono note invece laffinit elettronica
del Silicio, q e la funzione lavoro dellArgento, q
M
, utilizzato
come metallo di gate.
a) Calcolare il drogaggio di substrato N
A
, sapendo che la
tensione di flat-band V
FB
= -0.776 V e assumendo la carica
nellossido nulla.
b) Dimensionare lo spessore dellossido di gate, sapendo che la
soglia del transistore pari a V
T0
= 0.75V. (Prestare
attenzione alle unit di misura!)
Si consideri ora il transistore MOSFET rappresentato in Figura
4b, le cui propriet sono riportate ancora in Tabella 4a.

c) Ricavare lespressione della conduttanza di canale G
CH
nel
limite V
DS
= 0V, con V
SB
= 0V e ricavare la tensione tra gate
e source V
GS
che consente di ottenere G
CH
= 4.13 mA/V.



q= 4.01 eV
q
M
= 4.26 eV

L= 10 m
W= 50 m

n
= 500 cm
2
/Vs
Figura 4a Tabella 4a

Figura 4b
Costanti
Concentrazione intrinseca
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Costante dielettrica relativa del Si

Si
= 11.7
Costante dielettrica relativa SiO
2

Ox
= 3.9
Gap di Energia del Silicio
E
G
= 1.12 eV


Nota Bene: per ciascun risultato numerico ricordate di specificare SEMPRE lunit di misura!
SOLUZIONE TEMA DESAME DEL 4 FEBBRAIO 2010
Esercizio 1
a. Per ricavare i livelli di energia si utilizzano le relazioni che legano le
densit di portatori liberi nelle bande di conduzione e valenza ai parametri
energetici nellapprossimazione di Boltzmann:
n = N
C
exp
_

E
C
E
F
kT
_
e
p = N
V
exp
_

E
F
E
V
kT
_
.
Dalla prima si ricava direttamente
E
C
= E
F
kT ln
_
n
N
C
_
= 1.1eV.
Dalla seconda si ricava
E
V
= E
F
+kT ln
_
p
N
V
_
= 0.4eV,
dove, per la legge di azione di massa, p = n
2
i
/n = 4.51 10
14
cm
3
. Il semicon-
duttore drogato p in quanto il livello di Fermi si trova in prossimit della
banda di valenza.
b. Note resistenza elettrica R, lunghezza L, sezione S del resistore inte-
grato, dallapplicazione della
R =
L
S
si ricava la resistivit = 1/ = 30 cm. In un semiconduttore la resistivit
risulta legata alla carica elementare, alla mobilit e alla densit di portatori
(in questo caso solo lacune maggioritarie) dalla seguente:
=
1

=
1
q
p
p
da cui si ottiene la mobilit
p
= 462
cm
2
V s
. Per la massa ecace della lacuna
m

p
si utilizza la seguente relazione, nota la mobilit (appena calcolata):
m

p
=
q
c

p
da cui si ricava m

p
= 6.92 10
31
kg = 0.76 m
0
dove m
0
la massa
dellelettrone nel vuoto.
Analisi Dimensionale:
_
m

p
_
= C V s
2
/cm
2
= (J/m) s
2
m/cm
2
=
N s
2
/10
4
m = 10
4
kg. La conversione da cm
2
a m
2
introduce un fattore
10
4
!!!
c. Alzando la temperatura si introduce una variazione nelle densit di
portatori. In questo caso il testo suggerisce sia la legge di proporzionalit
tra N
V
e T, sia il fatto che la mobilit rimane costante. Noto dunque che
N
300K
V
= 300
3/2
e N
400K
V
= 400
3/2
, si pu scrivere la proporzione:
N
300K
V
N
400K
V
=
_
300
400
_
3/2
,
da cui si ricava N
400K
V
= 1.54 10
18
cm
3
. Noto N
400K
V
, possibile ricavare la
densit di lacune nelle nuove condizioni operative:
p (400K) = N
400K
V
exp
_

E
F
E
V
kT
_
= 4.66 10
15
cm
3
.
Noto p
400K
e
p
(dal punto precedente) possibile calcolare la resistivit
(400K) = 2.9 cm e quindi la resistenza R(400K) = (400K) L/S =
145.
Esercizio 2
a. Noto il campo elettrico, ad esempio, nella regione p:
E =
_
(x)

Si
dx =
_
q N
A

Si
dx,
integrando si ottiene
E =
q N
A

Si
(x +x
p
) , x
p
x 0.
Ponendo x = 0, ovvero imponendo la condizione di campo massimo, si ottiene
E
MAX
= q N
A
x
p
/
Si
. A questo punto si sostituisce nella precedente
lespressione per la zona svuotata a lato p, x
p
, considerando la barriera di
potenziale introdotta dalla V
R
e trascurando la V
bi
, noto che V
bi
<< V
R
:
x
p
=

2
Si
(V
R
)
q

_
N
D
N
A
_

_
1
N
A
+N
D
_
;
elevando ora al quadrato entrambi i membri dellequazione, si ottiene
E
2
MAX
=
2q (V
R
)

Si

_
N
A
N
D
N
A
+N
D
_
,
da cui, eseguendo pochi semplici passaggi algebrici , possibile calcolare
N
D
= 1.18 10
16
cm
3
.
b. Noti ora i drogaggi delle due regioni, possibile calcolare il potenziale
di built-in:
V
bi
=
kT
q
ln
_
N
A
N
D
n
2
i
_
= 0.82V.
Dunque lassunzione V
R
>> V
bi
fatta al punto precedente risulta vericata!
In condizioni di zero-bias, ovvero per V
R
= 0, possibile calcolare le estensioni
delle zone di carica spaziale: x
p
= 3.5nm mediante la formula scritta poco
sopra e, sfruttando la conoscenza dei drogaggi, x
n
= (N
A
/N
D
) x
p
= 296nm.
Dato lo sbilanciamento dei drogaggi di due ordini di grandezza e di con-
seguenza lo sbilanciamento delle estensioni delle zone svuotate della stessa
quantit, si pu aermare che si tratta di una giunzione unilatera di tipo
p
+
n.
c. La capacit di giunzione per unit di area pu essere espressa come
C

=
dQ

dV
R
= q N
D
dx
n
dV
R
= q N
A
dx
p
dV
R
.
Calcolando la derivata prima rispetto a V
R
di x
n
oppure di x
p
e sostituendola
nella precedente espressione, possibile ricavare C

= 6.25
nF
cm
2
. Nota larea,
C
j
= C

A = 62.5pF.
d. Punto facoltativo il cui svolgimento adato al lettore per ripasso
della teoria di base sulla giunzione pn.
Esercizio 3
a. Viene richiesto il drogaggio di donori a lato n, nota la concentrazione
di portatori minoritari (lacune) al bordo della zona svuotata a lato n, in
x = x
n
. La giunzione polarizzata in diretta produce un abbassamento della
barriera di potenziale e una iniezione di lacune maggioritarie dalla zona p
alla zona n, accrescendo, a bordo giunzione lato n la concentrazione di lacune
minoritarie, generando cio una concentrazione di lacune in eccesso a lato n:
p
n
= p
n0
exp
_
qV
A
kT
_
,
dove p
n0
= n
2
i
/n
n0
n
2
i
/N
D
la concentrazione di lacune minoritarie allequilibrio
termico. Si noti che sostituendo lultima espressione nella penultima, si es-
plicita il drogaggio di donori come:
N
D
=
n
2
i
p
n
exp
_
qV
A
kT
_
= 10
16
cm
3
.
b. Viene richiesto il drogaggio di accettori, nota la densit di corrente di
minoritari (stavolta elettroni) a bordo giunzione lato p, cio per x = x
p
.
Si scriva dunque lespressione della densit di corrente di elettroni:
J
n
=
qD
n

n
2
i
N
A
L
n

_
exp
_
qV
A
kT
_
1
_
exp
_
x
p
+x
L
n
_
,
in cui lultimo termine esponenziale unitario. Attraverso la nota relazione
di Einstein che non riportiamo qui, si ricavano D
n
= 16cm
2
/s e L
n
= 1.6
10
3
cm. Dallespressione scritta per la densit di corrente, in cui stato
esplicitato il drogaggio di accettori N
A
, possibile calcolare N
A
= 10
15
cm
3
.
c. NO! Le zone di carica spaziale hanno estensioni diverse, dato che i
drogaggi dieriscono di un ordine di grandezza.
d. Questo punto potrebbe essere risolto facendo una semplice consider-
azione e un breve calcolo. Anzitutto si deve ricavare, mediante la nota re-
lazione di Einstein, D
p
= 10.3cm
2
/s e L
p
= 9.63m. Si noti che L
p
<< W
n
,
quindi il diodo lungo! Ora non si pu non notare che la sezione x
1
= 150m
alla quale si richiede di calcolare le densit di corrente di lacune ed elettroni,
si trova a circa 140m dal bordo della zona di carica spaziale lato n. Si pu
quindi assumere decisamente trascurabile la densit di portatori minoritari
in eccesso alla sezione x
1
. Dunque la densit di corrente sar data intera-
mente dalla corrente di drift dei portatori maggioritari, ovvero elettroni e
sar circa pari alla corrente totale:
J
TOT
J
n
= J
s

_
exp
_
qV
A
kT
_
1
_
= 4.68
A
cm
2
.
Se si volesse invece ricavare lesatta densit di corrente di portatori minoritari
alla sezione x
1
, essa risulterebbe J
p
80nA/cm
2
.
e. Come gi introdotto al punto d, alla sezione x
1
la densit di corrente
calcolata praticamente per intero una densit di corrente di deriva di porta-
tori maggioritari, elettroni. Si pu quindi scrivere, assumendo n = N
D
come
suggerito dal testo,
J (x
1
) = J
n
q
n
N
D
E,
da cui si pu calcolare E = 4.72V/cm. Come commento suciente ricordare
che tale stima conferma la validit dellapprossimazione di campo nullo in
zona neutra, dato che in zona di carica spaziale il campo elettrico pu essere
maggiore di quello appena stimato di circa 4 - 5 ordini di grandezza.
Esercizio 4
a. Nota la tensione di banda piatta, at-band, V
FB
, e noto che la carica
nulla allinterno dellossido, si pu scrivere:
V
FB
=
ms
=
M

_
+
E
G
2q
+
fp
_
,
dove
fp
= V
th
ln(N
A
/n
i
). Si noti che questultima espressione per
fp
contiene lincognita N
A
. Sostituendo ed eseguendo i calcoli si ottiene N
A
=
10
18
cm
3
.
b. Nota la relazione V
T0
= V
ox
+
ms
+ 2
fp
e noto che, nel caso
particolare di questo problema la carica nellossido nulla, si pu scrivere:
V
T0
=
|Q

SD
(max)|
C
OX
+V
FB
+ 2
fp
,
dove |Q

SD
(max)| = q N
A
x
depletion
= 560nC/cm
2
,
fp
= V
th
ln(N
A
/n
i
) =
466mV . Essendo
C

OX
=

OX
t
OX
,
si pu scrivere la seguente espressione per t
OX
:
t
OX
=

OX
(V
T0
V
FB
2
fp
)
|Q

SD
(max)|
= 3.66nm.
c. La conduttanza di canale la derivata prima della corrente di drain nel
limite V
DS
= 0, ovvero calcolata nellorigine degli assi della curva I
D
V
DS
di un MOSFET operante in zona triodo. Nota la corrente del MOSFET in
zona triodo:
I
D
=
n
C

OX

W
L

_
(V
GS
V
T
) V
DS

V
2
DS
2
_
si calcola la conduttanza di canale come la derivata prima della corrente
rispetto a V
DS
e la si valuta per V
DS
= 0, ovvero nellorigine degli assi. Si
ottiene:
G
CH
=
n
C

OX

W
L
(V
GS
V
T
) .
Da questa si ricava quindi la tensione V
GS
2.5V .
Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2009/2010 7 Maggio 2010

Esercizio 1
Si consideri un resistore planare in Silicio (Si) avente lunghezza L e
sezione semicircolare S di diametro d (Figura 1). Il semiconduttore, le
cui propriet sono riportate in Tabella 1, drogato con una
concentrazione di atomi accettori N
A
.
a) Note la mobilit delle lacune
p
= 502 cm
2
/Vs e la conduttanza del
dispositivo G=126.3 S, a T = 300K, calcolare la concentrazione di
droganti accettori N
A
.
b) Noti il risultato del punto a) e la corrente I

= 328 A che scorre nel
dispositivo, calcolare il campo elettrico E applicato.

Figura 1
L = 50m
d = 10m

G = 126.3 S

p
= 502 cm
2
/Vs
I = 328 A
c) Calcolare la massa efficace della lacuna, esprimendola in unit di
m
0
, noto il tempo di rilassamento
cp
= 10s.

Si supponga ora che il dispositivo operi in prossimit di un motore, a
T = 420K. Considerando soltanto gli effetti di temperatura sulla mobilit
legati alle vibrazioni reticolari e assumendo per semplicit la
concentrazione di lacune invariante in temperatura,

d) Calcolare il rapporto di resistenze R(300K) / R(420K) e fornire
un breve commento del risultato ottenuto.

Propriet del Silicio
Concentrazione intrinseca:
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Energy gap:
E
GAP
= 1.12eV
Tempo di rilassamento lacuna:

cp
= 10s

Tabella 1

Massa dellelettrone nel vuoto:
m
0
= 9.110
-31
Kg
Carica dellelettrone:
q= 1.610
-19
C
Costanti
Esercizio 2
Si consideri la giunzione np in Silicio rappresentata in Figura 2.
Sono noti la tensione di built-in V
BI
, il drogaggio di accettori N
A
,
le mobilit dei portatori,
n
e
p
, il tempo di vita medio delle
lacune
p
, le estensioni delle zone n e p, W
N
e W
P
e larea di
giunzione A (Tabella 2).
a) Calcolare il drogaggio della regione n, N
D
, nota la tensione di
built-in, V
BI
= 0.77 V. Si tratta di una giunzione unilatera?
Motivare brevemente la risposta
b) Calcolare la tensione inversa che necessario applicare al
diodo per avere una capacit di giunzione C = 93.6 pF.

Figura 2
Si supponga ora di applicare una tensione diretta V
D
alla
giunzione di Figura 2.
c) Nota la concentrazione di portatori minoritari alla sezione
x=-x
n
, p(-x
n
) = 2.8710
14
cm
-3
, calcolare la tensione diretta V
D
.
d) Noto il rapporto L
n
/W
p
=100, dopo avere specificato la
validit dellapprossimazione diodo lungo o diodo corto,
calcolare il tempo di vita medio dei portatori minoritari in
zona p.
e) Calcolare la densit di corrente di lacune J
p
alla sezione
x
p
+0.5W
p
e rappresentare qualitativamente le densit di
corrente di maggioritari e minoritari nella regione neutra p.
f) Ricavare ora la relazione analitica che lega le estensioni
delle zone di carica spaziale, x
n
e x
p
, nel caso di drogaggi
non-uniformi e descritti dalle relazioni analitiche:
N
D
= - k x per x < 0
N
A
= 2k

x per x > 0
V
BI
= 0.77 V
p
= 10s
N
A
= 10
17
cm
-3

n
= 300 cm
2
/Vs
W
P
= 1m
p
= 450 cm
2
/Vs
W
N
= 200m A = 10
-2
cm
2

Tabella 2


Concentrazione intrinseca:
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Costante dielettrica del vuoto:

0
= 8.8510
-14
F/cm
Costante dielettrica relativa del Si:

r-Si
= 11.7
Costante di Boltzmann:
k = 1.3810
-23
J/K
Tensione termica:
V
th
= 25.8 mV
Carica dellelettrone:
q = 1.610
-19
C

Costanti
AVVERTENZE: Risolvere PRIORITARIAMENTE i punti nei riquadri superiori relativi ad entrambi gli
esercizi; passare successivamente allo svolgimento degli altri. I punti in grassetto presentano una
difficolt maggiore, si consiglia pertanto di svolgerli per ultimi.
Compiti scritti a matita o a penna rossa e/o corretti con bianchetto correttore non saranno valutati.
SOLUZIONE I PROVA IN ITINERE DEL 7 MAGGIO 2010
Esercizio 1
a. Noto che
R =
1
G
=
L
S
=
1
q p
p

L
S
con p = N
A
e S = d
2
/8 (sezione semicircolare), si ricava la seguente espres-
sione per N
A
:
N
A
=
8 L G
q
p
d
2
= 2 10
16
cm
3
.
b. Nota la relazione che lega la densit di corrente J al campo elettrico
E:
J = q p
p
E
e noto che p = N
A
, J = I/S = 8I/d
2
, si pu scrivere la seguente relazione
per il campo elettrico:
E =
8I
q N
A

p
d
2
= 520
V
cm
.
c. Nota la relazione che lega tra loro mobilit, massa ecace e tempo di
rilassamento,

p
=
q
cp
m

p
da questa si ricavi m

p
,
m

p
=
q
cp

p
= 31.87 10
36
C V s
2
cm
2
Per ottenere il risultato in unit di m
0
(massa dellelettrone nel vuoto), oc-
corre trasformare lunit di misura in kg (vedi analisi dimensionale sotto).
Si ottiene dunque:
m

p
[kg] = 318.7 10
33
kg =
318.7 10
33
9.1 10
31
m
0
= 0.35m
0
.
Analisi Dimensionale:
_
m

p
_
= C V s
2
/cm
2
= (J/m) s
2
m/cm
2
=
N s
2
/10
4
m = 10
4
kg. La conversione introduce un fattore moltiplicativo
10
4
!
d. Noto che:

LATTICE
(T) T

3
2
,
posto T
1
= 300K e T
2
= 420K, e nota la mobilit a temperatura ambiente,
(T
1
)
(T
2
)
=
_
T
1
T
2
_

3
2
,
da cui,
(T
2
) =
_
T
1
T
2
_
3
2
(T
1
) =
_
300
420
_
3
2
502 = 303
cm
2
V s
.
Dunque avremo R(300K) = 1/G = 7.917k e
R(420K) =
8L
q N
A

p
(420K) d
2
= 13.13k.
Si ottiene quindi un rapporto R(300K) /R(420K) = 0.603.
Commento: Nellipotesi semplicativa che la concentrazione dei portatori
sia costante in temperatura, la resistenza elettrica del dispositivo aumenta
allaumentare della temperatura operativa a causa di un incremento della
resistivit del semiconduttore, dato da una minore mobilit dei portatori
maggioritari allaumentare della temperatura. Tale eetto legato ad una
maggiore agitazione termica del reticolo che aumenta la probabilit di urto
portatore / sito reticolare, diminuendo il tempo di vita medio del portatore.
Esercizio 2
a. Nota la relazione che lega la tensione di built-in e i drogaggi della
giunzione,
V
BI
=
kT
q
ln
_
N
A
N
D
n
2
i
_
,
si ricava lespressione per N
D
:
N
D
=
n
2
i
N
A
exp
_
q V
BI
kT
_
= 1.92 10
16
cm
3
NON si tratta di giunzione unilatera, poich i drogaggi, e quindi anche le
estensioni delle regioni di carica spaziale, dieriscono per meno di un ordine
di grandezza.
b. Nota lespressione per la capacit di giunzione per unit di area,
C

q
Si
N
A
N
D
2 (V
BI
+ V
R
) (N
A
+ N
D
)
,
ricaviamo C

= C/A = 9.36nF/cm
2
, dove A = 10
2
cm
2
. Dalla formula per
C

si ottiene lespressione per V


R
; eseguendo i calcoli risulta V
R
= 14.46V .
c. Nota la concentrazione di lacune minoritarie al bordo della zona di
carica spaziale, lato n, suciente considerare lespressione:
p (x
n
) = p
n0
exp
_
qV
D
kT
_
,
dove p
n0
= n
2
i
/N
D
la concentrazione di lacune minoritarie allequilibrio. Si
ottiene quindi:
V
D
=
kT
q
ln
_
p (x
n
)
p
n0
_
= 0.62V.
d. Dato che L
n
>> W
p
, infatti il testo dice che L
n
= 100 W
p
, vale
lapprossimazione di diodo a base corta o diodo corto. A partire dalla
relazione di Einstein, si ricava il coeciente di diusione per gli elettroni:
D
n
=
kT
q

n
= 32.25
cm
2
s
.
Inne, nota lespressione per la lunghezza di diusione, L
n
=

D
n

n
, si
ottiene:

n
=
L
2
n
D
n
=
(100 W
p
)
2
D
n
= 3.1s.
e. Nel punto d. si vericata la validit dellapprossimazione di diodo
corto. Dunque in tale approssimazione il prolo di portatori minoritari in
zona p lineare, ovvero la densit di corrente di minoritari in zona p
costante. Di conseguenza costante anche la densit di corrente di portatori
maggioritari (lacune) in zona neutra p e uguale alla densit di corrente di
lacune alla sezione x
n
(si ricordi che la densit di corrente totale, mag-
gioritari + minoritari, costante in tutta la giunzione pn). Quindi in zona
neutra p, si pu scrivere la seguente espressione per la densit di corrente,
indipendentemente dalla posizione x:
J
MAGGIORITARI
ZONAP
= J
p
(x
n
) =
qD
p
p
n0
L
p

_
exp
_
qV
A
kT
_
1
_
= 51.6
mA
cm
2
,
dove per la relazione di Einstein, D
p
= kT
p
/q = 11.61cm
2
/s e L
p
=
_
D
p

p
= 10.77 10
3
cm.
f. In questo caso i drogaggi sono non-uniformi e lineari.
Si segue la stessa procedura seguita per ricavare lespressione che lega le
estensioni delle zone di carica spaziale nel caso semplice di drogaggi uniformi:
Equazione di Poissn che lega potenziale, densit di carica e campo elettrico
Integrazione densit di carica nelle due zone (n e p) Campo Elettrico
Condizioni al contorno: annullamento del campo a bordo zona di car-
ica spaziale Condizione di continuit del Campo Elettrico alla giunzione
metallurgica relazione richiesta!
In simboli: in zona n, ovvero per x < 0,
N
D
(x) = k x (x) = q k x.
Integrando per separazione delle variabili la seguente relazione:
(x)

Si
=
dE (x)
dx
,
si ricava:
E (x) =
qk

Si

_
xdx =
qk

Si

x
2
2
+ C
1
.
Condizione al contorno: campo nullo alla sezione x = x
n
:
E (x
n
) =
qk

Si

x
2
2
+ C
1
= 0,
da cui si ricava C
1
:
C
1
=
qk

Si

x
2
n
2
.
Cos, nellintervallo x
n
< x < 0, vale la seguente relazione per il campo
elettrico:
E (x) =
qk
2
Si

_
x
2
x
2
n
_
.
allo stesso modo, in zona p, per x > 0 si ha:
N
A
(x) = 2k x (x) = 2q k x;
eseguendo i medesimi passaggi con la medesima condizione al contorno di
annullamento del campo elettrico alla sezione x = x
p
, si ottiene per 0 < x <
x
p
:
E (x) =
qk

Si

_
x
2
x
2
p
_
.
Imponendo ora la condizione di continuit del campo elettrico alla giun-
zione metallurgica, ovvero per x = 0, si ottiene la relazione richiesta che lega
le estensioni delle regioni di carica spaziale:
2 k x
2
p
= k x
2
n
,
cio,
x
p

2 = x
n
.
Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2009/2010 5 Luglio 2010

Costanti Universali
Costante dielettrica del vuoto:

0
= 8.85 10
-14
F/cm
Costante di Boltzmann:
k = 8.6210
-5
eV/K
Massa dellelettrone a riposo:
m
0
= 9.1 10
-31
kg
Tensione termica:
V
t
= 25.8 mV
Carica dellelettrone:
q = 1.610
-19
C
Esercizio 1
Si consideri un semiconduttore opportunamente
drogato le cui propriet sono riportate in Tabella 1.
a) Calcolare le concentrazioni di elettroni n
0
e
lacune p
0
allequilibrio, sapendo che
(E
GAP
/2 - E
F
) = - 0.2 eV.
b) Assumendo come riferimento E
i
= 0 eV
(Figura 1), calcolare il livello di energia
relativo alla banda di valenza E
V
[eV],
specificare lestensione del gap di energia
E
GAP
[eV] e rappresentare il diagramma a
bande completo e quotato.
Il dispositivo si trova ad operare in regime
criogenico immerso in azoto liquido (T=77K).
c) Calcolare il rapporto di resistivit
r=(300K)/(77K) assumendo costanti in
temperatura E
C
, E
V
ed E
F
e considerando
tutti gli altri contributi di temperatura:
mobilit (Tabella 1) e concentrazione.
Il portatore maggioritario che si muove nel
resistore in Figura 2 sotto leffetto di un campo
elettrico E, a T=77K, subisce in media N=100 urti.
d) Calcolare la tensione V applicata ai capi del
resistore le cui caratteristiche sono riportate
in Tabella 1, trascurando la dipendenza
della massa efficace dalla temperatura.


Figura 1.



Figura 2.


Concentrazione intrinseca:
n
i
=210
13
cm
-3
Densit equiv. di stati (b. conduzione):
N
C
=10
19
cm
-3

Mobilit elettroni a T=300K :

n
=3500 cm
2
/Vs
Mobilit lacune a T=300K:

p
=1800 cm
2
/Vs
Legge Mobilit - Temperatura:
= A T
-1.14
Massa efficace dellelettrone:
m
e
=0.08 m
0
Massa efficace della lacuna:
m
p
=0.33 m
0
Lunghezza Resistore (figura 2):
L=11.3 m
Sezione Resistore (figura 2):
S=10
3
m
2


Tabella 1.


Esercizio 2A
Si consideri il condensatore MOS con
substrato in Silicio drogato p rappresentato
in Figura 3.
a) Nota la tensione di flat-band
V
FB
= -0.417V calcolare il drogaggio
di substrato N
A
assumendo nulla la
carica nellossido, Q
ss
.
b) Calcolare la tensione di soglia V
T0
e
rappresentare il diagramma a bande
quotato e il diagramma di
distribuzione di carica del sistema
nella condizione di soglia.



Figura 3.



Funzione lavoro Cromo:
q
M
=4.5eV
Affinit elettronica Silicio:
q=4.01eV
Gap di Energia Silicio:
E
GAP
=1.12eV
Costante dielettrica Silicio:

r
= 11.7
Costante dielettrica SiO
2
:

r
= 3.9
Spessore ossido:
t
OX
=15 nm
Concentr. intrinseca Silicio
n
i
=1.4510
10
cm
-3

Tabella 2.




Esercizio 2B
Si consideri il transistore MOS rappresentato in
Figura 4, fabbricato a partire dal condensatore MOS
in Silicio (Si) in Figura 3.

a) Calcolare la conduttanza di canale del
MOSFET nel punto di lavoro V
DS
=1V, V
S
=
V
B
= 0V, V
GS
=2.8V.
b) Nella condizione V
S
= V
B
= 0V, V
DS
sat
= V
GS

V
T0
, calcolare la tensione V
GS
tale da avere
una frequenza di cut-off del transistore pari a
f
T
= 150 MHz. Verificare se il dispositivo si
trova in regime di saturazione della velocit,
motivando la risposta.
c) Calcolare la tensione V
SB
, tale da avere una
tensione di soglia modificata per effetto del
potenziale di body pari a V
TH
= 1 V.

Figura 4.

Lunghezza L:
L = 10 m
Larghezza W:
W = 30 m
Spessore ossido di Gate:
t
OX
=15 nm
Mobilit elettroni di canale:

n
= 850 cm
2
/ V s
Concentraz. Intrinseca Si:
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Tabella 3.

Esercizio 3
Si consideri la giunzione pn in Silicio (Si)
rappresentata in Figura 5, di cui e` noto il drogaggio
in zona n (Tabella 3).
a) Nota la tensione di built-in, V
BI
= 0.81 V,
calcolare il drogaggio della zona p, N
A
.
b) Calcolare lestensione totale della zona
svuotata e commentarne il risultato.
c) Noto il campo elettrico critico E
CR
=610
5

V/cm calcolare la tensione di breakdown
della giunzione.
Si polarizzi ora la giunzione in diretta, con una
tensione V
D
= 0.65V.
d) Dopo avere specificato per entrambe le
regioni del diodo la validit`
dellapprossimazione di diodo lungo / corto,
rappresentare in un diagramma quotato i
profili di concentrazione dei portatori
maggioritari e minoritari in eccesso per
entrambe le zone p e n, specificandone
analiticamente gli andamenti funzionali.
e) Calcolare la capacita` di diffusione C
DIFF
del
diodo.



Figura 5.
Estensione zona p:
W
p
= 500 m
Estensione zona n:
W
n
= 500 m
Mobilit elettroni:

n
= 1350 cm
2
/Vs
Mobilit lacune:

p
= 450 cm
2
/Vs
Drogaggio zona n:
N
D
= 10
18
cm
-3
Tempo di vita medio elettrone:

n
=10ns
Tempo di vita medio lacuna:

p
=1s
Area di giunzione:
A = 10
4
m
2
Concentraz. Intrinseca Si:
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

Tabella 4.

Avvertenze:
Seconda prova in itinere: svolgere esclusivamente gli esercizi 1 punti a) e b) , 2A, 2B.
Tempo: 90 minuti.
Appello completo: svolgere tutto il tema.
Tempo: 3 ore.
SOLUZIONE TEMA DESAME DEL 5 LUGLIO 2010
Esercizio 1
a.
n
0
= n
i
exp

E
F
E
i
kT

= 4.65 10
16
cm
3
p
0
= n
i
exp

E
F
E
i
kT

= 8.6 10
9
cm
3
b. Nota la relazione:
n
0
= N
C
exp

E
C
E
F
kT

si pu scrivere:
E
C
E
F
= kT ln

n
0
N
C

= 0.1385eV
Si ricava ora la distanza tra la banda di conduzione e il livello intrinseco:
E
C
E
i
= (E
C
E
F
) + (E
F
E
i
) = 0.3385eV
da cui E
V
= 0.3385eV .
c. (300K) = 1/ (q n
0

n
) = 38.4 10
3
cm. Per calcolare (77K)
occorre considerare le variazioni in temperatura della mobilit e della densit
equivalente di stati in banda di conduzione:

2
=
1

T
2
T
1

1.14 = 16496
cm
2
V s
N
C
(T
2
) = N
C
(T
1
)

T
2
T
1

3
2
= 1.3 10
18
cm
3
Dalla seconda si pu quindi ricavare n(77K) = 1.126 10
9
cm
3
. Dunque
(77K) = 336.5 10
3
cm. Il rapporto richiesto vale r = 0.114 10
6
.
d. per la tensione richiesta si pu ricavare la seguente espressione:
V =
L
2
q

2
n
m N
= 1V.
Esercizio 2A
a. Dalla relazione V
FB
=
ms
=
m
E
GAP
/2 kT ln(N
A
/n
i
), si
ricava il drogaggio:
N
A
= n
i
exp

m

E
GAP
2
V
FB
kT

= 10
16
cm
3
.
b. La tensione di soglia si ricava con la solita formula che compare in
quasi tutti i temi desame!
V
T0
=
|Q

SD
(max)|
C
OX
+ V
FB
+ 2
fp
= 0.485V,
dove |Q

SD
(max)| = 47.94nC/cm
2
, C
OX
= 230.1nF/cm
2
e
fp
= 0.3468V .
Esercizio 2B
a. La conduttanza di canale si pu ricavare calcolando la derivata prima
rispetto a V
DS
della corrente del transistore MOSFET in zona ohmica:
G
Channel
=
n
C

OX

W
L
[V
GS
V
T0
V
DS
] = 0.7716
mA
V
,
valutata nel punto di lavoro V
DS
= 1V .
b. La tensione V
GS
si ricava utilizzando la seguente espressione:
V
GS
= V
T0
+
2 f
T
L
2

n
= 1.6V
Per vericare il regime di velocit dei portatori si calcoli v =
n
E =
n

(V
GS
V
T0
)/L = 0.95 10
6
cm/s. Il transistore molto vicino alla condizione
di saturazione della velocit dei portatori v
sat
D
= 10
7
cm/s.
c. Dalla nota relazione che descrive leetto body si ricava V
TH
=
0.515V ; il coeciente di eetto body vale = 250.16 10
3
V
1
2
. Dunque dalla
relazione:

2
fp
+ V
SB

2
fp

=
V
TH

elevando al quadrato ambo i membri e operando la sostituzione

2
fp
+ V
SB
=
x si ricava una equazione di secondo grado in x, avente due radici reali di cui
una negativa (da scartare). Dalla radice positiva, x = 2.8915V
1/2
si ricava
V
SB
= 7.67V .
Esercizio 3
Lesercizio 3 molto standard, ci limitiamo pertanto a riportare soltanto
i risultati numerici.
a. N
A
= 9.07 10
15
cm
3
.
b. W
TOT
= 340nm.
c. V
BD
= 128.4V .
d. zona p: diodo a base lunga; zona n: diodo a base corta n
p
(x)
exp(x/L
n
) mentre p
n
(x) x/W
n
.
e. C
DIFF
= 0.37nF.
Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2009/2010 20 Luglio 2010

Costanti Universali
Costante dielettrica del vuoto:

0
= 8.85 10
-14
F/cm
Costante di Boltzmann:
k = 8.6210
-5
eV/K
Massa dellelettrone a riposo:
m
0
= 9.1 10
-31
kg
Tensione termica:
V
t
= 25.8 mV
Carica dellelettrone:
q = 1.610
-19
C
Esercizio 1
Si consideri il semiconduttore GaAs le cui
propriet sono riportate in Tabella 1.
a) Calcolare le concentrazioni di elettroni n
0
e
lacune p
0
allequilibrio, sapendo che
(E
V
- E
F
) = - 0.712 eV e rappresentare il
diagramma a bande quotato.
b) Si supponga ora che il semiconduttore sia
drogato con atomi donori, N
D
= 10
15
cm
-3
.
Calcolare le distanze E
i
-E
F
[eV] e E
V
-E
F

[eV] e rappresentarne il diagramma a bande
completo e quotato.
Il dispositivo si trova ad operare a bordo di una
sonda spaziale che lo espone a basse temperature.
c) Calcolare il prodotto n rispettivamente a
T
1
= 300K e a T
2
= 20K utilizzando il
grafico in figura 1, supponendo che il gap
si mantenga costante con la temperatura.
Il dispositivo semiconduttore ha la forma di
parallelepipedo. Esso viene illuminato ad una
estremit a partire dallistante t=0 con generazione
di portatori in eccesso in x=0, p(0)=10
14
cm
-3
.
d) Ricavare lespressione che ne descrive il
profilo di concentrazione in condizioni
stazionarie, a T=300K e con campo
elettrico applicato nullo e rappresentare in
un diagramma quotato i profili di portatori
maggioritari e minoritari nel blocchetto.


Figura 1. Mobilit degli elettroni in funzione di T per
diverse concentrazioni di drogante donore nel GaAs.


Gap di Energia GaAs
E
GAP
=1.424 eV
Concentrazione intrinseca:
n
i
= 2.110
6
cm
-3
Densit equiv. di stati (b. valenza):
N
V
= 9 10
18
cm
-3

Mobilit elettroni a T=300K :

n
= 8500 cm
2
/Vs
Mobilit lacune a T=300K:

p
= 400 cm
2
/Vs
Tempo rilassamento lacuna:

p
= 35 ps

Lunghezza parallelepipedo :
L = 600 m
Tabella 1.

Esercizio 2
Si consideri la giunzione np in Silicio (Si) di cui sono
noti alcuni parametri del diagramma a bande (Figura
2) e alcune propriet (Tabella 2).
a) Calcolare i drogaggi di entrambe le zone N
D
ed N
A
e la tensione di built-in della giunzione.
b) Calcolare lestensione totale della zona
svuotata e il rapporto tra questa e lestensione
della zona svuotata a lato p e commentare
brevemente il risultato.
Si polarizzi la giunzione con una tensione inversa V
R

= 15 V.
c) Calcolare il campo elettrico massimo E
MAX
.
d) Calcolare la capacit di giunzione C
J
.

Figura 2.
La giunzione ora modificata mediante
lintroduzione, tra le due regioni p ed n, di una
regione di silicio non drogato (intrinseco) a formare
un foto-rivelatore p-i-n (figura 3).

e) Calcolare lestensione della zona svuotata
quando il dispositivo polarizzato in inversa
con una polarizzazione V
R
=15 V, nota
lestensione della regione intrinseca
W=100m.

f) Calcolare il campo elettrico massimo e la
capacit di giunzione confrontandone
criticamente i valori con quanto ottenuto nei
punti c) d) e rappresentare in un grafico
quotato il campo elettrico in tutto il
dispositivo.
Estensione zona p e zona n:
W
p
= W
n
= 500 m
Mobilit elettroni:

n
= 1350 cm
2
/Vs
Mobilit lacune:

p
= 450 cm
2
/Vs
Tempo di vita medio elettrone:

n
= 1 ns
Tempo di vita medio lacuna:

p
= 0.5 ns
Area di giunzione:
A = 10
4
m
2
Gap di energia del Silicio
E
GAP
= 1.12 eV
Concentraz. Intrinseca Silicio:
n
i
= 1.4510
10
cm
-3
Costante dielettrica Silicio:

r
= 11.7
Densit eq. Stati in b. di valenza
N
V
=1.810
19
cm
-3

Tabella 2.


Figura 3.

Esercizio 3
Si consideri il condensatore MOS con
substrato in Silicio drogato p rappresentato
in Figura 3.
a) Noti il drogaggio di substrato
N
A1
=210
16
cm
-3
e il potenziale di
flat-band, V
FB
= -0.604 V specificare
quale metallo si deve utilizzare come
gate (specificandolo tra quelli in
Tabella 2), assumendo la carica
presente allinterfaccia ossido-silicio
Q
ss
=0.
b) Calcolare la tensione di soglia e
lestensione della zona di carica
spaziale a soglia.
c) Valutare quanto varia la tensione di
soglia supponendo che la carica
allinterfaccia ossido-silicio sia pari
a Q
ss
=10
11
cm
-2
.


Figura 4.
Metalli di Gate
Funzione lavoro Cromo:
q
M
=4.5 eV
Funzione lavoro Argento:
q
M
=4.26 eV
Funzione lavoro Alluminio:
q
M
=4.28 eV
Funzione lavoro Titanio:
q
M
=4.33 eV
Funzione lavoro Oro:
q
M
=5.1 eV
Funzione lavoro Tungsteno:
q
M
=4.55 eV
********************** **************
Affinit elettronica Silicio:
q=4.01eV
Gap di Energia Silicio:
E
GAP
=1.12eV
Costante dielettrica Silicio:

r
= 11.7
Costante dielettrica SiO
2
:

r
= 3.9
Spessore ossido:
t
OX
=15 nm
Concentr. intrinseca Silicio:
n
i
=1.4510
10
cm
-3
W/L (MOSFET):
W/L = 3
Mobilit elettroni di canale:

n
=950cm
2
/Vs

Tabella 2.
La struttura del condensatore di Figura 4
viene modificata aggiungendo una regione
drogata p
+
, N
A2
=510
18
cm
-3
(vedi Figura 5).
d) Calcolare la tensione di built-in della
giunzione p-p
+
e rappresentarne il
diagramma a bande qualitativo.
Il transistore MOSFET in Figura 6 ha una
conduttanza di canale pari a
G
ch
= 1.2 mA/V per V
B
=V
S
= 0, nel punto di
lavoro V
DS
= 0.
e) Noto il risultato del punto b),
calcolare la tensione V
GS
in tali
condizioni operative.

Figura 5.



Figura 6.
VIETATO usare matite, penne rosse, bianchetto correttore.
Compiti molto disordinati saranno penalizzati nel punteggio!!!
Tempo a disposizione: 3 ore BUON LAVORO!
SOLUZIONE TEMA DESAME DEL 20 LUGLIO 2010
Esercizio 1
a.
p
0
= N
V
exp

E
F
E
V
kT

= 9.31 10
6
cm
3
e per la legge di azione di massa,
n
0
=
n
2
i
p
0
= 4.73 10
5
cm
3
b. Nota la relazione:
n
0
= N
D
= n
i
exp

E
F
E
i
kT

si pu scrivere:
E
F
E
i
= kT ln

N
D
n
i

= 0.5155eV
Allo stesso modo, ricavando mediante la legge di azione di massa la densit
di lacune allequilibrio, si pu applicare:
E
V
E
F
= kT ln

p
0
N
V

= 1.266eV
da cui E
C
E
F
= E
GAP
(E
F
E
V
) = 0.158eV
c. A temperatura ambiente il prodotto vale:
n = 8.5 10
18
cm
1
V s
Per ricavare il prodotto a 20K, occorre considerare la seguente:
n(20K) = N
C
(20K) exp

E
C
E
F
kT
2

.
quindi necessario ricavare N
C
a T
2
= 20K a partire da N
C
a T
1
= 300K:
n(300K) = N
C
(300K) exp

E
C
E
F
kT
1

da cui si ottiene N
C
(300K) = 4.6 10
17
cm
3
. Ora, mediante la nota relazione
si ricava N
C
(20K):
N
C
(T
2
)
N
C
(T
1
)
=

T
2
T
1

3
2
,
da cui N
C
(T
2
) = 7.9210
15
cm
3
. Inne si pu facilmente ricavare: n(20K) =
1.25 10
24
cm
3
; dal graco si legge (20K) = 4 10
4 cm
2
V s
. Da questi ultimi
risultati si pu calcolare il prodotto P(20K) = 5 10
20 cm
1
V s
.
d. richiesta lespressione che descrive il prolo di concentrazione di
portatori in eccesso a temperatura ambiente e con campo nullo. Si consideri
lespressione completa:
D
p


2
p

x
2
+
p
E
p

x
+ g

p
=
p

t
.
Lespressione nelle condizioni dettate dal testo diventa la seguente:

2
p

x
2

p

D
p

p
= 0,
con L
p
=

D
p

p
= 0.19m. Nel graco dovr essere anche riportato il
prolo di portatori maggioritari in eccesso.
Esercizio 2
a. Drogaggi e tensione di built-in.
N
D
= n
i
exp

E
F
E
i
kT

= 10
17
cm
3
N
A
= N
V
exp

E
F
E
V
kT

= 10
15
cm
3
,
dove (in questultima) E
F
E
V
= E
GAP
(E
C
E
F
).La tensione di built-in,
noti i drogaggi, :
V
BI
= V
t
ln

N
A
N
D
n
2
i

= 0.694V.
b. Dato lo sbilanciamento dei drogaggi, si pu gi aermare che la giun-
zione unilatera di tipo n
+
p. Dunque, per il calcolo dellestensione totale
della zona svuotata e della zona p si possono utilizzare le espressioni sem-
plicate:
W
TOT

2
s
V
BI
q N
A
= 948nm.
La medesima espressione si applica alla zona p. Dunque il rapporto approssi-
mato W
TOT
/x
p
1.
c. Campo elettrico max.
E
MAX
=
2 (V
BI
+ V
R
)
W
TOT
= 6.96 10
4
V
cm
,
dove W
TOT
= 4.5m, accendendo la polarizzazione inversa.
d. Capacit di giunzione.
C
J
= C

J
Area = 230fF,
dove C

J
=
s
/W
TOT
= 2.3nF/cm
2
.
e. La regione intrinseca del foto-rivelatore pin risulta completamente
svuotata, pertanto lestensione totale della regione svuotata risulta W
TOT
=
W
i
+ W
puntoc
= 100m+ 4.5m = 104.5m.
f. Il campo elettrico risulta costante in tutta la regione intrinseca e pari
a:
E
MAX
=
2 (V
BI
+ V
R
)
W
TOT
= 2.8 10
3
V
cm
.
La capacit di giunzione, secondo la formula citata sopra, risulta C
J
= 10fF,
con C

J
= 99pF/cm
2
.
Esercizio 3
a. Metallo di gate. Si applichi la nota formula:

m
= V
FB
+ +
E
GAP
2q
+
fp
= 4.33eV,
dove
fp
= V
t
ln

N
A1
n
i

= 0.364V . Il metallo di gate TITANIO.


b. Tensione di soglia. Si applichi la nota formula:
V
T
=
|Q

SD
(max)|
C

OX
+ V
FB
+ 2
fp
= 0.426V,
dove |Q

SD
(max)| = q N
A
x
dTOT
= 69.44nC/cm
2
, C
OX
=
OX
/t
OX
=
230.1nF/cm
2
. Estensione totale della zona svuotata: si applichi la seguente:
x
dTOT
=

4
S

fp
q N
A
= 217nm.
c. La presenza di carica allinterfaccia ossido-silicio modica la tensione
di Flat-Band:
V

FB
=
ms

Q

ss
C

OX
= 0.674V.
La soglia risulter di conseguenza modicata e risulter: V
T
= 0.356V .
d. Tensione di built in giunzione pp
+
:
V
BI
= kT ln

N
A2
N
A1

= 0.142V.
e. Nota la conduttanza di canale e lespressione per la corrente in zona
ohmica (che non riportiamo), si calcoli la derivata della corrente rispetto a
V
DS
e la si valuti per V
DS
= 0 (condizione operativa nota) e si metta in
evidenza la V
GS
:
V
GS
= V
T
+
G
CH

n
C

OX

W
L
= 2.25V.
Dispositivi Elettronici Ingegneri
Costante dielettrica del vuoto:
Costante di Boltzmann:
Massa dellelettrone a riposo:
Tensione termica:
Carica dellelettrone:
Esercizio 1
Si consideri un dispositivo in Silicio drogato
propriet sono riportate in Tabella 1.
a) Calcolare le concentrazioni di elettroni n
lacune p
0
allequilibrio, sapendo che
(E
i
- E
F
) = - 0.406 eV e specificare il tipo
di drogaggio (p oppure n).
b) Utilizzando il grafico in Fig. 1 calcolare la
mobilit e il tempo medio di scattering
portatori maggioritari, nota la massa
efficace (spiegare bene i passaggi
Il dispositivo un resistore planare ottenuto per
diffusione di droganti dalla superficie,
sezione un trapezio isoscele con larghezza in
superficie B, larghezza diffusa nel bulk
profondit di diffusione h e lunghezza L
inserto in Fig. 1 e Tab. 1a).
c) Calcolare la resistenza R del resistore
temperatura ambiente.
d) Spiegare brevemente (non pi di 5 righe
posizione attesa del livello di Fermi nel
semiconduttore termostatato a T=0K.
Larghezza in superficie:
B = 3 m
Larghezza di bulk :
b = 1.44 m
Profondit di diffusione :
h

= 450 nm
Lunghezza :
L

= 127m



Tabella 1a. Caratteristiche del resistore.

Esercizio 2 (continua a pagina 2)
Si consideri una giunzione pn planare in Silicio
Sono noti, per la regione p, E
F
-E
V
=252.8
la regione n, E
C
-E
F
=208.2 meV.
a) Calcolare i drogaggi delle zone p
e rappresentare il diagramma a bande
completo e quotato della giunzione
b) Calcolare la tensione di built-in e
delle zone svuotate a lato p e n.
La giunzione polarizzata con una tensione inversa
V
R
.
c) Noto il campo elettrico massimo alla
giunzione metallurgica E
MAX
=8
Ingegneria Elettronica AA 2009/2010 6 Settembre

Costanti Universali
Costante dielettrica del vuoto:

0
= 8.85 10
-14
F/cm
Costante di Boltzmann:
k = 8.6210
-5
eV/K
Massa dellelettrone a riposo:
m
0
= 9.1 10
-31
kg
V
t
= 25.8 mV
Carica dellelettrone:
q = 1.610
-19
C
Silicio drogato le cui
le concentrazioni di elettroni n
0
e
allequilibrio, sapendo che
e specificare il tipo
calcolare la
scattering dei
, nota la massa
bene i passaggi).
ottenuto per
avente per
larghezza in
fusa nel bulk b,
e lunghezza L (vedi
del resistore a
non pi di 5 righe) la
posizione attesa del livello di Fermi nel
semiconduttore termostatato a T=0K.

Figura 1. Resistivit del Silicio in funzione della
concentrazione di impurit N a 300K.

3 m
1.44 m

450 nm
127m

Caratteristiche del resistore.
Gap di Energia Si
Concentrazione intrinseca Si:
Densit equiv. di stati (b.valenza):
Densit equiv. di stati (b.conduzione):
Massa efficace elettrone:
Massa efficace lacuna:
Tabella 1. Propriet del Silicio.
(continua a pagina 2)
in Silicio (Si).
252.8 meV, e per
p e n, N
A
e N
D

e rappresentare il diagramma a bande
completo e quotato della giunzione.
e lestensione
con una tensione inversa
massimo alla
=810
4
V/cm,



Figura 2.
Settembre 2010

del Silicio in funzione della
concentrazione di impurit N a 300K.
E
GAP
=1.12 eV
n
i
= 1.4510
10
cm
-3
N
V
= 1.8 10
19
cm
-3

N
C
= 3.2 10
19
cm
-3

m
n
*

= 0.45 m
0
m
p
*

= 0.95 m
0
Propriet del Silicio.

.
calcolare la tensione V
R
applicata.
d) Calcolare la capacit di giunzione per unit di
area, C
J
.
Si consideri ora la giunzione polarizzata in diretta
con una tensione V
D
=0.62 V.
e) Dopo avere specificato e giustificato
validit dellapprossimazione di
diodo lungo, scrivere le espressioni e
disegnare in un diagramma quotat
concentrazione dei portatori m
diodo.
f) Calcolare la densit di corrente di portatori
minoritari al bordo della zona di carica
spaziale a lato n.



Esercizio 3
Si consideri il condensatore MOS co
substrato in Silicio drogato p rappresentato
in Figura 3.
a) Determinare il drogaggio N
A

substrato in modo tale che
|Q
SD
(max)|=11510
-9
C/cm
2
.

b) Nota la tensione di flat-band
V
FB
= -0.57 V, calcolare la tensione
di soglia V
T0
.

c) Calcolare il potenziale di superficie

S
nella condizione di soglia
disegnare il diagramma a bande
quotato nella sola regione del
semiconduttore in tale condizione.

Il transistore MOSFET in Figura
polarizzato con una V
GS
=2.2V.
d) Nota la tensione di soglia (calcolata
nel punto b), calcolare la
conduttanza di canale nel punto di
lavoro V
DS
= 0.1 V.
e) Calcolare la frequenza di taglio
velocit media di deriva dei portatori
nel canale supponendo il transistore
operante in zona satura, con
V
DS
sat
=V
GS
-V
T0
. Il transistore opera
in regime di saturazione della
velocit? (motivare la risposta)

VIETATO usare matite, penne rosse, bianchetto correttore.
Compiti molto disordinati saranno penalizzati nel
Tempo a disposizione: 3 ore
applicata.
di giunzione per unit di
polarizzata in diretta
e giustificato la
validit dellapprossimazione di diodo corto o
scrivere le espressioni e
disegnare in un diagramma quotato i profili di
portatori minoritari nel
Calcolare la densit di corrente di portatori
minoritari al bordo della zona di carica
Estensione zona p e zona n:
Mobilit elettroni:
Mobilit lacune:
Tempo di vita medio elettrone:
Tempo di vita medio lacuna:
Area di giunzione:
Gap di energia del Silicio
Concentraz. Intrinseca Silicio:
Costante dielettrica Silicio:
Densit eq. Stati in b. di valenza:
Densit eq. Stati in b. di conduzione:

Tabella 2
Si consideri il condensatore MOS con
rappresentato
del
substrato in modo tale che
band
, calcolare la tensione
Calcolare il potenziale di superficie
soglia e
disegnare il diagramma a bande
regione del
in tale condizione.


Figura 3.
Propriet
Affinit elettronica Silicio
Gap di Energia Silicio:
Costante dielettrica Silicio
Costante dielettrica SiO
2
:
Spessore ossido:
Concentr. intrinseca Silicio:

W MOSFET:
L MOSFET:
Mobilit elettroni di canale:



Tabella 3
Figura 4
Nota la tensione di soglia (calcolata
nel punto b), calcolare la
conduttanza di canale nel punto di
e la
dei portatori
supponendo il transistore
operante in zona satura, con
. Il transistore opera
in regime di saturazione della


Figura 4.
usare matite, penne rosse, bianchetto correttore.
Compiti molto disordinati saranno penalizzati nel punteggio!!!
BUON LAVORO!
W
p
= W
n
= 750 m

n
= 1350 cm
2
/Vs

p
= 450 cm
2
/Vs

n
= 0.3 s

p
= 180 ns
A = 10
4
m
2
E
GAP
= 1.12 eV
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

r
= 11.7
N
V
=1.810
19
cm
-3
Densit eq. Stati in b. di conduzione:
N
C
=3.210
19
cm
-3

Tabella 2.
Propriet
Affinit elettronica Silicio:
q=4.01eV
E
GAP
=1.12eV
Costante dielettrica Silicio:

r
= 11.7
:

r
= 3.9
t
OX
=12 nm
Concentr. intrinseca Silicio:
n
i
=1.4510
10
cm
-3
W=35m
L =10m
Mobilit elettroni di canale:

n
=960cm
2
/Vs




Tabella 3.

SOLUZIONE TEMA DESAME DEL 6 SETTEMBRE 2010
Esercizio 1
a.
n
0
= n
i
exp

E
F
E
i
kT

= 10
17
cm
3
p
0
= n
i
exp

E
F
E
i
kT

= 2.1 10
3
cm
3
b.
Dal graco si ricava la resistivit dal drogaggio: = 0.1 cm. Si ricava
quindi la mobilit:

n
=
1
q N
D

= 625
cm
2
V s
Dalla mobilit si ricava, nota la massa ecace, il tempo medio di scattering:
=

n
m

n
q
= 0.16ps
c.
R =
L
S
=
2L
(B + b) h
= 127k
d.
Per T = 0K il livello di fermi si trover in prossimit del livello dei
donori: infatti gli elettroni introdotti nel sistema dagli atomi donori, allo
zero assoluto, risultano localizzati e legati allatomo donore stesso, ovvero
latomo donore non ionizzato. Gli elettroni non sono quindi delocalizzati
in banda di conduzione, ma tutti legati al proprio atomo e pertanto il livello
di Fermi appena sopra il livello dei donori, molto vicino alla banda di
conduzione.
Esercizio 2
a.
N
D
= N
C
exp

E
C
E
F
kT

= 10
16
cm
3
N
A
= N
V
exp

E
F
E
V
kT

= 10
15
cm
3
b.
V
bi
= 0.634V
(la formula nota!) Per calcolare lestensione delle zone svuotate a lato
n e p non si possono usare le formule semplicate perch la giunzione non
unilatera: tra i drogaggi c soltanto un ordine di grandezza. Risultano
rispettivamente x
n
= 86.4nm e x
p
= 864nm
c.
|V
bi
+ V
R
| =

s
E
2
MAX
2q

N
A
+ N
D
N
A
N
D
= 22.78V
d.
C

=
dQ

dV
R
= ... =

q
s
N
A
N
D
2 (V
bi
+ V
R
) (N
A
+ N
D
)
= 1.8
nF
cm
2
e.
Grazie alla relazione di Einstein si ricavano i coecienti di diusione
nelle due regioni: D
n
= 34.83 cm
2
/s e D
p
= 11.61 cm
2
/s; successivamente
si ricavano le lunghezze di diusione dei minoritari nella rispettiva zona di
competenza, ovvero elettroni minoritari in zona p e lacune minoritarie in
zona n: L
n
= 32.3 m e L
p
= 14.45 m. Il diodo risulta quindi lungo da
entrambi i lati.
f.
Si tratta delle lacune minoritarie a bordo zona di carica spaziale, lato
n: omettiamo la scrittura della semplice espressione analitica. Il risultato :
J
p
= 738.5mA/cm
2
.
Esercizio 3
a.
Metodo Trial and Error che utilizza le seguenti equazioni:
|Q

SD
(max)| = q N
A
x
dTOT
x
dTOT
=

2
s

s
qN
A
=

4
s

fp
qN
A

fp
=
kT
q
ln

N
A
n
i

Combinando queste tre equazioni si ottiene la seguente, da iterare no ad


ottenere un risultato numerico stabile con il numero di iterazioni:
N
(i+1)
A
= f

N
(i)
A

.
In quattro iterazioni risulta N
A
= 5.13 10
16
cm
3
.
b.
La formula della tensione di soglia nota! Ci limitiamo a scrivere il
risultato: V
T0
= 0.608 V.
c.
Il potenziale di supercie nella condizione di soglia pari al doppio del
potenziale di substrato:
s
= 2
fp
= 0.778 V.
d.
La conduttanza / resistenza di canale una domanda molto ricorrente,
pertanto ci limitiamo a riportare il risultato: G
CH
= 1.44 mA/V .
e.
La frequenza di taglio risulta f
T
=
n
(V
GS
V
T
) / (2L
2
) = 243 MHz.
La velocit media di deriva dei portatori v
D
=
n
(V
GS
V
T
) /L = 1.53 10
6
cm/s.
Il transistore non opera in regime di saturazione della velocit.
Dispositivi Elettronici Ingegneria Elettronica AA 2009/2010 7 Febbraio 2011

Costanti Universali
Costante dielettrica del vuoto:

0
= 8.85 10
-14
F/cm
Costante di Boltzmann:
k = 1.3810
-23
J/K
Massa dellelettrone a riposo:
m
0
= 9.1 10
-31
kg
Tensione termica (T=300K):
V
t
= 25.8 mV
Carica dellelettrone:
q = 1.610
-19
C
Esercizio 1
Si consideri il diagramma a bande di un dispositivo
a semiconduttore (Silicio) estrinseco, rappresentato
nellinserto di Figura 1.
a) Noto che (E
C
E
F
)=0.25(E
F
E
Fi
), calcolare
la densit di portatori maggioritari e
minoritari allequilibrio, a T=300K.
b) Utilizzando il grafico in Figura 1 calcolare
il tempo medio di scattering dei portatori
maggioritari, nota la massa efficace.
Il dispositivo un resistore avente per proiezione
in pianta un trapezio isoscele con lunghezza del
contatto inferiore A, lunghezza del contatto
superiore B, spessore t e lunghezza H (vedi Figura
1a).
c) Calcolare la conducibilit del
semiconduttore.
d) Calcolare la resistenza R del resistore,
sapendo che la sua larghezza L in funzione
della lunghezza h L(h)=A+(B-A)(h/H).


Figura 1. Mobilit dei portatori maggioritari nel Silicio
in funzione della concentrazione di impurit N a 300K.


Figura 1a. Caratteristiche del resistore.
B = 1.5 m
A = 4 m

t

= 450 nm
H

= 100m

Gap di Energia Si
E
GAP
=1.12 eV
Concentrazione intrinseca Si:
n
i
= 1.4510
10
cm
-3
Densit equiv. di stati (b.valenza):
N
V
= 1.8 10
19
cm
-3

Densit equiv. di stati (b.conduzione):
N
C
= 3.2 10
19
cm
-3

Massa efficace (elettrone):
m
n
*

= 0.83 m
0


Tabella 1. Propriet del Silicio.

Esercizio 2 (continua a pagina 2)
Si consideri una giunzione pn in Silicio (Si). Sono
noti i drogaggi per la regione p, N
A
=10
17
cm
-3
, e per
la regione n, N
D
=210
19
cm
-3
.
a) Calcolare il potenziale di built-in,
lestensione delle zone di carica spaziale e
specificare il tipo di giunzione.
La giunzione polarizzata con una tensione inversa
V
R
.
b) Calcolare il campo elettrico massimo alla
giunzione metallurgica E
MAX
, nota la tensione
inversa V
R
=15V applicata.
c) Calcolare la capacit di giunzione per unit di
area, C
J
nella giunzione polarizzata in
inversa come nel punto b).



Figura 2. Giunzione pn in Silicio
E
C
E
V
E
F
Energia [eV]
E
Fi
A
B
L(h)
h
H
h=0
p n
N
A
N
D
W
N
W
P
Si consideri ora la giunzione polarizzata in diretta
con una tensione V
D
=0.62 V.
d) Specificare per entrambe le regioni p ed n
ci si trova nellapprossimazione di
lungo o diodo corto, commentando
brevemente (max 4 righe) il risultato.
e) Calcolare la corrente di saturazione inversa
della giunzione polarizzata in diretta.
f) Calcolare la densit di portatori minoritari al
bordo della zona di carica spaziale a lato n
lato p e disegnare il profilo qualitativo
portatori minoritari in entrambe le regioni



Esercizio 3
Si consideri il condensatore MOS co
substrato in Silicio drogato p rappresentato
in Figura 3.
a) Determinare il drogaggio N
A

substrato in modo tale che la densit
di carica di svuotamento nel
semiconduttore a soglia sia pari a:
|Q
SD
(max)|=10410
-9
C/cm
2
.

b) Nota la tensione di soglia
V
T0
=0.73V, calcolare il potenziale di
flat-band V
FB
.


Il transistore MOSFET in Figura
polarizzato con una V
GS
=2.8V.
c) Nota la tensione di soglia (dato del
punto b), calcolare la resistenza
canale nel punto di lavoro V
DS
= 0
commentando brevemente il
risultato ottenuto.
d) Calcolare la soglia del MOSFET
modificata per effetto body
seguito allapplicazione di una
tensione V
SB
=7.5 V.

VIETATO usare matite, penne rosse, bianchetto correttore.
Compiti molto disordinati saranno penalizzati nel punteggio!!!

Tempo a disposizione: 3 ore
polarizzata in diretta
per entrambe le regioni p ed n se
ci si trova nellapprossimazione di diodo
, commentando
) il risultato.
Calcolare la corrente di saturazione inversa I
s

in diretta.
di portatori minoritari al
bordo della zona di carica spaziale a lato n e a
qualitativo dei
ntrambe le regioni.
Estensione zona n:
Estensione zona p:
Mobilit elettroni:
Mobilit lacune:
Tempo di vita medio elettrone:
Tempo di vita medio lacuna:
Area di giunzione:
Gap di energia del Silicio
Concentraz. Intrinseca Silicio:
Costante dielettrica Silicio:
Densit eq. Stati in b. di valenza:
Densit eq. Stati in b. di conduzione:

Tabella 2
Si consideri il condensatore MOS con
rappresentato
del
la densit
di carica di svuotamento nel
sia pari a:
soglia
, calcolare il potenziale di


Figura 3.
Propriet
Affinit elettronica Silicio
Gap di Energia Silicio:
Costante dielettrica Silicio
Costante dielettrica SiO
2
:
Spessore ossido:
Concentr. intrinseca Silicio:

W MOSFET:
L MOSFET:
Mobilit elettroni di canale:



Tabella 3
Figura 4
dato del
resistenza di
= 0V,
commentando brevemente il
la soglia del MOSFET
body in
di una


Figura 4. Transistore MOSFET
usare matite, penne rosse, bianchetto correttore.
Compiti molto disordinati saranno penalizzati nel punteggio!!!
Tempo a disposizione: 3 ore
p - Si
n
+
Body
Gate
Source
+
-
V
SB
Solo
punto d)
W
n
= 221 m
W
p
= 100 m

n
= 1005 cm
2
/Vs

p
= 408 cm
2
/Vs

n
= 0.3 s

p
= 180 ns
A = 210
4
m
2
E
GAP
= 1.12 eV
n
i
= 1.4510
10
cm
-3

r
= 11.7
N
V
=1.810
19
cm
-3
Densit eq. Stati in b. di conduzione:
N
C
=3.210
19
cm
-3

Tabella 2.
Propriet
Affinit elettronica Silicio:
q=4.01eV
E
GAP
=1.12eV
Costante dielettrica Silicio:

r
= 11.7
:

r
= 3.9
t
OX
=12 nm
Concentr. intrinseca Silicio:
n
i
=1.4510
10
cm
-3
W=10m
L =2.6m
canale:

n
=1000cm
2
/Vs




Tabella 3.

Transistore MOSFET
n
+
Body
Gate
Drain
SOLUZIONE TEMA DESAME DEL 7 FEBBRAIO 2011
Esercizio 1
a.
Note le espressioni E
C
E
F
= 1/4 (E
F
E
Fi
) (dato) e (E
C
E
F
) +
(E
F
E
Fi
) = E
GAP
/2 (diagramma a bande), si pu scrivere la seguente:
E
C
E
F
=
1
4

E
GAP
2

1
4
(E
C
E
F
)
Da questa si ottiene E
C
E
F
= E
GAP
/10, da sostituire nella seguente:
n = N
C
exp
_

E
C
E
F
kT
_
= 4.17 10
17
cm
3
.
Ora per la legge di azione di massa
p =
n
2
i
n
= 5.04 10
2
cm
3
.
b.
Dal graco si ricava la mobilit:
n
= 400 cm
2
/ (V s) Con la seguente
si ricava il tempo medio di scattering:
=
m

n

n
q
= 189 fs
c.
= q
n
N
D
= 26.68
1
cm
1
d.
La sezione del resistore non costante: pertanto necessario integrare la
sezione variabile lungo la lunghezza H del dispositivo:
R =
_
H
0
dh
t
_
A+ (B A)
h
H
_
=
H
t (A B)
ln
_
A
B
_
= 32.67 k
in cui naturalmente = 1/ calcolato al punto precedente.
Esercizio 2
Questo esercizio standard, pertanto ci limitiamo a riportare soltanto i
risultati numerici. a.
V
BI
=
kT
q
ln
_
N
A
N
D
n
2
i
_
= 0.95 V
x
n
= 55 10
9
cm = 0.553 nm
x
p
= 110.6 nm
b.
E
MAX
= 7.3 10
5
V
cm
c.
C

j
= 22.7
nF
cm
2
d.
Grazie alla relazione di Einstein si possono ricavare i coecienti di dif-
fusione dei minoritari: D
n
= 25.93 cm
2
/s e D
p
= 10.53 cm
2
/s. Suc-
cessivamente si calcolano le lunghezze di diusione dei portatori minori-
tari nelle zone opposte al loro segno: L
n
= 2.79 10
3
cm = 27.9 m e
L
p
= 1.376 10
3
cm = 13.76 m.
Il diodo dunque approssimabile a BASE LUNGA in entrambe le zone.
e.
La corrente di saturazione inversa della giunzione polarizzata in diretta
: I
S
= 0.63 fA.
f.
Le densit di minoritari a bordo zona di carica spaziale risultano: p
n
(x
n
) =
2.87 10
11
cm
3
e n
p
(x
p
) = 5.74 10
13
cm
3
Esercizio 3
a.
Metodo Trial and Error che utilizza le seguenti equazioni:
|Q

SD
(max)| = q N
A
x
dTOT
x
dTOT
=

2
s

s
qN
A
=

4
s

fp
qN
A

fp
=
kT
q
ln
_
N
A
n
i
_
Combinando queste tre equazioni si ottiene la seguente, da iterare no ad
ottenere un risultato numerico stabile con il numero di iterazioni:
N
(i+1)
A
= f
_
N
(i)
A
_
.
In cinque iterazioni, partendo dalla guess iniziale N
(1)
A
= 10
17
cm
3
(val-
ore scelto arbitrariamente: si potrebbe scegliere anche un valore iniziale di-
verso - fate prove con valori diversi!), il drogaggio converge al valore stabile
N
(5)
A
= 4.25 10
16
cm
3
.
b.
Ci limitiamo a riportare il risultato numerico: V
FB
= 0.4 V .
c.
Anche questo un esercizio molto gettonato negli ultimi temi desame e
anche qui ci limitiamo a riportare il risultato numerico: R
CH
= 436 .
d.
Qui necessario calcolare il parametro di eetto body =

2q
s
N
A
/C
OX
e successivamente:
V
TH
=
__
2
fp
+ V
SB

_
2
fp
_
= 0.824V
Dunque,
V
TH
= V
TH0
+ V
TH
= 1.55V
Si ha quindi un incremento della tensione di soglia per eetto body.