Eletrnica de Potncia - Cap.

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11. DIMENSIONAMENTO DE SISTEMAS DE DISSIPAO DE CALOR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTNCIA

11.1 Introduo

A circulao de corrente eltrica por qualquer bipolo provoca uma dissipao de potncia igual ao produto do quadrado da corrente pela resistncia do caminho percorrido. Tal potncia dissipada converte-se, essencialmente, em calor (efeito Joule). As relaes entre potncia e energia so indicadas abaixo: 1 W = 0,239 cal/s 1 W.s = 1 J 1 cal = 4,187 J O objetivo deste estudo fornecer subsdios para estabelecer critrios para o dimensionamento de sistemas de dissipao do calor produzido por componentes eletrnicos, especialmente semicondutores de potncia (diodos, transistores, tiristores, etc.), buscando a proteo de tais componentes, tendo como meta fundamental a elevada confiabilidade dos equipamentos nos quais os dispositivos so empregados. Deve-se tambm buscar volumes, massas e custos to reduzidos quanto possveis. Os dispositivos semicondutores atuais so praticamente todos de silcio. Este material tem temperatura de fuso superior a 1400 C. Por qual razo, ento, os fabricantes especificam uma mxima temperatura de operao da juno em torno de 150 C? A temperatura interna de um dispositivo semicondutor determina a quantidade de portadores livres (eltrons e lacunas) que, por sua vez, responsvel pela corrente de fuga que existe quando o dispositivo deveria estar bloqueado. O efeito combinado da tenso de bloqueio com a corrente de fuga e a temperatura pode levar ruptura do dispositivo, neste caso, provocando uma excessiva dissipao de potncia no componente e levando sua destruio. A mxima temperatura da juno especificada pelos fabricantes aquela que garante que o componente ser capaz de bloquear a tenso prevista. Assim, um diodo para 500 V somente ser capaz de manter-se desligado e suportando tal tenso se sua temperatura de juno no exceder o limite dado (por exemplo, 150 C). Se a temperatura for maior do que esta, o diodo no ser capaz de bloquear os 500 V previstos. . 11.2 Clculo da potncia dissipada

Uma primeira dificuldade para a escolha de um dissipador conhecer com alguma preciso a potncia que ser dissipada pelo dispositivo semicondutor. Uma estimativa pode ser feita a partir de dados de catlogo, lembrando que os tempos especificados esto sempre associados a condies precisas de acionamento (no caso de transistores) e das cargas alimentadas. As condies reais de cada aplicao podem diferir bastante de tais situaes de teste, de modo que se exige do projetista um cuidado especial nesta estimativa inicial das perdas no componente. Outro modo de estimativa por simulao, desde que os modelos do dispositivos sejam confiveis. O clculo das potncias deve ser feito, via de regra, pelo produto dos sinais de tenso e corrente sobre o componente em questo.

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Consideremos para fins de exemplo as formas de onda indicadas na figura 11.1. Os valores da potncia mdia em cada sub-intervalo so calculados na seqncia.
Potncia p=v.i

v V1 I1

i t0 t1 t2 t3 T

Vo t4 t5

Io

Figura 11.1 Exemplo de sinais de tenso, corrente e potncia para clculo de potncia mdia dissipada.

a)

Intervalo (t1-t0)

i( t ) = Io v ( t ) = V1
1 P1 = Io V1 dt T t0
t1

(11.1) (11.2)

(11.3)

P1 =
b)

Io V1 (t1 t 0) T
Intervalo (t2-t1)

(11.4)

i( t ) = Io +

( I1 Io) ( t t1) ( t 2 t1)

(11.5)

Se Io << I1 e se colocar a referncia de tempo em t1, a equao (11.5) simplifica-se para:

I1 t tq onde tq = t2-t1. i( t ) = (11.6)

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v ( t ) = V1
P2 = 1 V1 ( I1 Io) ( t 2 2 t12 ) V1 Io ( t 2 t1) V1 ( I1 Io) t1 + T 2 ( t 2 t1)

(11.7)

Usando (11.6) ao invs de (11.5), tem-se: P2 = V1 I1 tq 2T (11.8)

c) Intervalo (t3 - t2)

i (t) = I1 v ( t ) = V1 + ( Vo V1) ( t t 2) ( t 3 t 2) (11.9)

Sendo Vo << V1 e deslocando o incio da integrao para t = t2 t v ( t ) = V1 1 td onde td = (t3 - t2)

1 I1 ( Vo V1) ( t 32 t 2 2 ) P3 = I1 V1 ( t 3 t 2) I1 ( Vo V1) t 2 + 2 ( t 3 t 2) T

(11.10)

(11.11)

Simplificadamente tem-se: P3 = I1 V1 td 2T (11.12)

d) Intervalo (t4 - t3)

i (t) = I1 v (t) = Vo P4 = I1 Vo ( t 4 t 3) T (11.13)

e) Intervalo (t5 - t4)

i( t ) = I1 + ( Io I1)

( t t 4) ( t 5 t 4)

(11.14)

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v ( t ) = Vo + ( V1 Vo)

( t t 4) ( t 5 t 4)

(11.15)

P5 =

1 ( t5 2 t 4 2 ) I1 Vo tj [I1 V1 + Io Vo 2 Vo I1] t 4 + T 2 tj

( Io I1) ( V1 Vo) ( t53 t 4 3 ) t 4 ( t 5 2 t 4 2 ) + t 4 2 ( t 5 t 4) 2 3 tj onde tj= t5 - t4 Simplificadamente: t i( t ) = I1 1 tj t v ( t ) = V1 tj Usando as equaes (11.18) e (11.17) tem-se: P5 = V1 I1 tj 6T

(11.16)

(11.17) (11.18)

(11.19)

A potncia mdia dissipada ser: P = P1 + P2 + P3 + P4 + P5 Os picos de potncia no exemplo dado so: Pp1 = V1 I1 , em t = t2 Pp2 =
( t 4 + t 5) V1 I1 , em t = 2 2 2

(11.20)

(11.21) (11.22)

claro que as linearizaes das curvas de corrente e tenso por si s constituem uma simplificao e, portanto, implicam em erros. O uso de bom senso, atuando de maneira moderadamente conservativa fundamental para um clculo seguro. Alguns osciloscpios digitais possuem a funo produto e at mesmo a sua integral, facilitando o clculo (o valor integrado deve ser dividido pelo perodo de chaveamento). Este o mtodo mais indicado especialmente em regime chaveado. Para sinais contnuos, a potncia , obviamente, o produto dos valores de tenso e corrente. Na ausncia dos equipamentos e/ou recursos citados, deve-se obter os sinais de tenso e corrente e aproxim-los, em partes, por funes de fcil integrao.

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11.2.1 Diodos Usualmente a tenso de conduo dos diodos de potncia da ordem de 1 V, valor este que aumenta quanto maior for a tenso do componente, devendo-se verificar o valor dos manuais. O efeito da resistncia de conduo pode ser, em geral, desconsiderado. A dissipao no estado bloqueado pode ser desprezada em funo de seu pequeno valor em comparao com as perdas em conduo. A figura 11.2 indica uma situao de aplicao tpica de diodos, qual seja, uma ponte retificadora trifsica, operando, assim, em baixa freqncia de comutao. O fator dominante aquele relativo s perdas em conduo. Para um clculo analtico aproximado da potncia mdia, pode-se considerar a tenso de conduo constante (Vd) e utilizar-se o valor mdio da corrente. Como a freqncia de comutao baixa, as perdas relativas a este termo podem ser desprezadas. A corrente mdia pode ser estimada, conhecida a potncia consumida pela carga, lembrando-se que por cada diodo circula 1/3 da corrente total. Assim, para uma entrada de 200V (valor eficaz), tem-se uma tenso retificada de cerca de 300V. Supondo uma carga de 150 , a corrente mdia pelo diodo ser de 0,66A. Para uma queda de tenso de 2 V, tem-se uma potncia mdia de 1,32W. J para a determinao da potncia de pico, como se deve conhecer o valor de pico da corrente, uma estimativa analtica mais difcil, uma vez que a forma da corrente depende da impedncia da linha trifsica e ainda de eventuais indutncias parasitas das conexes, que podem alterar o valor do pico da corrente. Alguns catlogos de diodos fornecem grficos indicando a potncia ou energia dissipada pelo componente em funo da forma de onda da corrente.
20W

potncia Carga

C -0W 400V 20A

tenso

corrente -10V -1A 0s 4ms 8ms 12ms 16ms 20ms

Figura 11.2. Tenso, potncia e corrente em um diodo de uma ponte retificadora trifsica com filtro capacitivo. A figura 11.3 mostra as formas de onda tpicas de um diodo. As perdas devido recombinao reversa so, em geral, desprezadas, uma vez que durante o tempo de decaimento da corrente a tenso baixa. Somente quando atingido o pico negativo da corrente reversa que a tenso comea a crescer. Neste caso a potncia dissipada dada por:
Pr = Q rrn Vr f

(11.25)

Qrrn

: carga de recombinao reversa relativa ao intervalo t5

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: tenso reversa : freqncia de repetio Para a entrada em conduo, como o intervalo t1 muito rpido, no se leva em considerao a potncia a dissipada.
t3 t1 dif/dt iD i=Vr/R dir/dt Qrr trr

Vr f

Vfp vD -Vr t2

Von

t4 t5 Vrp

Figura 11.3 Formas de onda tpicas de um diodo rpido.

11.2.2 Tiristores Em geral os tiristores so empregados em circuitos conectados rede. Em funo do tipo de carga alimentada sua corrente pode assumir diferentes formas. O clculo da potncia mdia pode ser feito analogamente ao que foi indicado para os diodos, pois esta uma situao de pior caso (ngulo de conduo de 180o). A queda de tenso em conduo em torno de 1,4 V, devendo-se verificar nos manuais o valor correto. 11.2.3 Transistores a) Em regime contnuo Se o transistor (bipolar ou MOSFET) estiver operando em sua regio ativa, a potncia por ele dissipada simplesmente o produto da corrente pela tenso. Caso os valores no sejam constantes, a potncia mdia dissipada pode ser calculada pelo produto da corrente e tenso com valores RMS.

b) Em regime chaveado Em aplicaes em que o transistor usado como interruptor, como em fontes chaveadas ou amplificadores classe D, deve-se considerar as perdas em conduo e as perdas de comutao (chaveamento). Formas de ondas tpicas de tenso e corrente pelo componente esto indicadas na figura 11.4. Os valores mdio e de pico podem ser calculados (estimados) de acordo com o que foi indicado anteriormente, para formas de onda genricas. Note que, em relao s formas de onda da figura 11.1, tem-se um agravante que a corrente de recombinao reversa do diodo, que se soma corrente do transistor, aumentando significativamente o pico de potncia dissipada na entrada em conduo do transistor.

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200V

100A

tenso corrente L 0V 0A 10KW Potncia D C T

0W

20.0us

30.0us

40.0us

50.0us

60.0us

66.5us

Figura 11.4. Formas de onda tpicas de potncia em um transistor utilizado em fonte chaveada com carga indutiva. No caso de transistores bipolares, a tenso de saturao est em torno de 0,4V (verifique o valor no manual especfico). Para conexo Darlington este valor cresce para cerca de 1,2V, uma vez que o transistor no entra na regio de saturao. A corrente no estado bloqueado pode, em geral, ser negligenciada para o clculo da potncia. Para um IGBT, o valor da tenso de conduo maior, situando-se entre 3 e 5 V, a depender do componente. O valor deve ser verificado no catlogo do fabricante. Um clculo preliminar da potncia dissipada no componente deve ser feito antes da montagem do circuito a partir dos dados de manual. Com o funcionamento do equipamento deve-se verificar as formas de onda reais e reconsiderar o dimensionamento do sistema de dissipao. Os manuais de transistores de potncia, em geral, indicam os tempos caractersticos de chaveamento para cargas resistivas e indutivas, devendo-se empregar os tempos mximos estipulados para o dimensionamento preliminar. Uma vez que o desempenho do componente fortemente influenciado pelo circuito de acionamento da base/gate, pela carga e por componentes parasitas, um dimensionamento mais rigoroso s ser possvel aps o funcionamento do equipamento. Como regra geral, deve-se buscar o chaveamento mais rpido possvel embora isto possa trazer problemas de interferncias e surgimento de picos de tenso e/ou corrente devido aos elevados di/dt e dv/dt e aos componentes indutivos e capacitivos (parasitas ou no) do circuito. Medidas para reduo destes tempos ou tcnicas de chaveamento sem perdas podem ser encontradas fartamente na bibliografia especializada. Neste ponto sugere-se a consulta a inmeros artigos publicados pela Associao Brasileira de Eletrnica de Potncia SOBRAEP, seja nos anais das diversas edies do Congresso Brasileiro de Eletrnica de Potncia, seja na revista Eletrnica de Potncia, que pode ser livremente acessada atravs de http://www.sobraep.org.br. Os transistores MOSFET produzem menores perdas de chaveamento, pois seus tempos de subida e queda da corrente de dreno so menores que os obtidos para a corrente de coletor dos transistores bipolares ou IGBTs, sendo indicados para aplicaes em freqncias elevadas. No entanto, possuem maiores perdas de conduo que os transistores bipolares equivalentes. Suas perdas em conduo podem ser preliminarmente aproximadas pelo produto da resistncia entre dreno e fonte (RDSon) pelo quadrado da corrente, ponderando-se pelo ciclo de trabalho. No entanto, como RDS se altera (cresce) com a elevao da temperatura necessrio, em projetos mais acurados, considerar tal efeito. Para IGBTs, como para os bipolares, faz-se o clculo utilizando a tenso Vce e a corrente de coletor.

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11.3

Mecanismos atuantes em um dissipador de calor

11.3.1 Dissipao por Conveco A dissipao por conveco a que ocorre pela movimentao do ar na regio onde se encontra o dissipador de calor. A Taxa de Calor [J/s] dissipado dada por:

Q=h A (Ts -Tf) h = coeficiente individual de transporte de calor A = rea do dissipador Ts = temperatura de superfcie Tf = temperatura do ar circunstante

(11.26)

De acordo com esta equao, para melhorar a dissipao pode-se aumentar a rea do dissipador ou aumentar o coeficiente individual de transporte de calor, o qual pode ser melhorado alterando a geometria do dissipador, alterando a orientao do dissipador (deixando-o em posio horizontal ou vertical, de modo a facilitar o fluxo do ar) ou forando passagem do ar pelo dissipador (ventilao forada).
11.3.2 Dissipao por Radiao O segundo fenmeno que permite dissipao de calor por radiao, no qual a energia transportada por ondas eletromagnticas. Neste caso, a Taxa de Calor dissipado dada por:

Q=

A (Ts4 - Tf4)

(11.27)

= constante de Boltzmann = 5,67 10 -8 W/m2K4 =emissividade Ts = temperatura de superfcie Tf = temperatura do fludo (ar) A nica varivel que pode ser alterada para o aumento da eficincia a emissividade ( ), a qual funo apenas do tipo de acabamento da superfcie que irradia o calor. Da tabela 11.1 nota-se que a anodizao do alumnio (material normalmente utilizado nos dissipadores) altera a emissividade de 0,04 para cerca de 0,85, o que melhora a Taxa de Calor radiado em cerca de 20 vezes. A cor da superfcie influencia apenas na absorvitividade de radiao, mas este no o mecanismo pelo qual o dissipador absorve o calor do componente eletrnico, uma vez que o calor absorvido por conduo trmica (contato entre as superfcies). O fato do dissipador estar anodizado na cor preta ou na cor natural no influencia na dissipao.

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Tabela 11.1 Absortividade e emissividade de radiao do alumnio em funo do acabamento superficial absortividade emissividade Anodizao Preto Anodizao Azul Anodizao Bronze Anodizao Verde Anodizao Vermelho Anodizao Amarelo Anodizao Natural Sem Anodizar 0.86 0.67 0.73 0.66 0.57 0.47 0.35 0.26
0.86 0.87 0.86 0.88 0.88 0.87 0.84 0.04

1.00 0.77 0.85 0.75 0.65 0.54 0.42 6.50

Define-se a grandeza resistncia trmica como uma medida da dificuldade do fluxo de calor entre 2 meios: Rt = T 1 = (h A ) P (11.28)

T: diferena de temperatura entre regies de transferncia de calor P: potncia mdia dissipada A utilizao de grande nmero de aletas para aumentar a rea de troca de calor. A resistncia trmica entre o dissipador e o ambiente, Rdta, para uma placa plana quadrada aproximadamente dada por: Rtda = C 3,3 C 0.25 + 650 f f A W
o o

(11.29)

: condutncia trmica (a 77 C) [W/( C.cm)]

W: espessura do dissipador [mm] A: rea do dissipador [cm2] Cf: fator de correo devido posio e tipo de superfcie Tabela 11.2 Valores de condutncia trmica para diferentes materiais: Material (W/oC.cm) Alumnio 2,08 Cobre 3,85 Lato 1,1 Ao 0,46 Mica 0,006 xido de berlio 2,10

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O fator Cf varia com a posio do dissipador, sendo prefervel uma montagem vertical horizontal por criar um efeito chamin. Tabela 11.3Valores para Cf: para dissipador de alumnio Corpo anodizado corpo brilhante Montagem vertical 0,43 0,85 Montagem horizontal 0,5 1,00 O valor efetivo da resistncia trmica do dissipador pode ser significativamente reduzido por circulao forada de ar, como indicado na figura 11.5. 1 R
0.8

0.6

0.4

0.2

10

11

12

13

14

v (m/s) Figura 11.5 Variao relativa de Rtda com ventilao forada.

11.4

Comportamento em regime permanente: potncia mdia Nos dispositivos semicondutores de potncia o calor decorrente do efeito Joule produzido na pastilha semicondutora, fluindo da para ambientes mais frios, como o encapsulamento do dispositivo e o ambiente. Este fluxo de calor depende de fatores como o gradiente de temperatura e as caractersticas trmicas dos meios e materiais envolvidos. Em geral se faz uma analogia com um circuito eltrico, mostrado na figura 11.6, sendo a potncia mdia representada por uma fonte de corrente. As temperaturas nos ambientes indicados (juno, cpsula, ambiente) so anlogas s tenses nos respectivos ns, enquanto as resistncias trmicas so as prprias resistncias do modelo.
R Tj tjc R Tc R tcd P Td tca Ta

R tda

Figura 11.6. Equivalente eltrico para circuito trmico em regime permanente (incluindo dissipador). Via de regra a temperatura ambiente (Ta) considerada constante e o objetivo do dimensionamento garantir que a temperatura da juno semicondutora (Tj) no ultrapasse um dado valor mximo. As resistncias trmicas entre juno e cpsula (Rtjc) e entre cpsula e ambiente (Rtca) so dados do componente, existindo nos manuais. Eventualmente se omite o

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valor da resistncia entre cpsula e ambiente caso seu valor seja elevado e seguramente seja utilizado algum dissipador de baixa resistncia trmica. A equao tpica do modelo : Tj = Ta + P . (Rtjc + Rtca) (11.30)

Exemplo 1: Sejam os seguintes dados iniciais (a potncia mdia j foi calculada ou estimada por algum mtodo): P = 20 W Rtjc = 2oC/W (dado de catlogo) Rtca = 10oC/W (dado de catlogo) Ta = 40oC (arbitrado pelo projetista em funo do local de instalao) Tjmax = 120oC (dado de catlogo)

Destes dados determina-se que: Tc = Ta + P . Rtca = 240oC Tj = Tc + P . Rtjc = 280oC

11.4.1 Dissipador de calor Pelos dados de exemplo 1 verifica-se que uma situao de tal tipo levaria destruio do dispositivo, uma vez que seria ultrapassada a sua mxima temperatura de juno. Considerando que no seja possvel reduzir a potncia mdia dissipada e que no h como alterar as resistncias trmicas (a menos que se substitua o componente por algum de outro tipo) e ainda que a temperatura ambiente no pode ser reduzida significativamente, a alternativa para a proteo do semicondutor colocar um dispositivo de baixa resistncia trmica entre o encapsulamento e o ambiente (entre a juno e o encapsulamento no possvel faz-lo). A este elemento colocado junto ao encapsulamento se diz dissipador de calor. Tal associao em paralelo de resistncias trmicas (veja a figura 11.6) permite reduzir a resistncia equivalente entre ambiente e encapsulamento e, assim, reduzir as temperaturas da cpsula e, conseqentemente, da juno. Desprezemos inicialmente a resistncia trmica entre a cpsula e o dissipador (Rtcd). No exemplo dado e usando o modelo, tem-se:

Tj max = Ta + ( Rtjc + Rteq ) P Rteq =

(11.31)

(Rtca Rtda )

(Rtca + Rtda ) Rteq = 2oC/W Rtda = 2,5oC/W A figura 11.7 mostra perfis tpicos de dissipadores. Na montagem do componente semicondutor sobre o dissipador existe uma resistncia trmica entre o encapsulamento e o corpo do dissipador, a qual determinada, principalmente, pelo ar contido entre os corpos, devido s rugosidades e no alinhamento das superfcies. Este fato pode ser minimizado pelo uso de pastas de silicone ou outro tipo de material que seja bom condutor trmico e isolante eltrico. Caso seja necessrio isolar eletricamente o corpo do componente do dissipador utiliza-se, em geral, isoladores de mica ou de teflon, que apresentam uma resistncia trmica adicional entre cpsula e dissipador.

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Recorde-se aqui que, normalmente, a parte metlica do corpo dos componentes eletrnicos est ligada eletricamente a um dos terminais do mesmo. Por exemplo, comum que a cpsula de um transistor esteja conectada ao coletor. Caso seja necessrio isolar eletricamente o corpo do componente do dissipador utiliza-se, em geral, isoladores de mica ou de teflon, que apresentam uma resistncia trmica adicional entre cpsula e dissipador. Tabela 11.4 Valores tpicos de resistncia trmica entre cpsula e dissipador
Tipo de cpsula Tipo de isolador Rtcd (oC/W) s/ pasta 0,3 1,25 a 1,45 1,2 a 1,5 0,4 a 0,5 1,5 a 2,0 1,2 a 1,4 1,5 a 2,0 4,0 a 6,0

TO - 3

TO - 66

TO - 220AB

s/ isolador teflon mica s/ isolador mica mylar s/ isolador mica

c/ pasta 0,1 0,7 a 0,8 0,5 a 0,7 0,15 a 0,2 0,6 a 0,8 0,6 a 0,8 0,3 a 0,5 2,0 a 2,5

Obs.: mica e mylar com espessura de 50 m a 100 m.

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Figura 11.7 Perfis tpicos de dissipadores (Semikron Semicondutores)

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11.5

Comportamento em regime transitrio: potncia de pico

Quando a potncia dissipada no semicondutor apresenta pulsos de potncia preciso verificar a proteo do componente no apenas em relao ao valor mdio sobre ele mas tambm em relao aos picos de dissipao. Durante a ocorrncia do pico de potncia ocorre a elevao da temperatura da juno embora no ocorra variao nas temperaturas do encapsulamento e do dissipador (que dependem da potncia mdia) devido maior capacidade trmica da cpsula e, especialmente, do dissipador. Tal capacidade trmica relaciona-se com o tipo de material utilizado e seu volume. Na analogia eltrica utilizada anteriormente, ela se comporta como uma capacitncia. O clculo da temperatura da juno em tal regime transitrio feito utilizando uma grandeza chamada impedncia trmica que leva em considerao a capacidade trmica da juno. O valor da impedncia trmica, Ztjc, obtido de curvas normalizadas presentes nos manuais de componentes semicondutores de potncia. A figura 11.8 mostra uma curva tpica de impedncia trmica, normalizada em relao resistncia trmica entre juno e cpsula. Estas curvas tomam por base pulsos quadrados de potncia que, via de regra, no apresentam tal formato. Como se v na figura 11.9, os pulsos reais devem ser normalizados de maneira a que o valor de pico e a energia (rea sob o pulso) se mantenham. Com o ciclo de trabalho obtido pela diviso da largura do pico retangular pelo perodo de chaveamento, seleciona-se a curva adequada e se obtm o valor de Ztjc (normalizado ou no). Calculada a temperatura do encapsulamento (a partir da potncia mdia) obtm-se o valor da temperatura da juno no instante do pulso de potncia.

Zt/Rt =0.5

=0.1

0.1

=0.05

0.01 1 10

0.001

0.01

0.1

pulso nico

tp

Figura 11.8. Curvas tpicas de impedncia trmica para picos de potncia.

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Pd(t) Pp

A1 Pj(t) tp Pulso normalizado Pp A2 T Figura 11.9. Normalizao do pulso de potncia. 1 tp = Pd ( t ) dt Pp 0

=

t A1=A2

(11.32)

tp T

Uma vez determinada a temperatura relativa potncia mdia pode-se calcular a temperatura de pico que se tem na juno utilizando estes dados:

Tj p = Tc + Pp Z tjc ( tp, )
Exemplo 2: Rtjc = 2o C/W (dado de catlogo) Rtca = 5o C/W (dado de catlogo) Rtcd = 2o C/W (associado ao tipo de isolao entre cpsula e dissipador) Rtda = 3o C/W (dissipador escolhido previamente) Ztjc = 0,05o C/W (dado de catlogo) Tjmax = 150o C (dado de catlogo) Ta = 40o C (arbitrado pelo projetista) P = 20W (calculado ou estimado previamente) Pp = 1000W (calculado ou estimado previamente)

(11.33)

Em relao potncia mdia: Rtca (Rtcd + Rtda ) Tj = Ta + P Rtjc + Rtca + Rtcd + Rtda (11.34)

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Tj = 130 oC (o componente est protegido em relao potncia mdia) Tc = 90 oC Em relao ao pico de potncia Tj = Tc + Pp . Ztjc = 140 oC

(11.35)

O componente tambm est protegido nos transitrios. Caso a temperatura calculada da juno ultrapassasse o valor mximo seria necessrio recalcular o dissipador para que a temperatura da cpsula fosse baixa o suficiente para permitir a elevao na juno decorrente do pulso de potncia.
11.6 Clculo de dissipadores

Neste item indicam-se alguns critrios a serem adotados no dimensionamento de dissipadores. Os valores de potncia sero dados como ponto de partida mas nas situaes reais devero ter sido calculados a partir de dados de manual ou de observao das formas de onda sobre o componente. A temperatura de trabalho da juno deve ser 20% a 30% menor que seu valor mximo, para permitir a proteo do componente sem superdimensionar o dissipador. Para ambientes nos quais no se faa um controle rgido da temperatura deve-se usar uma temperatura ambiente de 40oC (exceto se for possvel a ocorrncia de temperaturas ainda mais elevadas). Caso o dissipador fique dentro de algum bastidor ou caixa na qual a temperatura possa se elevar acima dos 40oC deve-se considerar sempre a mxima temperatura do ar com o qual o dissipador troca calor. conveniente, falta de maiores informaes utilizar o valor de 40oC e verificar aps a entrada em operao do prottipo a verdadeira temperatura ambiente. Deve-se verificar a necessidade do uso de isoladores (mica, teflon ou mylar) e no desconsiderar suas resistncias trmicas. O emprego de pastas trmicas sempre recomendado e se deve considerar tambm sua resistncia trmica.
Exemplo 3: Rtjc = 1oC/W (dado de catlogo) Rtca = 35oC/W (dado de catlogo) Rtcd = 0,7oC/W (isolador e pasta) Ztjc = 0,01oC/W (dado de catlogo) P = 20W Pp = 5 kW Tjmax = 150oC Ta = 40oC

a) Clculo em regime permanente Tj = 0,8 . Tjmax = 120oC Tj = Ta + P . (Rtjc + Rteq) Rteq = 3oC/W

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Rteq =

Rtca (Rtcd + Rtda ) ) Rtca + Rtcd + Rtda

Rtdamax = 2,58oC/W O dissipador trmico selecionado deve possuir uma resistncia trmica inferior calculada. Por exemplo: Rtda = 2oC/W Assim o novo Rteq ser 2,5oC/W. b) Clculo em regime transitrio Tc = Ta + Rteq . P = 90oC Tjp = Tc + Ztjc . Pp = 140 oC >120o C Como, no transitrio ultrapassa-se o valor de Tj estabelecido preciso redimensionar o dissipador, a partir de um valor admissvel para Tc. Tcmax = Tj - Ztjc . Pp Tcmax = 70oC Tcmax = Ta + Rteq . P Rteq = 1,5oC/W Rtda = 0,86oC/W (11.36)

Assim, para proteo do dispositivo contra a potncia mdia dissipada e os pulsos de potncia nos transitrios, deve-se usar um dissipador com resistncia trmica de 0,8oC/W. Outra possibilidade usar um dissipador com resistncia trmica maior mas fazendo uso de ventilao forada.
11.7 Fontes de calor distribudas

Componentes idnticos so freqentemente montados prximos em placas, quando um nico dispositivo no pode dissipar toda a potncia projetada, por exemplo, um conjunto de transistores em paralelo em um regulador srie para alta corrente. Cada dispositivo dissipa praticamente uma mesma frao da potncia total. A mxima temperatura ocorrer no centro da placa, com uma distribuio parablica de temperatura, com o mnimo nas bordas. A diferena de temperatura entre as bordas e qualquer ponto da placa dada por: T= q ( L2 X 2 ) 2 KA (11.37)

L: distncia entre a borda e o centro da placa [cm] K: condutividade trmica do material da placa [cal/s.cm.C] A: seo transversal da placa [cm] X: distncia, a partir do centro, onde se quer saber a temperatura [cm] q: potncia distribuda entre o centro da placa e o ponto X [cal/s]

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11.8

Refrigerao forada

Sistemas eletrnicos de alta potncia freqentemente utilizam refrigerao com circulao forada de lquidos. Em geral os componentes so montados em placas metlicas de cobre ou alumnio, atravs da qual circula o lquido refrigerante, normalmente por condutores ocos soldados placa. gua provavelmente o melhor lquido para resfriamento em termos de densidade, viscosidade, condutividade trmica e calor especfico. Para operao de longa durao deve-se prever uso de gua destilada e deionizada. Se a temperatura esperada puder cair abaixo do ponto de solidificao ou acima do de ebulio deve-se adicionar outro lquido gua, como o ethylene glycol o que tambm previne a corroso do cobre ou alumnio usado nos dutos. O clculo do sistema de refrigerao relativamente elaborado, utilizando frmulas aproximadas e indicadas nas referncias e que no sero tratadas aqui.
11.9 Referncias bibliogrficas

B.W.Williams: Power Electronics, Devices, Drives and Applications, MacMillan Education, 1987 Ivo Barbi: Progress in the Development of High-Frequency nondissipative Commutation power Converter Technologies, Power Electronics Seminar, Dec, 15-16, 1988, Florianpolis, Brazil P.L. Hower Power Semiconductors Devices: An Overview, Proc. IEEE, vol. 76, no 4, April 1988 R.D.King er alli: Comparison of Power Darlinton, IGBT and MCT Switch Losses in ASD PWM Inverters, PCIM, August 1990 D.S.Steinberg: Cooling Techniques for Electronic Equipment, John Wiley & Sons, Inc., 1980. http://www.hsdissipadores.com.br/tecnologia.asp, acesso em 21/07/2007. http://www.sobraep.org.br, para acesso s publicaes da SOBRAEP

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