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INFORME DE LABORATORIO

JOHAN SEBASTIAN GOMEZ F JORGE SUAREZ WILLY MARTINEZ Grupo 5

Lab 1. Polarizacin de transistor

Ingeniero Rafael Betancourt

UNIVERSIDAD COOPERATIVA DE COLOMBIA ING. ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES

BOGOT D.C. 2009 1. OBJETIVOS

1.1. Objetivo General Encontrar el circuito de polarizacin ms estable en funcin de la dispersin del HFE de los transistores de un mismo tipo (debido a las tolerancias en la fabricacin), y a la variacin de la temperatura ambiente. Se compararn los tres circuitos de polarizacin ms utilizados; Para facilitar la comparacin se confeccionarn tablas y adems se calcularan los valores de dispersin relativa de los parmetros fundamentales para la determinacin del punto Q, los cuales tambin sern llevados a una tabla para facilitar su comparacin.

1.2. Objetivo especifico analizar el comportamiento del transistor BJT en polarizacin fija inestable. analizar el comportamiento del transistor BJT en polarizacin fija estable. analizar el comportamiento del transistor BJT en polarizacin retroalimentada inestable. analizar el comportamiento del transistor BJT en polarizacin retroalimentada inestable. analizar el comportamiento del transistor BJT en polarizacin universal.

2. METODOLOGA La metodologa de trabajo se hizo principalmente hallando los clculos de los valores respectivos de los dispositivos en cada diagrama esquemtico de las distintas polarizaciones , el siguiente paso fue armar cada uno de los circuitos todos con los valores de entrada , despus procedimos a realizar mediciones con el multimetro de voltajes y corrientes del circuito , el siguiente paso fue comparar los clculos hallados con la medicin real y por ultimo fue calcular el porcentaje de error de este laboratorio.

3. RECURSOS Los materiales y equipos utilizados en este laboratorio fueron: Resistencias Transistores Protoboard Cable UTP Fuente de voltaje variable Multimetro Osciloscopio Corta fros

4. MARCO TORICO

Vcc=#Eq+10=5+10= 15V FIJA INESTABLE VCE=VCC/2=15/2=7.5V IB=IC/=3mA/175=17.14A VCC-VRB-VBE=0 VCC-VRB-IB*RB=0 RB= -VCC- VBE/-IB RB=-14.3V/-17.1A=836.25K VCC-VRC-VCE=0 VCC-IC*RC-VCE=0 RC=-VCC-VCE/-IC RC=-15V-7.5V/-3mA=2.5K FIJA ESTABLE VCE=VCC/2=15/2=7.5V IB=IC/=3mA/175=17.14A VCC-VRC-VCE-VRE=0 VCC-VCE-IC (RC+RE)=0 RC+RE=VCC-VCE/IC RC+RE=15V-7.5V/3mA=2.5K RC=9RE 9RE+RE=2.5K RE=2.5K/10=250 RC=9*250=2.25K

Ic=2+#Eq/5=2+5/5= 3mA

VCC -VBE-VRE-VRB=0 VCC-VBE-VRE-IB*RB=0 RB=VCC-VBE-VRE/IB RB=15V-0.7V-0.75V/17.14A=790.54K

RETROALIMENTADA INESTABLE VCE=VCC/2=15/2=7.5V IB=IC/=3mA/175=17.14A VCC-VRC VCE=0

VCC-VCE-IC*RC=0 RC=VCC-VCE/IC RC=15V-7.5V/3mA=2.5K VCC-VRC-VRB-VBE=0 VCC-VBE-VRC-IB*RB=0 RB= VCC-VBE-VRC/IB RB=15V-0.7V-7.5V/17.14A=396.73K RETROALIMENTADA ESTABLE VCE=VCC/2=15/2=7.5V IB=IC/=3mA/175=17.14A VCC-VRC-VCE-VRE=0 VCC-VCE-IC (RC+RE)=0 RC+RE=VCC-VCE/IC RC+RE=15V-7.5V/3mA=2.5K RC=9RE 9RE+RE=2.5K RE=2.5K/10=250 RC=9*250=2.25K VCC-VRC-VRB-VBE-VRE=0 VCC-VBE-VRC-VRE-IB*RB=0 RB= VCC-VBE-VRC-VRE/IB RB=15V-0.7V-6.75V-0.75V/17.14A=396.73K UNIVERSAL VCE=VCC/2=15/2=7.5V IB=IC/=3mA/175=17.14A VCC-VRC-VCE-VRE=0 VCC-VCE-IC (RC+RE)=0 RC+RE=VCC-VCE/IC RC+RE=15V-7.5V/3mA=2.5K RC=9RE 9RE+RE=2.5K RE=2.5K/10=250 RC=9*250=2.25K VRE=3mA*250=0.75V 10R2=*RE R2=*RE/10 R2=175*250/10=4.37K VR2-VBE-VRE=0 VR2=VBE+VRE VR2=0.7V-0.75V=1.45V

R1= (VCC/VB-1) (R2) R1=(15V/1.45V-1)(4.37K)=40.83K

5. PORCENTAJE DE ERROR voltaje Vt 7.5V 14.2V 7.5V 15V 6.7V 13.5V 7.5V 15V 7.5V 6.7V 7.5V 15V 6.7V 6.7V 7.5V 15V 6.7V 1.45V 7.5V 15V corriente It 3mA 17.14A

Fija inestable RC RB VCE VCC Fija estable RC RB VCE VCC R.inestable RC RB VCE VCC R.estable RC RB VCE VCC Universal RC RB VCE VCC

Vp

%E

Ip

%E

3mA 17.14A

3mA 17.14A

3mA 17.14A

3mA 17.14A

6. JUSTIFICACIONES DE % ERROR En los valores de los circuitos montados con los tomados tericamente son diferentes queriendo decir que no son idnticos por decimas en sus valores porque en los valores tomados en la parte practica son inexactos como por ejemplo por factores de temperatura y calidad del transistor tambin la calidad del cable para los puentes.

7. CONCLUSIONES De este trabajo de laboratorio podemos deducir que los transistores BJT en las distintas polarizaciones actan de manera distinta. A lo largo de la experiencia en el laboratorio analizamos tres formas de polarizar un transistor y como responde a la variacin de las condiciones de trabajo. Las pequeas variaciones pueden estar dadas por los valores reales de las resistencias o errores sistemticos de medicin como as tambin las caractersticas propias del transistor que pueden diferir a pesar de ser el modelo del mismo transistor.

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