Nanotubi di Carbonio: Descrizioni strutturali e Applicazioni nei dispositivi elettronici

Tesina del Corso di Fisica dello Stato Solido 1

Adriano De Luca (N94/131)

Indice

1 Struttura a bande del grafene

1.1

5
5 5 6 8

Metodo del tight-binding

1.1.1 1.1.2

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Teorema di Block

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Condizioni al contorno periodiche

1.2

Struttura a bande del Grafene

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2 Struttura dei Nanotubi di Carbonio

2.1

12
12 12 13 14 15 16 17 18

Vettori caratteristici
2.1.1 2.1.2

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Vettore Chirale

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Vettore Traslazione

2.2 2.3

Cella unitaria e prima zona di brillouion Struttura a bande dei nanotubi

2.3.1 2.3.2

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Nanotubi Achirali Nanotubi Chirali

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.4

Densit degli stati

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Implementazioni dei nanotubi nei dispositivi elettronici

3.1

20
20 20 22 24 24 24 28

Linee d'interconnessione con nanotubi metallici

3.1.1 3.1.2 3.1.3

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Conduttanza

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Capacit e induttanza quantistica

Velocit di propagazione dei segnali

3.2

Dispositivi con nanotubi semiconduttori

3.2.1 3.2.2

Drogaggio, giunzioni e raddrizzatori Transistor a eetto campo

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Introduzione
Il Nanotubo di carbonio una particolare forma allotropica del carbonio allo stato cristallino. Viene utilizzata per la costruzione di dispositivi nanometrici di nuova generazione. Il carbonio non un materiale conduttore, ma la particolare struttura energetica, caratterizzata da una Gap praticamente nulla tra la banda di valenza e quella di conduzione, fa s che esso possa assumere, in determinate strutture cristalline, un comportamento semiconduttore. Tale situazione si verica ,in particolare, nella grate. Il comportamento conduttore del carbonio era conosciuto sin dai tempi di Edison, che utilizz una Fibra di Carbonio come lamento nel primo prototipo di lampadina. Venne poi sostituita dai lamenti di tungsteno. Gli studi sulle bre di carbonio e sulle propriet conduttrici della grate sono poi proseguiti no alla creazione di dispositivi le cui dimensioni sono poco pi dell'ordine della lunghezza di legame atomica. Il lavoro svolto illustra le propriet caratteristiche dei nano tubi di carbonio, in particolare le propriet di conduzione elettrica e l'implementazione di tale nano struttura nei dispositivi elettronici, partendo da una descrizione generale del carbonio allo stato solido e delle sue forme allotropiche, in particolare del grafene e della sua struttura a bande energetiche.

Il Carbonio: Ibridazioni e Forme allotropiche

Il Carbonio un elemento della seconda riga del IV gruppo della tavola periodica. La sua congurazione 2 2 2 elettronica 1s 2s 2p . Lo stato 1s detto di Core, mentre gli altri stati vengono detti di valenza. Dato che la dierenza energetica tra gli orbitali 2s e 2p molto piccola possibile una fusione tra i due tipi di orbitali, chiamata ibridazione. Il carbonio presenta tre possibili stati d'ibridazione: risultante sar dato dalla combinazione lineare dell'orbitale s e di un p, ad 3 la combinazione di un s e due p, ad esempio px e py ; sp in cui lo stato una combinazione di tutti gli orbitali esterni

sp, in cui l'orbitale 2 esempio px ; sp , in cui vi

p.

Tali combinazioni lineari possono essere date da:

sp

1 |sp >= (|2s > +|2p >) a x 2 1 |spb >= (|2s > |2px >) 2

1 |sp2 >= |2s > 2 |2py > a 3 3 1 1 1 2 2 sp |spb >= |2s > + |2px > + |2py > 3 2 3 1 1 1 |sp2 >= |2s > |2px > + |2py > c 3 2 3 |sp3 >= a |sp3 >= b sp3 3 |spc >= |sp3 >= d
1 2 1 2 1 2 1 2

{|2s > +|2px {|2s > |2px {|2s > |2px {|2s > +|2px

> +|2py > |2py > +|2py > |2py

> +|2pz > +|2pz > |2pz > |2pz

>} >} >} >}

Forma degli orbitali ibridi

I vari stati d'ibridazione non riettono la sola forma molecolare, ma anche la struttura cristallina allo stato solido sotto la quale il carbonio viene trovato in natura. A seconda del tipo d'ibridazione tale struttura ha una ben denita geometria.

Ibridazione sp
sp
possono compiere un massimo di 2 legami

Gli orbitali

con altri atomi di carbonio contigui.

La

struttura solida risultante una catena unidimensionale di atomi di carbonio che prende il nome di

carbina.

La forma macroscopica che il carbonio assume sar data da ammassi di carbine tenute assieme

da forze intermolecolari.

Ibridazione sp3
sp3
possono compiere no a 4 legami

Gli orbitali

con altri atomi di carbonio, generando una struttura

tetraedrica. In questa struttura il carbonio viene reperito sotto forma di

diamante.
sp2

Ibridazione sp2
sp2 .
Gli orbitali possono eettuare

Le forme allotropiche pi interessanti riguardano l'ibridazione un massimo di 3 legami di

per atomo di carbonio. Si generano delle strutture piane in cui gli atomi, Questa struttura prende il nome

nella cella elementare, sono posti ai vertici di un esagono regolare.

grafene.

A seconda della disposizione di questi strati piani di grafene, il carbonio pu assumere

forme allotropiche di struttura dierente. Strati di grafene disposti l'uno sull'altro e legati da forze di Van der Waals vanno a costituire la grate. Se questa struttura piana ripiegata su se stessa in modo da formare una supercie sferica, la struttura risultante chiamata il nome di

fullerene.

Se, invece, lo strato di

grafene ripiegato su se stesso lungo un asse, si forma un cilindro dal diametro nanometrico che prende

nanotubo di carbonio.

Queste ultime strutture sono le pi interessanti in quanto, sebbene siano degli isolanti, posseggono delle propriet di conduzione singolari grazie alle quali assumono caratteristiche semiconduttrici. analizzeremo al seguito del lavoro studiandone la struttura a bande energetiche. Le

Struttura a bande del grafene

Come primo passo verso lo studio dell'elettronica del nanotubo di carbonio bisogna analizzare la struttura a bande energetiche del grafene. A tal proposito, puntualizzeremo inizialmente l'attenzione sui metodi e gli strumenti di calcolo necessari per eseguire tale analisi. Utilizzeremo, a tal ne,

tight-binding e il teorema di Block. 1.1

il metodo del

Metodo del tight-binding

Come primo esempio, per illustrare il procedimento desiderato, consideriamo una catena di N atomi, ossia, come si suol dire, un cristallo unidimensionale, in cui non vi pi di un atomo per cella. Ciascun atomo sia centrato sui siti

Rn .

Viene da chiedersi quale sia la struttura elettronica o, pi in generale,

la forma delle funzioni d'onda dell'intero cristallo. La soluzione pi semplice pu essere considerare una sovrapposizione delle funzioni d'onda dei singoli atomi:

(r) =
n=1,
dove

n, (r Rn ) n,

l'insieme dei vari numeri quantici. I coecienti

sono da determinar. L'equazione agli

autovalori, supposto che

sia l'hamiltoniana complessiva, risulter:

H(r) = E(r)
N N

< Rm , |H|Rn , >= E

n=1, n=1,

< Rm , |Rn , > Na

In generale, se per cella si considerano zazione di una matrice

No orbitali N No Na N No Na .

atomi, il problema consiste nella diagonaliz-

Prendiamo in considerazione, al momento, un sol orbitale per cella, ad esempio l'orbitale semplicare il problema rimuovendo la somma sui numeri quantici:

s.

Si pu

< Rm |H|Rn >= E

n=1 n=1

< Rm |Rn , >

1.1.1

Teorema di Block
Rn ,
dove in particolare

Facciamo, ora, una seconda assunzione. Supponiamo che il cristallo sia innito. Le varie celle elementari si ripeteranno in successione. Un cristallo si questo tipo gode di essere invariante per traslazioni reticolari di un vettore

Rn

la periodicit del reticolo di Bravais. Si ha, dunque:

H(r) = H(r + Rn )
Da ci si pu ricavare che: 1 La densit di carica invariante per traslazioni reticolari:

|(r)|2 = |(r + Rn )|2

2 Se (r) autostato di H(r) e (r+Rn ) autostato di H(r+Rn ), dato che H(r) = H(r+Rn ), (r) e (r + Rn ) dieriscono solo di un fattore di fase:

(r + Rn ) = ei(Rn ) (r)
Possiamo valutare tale fattore denendo e utilizzando l'operatore di traslazione reticolare:

Tn (r) = (r + Rn )
Per tale operatore si pu ricavare che,

n:

[Tn , Tn ] = 0 [Tn , H] = 0 (r)

autostato di

Di conseguenza

Tn :

Tn (r) = C(Rn )(r)

Dato che la densit di carica periodica si ha:

|(r)|2 = |(r + Rn )|2 |(r)|2 = C(Rn )(r)|2 |C(Rn )|2 = 1

Una buona scelta per

C(Rn )

pu essere:

C(Rn ) = eikRn
dove

un vettore di traslazione, ossia un vettore d'onda. Possiamo ricavare dunque:

(r + Rn ) = eikRn (r)
L'ultima espressione descrive il

Teorema di Block.

Si pu facilmente vericare che l'ultima

espressione vericata dalla funzione d'onda:

1 (r) = N

eikRn (r Rn )
n=1

dove si espressa la

(r)

come sovrapposizione delle funzioni d'onda atomiche

Tutto ci corretto se il cristallo considerato innito. In generale, per, non si ha mai a che fare con cristalli inniti. I cristalli esistenti in natura sono solo niti.
1.1.2

Condizioni al contorno periodiche

Possiamo, per, imporre delle condizioni per

Nel caso di cristalli niti il teorema di Block non vale.

far si che i risultati precedenti possono essere applicati. Supponiamo di avere un cristallo nello spazio e di replicare la cella elementare lungo i tre assi coordinati rispettivamente di costruzione pone delle condizioni sulla

N1 , N2

N3

volte. Tale

(r).

Risulta:

(r) = (r + N1 ax + N2 ay + N3 az )
L'ultima relazione esprime lungo i tre assi le

condizioni al contorno periodiche.

Se s'impone ci

il cristallo, sebbene nito, replicabile all'innito. Si pu, dunque, applicare il teorema di Block:

(r + N1 ax + N2 ay + N3 az ) = eik(N1 ax +N2 ay +N3 az ) (r) = (r)

Risulta dunque:

Ni k ai = 2i k=

con

i = 0, 1, ..., Ni 1

1 2 3 b1 + b2 + b3 N1 N2 N3
bi = 2 ai |ai |2
sono i vettori del reticolo reciproco. Il risultato ottenuto mostra che le condizioni

0 dove i

al contorno periodiche impongono una limitazione sui valori di

possibili.

Vediamo, ora, le conseguenze di quanto detto sul problema agli autovalori:

Hn,m m = En
m
Sostituendo otteniamo:

1.1

E(k) =
m

Hn,m eik(mn)a E,
in funzione di

Il teorema di Block ci fornisce, dunque, i possibili valori di

k, k

ossia la

di dispersione.

relazione

Possiamo notare che i valori dell'energia si ripetono per valori di

intervallati di

Basta studiarli, dunque, per

In generale, per, possiamo avere pi orbitali per singolo atomo. In questo caso la i-esima autofunzione, relativo all'autovalore

k , a a

intervallo detto

prima zona di Brillouin.

2 . a

Ei (k),

sar dato da:

i (r) =
j
dove le

Cij j (r) j
sono le autofunzioni dei singoli orbitali. In generale si ha, dunque:

Ei =

< i |H|i > = < i |i >

jj

< j |H|j > Cij Cjj jj < j |j > Cij Cjj

delle interazioni e

Denendo le matrici

Hjj =< j |H|j >

Sjj =< j |j >degli

overlaps, la

relazione precedente pu essere semplicemente scritta come:

det(H ES) = 0

1.2

 l'equazione secolare da cui partire per ricavare la relazione di dispersione del tight-binding. Per l'interazione di un atomo con se stesso poniamo:

E(k).

Eettuiamo, ora, alcune posizioni che utilizzeremo in seguito per calcoli espliciti attraverso il metodo

E0 =< A |H|A >

Per l'interazione tra atomi primivicini si pone:

=< A |H|B >

Inne, per quel che riguarda gli overlaps, supponendo che le autofunzioni siano normalizzate poniamo:

s =< A |B >

< A |A >=< B |B >= 1

1.2

Struttura a bande del Grafene

Possiamo passare, ora, a valutare la struttura a bande energetiche del grafene, ossia essenzialmente strati bidimensionali di grate in cui gli atomi di carbonio si dispongono lungo i vertici di un esagono regolare. Potremo pensare di utilizzare un reticolo primitivo esagonale coincidente con l'esagono degli atomi di carbonio. Il problema , per, che l'esagono che struttura lo strato di grafene non un reticolo di Bravais. Il reticolo di Bravais da utilizzare esagonale ma a corpo centrato, i cui vettori primitivi risultano:

3 a + x 2 3 a x a2 = 2 a1 =
dove

a y 2 a y 2
il passo del reticolo di Bravais.

a = 1, 42

Fig 1.1 Struttura del grafene. I punti cerchiati con lo stesso colore sono punti equivalenti appartenenti allo stesso reticolo.

Dalla g 1.1 possiamo notare la struttura del grafene e il reticolo utilizzato per la descrizione. vettori del reticolo reciproco risultano:

4 4 y b1 = x + a 3a 4 4 b2 = a x y a 3a

Fig 1.2 Prima zona di Brillouin con vettori di base b1 e b2 .

In gura 1.2 rappresentata la prima zona di Brillouin rispetto la quale verr valutata la struttura a bande energetiche. I vertici

K e M sono punti di simmetria.

In tale riferimento possiamo valutare la struttura a bande energetiche. innanzitutto bisogna decidere quanti orbitali per cella tenere in considerazione. Il carbonio possiede 4 orbitali di legame, 3 dei quali,

2s, 2px e 2py , compiono legami (bande ) e uno, 2pz , ortogonale a tipo (bande ). Dal punto di vista della struttura elettronica, queste Considereremo, dunque, solo l'orbitale 2pz .
cella elementare contiene due atomi, uno di classe

questi, che permette legami di ultime sono le pi signicative.

Applichiamo, ora, il metodo del Tight-Binding considerando le sole interazione tra i primi vicini. La

e un altro di classe

B.

Fig 1.3 Celle elementari prime vicine

Quel che bisogna fare risolvere L'Equazione secolare 1.2. A tal proposito bisogna ricavare la forma delle matrici

S. riguarda la matrice H ,
ed

Eseguiamo la valutazione partendo dalla cella centrale di Fig 1.3.Per quel che gli elementi diagonali sono dovuti all'interazione degli atomi

AeB

con se stessi.

Si pu porre, dunque:

HAA = HBB = E0
Per gli altri elementi della matrice, se centrale e i vicini

R1 , R2

R3

sono i vettori distanza tra l'atomo

della cella

il termine d'interazione tra atomi di classe dierente, utilizzando l'equazione

1.1 si pu scrivere:

HAB = (eikR1 + eikR2 + eikR3 ) = f (k) = HBA

Riassumendo, dunque:

H=

E0 f (k) f (k) E0 S,
dalle posizioni precedentemente fatte si ottiene:

Per quel che riguarda gli overlaps

S=

1 s f (k) s f (k) 1

Costruite le matrici, si pu risolvere l'equazione secolare, ottenendo la relazione di dispersione:

E(k) =

E0 w(k) 1 s w(k)

con

w(k) = |f (k)|2 =

1 + 4 cos

3kx a 2

cos

ky a 2

+ 4 cos2

ky a 2

Abbiamo ottenuto due bande energetiche, una di legame contraddistinta dal segno positivo e una di antilegame contraddistinta dal segno negativo. Le due bande non sono simmetriche, ma lo sarebbero se fosse

s = 0,

ossia trascurando gli overlaps.

10

Fig 1.4 Diagramma a Bande del grafene

Possiamo dedurre alcune singolari conseguenze:

La banda

ospita i due elettroni dell'orbitale

e risulta, dunque, completamente piena. La banda

invece, totalmente vuota;

La Gap tra le bande nulla. Il grafene possiede, dunque, un comportamento metallico; Se trascuriamo gli overlaps e sviluppiamo in serie la relazione di dispersione in un intorno del punto di simmetria K, si ottiene:

E(k) = E0 + a

3 2 2 kx + ky = E0 + a|k| 2 E0 = 0
si ottiene una legge di dispersione lineare, caratteristica delle

Ponendo convenzionalmente

particelle a massa nulla. Per tali particelle vale, infatti, che

E = k , dove la velocit delle particelle.

Gli elettroni in tali vertici si spostano come particelle a massa nulla avente velocit pari a:

3 F = a 8 105 m 2
detta anche

velocit di Fermi.

11

Struttura dei Nanotubi di Carbonio

Vettori caratteristici
Quest'ultimo

2.1

Un Nanotubo di carbonio pu essere considerato come un foglio di grafene arrotolato. intorno ad un asse. Tale simmetria contraddistingue la all'asse centrale. In generale si parla di strutture

apparir come un cilindro dal diametro massimo dell'ordine di 10 nm avente una ben denita simmetria

chiralit della struttura legata al fatto che le

celle esagonali dell'Honey-comb del grafene si possano disporre o meno lungo ad una spirale intorno con l'immagine originale. Al contrario si parla di strutture

achirali se l'immagine speculare del cilindro coincide chirali.

Fig 2.1 Dimensioni di un nanotubo (a) single-wall e (b) multi-wall

Per descrivere la struttura geometrica di un nanotubo di carbonio vengono utilizzati due vettori caratteristici: il
2.1.1

vettore Chirale e il vettore Traslazione.

Vettore Chirale

Consideriamo un foglio di grafene e prendiamo su di esso due punti equivalenti, O e A dalla Fig.2.2. Se arrotoliamo il foglio congiungendo O con A otteniamo un nanotubo di carbonio.

Fig 2.2 Foglio di grafene e vettori caratteristici.

Il vettore

OA detto vettore chirale, Ch.

Il vettore ortogonale a Ch congiungente il primo punto

equivalente, B, il vettore traslazione, che denisce la cella unitaria del nanotubo.

12

Possiamo provare a esprimere il vettore Ch come combinazione lineare dei vettori di base

a1

a2 :

Ch = na1 + ma2
con

numeri interi.

Per la simmetria esagonale del nanotubo va considerato

0 |m| n.

Da vettore chirale si pu ricavare la lunghezza della circonferenza di base e, dunque, il diametro del nanotubo. Sapendo che l'angolo compreso tra

a1

a2

otteniamo:

L = |Ch| = a n2 + m2 + mn L a n2 + m2 + mn d= =
Un ulteriore parametro caratteristico l'

angolo chirale, , denito da:

cos() =

2n + m Ch a1 = |Ch| |a1 | 2 n2 + m2 + mn

2.1.2

Vettore Traslazione
a1
e

Il vettore traslazione T corrisponde, come detto in precedenza, al vettore OB e denisce la cella unitaria del nanotubo di carbonio. L'intero nanotubo sar ottenuto replicando varie celle consecutive. Anche T pu essere espresso come combinazione lineare di

a2 :

T = t1 a1 + t2 a2
con t1 e t2 interi. Dalla condizione di ortogonalit tra di

T e Ch,

possiamo esprimere t1 e t2 in funzione

n:

T Ch = 0 t1 =
dove

2m + n dr dr

t2 =

2n + m dr 2m + n
e

il massimo comun divisore tra

2n + m.

Se, inoltre,

il massimo comun divisore

tra m e n risulta:

dr =

d se n m e multiplo di 3d ` 3d se n m non e multiplo di 3d ` |Ch T|

l'area della cella unitaria. Dato che

Per costruzione risulta che che la quantit

|a1 a2 |

l'area dell'esagono di base, il numero degli esagoni nella cella elementare risulta:

N=

Ch T 2(n2 + m2 + mn) 2L2 = = 2 |a1 a2 | dr a dr

13

Un esagono di grafene contiene 2 atomi. Il numero totale di atomi per cella dunque

2N .

2.2

Cella unitaria e prima zona di brillouion

I vettori

Ch e T delimitano una cella unitaria di un nanotubo di carbonio.

e

In questa cella possibile

valutare la struttura a bande del nanotubo.Sappiamo, per, che per le condizioni al contorno periodiche ci si deve limitare allo studio nella prima zona di Brillouin. Quest'ultima sar denita dai due vettori

K1

Ch

K2

T.

In generale, la relazione che lega i vettori di base

Ri

del reticolo diretto con i

Kj

del reticolo reciproco

Ri Kj = 2ij .

Dunque, per i vettori

K1

K2

valgono le condizioni:

K1 T = 0 K Ch = 2 1 K2 T = 2 K2 Ch = 0
Da tali condizioni possiamo ricavare i vettori

K1

K2 :

K1 = 1 (t2 b1 + t1 b2 ) N K = 1 (mb nb ) 2 1 2 N

Fig 2.3 Confronto tra la prima zona di Brillouin del Grafene (ombrata) con quella del Nanotubo.

K1

K2

delimitano la prima zona di Brillouin. In Fig. 2.3 mostrato un confronto tra la prima zona

di Brillouin del grafene e quella del nanotubo rispetto la cella reticolare. Si pu vedere che mentre per il grafene la prima zona di Brillouin costituita dal triangolo dal segmentoW W parallelo a

KM ,

per il nanotubo quest'ultima data

periodiche ed pari a

2 |T|

K2 .

La lunghezza della prima zona data dalle condizioni al contorno

k |T| |T|
14

A dierenza del grafene, la cui struttura a bande si sviluppa su un dominio bidimensionale, la struttura a bande del nanotubo possiede un dominio unidimensionale e continua lungo il vettore Possiamo, inoltre, notare che

K2 . N K1

N K1 = t2 b1 + t1 b2

un vettore del reticolo reciproco del dominio

bidimensionale della grate. Ci vuole dire che due vettori d'onda che dieriscono di un vettore sono equivalenti. Dal momento che vettore

t1 e t2 non possiedono divisori comuni eccetto che l'unit, ciascun K1 con = 0, . . . , N 1 non un vettore del reticolo reciproco. Dunque, quel che abbiamo un set di N vettori d'onda discreti associati ad N segmenti successivi paralleli a W W traslati di un vettore K1 . Ogni segmento ha la lunghezza della prima zona di Brillouin.

2.3

Struttura a bande dei nanotubi

Come ben si pu intuire, la relazione di dispersione di un nanotubo di carbonio denito da una coppia di numeri interi

(n, m)

pu essere ricavata a partire dalla relazione di dispersione del grafene, restringendo Come abbiamo ricavato in precedenza, tale

quest'ultima alla prima zona di Brillouin del nanotubo. dominio dato dai vari segmenti paralleli a di dispersione del nanotubo e con

K2

mostrati in Fig. 2.3. Se indichiamo con

E1D

la relazione

E2D

quella del grafene si pu scrivere:

E1D (k) = E2D k

K2 + K1 |K2 | N

con

= 0, . . . , N 1

k |T| |T|

(2.1)

e N bande di tipo . Supponiamo che tra i vari segmenti paralleli a W W ve ne sia uno che passa per il punto di simmetria
Il risultato sar un insieme di bande di tipo K del reticolo esagonale. Per quanto visto nel caso del grafene relativamente a tale vertice, la banda energetica di legame relativa a tale segmento avr una gap nulla con la rispettiva banda di antilegame. In questo caso il nanotubo possiede un comportamento metallico nella struttura a bande. In generale, detto Y il punto d'intersezione tra la retta normale a che geometricamente risulta:

WW

passante per K e

cui il nanotubo abbia una struttura metallica che il rapporto tra i vettori

W W , la condizione per YK e K1 sia intero. Dato

YK =

2n + m K1 3 2n + m
(o equivalentemente

la condizione per avere un nanotubo metallico che

n m)

sia multiplo

di 3. In altre condizioni il nanotubo ha un comportamento semiconduttore. Possiamo, ora, esplicitare la relazione di dispersione ricavata per particolare strutture e tipi di nanotubi.

Fig 2.4 Tipi caratteristici nanotubi. (a) a braccio di sedia, (b) a zig-zag, (c) chirale.

15

2.3.1

Nanotubi Achirali nanotubi a braccio di sedia (m = n) e i nanotubi a zig-zag (m = 0).

n
multiplo di 3. Di questi si possono distinguere i pi I primi sono sempre

Le strutture pi semplici da studiare sono i nanotubi achirali. comuni metallici, mentre gli altri sono metallici solo se

Fig 2.5 Celle unitarie di un nanotubo (a) a braccio di sedia (n=2) e (b) a zig-zag (n=4).

Consideriamo inizialmente nanotubi a braccio di sedia. In questo ricaviamo:

K1 K2

4 , na 3 0 , 4 a

Dato che in questo caso risulta otteniamo:

|T| = a,

dove

a il passo del reticolo di Bravais,

k a a

sostituendo nella 2.1

a Eq (k) =

1 + 4 cos

q n

cos

ka 2

+ 4 cos2 = 0)

ka 2

con

q = 1, . . . , 2n

(2.2)

dove gli overlaps sono stati trascurati (s per

e si posto

E0 = 0.

In Fig. 2.6 proposto l'esempio

n = 5.

Fig 2.6 Diagramma a bande di un nanotubo a braccio di sedia per n=5.

16

Nel diagramma a bande ricavato, le singole bande energetiche sono state opportunamente etichettate. La lettera 'a' contraddistingue le bande non degeneri mentre la 'e' i livelli doppiamente degeneri. I numeri associano livelli energetici con simmetria uguale. Le lettere 'g' e 'u' contraddistinguono rispettivamente la parit pari e dispari (gerade e ungerade). Inne i segni corrispondo ai segni nell'equazione 2.2. Complessivamente, degenerazioni comprese, si hanno 10 stati di legame e 10 stati di antilegame. Come precedentemente detto, si pu notare il carattere metallico del nanotubo a braccio di sedia dall'assenza di una gap energetica tra bande di valenza e di conduzione. Possiamo ripetere lo stesso discorso per i nanotubi a zig-zag. In questo caso risulta:

K1

2 3 na

2 na 2 a

2 K2 , 3a

In questo caso risulta

|T| =

3a.

Dunque, sostituendo ancora una volta nella 2.1 otteniamo:

z Eq (k) =

1 + 4 cos

3ka 2

cos

q n

+ 4 cos2

q n

con

k 3a 3a

q = 1, . . . , 2n
e

In Fig. 2.7 sono posti a confronto i diagrammi dei nanotubi zig-zag con

n=9

n = 10.

Fig 2.7 Diagramma a bande di un nanotubo a zig-zag con (a) n=9 e (b) n=10.

Possiamo vericare quanto detto in precedenza, ossia che per il primo, dove , dunque, la struttura di un semiconduttore.
2.3.2

multiplo di 3, si ha

una struttura metallica, mentre nel secondo si ha una gap tra le bande di valenza e di conduzione che

Nanotubi Chirali
k
per cui si hanno degenerazioni di banda (ossia i punti in per i nanotubi a braccio di sedia e

Per i nanotubi achirali metallici i valori di

2 cui si annulla la gap) sono k = 3|T|

o, comunque, minimi.

K = 0 per quelli a zig-zag.

Nel

caso generale di nanotubi chirali, agli stessi punti corrispondono degenerazioni di banda con gap nulli I nanotubi chirali, in generale, vengono suddivisi in varie classi a seconda del valore reciproco dei valori di

nm

dr .

Quest'ultime sono:

17

Se Se

nm nm

non multiplo di 3 e multiplo di 3 e

dr = d,

la struttura quella di un semiconduttore;

dr = d,

la struttura metallica e si hanno 4 bande degeneri per

k=0

(Metallo di tipo 1);

n m multiplo di 3 e dr = 3d, 2 (Metallo di tipo 2). k= 3|T|

Se

la struttura metallica e si hanno 2 bande degeneri per

Quanto appena detto mostrato in Fig. 2.8 in cui sono state messe a confronto i diagrammi delle 3 classi enunciate.

Fig 2.8 Diagramma a bande di un nanotubo chirale (a) semiconduttore (9,5), (b) metallo di tipo 1 (9,6), (c) metallo di tipo 2 (7,4).

Dalla gura si pu notare una particolarit per quel che riguarda i nanotubi metallici che deriva dalla caratteristica struttura a bande del grafene. In prossimit del livello di Fermi, ossia il massimo livello energetico occupato nel metallo a riposo che in questo caso 0, la relazione di dispersione si approssima ad un andamento lineare, caratteristico delle particelle libere a massa nulla. Questa particolarit la responsabile, come chiariremo in seguito, di un trasporto di elevate intensit di corrente attraverso un nanotubo.

2.4

Densit degli stati

I diagrammi a bande valutati in precedenza ci permettono di conoscere i valori energetici occupati dai singoli elettroni. Sappiamo, per, che questi vanno a costituire, in generale, un range continuo di valori. Per lo studio dei fenomeni di conduzione e per l'analisi delle transizioni quantistiche tra stati energetici opportuno considerare il numero di stati compresi in un intervallo tra generale dato da:

E + dE .

Tale numero in

dN = D (E) dE
A tal proposito, possiamo denire la densit degli stati energetici come:

D(E) =

dN dE
18

La densit degli stati una funzione caratteristica della particolare struttura considerata. La stessa dipendenza dall'energia varia a seconda della geometria del sistema. Nel caso del nanotubo di carbonio, la densit degli stati assume una forma analitica se approssimata in un intorno del livello di Fermi, ossia il punto di coordinate

(kF , EF ),

e risulta:

a D(E) = 2 R
dove

m=0

|E| E 2 2 m
nanotubi semiconduttori e

(2.3)

m = |3m + 1|(a/2 3R) per i

m = |3m|(a/2 3R) per i

metallici.

Fig 2.9 Densit degli stati per un nanotubo (a) (11,0) e (b) (12,0).

Per un nanotubo metallico, la componente per

m=0

da un contributo non nullo alla densit degli

stati in prossimit dell'energia di Fermi. Tale valore costante e risulta:

D(EF ) =

a 2 R

In generale, per, risulta costante e indipendente dalle sue dimensioni la densit degli stati per unit di lunghezza lungo l'asse del nanotubo rispetto al livello di Fermi e pari a:

2 1 D(EF ) = = F 3a

(2.4)

19

Implementazioni dei nanotubi nei dispositivi elettronici

Lo studio della struttura a bande del nanotubo e della densit degli stati ci ha permesso di suddividere i nanotubi in metalli e semiconduttori. A questo punto si pu vedere come essi possano essere inseriti in applicazioni sperimentali per dispositivi elettronici di nuova generazione e i vantaggi rispetto ai tradizionali materiali utilizzati (come ad esempio il rame per le connessioni metalliche e il silicio per i dispositivi a semiconduttore). L'aspetto interessante dei nanotubi di carbonio, infatti, risiede proprio nel fatto che una stesso materiale con una dierente modica nella struttura pu essere utilizzato sia come conduttore sia come semiconduttore. Vediamo nel dettaglio le implementazioni dell'uno e dell'altro tipo.

3.1

Linee d'interconnessione con nanotubi metallici

Un nanotubo metallico pu essere utilizzato come linea di trasmissione o interconnessione elettrica. Nei dispositivi di nuova generazione uno dei problemi principali il trasporto di correnti d'intensit elevata. In genere per un interconnessione con un cavo di rame il limite di breakdown della densit di corrente 2 6 risulta essere dell'ordine di 10 Acm . Ci quanto permette la struttura a bande parabolica del rame. Abbiamo visto, per, che il nanotubo di carbonio metallico possiede una struttura a bande unica nel suo genere. In prossimit del livello di Fermi, infatti, la relazione di dispersione si approssima ad un andamento lineare, tipico di una particella a massa nulla. Ci permette conduzioni e capacit nettamente pi elevate rispetto al rame. Le densit di correnti raggiunte in un nanotubo si avvicinano di gran lunga 2 9 al limite teorico, pari circa ai 10 Acm , il che ne permette l'utilizzo come linee di interconnessione elettrica di dimensioni nanometriche (nano cavi) e di elevata capacit. Possiamo analizzare nel dettaglio i parametri caratteristici di un nanotubo di carbonio utilizzato come nano cavo.

Fig 3.1 Rappresentazioni grache di interconnessioni attraverso nanotubi in circuiti integrati.

3.1.1

Conduttanza
G = 1/R,
detta

Quando abbiamo a che fare con fenomeni di conduzione elettrica, sappiamo che le rispettive caratteristiche tensione-corrente sono governate, nel macroscopico, dalla legge di Ohm la resistenza del conduttore. L'inverso della resistenza, relazione: ma dipende dalle caratteristiche siche e geometriche del conduttore, sezione

conduttanza.
A

V = RI ,

dove

Quest'ulti-

e lunghezza

L,

dalla

G=
dove

A L
un parametro caratteristico del materiale detto conduttivit.

20

In linea di principio potremo valutare una conduttanza per un nanotubo metallico di una certa lunghezza e sezione. Tuttavia, date le dimensioni nanometriche della struttura possiamo sostituire il concetto di conduttanza dato dalla legge id Ohm con quello di conduttanza quantistica legato strettamente alle statistiche che regolano il modello quantistico della conduzione elettrica. La convenienza di questa scelta sta nel fatto che la conduttanza quantistica, per piccole tensioni applicate, pu essere considerata costante e pari ad un certo valore massimo.. Gli elettroni all'interno di un conduttore in equilibrio rispettano la

Fermi-Dirac f (E):
f (E) = 1 1 + exp

distribuzione statistica di

E KT

Fig 3.2Distribuzione di Fermi-Dirac.

dove

il potenziale chimico, ossia il potenziale a cui sono sottoposti gli elettroni nel reticolo del

conduttore in equilibrio. In generale quest'ultimo corrisponde all'energia del livello di Fermi nel caso di un conduttore in equilibrio. Da tale distribuzione dipende la risposta lineare alla conduttanza, ossia per tensioni basse, e risulta:

2e2 G= h

f E

Tm (E)dE

dove la somma eettuata su tutti i possibili modi statistici m e Tm la . f La quantit , come si pu vedere dalla g. 3.2, signicativa solo per valori di E prossimi al livello E di Fermi. In prossimit di tale livello, la conduttanza quantistica assume il suo valore massimo pari a:

funzione di trasmissione

Gmax =

4e2 1 = h 65k
21

I dati sperimentali mostrano che su nanotubi Muli-Wall la conduttanza per tensioni di bias piccole oscillano tra

Gmax /2

Gmax .
Se il bias viene aumentato la

Per bias bassi, la conduttanza massima e vicina al valore teorico.

conduttanza del nanotubo diminuisce sensibilmente. Il motivo dovuto al fatto che gli elettroni perdono energia perch interagiscono con fononi, ossia quanti di vibrazione, emessi dal reticolo della struttura a bias elevati. Le energie minime per le quali vengono emessi fononi si aggirano intorno ai 160 meV. La tensione massima per cui il bias sucientemente piccolo da massimizzare la conduttanza , dunque, 160 mV. Dalla g 3.3 si pu vedere, infatti, che la conduttanza possiede il suo valore massimo per tensioni di poco superiori a 0 V.

Fig 3.3 Caratteristica Tensione-Corrente e Conduttanza in funzione del bias applicato.

3.1.2

Capacit e induttanza quantistica

C
e induttanza

Per un conduttore possiamo, inoltre, denire i parametri di capacit

L,

l'una associata

alla quantit di carica che un conduttore pu trattenere, l'altra legata all'intensit di corrente percorsa. I due parametri, nell'elettrostatica classica, sono deniti dale relazioni:

Q2 E= 2C 1 E = LI 2 2
(3.1)

Cos come per la conduttanza, ai due parametri vanno associati i corrispondenti quantistici, dovuti al fatto che la quantit di carica e l'intensit di corrente sono regolati dalla distribuzione di Fermi e dalla densit degli stati. Supponiamo di applicare una piccola tensione

al conduttore in equilibrio. La rispettiva variazione

di carica sulla sua supercie del conduttore data da:

Q = e D(E) [f (E) f (E V )] dE

Valutando la variazione di carica intorno al livello di Fermi, si pu scrivere:

22

Q = e2 D()V
In conclusione, la capacit quantistica risulta:

CQ =

Q = e2 D() V

Utilizzando la relazione 2.4 si ottiene:

4e2 CQ = e D() = 0.4 aF F

2
dove si utilizzato il valore

nm

F 8 105 m

. Il fattore 4 stato introdotto considerando due modi

statistici dovuti allo spin e due bande passanti per il punto di Fermi. Il prossimo passo ricavare l'induttanza. Per far ci dobbiamo conoscere l'eccesso di energia cinetica dovuto al usso di corrente e l'intensit di corrente stessa. Per far ci analizziamo il graco in g. 3.4.

Fig 3.4 Variazione di energia cinetica all'applicazione del bias.

All'equilibrio l'energia del massimo stato occupato energia compresa tra tra

. All'applicazione del bias V , le particelle con eV /2 e passano nella banda di conduzione con un energia cinetica compresa

e + eV .

In altre parole, il bias si ridistribuisce in modo da far passare gli elettroni dalla banda di

valenza a quella di conduzione e fornirgli energia cinetica. Il numero medio di particelle che acquistano energia cinetica risulta:

N=

D() eV 2 2

L'eccesso complessivo di energia cinetica , dunque:

E=N

eV D() (eV )2 = 2 8

23

Per quel che riguarda la corrente, utilizzando il valore massimo della conduttanza quantistica possiamo ottenere:

I Gmax V =

4e2 V h

Per ricavare l'induttanza quantistica possiamo utilizzare l'equazione 3.1 ottenendo:

LQ =

2 2 D() 4pH = 2 2 16e 4e F

nm

3.1.3

Velocit di propagazione dei segnali linea di trasmissione.

e Una linea di trasmissione , in generale, il mezzo attraverso il

Oltre che come interconnessione elettrica, potremo studiare le caratteristiche di un nanotubo di carbonio utilizzato come del conduttore quale si propaga un segnale di tensione. La velocit del segnale attraverso la linea dipende dai parametri

C:

s =

1 LC

Nel caso di un nanotubo di carbonio, possiamo sostituire i parametri ricavati in precedenza ottenendo:

1 = F LQ CQ

Il segnale che attraversa il nanotubo si propaga con una velocit pari a quella degli elettroni in prossimit del livello di Fermi.

3.2

Dispositivi con nanotubi semiconduttori

Avendo visto i vantaggi delle implementazioni dei nanotubi metallici, si pu passare a studiare i possibili utilizzi dei nanotubi semiconduttori. Come ben noto, gran parte della tecnologia elettronica attuale si fonda sull'utilizzo di materiali semiconduttori, in particolare silicio e germanio che risiedono alla base della struttura di comuni componenti elettroniche tra cui diodi a giunzione e transistor a eetto campo. Vediamo come possibile strutturare tali dispositivi attraverso l'ausilio dei nanotubi semiconduttori.
3.2.1

Drogaggio, giunzioni e raddrizzatori

intratube :

Giunzioni

ben noto, il

drogaggio, ossia il renderlo capace di accettare (drogaggio di tipo p) o donare (drogaggio

Il primo passo dell'utilizzo elettronico di un materiale semiconduttore , come

di tipo n) cariche elettriche attraverso l'introduzione nel materiale di opportune impurit. Cos come vien fatto per silicio e germanio, che vengono in genere drogati con arsenico e boro, un nanotubo di carbonio pu essere drogato n attraverso l'introduzione di atomi di azoto e p attraverso atomi di boro. Avendo, ora, i nanotubi opportunamente drogati, possibile il pi semplice dispositivo a semiconduttore, ossia una giunzione p-n. Una giunzione p-n a nanotubo di carbonio , ad esempio, semplicemente

24

un nanotubo di carbonio drogato per met p e per met n. izialmente omogeneamente drogato, ad esempio ti tipo p.

Per far ci si utilizza un nanotubo in-

Per met il nanotubo viene coperto con

polimetilmetacrilato (PMMA) e esposto a atomi di potassio, che un elemento donatore di elettroni. In questo modo la met non coperta e esposta al potassio risulter drogata n mentre la met coperta resta drogata p.

Fig 3.5 Giunzione p-n a nanotubo e caratteristiche corrente-tensione.

La g. 3.5 mostra la caratteristica I-V della giunzione p-n e il relativo potenziale elettrostatico. L'andamento graco molto vicino a quello di un tradizionale diodo a giunzione. Possiamo, per, studiare questi andamenti graci nel dettaglio, strutturando un modello matematico che descriva intensit di corrente e potenziale elettrostatico in prossimit della giunzione. La densit di carica che scorre attraverso un nanotubo pu essere espressa dalla relazione:

e e (z) =
dove

D (E, z) f (E) dE

degli stati nel punto di coordinata assiale per la 2.3 si pu scrivere:

la frazione di drogaggio del semiconduttore e la costante dielettrica. D (E, z) la densit z e, se V (z) il potenziale elettrostatico lungo il nanotubo, a 2 R |E| (E + eV (z))2 (Eg /2)2
L'ultima relazione necessaria a descrivere il

D (E, z) =

dove

Eg

la gap tra le bande del semiconduttore.

modello di conduzione un'equazione per il potenziale elettrostatico elettrostatico per un cilindro cavo, si pu scrivere:

V (z).

Se

K(z z )

il potenziale

V (z) = K(z z )(z)dz

25

Fig 3.6 Potenziale elettrostatico valutato per due valori di e andamento della distribuzione di carica in funzione della distanza dalla giunzione .

In g 3.6 sono mostrati gli andamenti del potenziale elettrostatico e della carica in funzione della posizione rispetto la giunzione. Per quel che riguarda il potenziale, l'andamento delle bande identico a quello registrato in un una giunzione piana. La diversit la si ha nell'andamento della distribuzione di carica. Nelle giunzioni piane si ha, infatti, che la carica pi o meno costante in prossimit della giunzione e praticamente nulla oltre la cosiddetta regione di svuotamento. dovuta alla dierente geometria della giunzione. annulla in maniera logaritmica. Si pu passare, ora, a valutare la caratteristica tensione corrente. La corrente che scorre attraverso un nanotubo data dalla relazione: Nel nanotubo, invece, la situazione dierente e la carica decresce in maniera logaritmica a partire dalla giunzione. Tale dierenza Mentre, infatti, nelle distribuzioni piane il campo elettrostatico pi o meno costante lontano dalla sorgente, per le distribuzioni cilindriche il campo si

4e2 I= h
dove

T (E) [fL (E) fR (E)] dE

la densit di trasmissione e

T (E)

fL

fR

sono rispettivamente le funzioni di Fermi a sinistra

e destra della giunzione. L'andamento della corrente in funzione del potenziale applicato consistente con l'andamento mostrato in g. 3.5.
Giunzioni tra nanotubi:

Nanotubi diversi possono essere collegati l'un l'altro in serie. Simili collegaIl modo per collegare due nanotubi

menti, per, causano curvature e difetti locali nella struttura.

pentagono-ettagono.
otubo

strutturalmente diversi con i minimi difetti locali e la minima curvatura l'introduzione di una

coppia

Questa tecnica consiste nel collegare vertice per vertice la base di un certo nan-

(n, m)

con quella di un nanotubo

(n 1, m + 1).

In questo modo, in prossimit della giunzione

gli atomi di carbonio superui formeranno una struttura pentagonale accoppiata ad una ettagonale.

26

Fig 3.7 Giunzione tra i nanotubi (8,0) e (7,1). In grigio mostrata la coppia pentagono-ettagono .

Fig 3.8 Densit degli stati vista dai due lati della giunzione. Si indicato con cell le celle elementari del lato semiconduttore, mentre con ring quelle del lato metallico. Il valore 1 in entrambi i casi in prossimit della giunzione .

In g. 3.7 mostrato un esempio di quanto detto, ossia la giunzione tra un nanotubo semiconduttore (8,0) e un nanotubo metallico (7,1). Si vede chiaramente come la coppia pentagono-ettagono generi una minima curvatura della struttura. Dalla g. 3.8 si pu vedere, invece, la densit degli stati valutata per celle sempre pi prossime alla giunzione dal lato del semiconduttore e dal lato metallico confrontate con la DOS dei nanotubi puri. Si pu vedere come la DOS de l'uno inuenzi quella dell'altro attenuando e generando discontinuit e dunque picchi nell'andamento graco. Una giunzione simile, ossia metallo-semiconduttore, pu essere utilizzata come Esso un dispositivo che viene per lo pi utilizzato come

diodo Schottky, os-

sia un particolare tipo di diodo caratterizzato da basse tensioni di soglia e rapidi tempi di commutazione. alla corrente di scorrere in un unico verso di polarizzazione.

raddrizzatore, ossia un sistema che permette

27

Fig 3.9 Caratteristica corrente-tensione di una giunzione metallo-semiconduttore.

In g. 3.9 mostrata la caratteristica I-V di una giunzione metallo-semiconduttore. Si pu vedere l'andamento caratteristico di un diodo raddrizzatore.
3.2.2

Transistor a eetto campo transistor,

dispositivi divenuti fondamentali per Un esempio di transistor a eetto campo (FET) di recente sperimentazione

Tra tutti i particolari dispositivi elettronici che si cercato di costruire attraverso l'ausilio dei nanotubi di carbonio, le prime sperimentazioni riguardano i l'elettronica moderna. schematizzato in g. 3.10.

Fig 3.10 Schematizzazione di un FET a nanotubo.

Due elettrodi, che fungono da Source e Drain, sono collegati attraverso nanotubi single-wall che siedono su uno strato di SiO2 . drogato. Sotto tale strato di dielettrico vi un Gate di silicio intensamente In questa schematizzazione i nanotubi di carbonio fungono da canale di conduzione tra il

Source e il Drain. La conduttivit del nanotubo viene regolata attraverso la tensione di Gate.

28

Fig 3.11 Caratteristica corrente-tensione lungo il nanotubo a varie tensioni di Gate.

Dalla g. 3.11 si pu vedere che al crescere della tensione di Gate, la conduttivit del canale presenta un sempre pi evidente stato di azzeramento e crescita all'intensicarsi del bias applicato, corrispondenti rispettivamente allo stato di OFF e ON del transistor utilizzato come interruttore. Avendo spiegato in generale il funzionamento di un FET a nanotubo, andando a studiare l'apparato nel dettaglio si pu vedere che gli andamenti delle curve caratteristiche del transistor dipendono fortemente dalla natura dei contatti metallici utilizzati. comportamento diverso a seconda che i contatti siano
Contatti Omici:

Ohmici o Schotty.

Il FET a nanotubo, infatti, mostra un

I contatti ohmici sono i legami tra metalli in cui persiste la legge di Ohm. In questa

situazione, la conduttanza lungo il canale determinata dalla tensione applicata al Gate che genera un ripiegamento delle bande energetiche del nanotubo semiconduttore. In g. 3.12 illustrato il ripiegamento delle bande in funzione della tensione di Gate e la relativa variazione della conduttanza del canale a bias (VDS ) nullo.

29

Fig 3.12 Ripiegamento delle bande e conduttanza del canale in funzione della tensione di Gate (VG ).

Nella zona contrassegnata da I, il ripiegamento delle bande nullo, la conduttanza risulta massima e il transistor si trova nello stato di ON. Al crescere della tensione di Gate del canale si annulla.

VG ,

nella zona II, le bande

si ripiegano su se stesse formando una barriera di potenziale che blocca gli elettroni e la conduttanza Il transistor si ritrova nello stato di OFF. Se la tensione di gate cresce ancora (zona III) il ripiegamento delle bande tale da generare, nel mezzo del canale, un

punto quantico,

ossia un pozzo di potenziale in cui i livelli energetici appaiono discretizzati. Gli elettroni, connati nel punto quantico, possono compiere transizioni per eetto tunnel tra i vari livelli discreti generati. Questo fenomeno pu generare un lieve picco di risonanza nella conduttanza del canale, dovuto a queste rapide transizioni elettroniche.
Contatti Schottky:

Vi sono alcune connessioni metalliche, come ad esempio tra un nanotubo e contatti

di titanio, per cui non vale la legge di Ohm, ma sono caratterizzati da una

barriera Schottky, caratterVG ,

istica delle giunzioni Schottky viste in precedenza. Anche per i contatti Schottky bisogna variare la

ma il fenomeno procede in senso opposto al caso precedente. Viene sfruttato, infatti, l'attraversamento della barriera per eetto tunnel. Quando , infatti, il ripiegamento delle bande e tale da creare una barriera sottile tra il contatto e il canale, gli elettroni possono attraversarla per eetto tunnel, con intensit di correnti elevate. In questo modo, lo stato di OFF del transistor sar caratterizzato da lievi ripiegamenti di banda, mentre lo stato di ON avverr quando le bande energetiche risultano sucientemente ripiegate. Quanto detto schematizzato in g. 3.13.

30

Fig 3.13 Stato di OFF e stato di ON di un transistor a NTC con contatti Schottky.

31