Randolfo Estuardo Sontay Chan 200611476

INTRODUCCION

En el siguiente reporte se analiza el funcionamiento del diodo, en este caso vamos a ver como funciona un diodo de silicio, podremos observar la curva caracterstica del diodo para los diferentes voltajes tomados en la practica, en la que se graficara para ver como es que mantiene su voltaje casi constante despus de que alcanza su voltaje de ruptura. Se realizaran los clculos necesarios aplicando conocimientos adquiridos de cursos anteriormente estudiados de circuitos elctricos para poder calcular la resistencia interna del diodo y as poder predecir por medio de cambios de voltajes la resistencia del mismo utilizado para esta prctica. Tambin se podr ver cual es el efecto de esta resistencia en las variaciones de corriente en el circuito, lo cual se comparara con las corrientes tomadas en la prctica.

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OBJETIVOS GENERALES

Aplicar los conocimientos adquiridos en cursos anteriores de electricidad y electrnica basados en circuitos y diodos.

Ampliar en forma practica los conocimientos tericos del funcionamiento del diodo y del voltaje de ruptura del mismo.

OBJETIVOS ESPECIFICOS

Analizar en forma grafica el voltaje en el cual se inicia el proceso de funcionamiento de un diodo de silicio. Explicar que la resistencia interna del diodo causa pequeas variaciones en nuestros clculos analticos del laboratorio.

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HIPOTESIS

El diodo se activa despus de alcanzar su voltaje de ruptura que esta entre el intervalo de 0.5v a 0.775v, luego de vencer el voltaje de ruptura el diodo empieza a trabajar correctamente haciendo conducir la corriente en el circuito. El diodo tiene una resistencia interna la cual esperamos que tenga influencia en la oposicin de corriente en nuestro anlisis experimental y analtico.

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MARCO TEORICO

Diodo El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se puede encontrar, prcticamente en cualquier circuito electrnico. Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms utilizada) y de germanio.

Smbolo del diodo (A - nodo, K - ctodo) Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.

Curva caracterstica del diodo

Principio de operacin de un diodo El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones) Cuando una tensin positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a travs del material P mas all de los lmites del semiconductor. De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensin negativa al lado del material N y los huecos fluyen a travs del material N. En el caso opuesto, cuando una tensin positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los

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huecos del lado P son empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay corriente El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras diferentes: Polarizacin directa Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del diodo), o sea del nodo al ctodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportndose prcticamente como un corto circuito. Polarizacin inversa Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o se del ctodo al nodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prcticamente como un circuito abierto. El funcionamiento antes mencionado se refiere al diodo ideal, esto quiere decir que el diodo se toma como un elemento perfecto (como se hace en casi todos los casos), tanto en polarizacin directa como en polarizacin inversa.

Resistencia
Se denomina resistencia elctrica, simbolizada habitualmente como R, a la dificultad u oposicin que presenta un cuerpo al paso de una corriente elctrica para circular a travs de l. En el Sistema Internacional de Unidades, su valor se expresa en ohmios, que se designa con la letra griega omega mayscula, . Para su medida existen diversos mtodos, entre los que se encuentra el uso de un ohmmetro. Esta definicin es vlida para la corriente continua y para la corriente alterna cuando se trate de elementos resistivos puros, esto es, sin componente inductiva ni capacitiva. De existir estos componentes reactivos, la oposicin presentada a la circulacin de corriente recibe el nombre de impedancia. Segn sea la magnitud de esta oposicin, las sustancias se clasifican en conductoras, aislantes y semiconductoras. Existen adems ciertos materiales en los que, en determinadas condiciones de temperatura, aparece un fenmeno denominado superconductividad, en el que el valor de la resistencia es prcticamente nulo.

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DISEO EXPERIMENTAL

Materiales a utilizar: Protoboard Diodo de silicio Fuente variable Resistencia variable 2 Resistencia de 1k Ampermetro Voltmetro

Magnitudes fsicas a medir: En la elaboracin del laboratorio se conectaran los circuitos mostrados para cada practica y se tendrn que tomar medidas con el voltmetro de los diferentes voltajes de nuestra fuente de alimentacin, as como tambin de la corriente que circula por el circuito elaborado. Se realizaran las tablas con los datos encontrados para interpretar con graficas o comparaciones de ecuaciones segn sea indicado.

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RESULTADOS
Circuito # 1
Tomar 8 valores de voltaje que estn entre 0.1 v a 0.9 v y luego 5 valores que estn entre 1v a 12v. Hacer las mediciones de corriente que atraviesan el circuito en los diferentes cambios de voltaje y hacer sus respectivas graficas. Circuito # 1

Tabla 1.1

Grafica 1.1

0.13v 0.40v 0.50v 0.61v 0.69v 0.80v 0.85v 0.92v

0 0.01 0.05 0.13 0.20 0.29 0.33 0.39

0.45 0.4 0.35 0.3 0.25 0.2 0.15 0.1 0.05 0 0 0.2 0.4 V (v) 0.6 0.8 1

I (mA)

Randolfo Estuardo Sontay Chan 200611476 Tabla 1.2 Grafica 1.2

I (mA)

1v 2v 3v 4v 4.5v

0.48 1.4 2.38 3.38 3.89

4.5 4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 1 2 V (v) 3 4 5

Circuito # 2
Tomar los valores de las corrientes que atraviesan el circuito con los voltajes 4.5v, 5v, 5.5v, 6v, 7v, 7.5v. Encontrar la resistencia del diodo. Circuito # 2 3.5v, 4v,

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Tabla 2.1 3.5v 4.0v 4.5v 5.0v 5.5v 6.0v 7.0v 7.5v 2.86 3.37 3.85 4.36 4.86 5.34 6.36 6.89

Circuito # 3
Encontrar la corriente para cuatro distintos valores de voltajes. Y comparar la corriente con la resistencia del diodo y sin ella.

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Tabla 3.1

5.26v 5.61v 6.22v 6.68v

4.62 4.96 5.58 6.03

4.618 4.965 5.569 6.026

4.26 5.01 5.62 6.08

Circuito # 4
Encontrar la corriente para cuatro distintos valores de voltajes con las dos ecuaciones siguientes. Comparar que ecuacin nos da un valor ms real.

Randolfo Estuardo Sontay Chan 200611476 Tabla 4.1

5.14v 5.75v 6.26v 6.96v

1.98 2.28 2.53 2.88

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DISCUSION DE RESULTADOS

En el circuito # 1 elaborado en la prctica podemos observar que se cumple nuestra prctica con lo terico, podemos observar en las graficas que el diodo empieza a conducir hasta que alcanza su voltaje de ruptura, y luego se puede decir que conduce con un voltaje casi constante. Para el circuito# 2 se pudo obtener la resistencia interna del diodo a causa de una malla elaborada en el circuito, podemos ver que la resistencia del diodo es muy pequea.

El circuito # 3 fue muy til para encontrar la corriente que atravesaba el circuito, incluyendo la pequea oposicin de la resistencia del diodo, dando as un resultado mas preciso. Para el circuito # 4 podemos ver las comparaciones de los resultados de las dos ecuaciones con los datos tomados en la prctica, y podemos observar que la ecuacin 1 que es la que incluye la resistencia del diodo, nos da un resultado ms prximo a los tomados en la prctica.

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CONCLUSIONES

Damos por hecho que el laboratorio fue un xito y que nuestra hiptesis es verdadera, dado que en las pruebas realizadas con anterioridad se cumplieron nuestras afirmaciones. Se reconoci el nivel de voltaje de ruptura para un diodo de silicio y la resistencia interna del mismo y su influencia en los clculos realizados. La curva caracterstica del diodo coincido con la investigada en el marco terico y queda por comprendido el la eficiencia del diodo a ciertos niveles de voltaje.

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FUENTES DE CONSULTA

Electronica Integrada, circuitos y sistemas analgicos y digitales, Jacob Millman y Christos C. Halkias

Circuitos Microelectrnicos, Sedra

http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo

http://www.unicrom.com/Tut_diodo.asp

http://es.wikipedia.org/wiki/Resistencia_el%C3%A9ctrica

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ANEXOS

Apuntes de laboratorio:

0.6 0.4 0.2 0 -4 -3 -2 V -1 -0.2 0 1 I 4 3 2 1 0 0 1 2 V 3 4 I I 30 25 20 15 10 5 0 0 2 V 4 6