30

5- El transistor bipolar de unin como amplificador

5.1- Conceptos bsicos sobre circuitos amplificadores: Amplificador de tensin

Un amplificador de tensin produce una seal de salida con la misma forma que la seal de entrada
pero con mayor amplitud. En la Figura 34 se muestra un esquema bsico de la configuracin de un
amplificador de tensin. Se define la ganancia de tensin como:















La ganancia de tensin A es un nmero que puede ser positivo o negativo.
Si A es un nmero negativo, la tensin de salida ser una versin ampliada e invertida de la entrada.
En ese caso el amplificador se denomina inversor.
El bloque que representa al amplificador puede ser representado por un modelo circuital equivalente
como el mostrado en la Figura 35, donde se ha considerado la fuente de seal con una cierta
resistencia serie Rs.













Ri: Resistencia de entrada (puede ser tambin una impedancia Zi).
Es la resistencia equivalente vista desde los terminales de entrada al circuito amplificador:




Ro: Resistencia de salida
Es la resistencia equivalente de Thevenin vista desde los terminales de salida del amplificador. En un
amplificador de tensin ideal Ro = 0 y la tensin de salida vo(t) no depende de la carga RL. En un
amplificador real la tensin de salida disminuye cuanto mayor es Ro, por lo que en general conviene
que Ro sea lo ms pequea posible.

Amplificador
0


RL

vs(t) vi(t) vo(t)
fuente
de seal
carga
(t) v
(t) v
A
i
o
=

Figura 34
(t) v
(t) v
A
i
o
=

Ro
Ri
+ +
vs
RL
vo
- -
Rs
vi

+
-
Avo vi
Modelo circuital equivalente
io

ii

Figura 35
(t) i
(t) v
R
i
i
i =
31


Avo: Ganancia de tensin en circuito abierto
Es la relacin entre la amplitud de la tensin de salida y la amplitud de la tensin de entrada con los
terminales de salida en circuito abierto.




Av: Ganancia de tensin
Es la relacin entre la amplitud de la tensin de salida y la amplitud de la tensin de entrada:



Ai: Ganancia de corriente
Es la relacin entre la amplitud de la corriente de salida a la corriente de entrada:




Realizando las siguientes consideraciones puede expresarse como:




De acuerdo a las anteriores definiciones y analizando el modelo equivalente de un amplificador de
tensin, se pueden establecer las siguientes relaciones:











Del anlisis de la expresin anterior se deduce que la presencia de Rs y Ro reduce la ganancia del
amplificador. Por lo tanto, un amplificador de tensin debera ser diseado de modo tal que Rs << Ri y
Ro << RL. El amplificador de tensin ideal tiene Rs = 0 y Ro = 0, por lo cual Av = Avo. Visto de otro
modo se trata de que Ri sea lo ms grande posible y Ro lo ms pequea posible.

5.2- Caractersticas generales del transistor bipolar como amplificador

La Figura 36 muestra una etapa elemental de amplificador en emisor comn genrico.











(t) i
(t) i
A
i
o
i =
(t) v
(t) v
Av
i
o
=
=
=
L R
(t) v
(t) v
A
i
o

L
i
v
i i
L o
i
o
i
R
R
A
(t)/R v
(t)/R v

(t) i
(t) i
A = = =
L o
L
i vo L o o
R R
R
(t) v A R (t) i (t) v
+
= =

i s
i
s i
R R
R
(t) v (t) v
+
=
)
R
R
(1 )
R
R
(1
A

) R R ( ) R R (
R R A

(t) v
(t) v

(t) v
(t) v

(t) v
(t) v
A
L
o
i
s
vo
o L s i
L i vo
s
i
i
o
s
o
v
+ +
=
+ +
= = =
Rs
VCC
v s
VBB
0
RC

iB(t)
iC(t)
vCE(t)
Figura 36
32


En la Figura 37, sobre las caractersticas de salida en EC se represent la recta de carga esttica que
define un punto de polarizacin Q (vs = 0), dada por:
VCE = VCC - IC RC

Si ahora vs = 0, sobre la tensin de alimentacin de base VBB se superpone una seal alterna vs(t)
de la forma: vs(t) = Vs sen et
En respuesta a la excitacin producida por la fuente de seal vs aparecer una componente de seal de
la corriente de base, Figura 37: ib(t)= Ibm sen et
























La corriente de base instantnea total iB(t) ser la superposicin del nivel correspondiente a la continua
IBQ (punto de polarizacin Q) ms la componente de corriente de seal ib(t), es decir:
iB(t) = IBQ + ib(t) = IBQ + Ibm sen et

Como puede verse en la Figura 37 esta seal produce una variacin de forma senoidal tanto de iC(t)
como de vCE(t) alrededor de sus niveles de reposo, por lo que pueden expresarse como:

iC(t) = ICQ + ic(t) = ICQ + Icm sen et

vCE(t) = VCEQ + vce(t) = VCEQ + Vcem sen et

Una pequea variacin en iB debida a la seal producir una variacin total de ic significativa debida a
la ganancia de corriente | (hFE) los niveles en la seal de salida son un ndice de la amplificacin
producida por el circuito.
La ganancia de corriente puede determinarse como el cambio en la corriente de colector para un
cambio de la corriente de base:

Figura 37
Q
t
Ibm
VCE VCC
IC [mA]
VCC/RC
t

Vcem
t
Icm
VCEQ
ICQ
ICQ
IBQ
VCEQ
b
c
i
i
i
A
A
A
=
33


La eleccin del punto de polarizacin Q es de suma importancia porque limita la mxima excursin
permitida para la seal amplificada. Las Figuras 38 y 39 muestran que la seal de salida puede sufrir
recortes si el punto Q se elige cercano a la regin de saturacin o cercano a la regin de corte.
La Figura 40 muestra que an habiendo elegido un punto Q adecuado la seal de salida puede ser
recortada si la seal de entrada tiene una amplitud excesiva.


















































Figura 38
Q
t
Ib
m
VCE
VCC
IC [mA]
t

t
VCEQ
ICQ
IBQ

VCEQ
IBQ IC [mA]
saturacin
saturacin
Figura 39
VCE
VCC
t

t
ICQ

VCEQ
Q
Ib
m
IC [mA]
VCEQ
IBQ
IC [mA]
corte
corte
34


























Ejemplo: Simulacin SPICE de una etapa amplificadora en EC

El circuito mostrado en la Figura 41 es una etapa tpica de un amplificador emisor comn.
a) Obtener por simulacin el punto de reposo Q y comparar los resultados con la resolucin analtica.
b) Obtener las grficas de tensin y corriente de salida (i
C
y v
CE
) y determinar las ganancias de
tensin y de corriente.






















En la Figura 41 se muestra el circuito esquemtico preparado para la simulacin. El punto de reposo Q
se obtiene en forma directa en el circuito como resultado de la simulacin (habilitando las opciones V
e I en la barra de men PSpice correspondiente). Luego de la simulacin los resultados aparecern
indicados sobre puntos principales del circuito, Figura 42.

Figura 40
Q
t
ib
VCE
VCC
IC [mA]
t

t
VCEQ
ICQ
IBQ

VCE
Q
IC [mA]
saturacin
corte
corte
saturacin
R1
33k
0
0
0
RC
2.7k C2
10u
CE
100u
VCC
12Vdc
R2
10k
RE
1k
v s
FREQ = 1K
VAMPL = 1mV
VOFF = 0
Rs
600
v osalida
Q2N2222A
C1
22u
RL
10k
Figura 41
35


Utilizando el circuito de polarizacin de la Figura 43 se obtiene el punto Q en forma analtica
utilizando el mtodo aproximado.



















Se puede observar que los resultados numricos obtenidos se corresponden con buena aproximacin a
los resultados de la simulacin PSpice.
VCC
12Vdc
2.303mA
0
0
RE
1k
2.034mA
RL
10k
0A
R1
33k
281.9uA
0V
0V
v s
FREQ = 1K
VAMPL = 1mV
VOFF = 0
0A
12.00V
C2
10u
R2
10k
269.7uA
Q2N2222A
12.26uA
2.021mA C1
22u
0
2.697V
0V
v osalida
0V
Rs
600
0A
6.542V
2.034V
RC
2.7k
2.021mA
CE
100u

Figura 42
La tensin de base respecto a tierra es:

( )
4.267V 2.7K) (1K 2.09A - 12V
R R I - V V
mA 09 . 2 I I
2.09A
1K
0.7V - 2.79V

R
V - V
I
2.79V 10K
10K 33K
V 12
R
R R
V
V
C E C CC CE
E C
E
BE B
E
1
1 2
CC
B
= +
= + =
= ~
= = =
=
+
=
+
=







( )
4.267V 2.7K) (1K 2.09A - 12V
R R I - V V
I I
2.09A
1K
0.7V - 2.79V

R
V - V
I
2.79V 10K
10K 33K
V 12
R
R R
V
V
C E C CC CE
E C
E
BE B
E
B1
B1 B2
CC
B
= +
= + =
~
= = =
=
+
=
+
=

R2
10k
0
Q2N2222A
R1
33k
RE
1k
VCC=12V
RC
2.7k

Figura 43
Figura 44
36




Las Figuras 44 y 45muestran los resultados de la simulacin. Midiendo los valores pico a pico se
determinan la ganancia de corriente (Ai = ic/ib) y la ganancia de tensin (Av = vo/vs).
Ai = ic/ib = 92.8 A/0.544 A = 170

Av = vo/vs = 198.5 mV/ 1 mV = 198.5

(Observar que entre vo y vs hay una diferencia de fase de 180).
Como se advierte de los valores obtenidos, en una etapa amplificadora Emisor Comn se consigue una
apreciable ganancia de corriente y de tensin, y adems la tensin de salida tiene un desfasaje de 180
respecto a la seal de entrada.



5.3- Efecto de los capacitores de acoplamiento y de paso

En el esquema circuital del amplificador EC de la Figura 41 el capacitor C1, llamado de acople,
permite aislar la corriente continua de polarizacin de la fuente de seal vs = Vs sen et y de su
resistencia interna Rs. Cuando no hay seal alterna aplicada (frecuencia cero) la reactancia de C1 es
infinita. A la frecuencia de la seal que se pretende amplificar la reactancia de C1 es lo
suficientemente pequea, comparada con Rs, de modo que el efecto de C1 sobre la seal de entrada
puede despreciarse.
El capacitor C2 permite el acoplamiento de la etapa con la siguiente y su efecto es prevenir
interacciones de corriente continua entre etapas adyacentes. Para el circuito mostrado en la Figura 41,
RL es la resistencia de entrada equivalente de la siguiente etapa.
El capacitor CE, llamado capacitor de desacople o de "by-pass" evita que la resistencia de emisor RE
(necesaria para la polarizacin del dispositivo) influya en el funcionamiento de alterna, y por lo tanto
disminuya la ganancia del amplificador (ya que una parte de la seal a amplificar se derivara por RE).

5.4- Modelo equivalente hbrido para el anlisis con pequea seal

Cuando un transistor bipolar se encuentra funcionando en condicin dinmica con seales de pequea
amplitud, pequeas variaciones alrededor del punto esttico o de reposo, las ecuaciones que definen
sus parmetros relacionan las magnitudes elctricas en forma aproximadamente lineal. De esta forma
Figura 45
37


las ecuaciones que representan el comportamiento del dispositivo pueden ser representadas por
circuitos equivalentes que incluyen impedancias o admitancias y generadores controlados de tensin o
de corriente. En estas condiciones se consideran constantes los parmetros del dispositivo en todo el
margen de variacin de la seal aplicada.
Un transistor bipolar que funciona en condiciones dinmicas puede representarse por un cuadripolo
(Figura 46), pudiendo escribirse las relaciones:











En este sistema es posible despejar dos variables en funcin de las otras dos, introduciendo cuatro
coeficientes o parmetros independientes, que se determinan a partir de la fsica del dispositivo. De
este modo, el circuito equivalente resultante se comporta igual que un cuadripolo ("caja negra" que
representa al transistor), de los terminales hacia fuera. Esta es una imagen til en las aplicaciones
prcticas y los clculos.
Existen diferentes configuraciones o circuitos equivalentes para diferentes propsitos prcticos. No
son los mismos circuitos equivalentes los que se representan, por ejemplo, para describir la forma en
que el dispositivo responde a una seal sinusoidal que a un gran pulso, o para describir las
caractersticas en corriente continua.
Los tres grupos ms comunes de relaciones entre las variables i1, i2, v1, v2 son:
- parmetros de impedancia
- parmetros de admitancia
- parmetros hbridos
Estos ltimos, parmetros hbridos (h), son los ms utilizados para representar el comportamiento del
transistor bipolar en pequea seal; son fciles de medir y figuran en las hojas de datos proporcionadas
por el fabricante.

5.5- Modelo de parmetros hbridos h

La forma normal para las ecuaciones que representan este modelo es:

En este par de ecuaciones las variables independientes son la corriente de entrada i1 y la tensin de
salida v2. Los parmetros hbridos pueden expresarse como:
f1(i1, i2, v1, v2) = 0

f2(i1, i2, v1, v2) = 0
i2 i1
v1 v2
Figura 46
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
v h i h i
v h i h v
+ =
+ =
] 1/ [S abierto circuito en salida de ia conductanc
v
i
h
nal] [adimensio ito cortocircu en directa corriente de ganancia
i
i
h
nal] [adimensio abierto circuito en inversa tensin de ganancia
v
v
h
] [ ito cortocircu en entrada de impedancia
i
v
h
0 i
2
2
22
0 V
1
2
21
0 i
2
1
12
0 V
1
1
11
1
2
1
2





O = =
=
=
O =
=
=
=
=
38



Debido a que todos los parmetros del modelo tienen distintas unidades deriva el nombre de
parmetros hbridos. Del conjunto de ecuaciones anteriores resulta el circuito de la Figura 47:












El circuito equivalente de la Figura 47 tiene como caractersticas: asla los circuitos de entrada y de
salida, la interaccin est determinada por las dos fuentes controladas; el circuito de entrada es del tipo
Thevenin y el de salida de tipo Norton; la forma general del circuito permite distinguir adecuadamente
los circuitos de alimentacin y de carga.
Generalmente y de acuerdo a normas de uso internacional se expresa:
h11 = hi (i se refiere a entrada (input))
h12 = hr (r se refiere a transferencia inversa (reverse))
h21 = hf (f se refiere a transferencia directa (forward))
h22 = ho (o se refiere a salida (output))

En el caso de los transistores bipolares se aade otro subndice que tiene en cuenta el tipo de
configuracin.
Como un circuito amplificador requiere cuatro terminales, dos de entrada y dos de salida, cuando el
transistor se usa como elemento amplificador se toma uno de sus terminales como comn a la entrada
y a la salida, resultando tres configuraciones tpicas: emisor comn (EC), base comn (BC) o
colector comn (CC).
Estas tres configuraciones junto con los modelos equivalentes de parmetros hbridos que se
corresponden se muestran en las Figuras 48 a), b) y c).
























B
E
ib +
E
vbe
hfe ib - hre vce
vbe vce
C
ib
-
+
E
ic
E
hoe
ic
vce
B
C
hie

+
-
Figura 48 a)

ic
E
B hfb ie
B
hib
C +
-
E
vcb
B hrb vcb
C
-
ie
+
veb vcb
B
veb
ic ie
hob


+
-
Figura 48 b)
+
v2
- h12 v2
+
h21 v1
i2 h11 i1
v1
-
h22

+
-
Figura 47
i1
39


















Haciendo un breve anlisis cualitativo de las tres configuraciones puede decirse que:

- En la configuracin de EC, la entrada se aplica entre base y emisor, y la carga entre colector y
emisor. La ganancia de corriente es elevada, lo mismo que la ganancia de tensin. Las resistencias
de entrada y de salida son de orden medio.

- En la configuracin de BC la seal procede del generador de entrada que se coloca entre el emisor
y la base (terminal comn), y la resistencia de carga entre colector y base. La corriente de salida es
prcticamente del mismo valor que la de entrada y por lo tanto la ganancia de corriente es casi
unitaria. La resistencia de entrada es pequea y la de salida grande.

- En la configuracin de CC la seal se aplica entre la base y el colector, y la carga entre emisor y
colector. La ganancia de corriente es elevada, la ganancia de tensin es prcticamente unitaria, la
resistencia de entrada es muy grande y la de salida muy pequea. Este montaje recibe el nombre
de seguidor de emisor debido a que el valor de la tensin en dicho terminal es aproximadamente el
mismo que el de base y por ello la ganancia de tensin es prxima a la unidad.

5.5- Parmetros h en Emisor Comn

Los parmetros hoe y hfe se determinan de la caracterstica de salida, en tanto hie y hre se determinan
de la caracterstica de entrada.



















VCE
IC
ic = AiC
Q
vce = AvCE
VCEQ
ICQ
IBQ
Figura 49 a)
VCE
IC
ic = AiC
Q
ib = AiB
VCEQ
ICQ
IBQ
Figura 49 b)
-
C C
C
C
hfc ie
vec
B ib
-
ib ie
+
hic
E
ie
hoc
vbc
+
C
vec
vbc
hrc vec
B

+
-
Figura 48 c)
40


- Admitancia de salida hoe

Utilizando las definiciones de los parmetros h dadas anteriormente se determina la admitancia de
salida en EC por:

ic y vce son pequeas variaciones alrededor del punto de funcionamiento esttico Q. Por lo tanto, hoe
representa la pendiente de la caracterstica de colector en el punto Q, Figura 49 a).


- Ganancia de corriente en cortocircuito hfe

La ganancia de corriente en cortocircuito hfe en EC se obtiene cortocircuitando la salida en el modelo
de pequea seal, es decir haciendo vce = 0.

La Figura 49 b) muestra como obtener hfe de la caracterstica de salida, por medio de los incrementos
AiC y AiB para VCE = constante.


- Impedancia de entrada hie

La impedancia de entrada hie en EC se obtiene de la caracterstica de entrada como:

La relacin vbe/ib representa la resistencia dinmica de la unin emisor-base calculada en el punto de
funcionamiento Q. La Figura 50 a) muestra como obtener hie grficamente.





















Q punto
B
C
ce
b
c
fe
i
i

0 v
i
i
h
A
A
=
=
=
Q punto
B
BE
ce
b
be
ie
i
v

0 v
i
v
h
A
A
=
=
=
Q
vbe = AvBE
VBE VBEQ
IB
ib = AiB
Q
vbe = AvBE
VBE VBEQ
IB
IBQ
VCE VCE
vce = AvCE
Figura 50 a) Figura 50 b)
Q punto
CE
C
b
ce
c
oe
v
i

0 i
v
i
h
A
A
=
=
=
41


- Ganancia de tensin inversa hre

Se obtiene de la caracterstica de entrada, Figura 50 b), por medio de la relacin:

Para la configuracin de emisor comn hre es muy pequeo y en muchos casos puede despreciarse.
La tabla dada a continuacin permite realizar una comparacin de las configuraciones.
(El signo menos indica un desfasaje de 180 entre las magnitudes consideradas).

EC CC BC
hi 1 KO 1 KO 20O
hr 2.5x10
-4
~ 1 3x10
-4

hf 50 -51 -0.98
ho 25 A/V 25 A/V 0.5 A/V
1/ho 40 KO 40 KO 2 MO

En la Figura 51 se muestran curvas caractersticas de los parmetros h en funcin de la corriente de
colector para una tensin colector-emisor, frecuencia de trabajo y temperatura ambiente determinados,
para el transistor 2N3904.





























Q punto
CE
BE
b
ce
be
re
v
v

0 i
v
v
h
A
A
=
=
=

Figura 51
42



5.6- Clculo de un amplificador con el modelo de parmetros hbridos en la configuracin de
Emisor Comn.

Se trata de calcular en forma exacta, primero, y haciendo aproximaciones despus los principales
parmetros de un amplificador bipolar de una sola etapa en EC: amplificacin o ganancia de tensin
Av, amplificacin de corriente Ai, impedancia de entrada Zi e impedancia de salida Zo, sobre la base
del modelo de parmetros hbridos. Para ello se analizar el circuito de la Figura 52, que es un caso
general.
Para realizar el anlisis de amplificadores se realizan dos clculos independientes: corriente continua
(que permite obtener el punto de reposo esttico) y corriente alterna (que permite caracterizar el
comportamiento con la seal a amplificar). Luego se aplica el teorema de superposicin (que resulta
vlido si se hacen aproximaciones lineales).

















Circuito de corriente continua

Se cortocircuita la fuente de seal vs y se consideran los capacitores como circuitos abiertos, ya que su
reactancia es infinita para corriente continua. El circuito resultante permite calcular el punto de reposo
esttico Q.

Circuito equivalente de corriente alterna

Se cortocircuitan las fuentes de continua y se consideran (salvo indicacin en contrario) las
capacitancias como cortocircuitos a la frecuencia de inters. Se reemplaza el transistor por su modelo
equivalente de parmetros hbridos.
Para construir este circuito se pueden seguir las siguientes reglas:

a) Dibujar en forma clara el diagrama de conexiones del circuito sealando los terminales del
transistor E, B y C, que sern los puntos de partida del circuito equivalente a construir.

b) Reemplazar al transistor por su modelo equivalente hbrido.

c) Transferir todos los elementos del circuito real al equivalente manteniendo intactas las posiciones
relativas de los mismos. Las fuentes independientes de continua se reemplazan por su resistencia
interna, en caso de poseerla. La fuente de tensin continua ideal se reemplaza por un cortocircuito
y la fuente de corriente ideal por un circuito abierto.

d) Se resuelve el circuito lineal resultante aplicando los teoremas conocidos de la teora de circuitos.
v s RE
Rs
R2
0
C1
+VCC
R1 RL
vo
CE
Figura 52
43



La Figura 53 muestra el circuito equivalente completo resultante para el caso ms general, CE=0.

















Clculo de la amplificacin de corriente

Definimos la amplificacin de corriente respecto de la base del transistor como:

Para calcular su expresin en funcin de los parmetros del circuito y del dispositivo comenzamos
aplicando las leyes de Kirchhoff en la malla de salida:

Reemplazando y agrupando trminos se obtiene:

Impedancia de entrada

Se define as a la impedancia que se ve entre la base y la referencia:
Puede definirse tambin la impedancia vista por el generador de seal. En ese caso:

Para calcular Zi comenzamos planteando la ecuacin de la malla de entrada:
b
c
b
o
i
i
i
-
i
i
A =
( )
( ) E b c e
L o o
oe e o b fe c
R i i v
R i - v
h v - v i h i
+ =
=
+ =
( ) ( )
( ) | | ( ) 1 R h pues h i R h - h i R R h 1 i
h R i i - h R i - i h i
E oe fe b E oe fe b E L oe c
oe E b c oe L c b fe c
<< ~ = + +
+ + =
b
i
i
i
v
Z =
i B i' Z // R Z =
e o ce e ce re b ie i v - v v v v h i h v donde = + + =
( ) R R h 1
h
-
i
i
- A
E L oe
fe
b
c
i
+ +
= =
RL
hie C
vi
-
RE
hoe
B
ve
+
vo
0
+
vbe
E
ib
hfe ib
io
RB
hre vce
ic
vce
v s
-
Rs

+
-
Zi Zi
Zo
Zo
Figura 53
44


Reemplazando se obtiene:

Teniendo en cuenta las siguientes relaciones:
Reemplazando y agrupando:

Puede verse que la impedancia de entrada Zi es funcin de la carga RL.

Amplificacin de tensin
Definimos la amplificacin de tensin respecto de la base del dispositivo como:
Teniendo en cuenta:

Se pueden tener en cuenta los efectos de la resistencia del generador Rs y en ese caso:

Debe encontrarse la relacin entre vi y vs. Hallando un circuito equivalente en la entrada, Figura 54:
Av representa la ganancia de tensin con una fuente de tensin ideal, es decir, Rs = 0.

En la prctica Rs = 0 y cuanto mayor valor tiene afecta considerablemente la amplificacin respecto
del caso ideal.

Admitancia de salida (Yo)

Se calcula la admitancia de salida Yo con las siguientes condiciones circuitales vs = 0 y RL externa al
circuito, resultando el circuito equivalente mostrado en la Figura 55:

( ) E b c e
L c o
R i i v
R i - v
+ =
=

v
v
A
i
o
v
i Z v R i - v b i i L c o y = =
( ) i
L
E L oe
fe
i
L
i v
Z
R

R R h 1
h
-
Z
R
A A
+ +
= =

v
v
A
v
v

v
v

v
v
A
s
i
v
s
i
i
o
s
o
vs = =
( )
e o re b ie i
re re e o re b ie e e re o re b ie i
v v h i h v
1 h , h - 1 v v h i h v v h - v h i h v como
+ + =
<< + + = + + =
i L re i E ie
b
i
i A R h ) A - (1 R h
i
v
Z + + = =
' Z R
' Z
A A
' Z R
' Z
v v
i s
i
v vs
i s
i
s i
+
=
+
=

Figura 54
45




















Se utiliza el mtodo del generador auxiliar, colocando un generador de valor vo y calculando
la relacin Yo= ic/vo. Se plantea el sistema de ecuaciones:

Reemplazando:





La impedancia de salida del amplificador se calcula como Zo= 1/Yo




( )
( ) E b c e
oe e o' b fe c
R i i v
h v - v i h i
+ =
+ =
fe E oe E oe c oe o b fe c
E oe b oe c oe o b fe c
h R h : , R h i - h ' v i h i
R h i - h R i - h ' v i h i
cumple se general en pues
E
<< + ~
+ =

R //R R h
R h
R h 1
1

R //R R h
h h
- h
' v
i
Y
E s B ie
E fe
E oe
E s B ie
re fe
oe
o
c
o


+ +
+ +
(

+ +
=
( ) ( )
( ) ( )
( )
( ) ( )
E s B ie
E c fe
E s B ie
re o fe
E oe c oe o c
E s B ie
E c o re
b
s B ie b o re E b c
re s B ie o re e
s B ie b o re re e
ie b e o re e
R //R R h
R i h
-
R //R R h
h ' v h
- R h i - h ' v i
R //R R h
R i - ' v h -
i
//R R h i - ' v h - R i i
1 h //R R h ib - ' v -h v
//R R h i - ' v h - h - 1 v
//R R h i v '- v h - v

s B
pues
+ + + +
=
+ +
=
+ = +
<< + ~
+ =
+ =
Resulta como valor de Yo:
RB
ib
hfe ib
hoe vbe
Rs
B
+
vce
-
v o
hre vce
+
ve
-
hie C
RE
ic
0
Yo
E

+
-
Figura 55
46


Impedancia de salida (Zo')

Se calcula como:
Zo'= Zo // RL


Otra forma de calcular Yo

Otra forma de calcular la impedancia de salida es aplicando el denominado Corolario de los Teoremas
de Thevenin y Norton, para el cual Zo est dada por:
- vca es la tensin de circuito abierto entre los puntos donde se quiere calcular la impedancia,
- icc es la corriente de cortocircuito que resulta de cortocircuitar los puntos donde se quiere calcular
la impedancia.

Si se calcul previamente la ganancia de tensin Avs, la tensin a circuito abierto para el circuito de la
Figura 54 puede calcularse como:

De forma similar la corriente de cortocircuito queda expresada por:

Aplicando el Corolario de Thevenin y Norton:


Reemplazando por la expresin de Avs y evaluando los lmites para las condiciones fijadas de RL
resulta Zo.

El modelo simplificado en emisor comn

Como se vio anteriormente los clculos de los parmetros del amplificador (Ai, Av, Zi, Zo) pueden
resultar largos y tediosos. Adems, muchas veces no es necesario el conocimiento exacto de los
valores sino que es suficiente obtener valores aproximados, dentro de un margen de error que resulte
aceptable. Por esto, es comn hacer aproximaciones en el modelo de parmetros h del amplificador.
Existen dos parmetros que, segn el caso pueden considerarse despreciables dentro del modelo: hre y
hoe.

a) Condicin de simplificacin de hoe

Si analizamos las expresiones obtenidas de Ai, Av y Zi vemos que, por ejemplo en la expresin
de Ai:



i
v
Z
cc
ca
o =
v A
R
lim v
R
lim v s vs
L
o
L
ca

=

=

R
v
A
0 R
lim
R
v

0 R
lim i
L
s
vs
L
L
o
L
cc

=
L
s
vs
L
s vs
L
L
o
L
o
L
cc
ca
o
R
v
A
0 R
lim
v A
R
lim


R
v

0 R
lim
v
R
lim

i
v
Z

=

=

= =
47




Si se cumple que hoe (RE + RL) << 1, obtenemos el primer criterio de simplificacin y se puede
considerar hoe ~ 0 en el circuito equivalente. Adems si se cumple:

hoe (RE + RL) s 0.1

El error cometido estar en el orden de l0% y se puede considerar aceptable en clculos de primera
aproximacin.

b) Condicin de simplificacin de hre

Puede observarse que las expresiones en las que interviene hre son las impedancias de entrada y de
salida y Av.
Si se cumple que hoe (RE + RL) << 1, para que pueda despreciarse hre en el circuito de entrada:
hre vce << hie ib
Pero como vce~ hfe ib (RL + RE), reemplazando en la anterior:

hre hfe (RL + RE ) << hie ib,
resultando:

De las simplificaciones anteriores surge el circuito equivalente de la Figura 56:


















Para este circuito resulta mucho ms sencillo calcular los parmetros del amplificador:
( )
1
h
R R h h
ie
E L fe re
<<
+
( ) R R h 1
h
-
i
i
- A
E L oe
fe
b
c
i
+ +
= =
( )
( )
( ) E fe ie
L fe
i
L i
E fe ie
b
b E fe ie b
b
i
i
fe
b
b fe
b
o
i
R h 1 h
R h
Z
R A
Av
R h 1 h
i
i R h 1 h i

i
v
Z
h -
i
i h -

i
i
A

+ +

= =
+ + =
+ +
= =
= = =
Figura 57
ib
vi
0
C
+
-
Rs
vce
vo
-
RL
hie
+
io
RE
B
vbe
E
RB
ic
v s
hfe ib

Figura 56
48



Si (1 + hfe) RE

>> hie y hfe >>1 resulta:

Una ventaja de esta configuracin es que la ganancia de tensin se independiza de los parmetros del
transistor y depende de la relacin RL/RE.

Circuito con emisor a tierra ( con capacitor de desacople CE)

En este caso se hace un anlisis similar al anterior pero con RE = 0 en el circuito de la Figura 56.
(Recordar que se elige CE de manera que sea un cortocircuito a la frecuencia de inters). Para usar el
circuito equivalente simplificado las aproximaciones a cumplir sern:
hoe RL s 0.1
hre hfe RL/hie s 0.1

En esas condiciones resulta el circuito mostrado a continuacin.















Resolviendo el circuito simplificado se tiene:
( ) E
L
E fe
L fe
R
R -

R h 1
R h
Av ~
+

~
( )
L o
ie
L fe
B ie
B ie
s o vs
ie
L fe
i o v
B ie i
ie b i i
fe b o i
R ' Z

h
R h

//R h Rs
//R h -
/v v A
h
R h
/v v A
//R h ' Z
h /i v Z
h - /i i A
~
+
= =

= =
=
= =
= =
vi
hie
vce
E
+
RB
ib
Rs
io
-
ic
hfe ib vo
+
vbe
B
v s
0
-
C
RL

Figura 57
49


5.7- El amplificador Colector Comn
















La Figura 58 muestra un ejemplo bsico de un amplificador en configuracin colector comn,
tambin denominado seguidor por emisor. Esta etapa es de caractersticas muy particulares ya
que no presenta ganancia de tensin, posee alta impedancia de entrada y muy baja de salida.
Por esto, es posible de utilizar como etapa separadora o adaptadora de impedancias (buffer).
Si bien se puede realizar el anlisis utilizando un modelo de cuadripolo en parmetros h en
colector comn (hic, hrc, hfc, hoc), es comn reconfigurar el circuito para que puedan ser
utilizados los parmetros en emisor comn, disponibles en las hojas de datos.
La figura 59 a) muestra el circuito equivalente h en emisor comn. La figura 59 b) muestra el
circuito equivalente resultante en colector comn, utilizando los parmetros de emisor comn.











La Figura 60 muestra el circuito equivalente de pequea seal para el amplificador de la
Figura 58.









Tambin en este caso puede ser utilizado un criterio de simplificacin para reducir a un
circuito ms simple.
R1
R2
RE RL
Rs C1
C2
v b
0
v s
+VCC

Figura 58

Figura 59 a)
Figura 59 b)

Figura 60
50



1/hoe > 10 (RE//RL) puede eliminarse hoe del circuito equivalente. La otra condicin puede
encontrarse considerando que la cada de tensin en hie debe ser por lo menos diez veces
mayor que la tensin del generador dependiente hre vce. Con esas consideraciones se obtiene
el circuito mostrado en la Figura 61.










Resolviendo el circuito, se obtiene:

vo/vb ~ 1 (Ganancia de tensin respecto a la base aproximadamente unitaria)
Zi = hie + (1 +hfe) (RE//RL) ~ hfe (RE//RL) (Impedancia de entrada elevada)
Zo = hie / (1 + hfe) (Impedancia de salida baja)



Figura 61
vo
vb