Semiconductores

Algunas de las figuras de esta presentacin fueron tomadas de las pginas de internet de los autores del texto: A.R. Hambley, Electronics: A Top-Down Approach to Computer-Aided Circuit Design. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, 2000. Dr. J.E. Rayas Snchez
1

tomos Semiconductores Aislados

electrones de valencia +

Ge
Si

+
ncleo

Dr. J.E. Rayas Snchez

Niveles de Energa en un tomo Aislado

Energa vaco de energa vaco de energa etc. nivel de valencia 2o. nivel (capa siguiente en la estructura atmica) 3er. nivel (etc.) ncleo

Dr. J.E. Rayas Snchez

Bandas de Energa
Energa

banda de conducin espacio prohibido banda de valencia 2a. banda 1a. banda

Dr. J.E. Rayas Snchez

Conductores, Semiconductores y Aislantes

banda de conduccin

Energa (eV)

electrn libre banda prohibida > 5 eV aprox. 1 eV hueco

banda de valencia Conductor Aislante Semiconductor

Hueco de energa a 0 K para el Si = 1.21 eV, para el Ge = 0.785 eV

Dr. J.E. Rayas Snchez
5

Conduccin en Metales
E Campo Elctrico (V/m) J Densidad de Corriente Elctrica (A/m2)

Conductividad (1/m)
J = E = nq n Concentracin de electrones libres (m3)

Movilidad de los electrones (m2/Vs) q Carga del electrn (1.6 1019 C)

Dr. J.E. Rayas Snchez

Silicio Intrnseco a 0 Kelvins

Dr. J.E. Rayas Snchez

Silicio Intrnseco a T > 0 Kelvins

Dr. J.E. Rayas Snchez

Corriente de Huecos en un Semiconductor

Dr. J.E. Rayas Snchez

Corriente de Arrastre en un Semiconductor

J COND = E J COND = ( n + p ) E J COND = q (n n + p p ) E

n Concentracin de electrones libres (m3) p Concentracin de huecos (m3)

n Movilidad de los electrones (m2/Vs) p Movilidad de los huecos (m2/Vs)

Para un semiconductor puro, n = p = ni (concentracin intrnseca de portadores libres) J = qni ( n + p ) E
Dr. J.E. Rayas Snchez
10

Ejemplo
l

I
a)

r = 300 m, l = 5 mm, calcular V para una I = 10 A, si el material es Aluminio ( = 3.816107 1/m) Silicio (ni = 1.5 1010 /cm3, n = 1,300 cm2/Vs, p = 500 cm2/Vs)
b)

V +

I 10A J= = = 3.54mA / cm 2 A (300m 2 )

a)

E = J / = 0.93V/m, V = El = (0.93V/m)(5 10-3 m) = 4.63nV

Dr. J.E. Rayas Snchez

11

Ejemplo (cont.)
l

I
a)

r = 300 m, l = 5 mm, calcular V para una I = 10 A, si el material es Aluminio ( = 3.816107 1/m) Silicio (ni = 1.5 1010 /cm3, n = 1,300 cm2/Vs, p = 500 cm2/Vs)
b)

V +

I 10A J= = = 3.54mA / cm 2 A (300m 2 )

b)

3.54mA/cm2 E= = qni ( n + p ) (1.6 10-19 C)(1.5 1010 /cm 3 )(1800cm 2 / Vs) E = 819.4V / cm V = El = (819.4V/cm)(5mm) = 409.7V
12

Dr. J.E. Rayas Snchez

Contaminacin (Doping)
! ! !

Es el proceso de agregar impurezas a un semiconductor intrnseco Semiconductor contaminado = semiconductor extrnseco Impurezas donadoras tomos pentavalentes (Sb, P, As) semiconductor tipo n

Impurezas aceptoras tomos trivalentes (B, Ga, In) semiconductor tipo p

Dr. J.E. Rayas Snchez

13

Contaminacin con tomos Donadores

Dr. J.E. Rayas Snchez

14

Contaminacin con tomos Aceptores

Dr. J.E. Rayas Snchez

15

Ley de Accin de Masas

np = ni2
! !

Semiconductor intrnseco n = p = ni Semic. tipo n (ND: concentracin de tomos donadores) ni2 como N D >> p, n N D , p ND Semic. tipo p (NA: concentracin de tomos aceptores)
p = n + NA n = p + ND

Dr. J.E. Rayas Snchez

ni2 como N A >> n, p N A , n NA

16

Corriente de Difusin
l
n

dn 0 dx
l x

contaminacin tipo n, no-uniforme

dn dx
DIF

gradiente de concentracin

Dn

dn J n = qDn dx Constante de difusin de los electrones (m2/s)

JnDIF Densidad de corriente de difusin de los electrones (A/m2)

Dr. J.E. Rayas Snchez
17

Corriente de Difusin (cont.)

l
n

dp 0 dx
l x

contaminacin tipo n, no-uniforme

dp dx
DIF

gradiente de concentracin de huecos

Dp

dp J p = qD p dx Constante de difusin de los huecos (m2/s)

JpDIF Densidad de corriente de difusin de los huecos (A/m2)

Dr. J.E. Rayas Snchez
18

Corriente Total en un Semiconductor Graduado

Jn = Jn + Jn

COND

DIF

dn J n = n E + qDn dx Jp = Jp
COND

+ Jp

DIF

J p = p E qD p J = Jn + J p

dp dx

Dr. J.E. Rayas Snchez

19

Relacin de Einstein
Relaciona dos fenmenos termodinmicos y estadsticos Dn D p = = VT n p kT T VT = q 11,594 VT k T Voltaje equivalente de temperatura (V) Constante de Boltzman = 1.3811023 J/K Temperatura en Kelvins (K)
20

Dr. J.E. Rayas Snchez

Potencial Interno
dn 0 dx
semiconductor graduado

dp 0 dx

Jn , J p
DIF

DIF

Como J n = J p = 0 Jn
COND

, Jp

COND

tal que

dn qn n E = qDn dx E interno

dp qp p E = qD p dx

Dr. J.E. Rayas Snchez

V interno (V = Edx )
21

Potencial Interno (cont.)

dn qn n E = qDn dx
semiconductor graduado

Dn dn VT dn E= = n n dx n dx dV Como E = dx

V2

dn dV = VT n n V
1 1

n2

n2 V2 V1 = VT ln n1
Dr. J.E. Rayas Snchez

p anlogamente V2 V1 = VT ln 1 p2
22

Ley de Accin de Masas -extendida n2 V2 V1 = VT ln n1 n2 = n1e

V2 V1 VT

p1 V2 V1 = VT ln p2 p2 = p1e
V V 2 1 VT

n2 p2 = n1 p1

Para un semiconductor no graduado, n1 = n2 = n, p1 = p2 = p, np = ni2

Dr. J.E. Rayas Snchez
23

Semiconductor Graduado en Escaln

(1) (2)

NA

ND

p1 V2 V1 = VT ln p2 NA V2 V1 VT ln 2 ni / N D

NA NAND 0 = VT ln 2 = VT ln 2 ni / N D ni (diferencia de potencial de contacto) (potencial interno de una unin p-n abrupta)
Dr. J.E. Rayas Snchez
24

Problema
Para un trozo de silicio graduado en escaln, calcular su potencial interno a temperatura ambiente si NA = 1015/cm3 = ND N AND 0 = VT ln 2 ni (T = 300K ) = 1.5 1010 cm 3 ni kT T 300 VT = = = 25.87 mV q 11,594 11,594 10151015 0 = (25.87mV) ln 2 = 0.57 V 20 1.5 10
Dr. J.E. Rayas Snchez
25

a)

Problema (cont.)
Para un trozo de silicio graduado en escaln, calcular su potencial interno si NA = 1017/cm3 y ND = 1015/cm3 10171015 0 = (25.87mV) ln 2 = 0.69V 20 1.5 10

b)

Dr. J.E. Rayas Snchez

26

Ecuacin de Continuidad
n>>p ND
En equilibrio, n = no , p = po

p Tiempo medio de vida de los huecos

Al aplicar una perturbacin...
p pm

Como n = p, solo los portadores minoritarios se ven afectados significativamente

po luz se enciende

p
po luz se apaga t
27

Dr. J.E. Rayas Snchez

Ecuacin de Continuidad (cont.)

dp/dt Velocidad de cambio de p p/p g Disminucin en p por segundo debido a la recombinacin Incremento en p por segundo debido a la radiacin

p dp =g p dt Como p = po y dp/dt = 0 cuando no hay radiacin dp po p = p dt

Dr. J.E. Rayas Snchez

g=

pm

po p

dp dt = po p 0 p

p = po + ( pm po )e

t p

28

Ecuacin de Continuidad (cont.)

n>>p ND
po luz se enciende p pm

p
po luz se apaga t

p (t ) = po + ( pm po )e t0
Dr. J.E. Rayas Snchez

t p

Variacin en la concentracin de los portadores minoritarios debida a la generacin y recombinacin

29

Experimento de Shockley-Haynes

Dr. J.E. Rayas Snchez

30

Experimento de Shockley-Haynes (cont.)

Sin aplicar E ...

Dr. J.E. Rayas Snchez

31

Experimento de Shockley-Haynes (cont.)

Con un E aplicado ...

Dr. J.E. Rayas Snchez

32

Ecuacin de Continuidad Caso General

dp po p = p dt Incremento en p por segundo debido a la agitacin trmica menos la disminucin en p por segundo debido a la recombinacin

En general, la concentracin de los portadores minoritarios es funcin del tiempo y de la distancia

p Ip x x+dx A Ip+dIp

dIp Disminucin del nmero de Coulombs por segundo en el volumen dV debido a la corriente Ip dIp /q Disminucin de huecos por segundo en el volumen dV debido a la corriente Ip
33

Dr. J.E. Rayas Snchez

Ecuacin de Continuidad Caso General

dIp Disminucin del nmero de Coulombs por segundo en el volumen dV debido a la corriente Ip

dIp /q Disminucin de huecos por segundo en el volumen dV debido a la corriente Ip 1 dI p 1 dJ p = qA dx q dx Luego Disminucin de p por segundo en el volumen dV debido a la corriente Ip Ecuacin de Continuidad
34

p po p 1 J p = p t q x

Dr. J.E. Rayas Snchez

Inyeccin de Portadores Minoritarios

A Radiacin n>>p ND
p(x) Exceso de portadores minoritarios po x
Dr. J.E. Rayas Snchez

Como

p po p 1 J p = p q x t

En estado estable...
x

1 J p po p = q x p Y como Jp
DIF

p'(0)

d 2 p p po = 2 dx D p p Longitud de L p D p p difusin de los huecos

dp = qD p dx

35

Inyeccin de Portadores Minoritarios

A Radiacin n>>p ND
p(x) Exceso de portadores minoritarios po x
Dr. J.E. Rayas Snchez
36

d 2 p p po = 2 dx L2p p ( x) = K1e
x / Lp

+ K 2e

x / Lp

+ p0

K2 = 0 K1 = p ' ( 0)

p ( x) = p ' (0)e
L p D p p

x / Lp

+ p0

p'(0)