Birrefringencia

4.
Desfasamiento de una seal ptica

n este captulo es estudiarn detalladamente los efectos electroptico,
termoptico y acustoptico, por medio de los cuales es posible desfasar
electrnicamente una seal ptica.

4.1 Birrefringencia
4.1.1 4.1.1 4.1.1 4.1.1 Introduccin Introduccin Introduccin Introduccin

Un material birrefringente se denomina as porque es capaz de originar una doble
refraccin; esto es, la aparicin de dos haces luminosos refractados debido a dos ndices de
refraccin para un nico material.

Los medios anistropos se caracterizan por presentar distintas propiedades pticas,
mecnicas y elctricas para distintas direcciones debido a que el ndice de refraccin no es
el mismo en sus distintas direcciones, y de este modo, tampoco lo es la velocidad de una
onda propagndose a travs de l. Este efecto, si se trata de medios cristalinos, tiene su
origen en que los cristales presentan disimetras en la disposicin de los tomos de distinta
especie para formar su clula elemental bsica, y tambin en la red cristalina, segn la
forma en que se repita la celda base para constituir el cristal. Tambin puede aparecer la
misma propiedad en medios pticamente istropos, cuando son sometidos a tensiones
mecnicas, elctricas o magnticas.
Education is a progressive discovery of our own
ignorance.
Will Durant
E
Desfasamiento de una seal ptica [www.ramonmillan.com]
66

La permitividad elctrica, o constante dielctrica, , que en los medios istropos es
un escalar [1], en el caso de los medios anistropos se trata de un tensor. De este modo, los
vectores campo elctrico E, y desplazamiento elctrico D, quedan ligados, suponiendo un
sistema de referencia cartesiano, por la siguiente relacin tensorial

la cual puede escribirse abreviadamente, como E D = , siendo el tensor dielctrico.
Puesto que el ndice de refraccin se relaciona con la permitividad relativa por
r
n =
[1], queda claro que ste tambin depende de la direccin en el caso de un medio
anistropo.

4.1.2 4.1.2 4.1.2 4.1.2 Birrefringencia natural Birrefringencia natural Birrefringencia natural Birrefringencia natural

Consideramos un medio dielctrico entre dos placas metlicas paralelas, sometidas
a un voltaje constante. El campo elctrico a travs del medio produce la aparicin de
dipolos alineados en la direccin de dicho campo, a lo largo del material. La polarizacin
elctrica resultante P, en relacin con el campo elctrico y el desplazamiento elctrico,
viene dada por la ecuacin [2]

E E P E D = = + =
r 0 0

La susceptibilidad elctrica del medio , se define como, 1 =
r
. Considerando
el sistema de referencia cartesiano y la anisotropa ptica del medio, tenemos que la
polarizacin se relaciona con el campo elctrico aplicado por

|
|
|
|
\
|
|
|
|
\
|

=
|
|
|
\
|
z
y
x
zz zy zx
yz yy yx
xz xy xx
z
y
x
E
E
E
D
D
D

(4.1)
(4.2)
67

( )
( )
( )
z zz y zy x zx z
z yz y yy x yx y
z xz y xy x xx x
E E E P
E E E P
E E E P
+ + =
+ + =
+ + =
0
0
0

A la matriz de componentes
ij
33, se la denomina tensor susceptibilidad y se
representa por . Eligiendo los ejes (x, y, z) relativos a la estructura cristalina del material,
desaparecen las componentes fuera de la diagonal principal [3]
1

z zz z
y yy y
x xx x
E P
E P
E P
=
=
=
0
0
0

z zz z
y yy y
x xx x
E D
E D
E D
=
=
=

Estas direcciones se conocen por ejes principales del cristal y los trminos
xx
,
yy

y
zz
, son las constantes dielctricas principales. Como vemos, ( )
xx xx
+ = 1
0
,
( )
yy yy
+ = 1
0
y ( )
zz zz
+ = 1
0
. Los ndices de refraccin principales, que caracterizan
los cristales anistropos, vienen dados por,
xx xx x
n + = = 1
0
,
yy y
n + = 1 y
zz z
n + = 1 .

Si consideramos una onda plana propagndose en la direccin z, y el campo
elctrico es paralelo a la direccin x, ste inducir solamente, atenindonos a (4.4) y (4.5),
una polarizacin
x
P , y experimentar una permitividad
xx
, es decir, el ndice de
refraccin
x
n . De la misma forma, si la onda tiene su plano de polarizacin en la direccin

1
Vase el desarrollo matemtico del apndice E.
(4.3)
(4.4)
(4.5)
68
y, experimentar un ndice
y
n . Una onda no polarizada, propagndose en la direccin z,
puede considerarse como la suma de dos componentes con polarizaciones paralelas a las
direcciones x e y. Las dos componentes viajan a travs del cristal con diferentes
velocidades de fase [1], y por consiguiente, se van desfasando progresivamente, de modo
que el resultado en un punto z arbitrario ser una onda elpticamente polarizada. La
naturaleza exacta de la luz depende de la diferencia de fase y de las amplitudes relativas de
las dos componentes.

Los cristales anistropos se dividen en dos clases. Los cristales unixicos se
caracterizan porque
y x
n n = , es decir, slo tienen dos ndices de refraccin principales. Por
consiguiente la direccin z es la nica en la que velocidad de propagacin es independiente
de la polarizacin de la onda. Al eje z se denomina eje ptico, concepto que no se debe
confundir con el de eje de simetra cristalina. La magnitud
x z
n n n = es una medida de
la birrefringencia y de hecho se la suele llamar as. Se dice que un material es
uniaxialmente birrefringente positivo o negativo dependiendo del signo de n [3]. Los
cristales bixicos, son los que tienen dos ejes pticos. Estos ejes no coinciden con ninguno
de los ejes principales y por consiguiente
x
n ,
y
n y
z
n son diferentes.

Aplicando la teora electromagntica de Maxwell al medio anistropo, la densidad
de energa elctrica en el dielctrico, a partir de (4.5), vendr dada por

|
|
\
|
= =
zz
z
yy
y
xx
x
E
D
D
D
W
2
2
2
2
1
2
1
DE

La superficie de energa constante toma pues la forma de un elipsoide en un espacio
en tres dimensiones donde el vector D define las coordenadas. Dividiendo ambos
miembros de la igualdad por
E
W , y escribiendo
E x
W D x
0
2
2 = ,
E
y
W D y
0
2
2 = y
E z
W D z
0
2
2 = , podemos expresar la relacin (4.6) como
(4.6)
69

1
2
2
2
2
2
2
= + +
z y x
n
z
n
y
n
x

ecuacin que representa un elipsoide de semiejes
x
n ,
y
n y
z
n denominado elipsoide de los
ndices.

Los ejes del elipsoide de los ndices coinciden con los de simetra cristalina, pero en
general no con los ejes pticos. En la clasificacin de los cristales nos encontramos con
cristales del sistema:

Cbico; en los que
z y x
n n n = = . Tienen pues, tres ejes de simetra equivalentes,
perpendiculares entre s dos a dos. El elipsoide de los ndices tiene los tres
semiejes iguales y se convierte en una esfera. De este modo, todas las
direcciones son equivalentes y se comportan como medios istropos.
Hexagonal, tetragonal y trigonal; en los que
z y x
n n n = . Tienen un eje de
simetra superior. El elipsoide de los ndices es de revolucin en torno a este eje
y es, por tanto, el nico eje ptico.
Rmbico, monoclnico y triclnico; en los que
z y x
n n n . No tienen
direcciones de simetra privilegiadas. El elipsoide es ordinario. Son los cristales
pticamente bixicos.

Para un cristal uniaxial, con
z y x
n n n = , se tiene un elipsoide con simetra
circular a lo largo del eje z. A
x
n se le conoce por ndice de refraccin ordinario,
o
n , y a
z
n por ndice de refraccin extraordinario,
e
n . De este modo que podemos escribir (4.7),
como

1
2
2
2
2
2
2
= + +
e o o
n
z
n
y
n
x

(4.7)
(4.8)
70

Consideramos que la luz se propaga en la direccin r , formando un ngulo con el
eje ptico z, como se muestra en la Figura 4.1. Debido a la simetra circular, podemos
suponer, sin prdida de generalidad, que el eje y coincide con la proyeccin de r en el
plano x-y. El plano normal a r intersecta el elipsoide en la elipse sombreada. Las dos
direcciones posibles de polarizacin son paralelas a los ejes de la elipse y de esta forma, se
corresponden con OP y OQ; siendo perpendiculares por tanto a r , as como a ellas
mismas. Las dos ondas polarizadas a lo largo de estas direcciones tienen ndices de
refraccin OP
o
n la onda ordinaria, y OQ ( )
e
n la onda extraordinaria. En el caso de la
onda extraordinaria, el plano de polarizacin vara con al igual que lo hace el ndice de
refraccin.

Podemos determinar la relacin entre ( )
e
n ,
e
n y
o
n , con ayuda de la Figura 4.2,
que muestra la interseccin del elipsoide de los ndices con el plano y-z. Del esquema,
vemos que

Figura 4.1: Elipsoide de los ndices de refraccin para un cristal uniaxial.
71

( )
2 2 2
y z n
e
+ =
y

( ) = sin n z
e

Sustituyendo (4.9) y (4.10) en la ecuacin de la elipse mostrada, dada por

1
2
2
2
2
= +
e o
n
z
n
y

tenemos que

( )
=
2 2
2
2
2
1 cos
e e o
n n
sin
n

As, para 0 = , es decir, si la propagacin es a lo largo del eje ptico, ( )
o e
n n = 0 ,
mientras que para 90 = , ( )
e e
n n = 90 . Las dos polarizaciones que pueden darse se
corresponden con el mximo y mnimo de los ndices de refraccin dados por el elipsoide
de los ndices (en el caso de cristales positivos
o e
n n > , mientras que para cristales
negativos
o e
n n < ). Para propagacin paralela al eje ptico, no hay birrefringencia ya que la
seccin del elipsoide perpendicular a esta direccin es un crculo. Para propagacin
perpendicular al eje ptico, por ejemplo la direccin x, la birrefringencia es mxima, y las
polarizaciones permitidas son paralelas al eje y (con ndice de refraccin
o
n ) y paralelas al
eje z (con ndice de refraccin
e
n ).

(4.9)
(4.10)
(4.11)
(4.12)
72

Figura 4.2: Interseccin del elipsoide de los ndices con el plano y-z.

4.1.3 4.1.3 4.1.3 4.1.3 Birrefringencia inducid Birrefringencia inducid Birrefringencia inducid Birrefringencia inducida aa a

Podemos ver la birrefringencia como una estimulacin de los tomos del material
para, partiendo de la onda primaria, emitir ondas secundarias, que avanzan hacia la
siguiente capa de tomos. Cuando un campo elctrico es aplicado a un material anistropo,
se pueden introducir nuevos ejes principales, mientras que la birrefringencia puede ser
inducida en materiales isotrpos, como el GaAs. El campo elctrico cambia la forma del
elipsoide de los ndices como resultado del cambio del tensor de permitividades . Tras la
deformacin, los ejes del elipsoide ya no se corresponden con los ejes principales
originales. Calculando la densidad de energa elctrica del cristal, considerando que el
tensor es simtrico
2
y haciendo el cambio,
E x
W E x 2 = ,
E y
W E y 2 = y

2
El teorema de la energa, es por supuesto vlido en medios anistropos, pero su validez implica que el
tensor debe ser hermtico, es decir
xy
=
yx
*
, por lo que sus nueve componentes se reducen a seis
73
E z
W E z 2 = ; siendo
x
E ,
y
E y
z
E las componentes en la direccin x, y, y z,
respectivamente, del campo elctrico correspondiente a la onda luminosa que viaja por el
material, se llega a la siguiente ecuacin

1
1
2
1
2
1
2
1 1 1
6
2
5
2
4
2
2
3
2
2
2
2
2
1
2
= |
\
|
+ |
\
|
+ |
\
|
+ |
\
|
+ |
\
|
+ |
\
|
xy
n
xz
n
yz
n
z
n
y
n
x
n

la cual generalmente se representa, considerando ( )
i i
n b
2
1 = ; i = 1, 26, por

1 2 2 2
6 5 4
2
3
2
2
2
1
= + + + + + xy b xz b yz b z b y b x b

Tabla 4.1: Constantes pticas
3
de algunos cristales [5].
Cristal Constantes ( 10
-12
m/V) ndices de refraccin
ADP (NH
4
H
2
PO
4
) r
41
=28 r
63
=8,5 n
o
=1,52 n
e
=1,48
BaTiO
3
(30 C) r
13
=8 r
42
=820 r
33
=23 n
o
=2,41 n
e
=2,36
BSO r
41
=2,54 n
o
=5
CdTe a 10,6 m r
41
=6,8 n
o
=2,6
Cuarzo r
41
=0,2 r
63
=0,93 n
o
=1,54 n
e
=1,55
CuCl r
41
=6,1 n
o
=1,97
GaAs a 10,6 m r
41
=1,6 n
o
=3,34
GaP r
41
=0,97 n
o
=3,31
KD
2
PO
4
r
63
=23,6 1,5
KDP (KH
2
PO
4
) r
41
=8,6 r
63
=10,6 n
o
=1,51 n
e
=1,47
LiNbO
3
r
13
=8,6 r
22
=3,4 r
33
=30,8 r
42
=28 n
o
=2,29 n
e
=2,20
LiTaO
3
(30 C) r
13
=5,7 r
33
=30,3 n
o
=2,175 n
e
=2,180
ZnS r
41
=2,0 n
o
=2,37
ZnTe a 10,6 m r
41
=3,9 n
o
=2,79

El campo elctrico aplicado da lugar a un cambio en los ndices de refraccin
ordinario y extraordinario. Es decir, al aplicar un campo elctrico
a
E , suponiendo una

independientes. La demostracin se puede encontrar en el captulo 4 de [4].
3
Valor tpico a una de 530 nm. A partir de los valores reflejados en [6], puede hacerse una idea de la
(4.13)
(4.14)
74
respuesta lineal del medio, cada una de las componentes de (4.14), se tranforma en
i i
b b + . Este cambio puede ser escrito como

=
= |
\
|
=
3
1
2
1
j
a
j ij
i
i
E r
n
b

donde i = 1, 26, j = 1, 2, 3, y
ij
r son las componentes del tensor electroptico con 63
elementos. El valor numrico de las constantes
ij
r depende

de la simetra del cristal y del
material [5], y estn tabuladas para los 32 grupos puntuales [3]
4
y para la mayora de los
materiales en uso. Afortunadamente, la mayora de las 18 componentes son nulas. En la
Tabla 4.1 tenemos los valores de
ij
r ,
o
n y
e
n , para algunos materiales relevantes.

Si consideramos un cristal KPD (KH
2
PO
4
), del sistema cbico, de la ecuacin
(4.15) y la Tabla 4.1, tenemos que el elipsoide de los ndices sigue una ecuacin

1 2 2 2
63 41 41
2
2
2
2
2
2
= + + + + +
a
z
a
y
a
x
e o o
xyE r xzE r yzE r
n
z
n
y
n
x

Ntese como los tres primeros trminos son independientes del campo elctrico
aplicado y estn relacionados con
o
n y
e
n , y el campo induce trminos cruzados yz , xz, y
xy, en la ecuacin del elipsoide de los ndices de modo que el elipsoide ya no es paralelo a
los ejes x, y, z, como se mencion en el apartado 4.1.2. Ahora tenemos que encontrar las
magnitudes y direcciones de los nuevos ejes, en presencia del campo elctrico, de modo
que estemos en condiciones de determinar su efecto sobre la propagacin de las ondas
electromagnticas. Es comn restringir el campo a la direccin z (eje ptico original), de
modo que 0 = =
a
y
a
x
E E de forma que la ecuacin (4.16) queda

dependencia con de las constantes pticas.
4
Vase la tabla del apndice D.
(4.15)
(4.16)
75

1 2
63
2
2
2
2
2
2
= + + +
a
z
e o o
xyE r
n
z
n
y
n
x

El problema ahora es encontrar un nuevo sistema de coordenadas ( ) ' , ' , ' z y x , en el
cual la ecuacin (4.17) no tenga trminos cruzados y tome la forma de la ecuacin (4.7), es
decir
1

2
2
2
2
2
2
= + +
z y x
n
z
n
y
n
x

La longitud de los ejes principales del elipsoide son, por consiguiente,
2
x
n ,
2
y
n y
2
z
n , y, por lo general, dependern del campo elctrico aplicado. Analizando las
ecuaciones (4.17) y (4.18), se ve que el eje z es paralelo a z y as
e z
n n =
. Y tambin la
ecuacin (4.17) es simtrica en x e y, de modo que los nuevos ejes x e y soportan
relaciones semejantes con los ejes principales x e y; estn de hecho rotados 45 como se
muestra en la Figura 4.3. Las relaciones entre los dos conjuntos de ejes son

)
`
+ =
+ =
45 cos 45
45 45 cos
y sin y y
sin y x x

Sustituyendo (4.19) en (4.17) tenemos

1
1
2
2
63
2
2
63
2
2
= +
|
|
\
|
+ +
|
|
\
|
e
a
z
o
a
z
o
n
z
E r
n
y E r
n
x

La ecuacin (4.20) muestra que x, y, z son los nuevos ejes principales y que el
campo aplicado ha rotado la elipse y cambiado la longitud de los ejes principales. De las
ecuaciones (4.18) y (4.20) se ve que la longitud del eje principal en la direccin x,
2
x
n ,
viene dado por
(4.17)
(4.18)
(4.19)
(4.20)
76

a
z
o x
E r
n n
63
2 2
1 1
=

y el cambio en el ndice de refraccin puede ser evaluado dndose cuenta que

( )( ) ( )
3
2 2

2 2
2 1 1
o
x o
o x
x o x o
o x
n
n n
n n
n n n n
n n
+
=

donde la simplificacin realizada, se ha hecho asumiendo que el cambio es muy pequeo,
de modo que
o x
n n
. Por lo tanto

a
z
o
o x
E r
n
n n
63
3
2
+ =

y procediendo de forma semejante

a
z
o
o y
E r
n
n n
63
3
2
=

y, como se mencion previamente

e z
n n =

Otras relaciones semejantes pueden derivarse para otros tipos de cristales y en
general 2
3 a
o
rE n n = , pero el valor de r vara dependiendo del cristal.

(4.21)
(4.22)
(4.23)
(4.24)
(4.25)
77

4.2 Efecto electroptico

Se conoce por efecto electroptico a la variacin que sufre el ndice de refraccin de
un medio al aplicarle un campo elctrico. La presencia de un campo elctrico sobre la
materia da lugar a que la distribucin de sus electrones se distorsione, produciendo dipolos
o reorientando los existentes. En concreto, el campo esttico aplicado modifica el tensor
dielctrico y, por lo tanto el elipsoide de los ndices, que es quien define el tipo de
anisotropa del medio.

Supondremos que aplicamos campos estticos (o modulados en amplitud a muy
baja frecuencia [1]) a medios anistropos, lo que origina alteraciones en los ndices de
refraccin dependiendo de la intensidad del campo. No obstante, estas variaciones son muy
pequeas, pudiendo escribir la variacin del ndice de refraccin con el campo aplicado de
la siguiente forma

( ) ( )
2
0 E E E b a n n + + =

Figura 4.3: Rotacin de los ejes principales para el KDP.
(4.26)
78
donde ( ) 0 n es el ndice de refraccin cuando el campo aplicado es nulo. El segundo
trmino es el efecto lineal o efecto Pockels, que es el de mayor importancia prctica, y el
tercero es el efecto cuadrtico o efecto Kerr.

En los materiales que no poseen centro de inversin, existen 0
ij
r . En este caso,
para los valores usuales del campo elctrico (100 V/cm), el efecto cuadrtico es
despreciable frente al lineal. No obstante, la gran mayora de los materiales no son
centrosimtricos a temperatura ambiente.

4.2.2 4.2.2 4.2.2 4.2.2 Efecto Pockels Efecto Pockels Efecto Pockels Efecto Pockels

El efecto Pockels, o variacin lineal del ndice de refraccin del medio ante la
aplicacin de un campo externo, tiene su explicacin en la ecuacin (4.15), donde a los
coeficientes
ij
r se los denomina coeficientes lineales.

Por consiguiente, la variacin inducida en el ndice de refraccin por el efecto
Pockels se deduce de (4.15) como

=
=
3
1
3
2
1
j
a
j ij i i
E r n n

donde los coeficientes
ij
r (ya presentados en la Tabla 4.1 para algunos de los materiales
ms utilizados), dependen del campo elctrico aplicado, de la frecuencia de la luz que se
propaga y de la temperatura. La dependencia con la frecuencia del campo elctrico aplicado
proviene del acoplamiento con los modos de vibracin del slido. La debida a la frecuencia
de la luz que se propaga est originada por el acoplamiento con excitaciones electrnicas
del slido. Finalmente, la temperatura influye, por ejemplo, en los materiales
ferroelctricos, ya que al acercarse a la temperatura de la transicin ferroparamagntica
(temperatura de curie
c
T ) se produce un aumento de la distorsin de la red inducida por el
(4.27)
79
campo elctrico [7].

Consideremos un haz luminoso propagndose en la direccin z a travs de un cristal
como el KDP, estudiado en el apartado 4.1.3, con su plano de polarizacin paralelo al eje
x, tal y como se ilustra en la Figura 4.4. Si el haz incidente viene dado por
( ) t E E
x
= cos
0 '
y el cristal tiene una longitud L, el retardo que sufrir ser

' ' x x
n kL =

y a partir de la ecuacin (4.23) y puesto que L V E
a
z
=

V r
n
k
o
x 63
3
'
2
=

es decir, el campo a la salida es
|
|
\
|
|
|
\
|
+ = L E r
n
n k t E E
a
z
o
o x 63
3
0 '
2
cos .

(4.28)
(4.29)

Figura 4.4: Desfasador electroptico longitudinal.
80

Ntese como el cambio de fase depende directamente del voltaje aplicado y es
independiente de la anchura del cristal. Definimos el voltaje
2
V , como aquel necesario
para dar lugar a un cambio de fase de radianes. Es decir

63
3
2
r n
V
o

que depende de la longitud de onda y de la naturaleza del material y determina el rango de
voltajes a utilizar. A partir de los valores de la Tabla 4.1, se puede ver que son demasiado
grandes para ser utilizados con dispositivos integrados.

El desfasador descrito se conoce por desfasador electroptico longitudinal, pues el
campo elctrico se aplica en la direccin de propagacin del haz luminoso. Se puede
conseguir mediante electrodos semitransparentes, pero da lugar a procesos de fabricacin
muy caros. Para evitarlo se han desarrollado electrodos en forma de anillo [8].

En general es preferible el modo de operacin transversal, ya que los electrodos no
interfieren con el haz luminoso, y el retardo, siendo proporcional a la longitud del cristal,
puede ser aumentado utilizando cristales ms largos, lo cual no ocurre en el modo
longitudinal.

Consideramos un haz de luz propagndose en la direccin y a travs de un cristal
como el KDP, con su plano de polarizacin a 45 de los ejes por x y z. En vista a que
dichas componentes del campo experimentan unos ndices de refraccin dados por (4.23) y
(4.25), se irn progresivamente desfasando a medida que se propagan por el cristal. De esta
forma si el campo aplicado es normal a la direccin de propagacin, como se muestra en la
Figura 4.5, el retardo o desfase entre una y otra componente, ser

(4.30)
81

( )
D
VL
n r
k
n n kL
E r
n
n n kL
n n kL
o e o
a
z
o
e o
e x z x
3
63
63
3

2
) (
2
) (
+ =
|
|
\
|
+ =
= =

donde L es la longitud del cristal, D es la dimensin del cristal en la direccin del voltaje
aplicado y
o
n y
e
n son los ndices de refraccin para la luz polarizada paralela a las
direcciones principales. El trmino dependiente del voltaje constante aplicado podra
disminuirse mediante clulas largas y anchas, y la respuesta en frecuencia de las clulas
transversales es mejor que la de las clulas longitudinales pues es ms fcil cambiar
pequeos voltajes, con lo cual es el modo de operacin ptimo modular la luz [8]. En
ambos casos vemos la necesidad de cortar el cristal de una manera bien determinada y la
dependencia de la polarizacin de la onda.

En cuanto a las aplicaciones del efecto Pockels sealaremos que permite gobernar
fcilmente el ndice de refraccin de un medio por su dependencia lineal con el campo
aplicado y aunque su variacin es pequea, se puede modular la fase de la luz. En una lente
cuyo ndice cambia con el campo aplicado se puede modificar su distancia focal. De forma
(4.31)

Figura 4.5: Desfasador electroptico transversal.
82
similar en un prisma cuyo ndice de refraccin cambia con el campo, se puede gobernar
temporalmente la desviacin de un rayo para construir un sistema de barrido. En un
retardador para luz polarizada, eligiendo adecuadamente los materiales, es posible gobernar
el retardo aplicndole un campo, etc.

4.2.3 4.2.3 4.2.3 4.2.3 El efecto Kerr El efecto Kerr El efecto Kerr El efecto Kerr

Los materiales que poseen centro de inversin todos los componentes
ij
r son nulos,
por razones de simetra y por lo tanto el nico efecto posible es el cuadrtico. Los efectos
no lineales se corresponden a la extrapolacin del efecto electroptico, al caso en que el
campo elctrico aplicado posee frecuencias pticas, es decir, la regin 10
14
-10
15
. A estas
frecuencias de modulacin, se habla de efecto electroptico no lineal y el formalismo
matemtico que se introduce parte del desarrollo en serie de la polarizacin P, en funcin
del campo elctrico, admitiendo trminos no lineales [6].

En efecto, cuando a ciertas sustancias isotrpicas, tanto lquidas como gaseosas, se
las aplica un campo elctrico intenso E, se convierten en medios unixicos cuyo eje ptico
est en la direccin de las lneas del campo. Si denotamos por
e
n al ndice de refraccin
extraordinario y a
o
n el ndice de refraccin ordinario de la sustancia sometida al campo, se
cumple que [6]

2
E = = K n n n
o e

donde es la longitud de onda de la luz utilizada y K es la constante de Kerr de
dimensiones m/V
2
, distinta para cada sustancia. Como se puede observar, la birrefringencia
es proporcional a E
2
, lo que pone de manifiesto que se trata de un fenmeno no lineal con
el campo.

El campo elctrico induce un momento elctrico en las molculas no polares y
(4.32)
83
cambia el momento de las molculas polares. Hay pues, una reorientacin de las molculas
originada por el campo, la cual causa que el comportamiento global del medio sea
anistropo. Esto explica el retardo que aparece entre el instante de aplicacin del campo y
la aparicin del mximo efecto. El retardo puede ser de varios segundos, pero para lquidos
o polares el retardo es muy pequeo, menor a 10
-11
s.

Las aplicaciones ms importante del efecto Kerr, son la generacin del segundo
armnico y la oscilacin paramtrica [6], pues dada la necesidad de altos voltajes con
vistas a desfasar una seal ptica, es preferible utilizar para dicho fin el efecto Pockels.

4.2.4 4.2.4 4.2.4 4.2.4 Efecto plasma Efecto plasma Efecto plasma Efecto plasma

El ndice de refraccin puede tambin ser alterado cambiando ptica o
elctricamente la concentracin de portadores.

Los cambios en la parte real e imaginaria del ndice de refraccin debida al cambio
en la concentracin de portadores, conocida por efecto plasma, son tiles para desfasar una
seal ptica, o para su modulacin.

La dependencia del ndice de refraccin con la concentracin de portadores, viene
dada por [9]

(
=
* *
0 0
2 2
2
0
2
p n
8
h e
m m n c
q
n

donde n y p son las concentraciones de electrones y huecos en cm
-3
, respectivamente, y
*
e
m y
*
h
m son las masas efectivas de electrones y huecos en Kg, respectivamente. Segn la
ecuacin (4.33) los desplazamientos del ndice de refraccin varan linealmente con la
concentracin de portadores, aunque se ha de resaltar que se han ignorado los fenmenos
de vaciamiento y llenado de las bandas del material, los cuales pueden ser responsables de
(4.33)
84
una fraccin significativa del cambio inducido en el ndice.

En InP a 15 , 1 = m, se han conseguido desplazamientos del orden de
3
10
= n
para una concentracin de portadores inyectados de
18
10 n = cm
-3
, y para una longitud de
onda ligeramente mayor, 52 , 1 = m, una proporcionalidad de n 10 63 , 3
21
=

n (con n
en cm
-3
) se encuentra para dopaje tipo n. La variacin de los huecos es ligeramente ms
pequea, debido a su mayor masa efectiva [9].

Puesto que las prdidas concomitantes son debidas esencialmente a absorcin por
portadores libres, los dispositivos basados en el efecto plasma dan lugar a un mecanismo
para variar el ndice de refraccin del medio con una absorcin adicional mnima. El
inconveniente principal es la rapidez, limitada por el tiempo de recombinacin de los
portadores, aunque el uso de una regin de deplexin mediante la polarizacin en inversa
de un diodo p-n de heteroestructura ayuda a superar esta limitacin.

4.2.5 4.2.5 4.2.5 4.2.5 Materiales Materiales Materiales Materiales

El grado de utilidad de un material est a menudo determinado por aspectos
meramente pragmticos, tales como la facilidad de obtencin de muestras de tamao y
calidad adecuadas, su coste o su resistencia al dao ptico [7]. En este sentido el Niobato
de Litio (LiNbO
3
) parece ser el candidato ms firme para aquellas aplicaciones que
requieran simultneamente efecto lineal, cuadrtico, fotorrefractivo
5
y del confinamiento en
guiaondas planas [11].

5
Las condiciones necesarias para que un material sea fotorrefractivo, son que al iluminarlo se induzca en su
interior una corriente elctrica capaz de redistribuir las cargas elctricas, que existan donadores de cargas
elctricas y trampas capaces de capturar los portadores de carga elctrica, y, finalmente, que el material
presente el efecto fotoelctrico lineal [10].
85

El efecto Pockels slo existe en los cristales que no poseen simetra de inversin
6
.
Esto se puede justificar como sigue: asumiendo que un cristal posee simetra de inversin,
la aplicacin de un campo elctrico E a lo largo de una determinada direccin origina un
cambio ( ) E s n =
1
, pero debido a la simetra de inversin, las dos direcciones son
fsicamente equivalentes, de modo que
2 1
n n = . Esto requiere que s s = , lo cual slo
es posible para 0 = s , con lo cual no puede existir el efecto electroptico lineal. La divisin
de los cristales en aquellos que poseen y no poseen simetra de inversin es una
consideracin elemental en cristalografa y es una informacin ampliamente tabulada.

Una descripcin de las propiedades cristalogrficas y fsicas de los materiales
electropticos lineales y no lineales ms utilizados, se tiene, por ejemplo, en [7].

4.3 Efecto termoptico

Cuando en un material ptico se modifica la temperatura, se modifica tambin el
ndice de refraccin, lo cual se conoce por efecto termoptico. La variacin del ndice de
refraccin con la temperatura es mucho mayor que en el efecto electroptico.

La variacin de n
e
con T, que expresaremos en unidades
5
10
T n , es para la
mayora de los materiales dielctricos y semiconductores de 1 /C, y para los polmeros es
del orden de -10 /C [12]. Por ejemplo para el LiNbO
3
de +5,3, para el TiO
2
es de -7,2 y
para el BK7 (Pirex), de +0,29 [1].

Es decir, un cambio en la temperatura del material ptico, dar lugar a un cambio de

6
Si un cristal contiene una celda de puntos tales que la inversin (reemplazando cada tomo en r por otro en -
r, con r siendo el vector de posicin relativo al punto) sobre cualquiera de estos puntos deja la estructura del
cristal invariante, el cristal se dice que posee simetra de inversin.
86
fase de la luz que va a travs de l , debido a dos efectos: el cambio en la longitud del
material debido a la expansin o contraccin trmica, y el cambio inducido en el ndice de
refraccin [13]. As podemos escribir

T L
dT
dn
dT
dL
n |
\
|
+
=
2

El problema de usar el calentamiento de los materiales para cambiar el ndice de
refraccin estriba en la inercia trmica, tanto para la elevacin como para el descenso de la
temperatura. En determinadas condiciones, calentando por medio de lminas metlicas
muy delgadas que actan como resistencias elctricas de muy poca inercia, se pueden
conseguir perodos de menos de 1 ms [14].

4.4 Efecto acustoptico

A la variacin del ndice de refraccin cuando se aplica un esfuerzo, se la denomina
efecto elastoptico. En efecto, cuando un medio elstico transparente se somete a esfuerzos
(presiones o estiramientos), se producen condensaciones o rarefacciones de la materia con
variaciones de su densidad, , lo que implica segn la ley de Lorenz-Lorentz [1]

cte
n
n
=
+
|
|
\
|
2
1 1
2
2

que cuando aumenta la presin aumenta el ndice de refraccin.

Cuando estas acciones se aplican a medios anistropos definidos pticamente por
su elipsoide de los ndices tiene lugar una modificacin de los ndices de refraccin
principales y en consecuencia de los semiejes del elipsoide, incluso de su orientacin.
(4.34)
(4.35)
87

Estas modificaciones afectan tambin a los medios istropos en los cuales el
elipsoide es una esfera como caso particular.

El efecto acustoptico tiene lugar cuando las ondas luminosas atraviesan medios
elsticos surcados por ondas acsticas, las cuales producen variaciones espaciales y
temporales con estratificaciones del ndice de refraccin que afectan a la propagacin de las
ondas luminosas.

4.4.2 4.4.2 4.4.2 4.4.2 Elasticidad Elasticidad Elasticidad Elasticidad

Recordemos que una varilla elstica de longitud l, aplicndole una tensin T (fuerza
por unidad de superficie de la seccin), se estira en l . Definimos la deformacin
longitudinal e, por el cociente l l e = . Cuando la deformacin es pequea, la tensin es
proporcional a la deformacin, es decir, la elasticidad es lineal y podemos escribir

Ye T =

Figura 4.6: Aspecto de las componentes del tensor de tensiones.

(4.36)
88

La ecuacin (4.36) es la ley de Hooke. La constante de proporcionalidad Y se
denomina mdulo de Young y su recproca Y 1 es el mdulo de rigidez. Puesto que e no
tiene dimensiones, las de Y son Newton/m
2
. De la definicin de e se vislumbra que
representa el alargamiento por unidad de longitud, y para longitudes muy pequeas en el
eje x podemos poner dx dl e = [15].

Cuando sobre un volumen de material se aplican esfuerzos exteriores, en su interior
aparecen fuerzas que se caracterizan por las acciones que sobre un cubo elemental en el
interior del slido ejerce el resto del material. Estas acciones se expresan por medio de un
tensor de nueve componentes que representan las fuerzas por unidad de superficie o
tensiones de las tres caras de un triedro del cubo. Las fuerzas que aparecen sobre las caras
del cubo sern en general oblicuas a las caras y se podrn descomponer en una fuerza
normal y otra contenida en la cara. Esta ltima podr descomponerse en dos paralelas a los
ejes como se muestra en la Figura 4.6. Estas nueve fuerzas
ij
T son las componentes del
tensor de tensiones

|
|
|
\
|
=
33 32 31
23 22 21
13 12 11
T T T
T T T
T T T
T

donde
ji ij
T T = y i, j =1, 2, 3.

En este tensor cada componente
ij
T representa la componente i de la fuerza por
unidad de superficie de la cara perpendicular al eje j. La caracterizacin se hace con las
fuerzas que aparecen sobre las tres caras del triedro, porque si el cubo est en equilibrio las
que aparecen en las caras opuestas tienen que ser iguales. El hecho de que el cubo
elemental est en equilibrio requiere tambin que los momentos sean nulos. Con todo esto
se llega a la simetra del tensor
ji ij
T T = , con lo cual las nueve componentes independientes
se reducen a seis. Las
ij
T representan componentes perpendiculares a las caras, mientras
(4.37)
89
que las
ij
T con j i , representan fuerzas tangenciales contenidas en las caras, es decir,
fuerzas cizallantes.

Figura 4.7: Efecto de la aplicacin de esfuerzos a un slido.

Cuando se aplican esfuerzos a un slido, un punto ( )
3 2 1
, , x x x P antes de la
aplicacin, pasa despus a ( ) ' , ' , ' '
3 2 1
x x x P , sufriendo un desplazamiento ( )
3 2 1
, , u u u u , como
se refleja en la Figura 4.7. Las componentes del tensor de deformacin
ij
S se definen por
las relaciones [15]

|
|
\
|
=
i
j
j
i
ij
x
u
x
u
S
2
1
, 3 2, , 1 , = j i

y es tambin un tensor de segundo orden simtrico,
ji ij
S S = , por tanto, tambin tendr 6
componentes.

En la expresin (4.38), por ejemplo
i i
x u representa el desplazamiento en la
direccin del eje i, mientras que
j i
x u representa un desplazamiento tangencial o de
cizalladura,
i
u , en la direccin del eje i cuando se pasa de un plano perpendicular al eje j
a otro a distancia
j
x , como se muestra en la Figura 4.8. Expresando la relacin (4.38) en
(4.38)
90
forma de matriz, tenemos

|
|
|
\
|
=
33 32 31
23 22 21
13 12 11
S S S
S S S
S S S
S

donde i, j= 1, 2, 3 y
ji ij
S S = .

Figura 4.8: Significado de las componentes de S
.

Haciendo en (4.37) y (4.39) debido a la simetra, una reduccin de ndices, se puede
escribir

6 21 12 5 13 31 4 32 23 3 33 2 22 1 11
, , , , , T T T T T T T T T T T T T T T = = = = = = = = =

6 21 12 5 13 31 4 32 23 3 33 2 22 1 11
S , S , S , S , S , S S S S S S S S S S = = = = = = = = =

En (4.36) hemos escrito la ley de Hooke para una sola dimensin. Representando
las tensiones y deformaciones en el caso ms general por
ij
T y
kl
S respectivamente, y
expresando su proporcionalidad en (4.36) tendremos que escribir
(4.39)
(4.40)
(4.41)
91

3 2, , 1 , , = = = l k j i S c T
kl ijkl ij

donde
ijkl
c son las componentes de un tensor c de cuarto orden, que liga los dos tensores
de segundo orden; por lo tanto, en el caso ms general, de 99= 81 componentes. Pero
teniendo presente que
ji ij
T T = , que
kl lk
S S = y que
klij ijkl
c c = , escribiendo las
componentes de los tensores como en (4.40) y (4.41), la relacin (4.42) se puede poner de
la siguiente forma

6 5, 4, , 3 2, , 1 , , = = j i S c T
j ij i

y recprocamente

j ij i
T q S =

por tanto, los tensores
ij
c y
ij
q tendrn en el caso ms general 36 componentes.

Las 36 componentes de estos tensores, debido a las simetras de los cristales, se
reducen en el caso ms general a 21 en el sistema triclnico, pero en simetras superiores
para los 32 grupos puntuales muchas son ceros. En el monoltico son 13 componentes, 7 en
el trigonal, 3 en el cbico y 2 en los medios istropos.

Debido a que las variaciones de los ndices de refraccin principales, que son los
semiejes del tensor dielctrico, son proporcionales a los esfuerzos y tambin son
proporcionales a los esfuerzos las deformaciones, se puede escribir para las recprocas de
los ndices de refraccin que figuran en la ecuacin generalizada del elipsoide, como se
hizo en (4.14)

1 2 2 2
6 5 4
2
3
2
2
2
1
= + + + + + xy b xz b yz b z b y b x b

(4.42)
(4.43)
(4.44)
(4.45)
92
Cuando se aplica un esfuerzo, los
i
b se modifican en
i
b . Si partimos del elipsoide
de los ndices referido a sus ejes, es decir

1
2
3
2
2
2
2
2
1
2
= + +
n
z
n
y
n
x

al aplicar un esfuerzo no slo variarn los
i
n , sino que aparecern los dems trminos de
(4.44), y los coeficientes de (4.46) se habrn convertido respectivamente en

6 5 4 3
2
3
2
2
2
1
2
1
; ; ;
1
;
1
;
1
b b b b
n
b
n
b
n
+ + +

Puesto que los semiejes del elipsoide de los ndices son las races cuadradas de las
recprocas del tensor dielctrico , resulta que las componentes de la deformacin son
proporcionales a las componentes del esfuerzo y a su vez lo son a la variacin de los
coeficientes del elipsoide, aunque estas relaciones de proporcionalidad son relaciones
tensoriales, con lo que podemos escribir

|
|
|
|
|
|
|
|
\
|
|
|
|
|
|
|
|
|
\
|
=
|
|
|
|
|
|
|
|
\
|
6
5
4
3
2
1
66 65 64 63 62 61
56 55 54 53 52 51
46 45 44 43 42 41
36 35 34 33 32 31
26 25 24 23 22 21
16 15 14 13 12 11
6
5
4
3
2
1
S
S
S
S
S
S
p p p p p p
p p p p p p
p p p p p p
p p p p p p
p p p p p p
p p p p p p
b
b
b
b
b
b

Los valores numricos de las constantes elastopticas
ij
p se dan con los catlogos
de los materiales.

Suponemos ahora un slido amorfo al que aplicamos un esfuerzo en una direccin
cualquiera con la que hacemos coincidir el eje z, por tanto slo habr deformacin en la
direccin de este eje y el problema se resolver aplicando la ecuacin (4.54) al presente
(4.46)
(4.47)
(4.48)
93
caso, que se convierte en

|
|
|
|
|
|
|
|
\
|
=
|
|
|
|
|
|
|
|
\
|
|
|
|
|
|
|
|
|
\
|
=
|
|
|
|
|
|
|
|
\
|
0
0
0
0
0
0
0
0
0 0 0 0 0
0 0 0 0 0
0 0 0 0 0
0 0 0
0 0 0
0 0 0
3 11
3 12
3 12
3
44
44
44
11 12 12
12 11 12
12 12 11
6
5
4
3
2
1
S p
S p
S p
S
p
p
p
p p p
p p p
p p p
b
b
b
b
b
b

donde la matriz de componentes
ij
p es la correspondiente a los medios amorfos, en ella
12 11 44
p p p = , con lo cual la ecuacin del elipsoide queda

1
1 1 1
2
3 11
2
2
3 12
2
2
3 12
2
= |
\
|
+ + |
\
|
+ + |
\
|
+ z S p
n
y S p
n
x S p
n

El elipsoide, que era una esfera en el medio amorfo, se ha convertido en un medio
unixico, con el eje de revolucin coincidente con el eje z en cuya direccin se ha ejercido
el esfuerzo, ya que los coeficientes x e y son iguales.

De las expresiones de los coeficientes obtenemos

3 12
2
3 12 2
1
1
1
S p n
n
S p
n
n n
y x
+
=
+
= =

que dada la pequea magnitud del segundo sumando de la raz del denominador lo
podemos poner en la forma ( ) 2
1
1

+ . Desarrollando en serie binmica hasta el segundo
trmino, se tiene como resultado ( ) 2 1 1 , con lo cual

3 11
3
3 12
3
2
1
;
2
1
S p n n n n S p n n n n n
z e y x o
= = = = =
(4.49)
(4.50)
(4.51)
(4.52)
94

Este es el fundamento de la fotoelasticidad, ya que la birrefringencia
o e
n n es
proporcional a S. Entonces si un slido transparente que tiene tensiones de distinta
magnitud repartidas por toda la masa se introduce entre dos polarizadores cruzados, el
desfase entre la onda ordinaria y extraordinaria es en cada punto diferente y tambin la
intensidad transmitida, lo que pone de manifiesto el reparto de esfuerzos. En vidrio y otros
materiales, despus de la fusin por enfriamientos irregulares o mecanizaciones pueden
quedar tensiones permanentes, pero stas pueden ser fcilmente descubiertas introduciendo
el material entre polarizadores cruzados.

4.4.3 4.4.3 4.4.3 4.4.3 Acustoptica Acustoptica Acustoptica Acustoptica

Cuando una onda acstica de frecuencia f, frecuencia angular , nmero de onda k
s
,
amplitud
0
S y elongacin ( ) t x s , , se propaga en la direccin del eje x con velocidad
s
v , su
ecuacin se puede escribir

( ) ( ) x k t S t x s
s
= cos ,
0

Si esta onda acstica se propaga en un medio amorfo de constante electroptica p,
en l se producirn deformaciones proporcionales a las elongaciones ( ) t x s , en cada punto e
instante. Estas deformaciones, como se ha visto en las ecuaciones dadas por (4.52),
producen variaciones del ndice de refraccin en reposo de la forma

( ) ( ) t x ps n t x n ,
2
1
,
3
=

El signo menos significa que cuando la tensin es negativa, la variacin del ndice
de refraccin es positiva. Esto supone que el medio tenga una estratificacin del ndice de
refraccin dada por

(4.53)
(4.54)
95
( ) ( ) x k t pS n t x n
s
= cos
2
1
,
0
3

con amplitud o elongacin mxima

0
3
2
1
S pn n =

por tanto se trata de un ndice que vara con x y t, es decir, que en el medio se produce una
onda de variacin del ndice. Teniendo en cuenta que la intensidad
s
I de una onda acstica
que se propaga en un medio de densidad con velocidad
s
v y amplitud
0
S , viene dada por
la siguiente expresin [16]

2
0
3
2
1
S v I
s s
=

o bien

2 1
3
0
2
|
|
\
|
=
s
s
v
I
S

sustituyendo en (4.55) tenemos que la variacin del ndice de refraccin es

s
I M n
2
2
1
=

donde

3
6 2
2
2
s
v
n p
M
=
(4.55)
(4.56)
(4.57)
(4.58)
(4.59)
(4.60)
96

es el llamado factor de mrito. En slidos cristalinos, el efecto acustoptico depende
mucho de la orientacin, esto es, de p. Si embargo, el factor de mrito es relativamente
pequeo incluso para selecciones ptimas del material y de la orientacin. As, por
ejemplo, a la longitud de onda de 632,8 nm, para el cuarzo fundido
2
M es
18
10 51 , 1

s
3
/gm, y para el LiNbO
3
es de
18
10 9 , 6

s
3
/gm [11]. As a partir de (4.59) se llega a que
n es del orden de 10
-4
en estos materiales, incluso para una densidad de potencia acstica
de 100 W/cm
2
. En [17] se pueden encontrar ms propiedades sobre los materiales
generalmente utilizados en acustoptica.

A pesar del cambio relativamente pequeo de n producido por una onda acstica, el
efecto global sobre un haz ptico puede ser significativo, pues cada pequeo n producido
por un pico de tensin de la onda acstica puede resultar en interacciones pticas que
pueden acumularse constructivamente (o destructivamente) si se consigue una adecuada
adaptacin de fase. As, se pueden producir considerables efectos de difraccin, que son
utilizados generalmente por moduladores y deflectores [17].

4.4.4 4.4.4 4.4.4 4.4.4 Difraccin de Bragg Difraccin de Bragg Difraccin de Bragg Difraccin de Bragg

Como hemos visto al estudiar el efecto elastoptico, las presiones o tensiones sobre
un medio modifican su ndice de refraccin en

s pn n
3
2
1
=

donde n es el ndice de refraccin del medio sin sufrir esfuerzos, p es la constante
elastoptica, y s la deformacin por unidad de longitud.

(4.61)
97
Si, por ejemplo, en el extremo inferior de una columna de lquido, como se muestra
en la Figura 4.9, aplicamos un transductor pizoelctrico T, generador de ndas acsticas, en
la columna aparecern en un instante dado planos de mxima presin hidrosttica que
corresponde a planos de mxima densidad y mximo ndice de refraccin, cuya distancia
entre dos consecutivos ser la longitud de onda del sonido. En los planos de mnima
presin ser mnimo el ndice de refraccin.

Figura 4.9: Columna de lquido y transductor piezoelctrico, generador de ondas acsticas.

La experiencia demuestra que cuando una onda luminosa plana de vector de
onda
i
k incide sobre los planos de igual ndice de refraccin formando con ellos ngulos
i
, como se ilustra en la Figura 4.10, aparecen reflexiones en direcciones con vectores de
onda ,... ,
2 1 r r
k k , que forman ngulos ,... ,
2 1 r r
con los planos de igual ndice, lo cual
prueba que el fenmeno no es una simple reflexin, sino que ms bien se asemeja a una
difraccin de una onda luminosa por la red de planos de espaciado producidos por la
onda acstica.

Si una onda plana
i
incide en los planos formando con ellos ngulos
i
y en la
direccin
r
k sale un mximo reforzado, debe ser porque la diferencia de fase entre dos
rayos homlogos consecutivos, ( ) + BC AB 2 , sea un nmero entero de longitudes de
onda, es decir
98

( ) = + m
r i
sen sen

Figura 4.10: Dispositivo acustoptico utilizando la difraccin de Bragg.

Cuando
r i
= , la direccin de la mxima emisin coincide con la de la luz
reflejada, entonces (4.62) se convierte en

= m
i
sen 2

y en el caso de 1 = m , queda

= = =
n
B i r
2 2
sen sen sen
0

(4.62)
(4.63)
(4.64)
99
donde es la longitud de onda de la luz en el medio. Esta ecuacin constituye la famosa
condicin de Bragg.

Este fenmeno se puede explicar por medio de la teora electromagntica de
Maxwell, como puede verse en [4], pero la forma ms sencilla de demostrarlo es aplicando
la teora cuntica tanto a las ondas luminosas como a las acsticas [1].

En el caso de cumplirse la condicin de Bragg casi toda la luz difractada sale en el
primer mximo como si se tratara de una difraccin en una red de diente de sierra cuando
la direccin del primer mximo coincide con la de la luz reflejada.

4.4.5 4.4.5 4.4.5 4.4.5 Difraccin de Raman Difraccin de Raman Difraccin de Raman Difraccin de Raman- -- -Nat Nat Nat Nat

Cuando la anchura L del frente de onda acstico es muy pequea y la intensidad de
la onda sonora es grande, la red de planos funciona como una red de fase, y a diferencia de
lo que ocurre en la difraccin de Bragg salen varios mximos con intensidades importantes
de luz. Esta difraccin se conoce por difraccin de Raman-Nat [11].

4.5 Referencias

[1] Justiniano Casas. ptica. Distribuido por la librera PONs de Zaragoza, 7 ed., 1994.
[2] P. Lorrain and D. Corson. Electromagnetic fields and waves. Freeman, 3 ed., 1988.
[3] Alan Billings. Optics, optoelectronics and photonics. An introduction. Prentice Hall,
2
nd
ed., 1989.
[4] M. Born and E. Wolf. Principles of optics. McMillan, 6
th
ed., 1993.
[5] Amnon Yariv. Quantum electronics. John Wiley & Sons, 3
rd
ed., ch. 14, 1989.
[6] Amnon Yariv. Optical electronics. Saunders College Publishing, 4
th
ed., 1991.
[7] J. M. Albella, J. M. Martnez D. y J. J. Jimnez L. (Coordinadores). Optoelectrnica y
comunicacin ptica. C.S.I.C., Coleccin Nuevas Tendencias, cap. 3, 1988.
100
[8] J. Wilson and J. F. B. Hawkes. Optoelectronics: An introduction. Prentice Hall, 2
nd

ed., ch. 3, 1989.
[9] Hans P. Zappe. Introducttion to semiconductor integrated optics. Artech House
Publishers, 1995.
[10] M. P. Petrov, S. I. Stepanov and A. V. Khomenko. Photorefractive crystals in
coherent optical systems. Springer-Verlag, 1991.
[11] Robert G. Hunsperger. Integrated optics. Springer-Verlag, 4
th
ed., 1995.
[12] Chin C. Lee and Tzu J. Su. 22 single-mode thermooptic zero-gap directonial
coupler thermo-optic waveguide switch on glass. Applied Optics, vol. 33, no. 30, pp.
7.016-7.022, 1994.
[13] G. B. Hocker. Fiber-optic sensing of pressure and temperature. Applied Optics,
vol. 18, no. 9, pp. 1.445-3.448, 1979.
[14] M. Hanura and J. Koyama. Thermooptic deflection and switching in glass. Applied
Optics, vol. 21, no. 19, pp. 3.461-3.465, 1982.
[15] Federico Pars. Teora de la elasticidad. Universidad de Sevilla, 1996.
[16] L. E. Kinsler, A. R. Frey, A. B. Coppens and J. V. Sanders. Fundamentos de
acstica. Limusa, traduccin de la 3 ed. en ingls, 1992.
[17] Christopher C. Davis. Lasers and electro-optics. Fundametals and Engineering.
Cambridge University Press, ch. 19, 1996.

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4.

Desfasamiento de una seal ptica

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