Instrumentação Eletrônica Geral - SENAI - WWW - Mecatronicadegaragem.blogspot

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Instrumentao
Eletrnica Geral
REVISO AGOSTO/99
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Eletrotcnica Bsica Instrumentao SENAI ES, 1999 Trabalho realizado em parceria SENAI / CST (Companhia Siderrgica de Tubaro) Coordenao Geral Evandro de Figueiredo Neto (CST) Robson Santos Cardoso (SENAI) Rosalvo Marcos Trazzi (CST) Fernando Tadeu Rios Dias (SENAI) Jader de Oliveira (SENAI) Alexandre Kalil Hanna (CST)
Carlos Athico Prates (CST)
Superviso
Elaborao Aprovao
Wenceslau de Oliveira (CST)
SENAI Servio Nacional de Aprendizagem Industrial

CTIIAF Centro Tcnico de Instrumentao Industrial Arivaldo Fontes Departamento Regional do Esprito Santo Av. Marechal Mascarenhas de Moraes, 2235 Bento Ferreira Vitria ES CEP 29052 - 121 Telefone: (027) 334 - 5200 Telefax: (027) 334 - 5212
CST Companhia Siderrgica de Tubaro Departamento de Recursos Humanos Av. Brigadeiro Eduardo Gomes, s/n, Jardim Limoeiro Serra ES CEP 29160-972 Telefone: (027) 348-1286 Telefax: (027) 348-1077
__________________________________________________________________________________________ CST 2 Companhia Siderrgica de Tubaro
ndice
Assunto Pgina
Fsica dos Semicondutores e Diodos................................... 4 Transistor Bipolar................................................................ 19 Transistor de Efeito de Campo - FET.................................. 40 Circuitos Bsicos de Amplificadores................................... 52 Fontes de Alimentao......................................................... 57 Amplificadores Operacionais ..............................................74 Tiristores...............................................................................86 Exerccios.............................................................................113
FSICA DOS SEMICONDUTORES E DIODOS 1 - FSICA DOS SEMICONDUTORES 1.1 - Estrutura atmica J sabemos que podemos dividir uma substncia em pores cada vez menores at chegar a menor das pores, que denominamos molcula. A molcula a menor poro que um material pode ser dividido sem que com isso venha sofrer alteraes em suas propriedades. Se dividirmos a molcula em partes, chegaremos ao tomo, sendo que este no mais conservar as propriedades do material subdividido. O tomo composto de outras partculas que so eltrons, prtons e nutrons, conforme a figura abaixo:
Os prtons (p) possuem cargas eltricas positivas. Os eltrons (e) possuem cargas eltricas negativas. Como vemos, o tomo formado por camadas concntricas ande fica ncleo. As camadas so nveis de energia. Chamamos de eltrons de valncia os eltrons que pertencem a ltima camada (camada externa) do tomo.
Um tomo possui no mximo 7 (sete) camadas, assim denominadas: k, l, m, n, o, p, conforme abaixo:
As camadas inferiores, uma vez completas, no cedem nem recebem eltrons, logo os eltrons de valncia (eltrons da ltima camada externa) so os nicos em condio de participarem de fenmenos qumicos ou mesmo eltricos.
__________________________________________________________________________________________ Senai 5 Departamento Regional do Esprito Santo
1.2 - Classificao do Materiais quanto condutividade Os materiais podem ser classificados em 03 (trs) tipos: condutores isolantes semicondutores Condutores: Dizemos que um material condutor, quando os eltrons so fracamente ligados ao ncleo e ao serem submetidos a uma diferena de potencial passam a se locomover no interior do material. Podemos citar como exemplo o ouro, a prata, o cobre e outros. Isolantes: Dizemos que um material isolante, quando os eltrons se encontram fortemente presos em suas ligaes, evitando a circulao desses eltrons. Podemos citar como exemplo, a borracha, a mica, a porcelana, etc. Semicondutores: Dizemos que um material semicondutor se sua resistncia se encontra entre a dos condutores e a dos isolantes. Os principais semicondutores utilizados so: Silcio (Si) Germnio (Ge) A principal caracterstica dos semicondutores a de possuir 04 (quatro) eltrons em sua ltima camada, camada de valncia. Isto permite aos tomos do material semicondutor a formao entre si de ligaes covalentes. 1.3 - Cristais semicondutores Dizemos que uma substncia cristalina se ela possui uma estrutura cbica, tendo seus tomos ocupando os vrtices desse cubo. O silcio (Si) e o germnio (Ge) apresentam-se sob a forma cristalina, significando que seus tomos acham-se dispostos uniformemente em uma configurao peridica.
Ligao covalente: a ligao por meio de pares de eltrons que participam simultaneamente dos dois tomos, mantendo a estabilidade.
1.4 - Classificao dos tomos quanto ao nmero de eltrons na camada de valncia Elemento trivalente: todo elemento que possua em sua ltima camada (camada de valncia) um total de 03 (trs) eltrons Exemplo: Alumnio, ndio, boro, glio. Elemento tetravalente: todo elemento que possua em sua ltima camada (camada de valncia) um total de 04 (quatro) eltrons Exemplo: Silcio, germnio, carbono, estanho. Elemento pentavalente: todo elemento que possua em sua ltima camada(camada de valncia) um total de 05 (cinco) eltrons. Exemplo: Antimnio, nitrognio, fsforo, arsnio.
1.5 - Dopagem do semicondutor Chama-se dopagem de um semicondutor, o processo utilizado para construir elementos P e N, atravs da mistura ao silcio (Si) ou germnio (Ge) de quantidades reduzidas de impurezas de elementos trivalentes ou pentavalentes.
1.6 - Semicondutor tipo N Se introduzirmos na estrutura cristalina de um semicondutor uma pequena quantidade de um material pentavalente, por exemplo, antimnio (Sb), tendo este 05 (cinco) eltrons na camada de valncia, haver a sobra de 01 (um) eltron do antimnio (Sb) que no formar ligao covalente. O tomo do antimnio (Sb) que deu esse eltron chamamos de doador. O silcio (Si) ou germnio (Ge) dopados com elementos pentavalentes so chamados de tipo N, sendo um material negativo. Os portadores de carga no material tipo N, so os eltrons.
1.7 - Semicondutor tipo P Se introduzirmos na estrutura cristalina de um semicondutor uma pequena quantidade de um material trivalente, por exemplo ndio (ln), tendo este 03 (trs) eltrons na camada de valncia, faltar um eltron. Essa falta de eltron comporta-se como uma carga positiva que chamamos de lacuna. Os semicondutores dopados com elementos trivalentes so chamados do tipo P, e ao elemento trivalente da dopagem chamamos de aceitador. Os portadores de carga no material tipo P so as lacunas.
1.8 - Portadores de cargas A condutividade de um semicondutor depende do nmero de portadores de carga, eltrons ou lacunas, dependendo da dopagem. Outro fator que influi na condutividade a temperatura. Este fator contribui para o rompimento da ligao covalente, dando origem a eltrons e lacunas medida que a temperatura aumenta. No material tipo N os eltrons da dopagem mais os surgidos pelo rompimento das ligaes so chamados de portadores majoritrios, pois existem em maior quantidade no material. E as lacunas surgidas no material tipo N, devido ao rompimento das ligaes, chamadas de portadores minoritrios. No material tipo P os portadores majoritrios so as lacunas e os portadores minoritrios so os eltrons: 2 - DIODO 2.1 - Juno PN Se unirmos um material do tipo P a um material do tipo N, de maneira a construirmos um nico cristal, esta juno ser denominada de juno PN ou diodo de juno. Sua grande utilidade reside em deixar passar uma dada corrente em apenas um sentido. Sendo esta corrente alternada, que flui em dois sentidos, passa a fluir em um s sentido. A esta operao chamamos de retificao. Na figura abaixo, representamos uma juno PN no polarizada.
O material N apresenta um grande nmero de eltrons (portadores majoritrios) e o material P um grande nmero de lacunas (portadores majoritrios). Haver difuso atravs da juno, ou seja, alguns eltrons comeam a aparecer nas proximidades do material P e algumas lacunas, nas proximidades do material N, causando a recombinao (ocupao de uma lacuna por um eltron ) entre esses portadores e uma neutralizao de cargas (um eltron se anula com uma lacuna).
Quando um eltron e uma lacuna se encontram, suas cargas individuais neutralizam-se e isto deixa o tomo da impureza carregado. Os tomos das impurezas so fixos. O tomo que produzir o eltron tem agora uma lacuna e se carrega positivamente, e o tomo que produziu a lacuna tem um eltron e se carrega negativamente, e so chamados de ons. Com isto aparecer um campo eltrico entre o material P e o material N e uma diferena de potencial chamada de barreira de potencial ou regio de carga espacial ( camada de depleo ). Depleo significa diminuio ou ausncia e, neste caso, esta palavra corresponde ausncia de portadores majoritrios na regio prxima juno PN .
2.2 - Polarizao Inversa da Juno PN Consiste em colocarmos o terminal positivo da bateria no elemento N juno PN e o terminal negativo da bateria no lado P.
Neste caso, os portadores majoritrios do lado P (lacunas) so atrados pelo plo negativo da bateria e do lado N (eltrons) pelo plo positivo da bateria. Os portadores majoritrios se afastam da juno, aumentando a barreira de potencial, no permitindo a passagem de corrente atravs da juno. Na realidade existir uma pequena corrente, devido aos portadores minoritrios. Esta corrente chamada corrente de fuga, e varia com a temperatura. 2.3 - Polarizao direta da Juno PN Consiste em colocarmos o terminal positivo da bateria no elemento P da juno PN e o terminal negativo da bateria ao lado N.
Neste caso, os portadores majoritrios so repelidos em direo juno, havendo uma barreira de potencial muito pequena e facilidade para passagem da corrente eltrica. O diodo apresenta uma resistncia muito baixa para esta polarizao. NOTA: Conforme os estudos anteriores, podemos concluir que o elemento PN conduz quando diretamente polarizado, apresentando, na juno, uma pequena resistncia, um pouco maior que uma ou duas dezenas de ohms, e no conduz quando polarizado inversamente, apresentando uma resistncia da ordem de mega-ohms. 2.4 - Smbolo e forma fsica do diodo de juno Como vimos, ao elemento puro, por exemplo o silcio, dopado de forma a ter uma regio P e N, chamados de diodo de juno. O diodo possui 02 (dois) eletrodos. Ao lado P, conecta-se um elemento denominado nodo, e o lado N, o catodo, conforme a figura abaixo.
Como sabemos, o fluxo de corrente do material P para o N, ou seja, do nodo ( + ) para o catodo ( - ), que ocorre na polarizao direta. Podemos representar um diodo polarizado diretamente atuando como uma chave fechada, que representa uma resistncia quase igual a 0 (zero).
Quando polarizamos o diodo inversamente, representamo-lo atuando como se fosse sendo sua resistncia de valor muito elevado, no havendo circulao de corrente.
As formas fsicas de alguns diodos de juno, mostramos na figura abaixo.
2.5 - Curva caracterstica do diodo de juno Na figura abaixo representamos a curva caracterstica de um diodo com polarizao direta e inversa.
A polarizao direta representada no eixo positivo pela tenso (Vd), e a corrente (Id), enquanto que a marcada no eixo negativo indica a polarizao inversa. Podemos observar que o diodo s comea a conduzir a partir da tenso V Esta tenso, a 25C , de aproximadamente 0,3 V para um diodo de germnio (Ge), e de 0,7V para um diodo de silcio (Si). Podemos notar, pela curva em polarizao direta, que para pequenos valores de Vd, praticamente no temos Id, passando a existir quando atingirmos as caractersticas de conduo do diodo. A corrente da polarizao direta (id) da ordem de mili-ampres (mA). Na polarizao inversa, notamos que para pequenos valores de tenso, a corrente aproximadamente constante. Esta corrente devida aos portadores minoritrios, sendo da ordem de micro-ampres ( A). Quando aumentamos a tenso inversa, notamos que Ir quase no apresenta variaes, at atingirmos a tenso mxima inversa na qual o diodo se queima; a esta tenso chamamos de tenso de ruptura. 2.6 - Determinao da reta de carga de um diodo Quando utilizarmos um diodo, devemos determinar o ponto de operao (ponto em que o diodo est trabalhando), atravs da reta de carga. Consideramos o circuito abaixo:
No circuito acima temos um diodo polarizado diretamente, onde circula uma corrente I no sentido indicado, passando pelo resistor R. Conhecemos a curva caracterstica do diodo, descrita anteriormente. Para sabermos o ponto de funcionamento do diodo, devemos conhecer o valor da corrente e da tenso sobre o mesmo. Pelo circuito, podemos escrever: E= Vd + I.R Para traarmos uma reta, necessitamos de 02 (dois) pontos, fazendo: 1) Para I = 0, temos: E= Vd + 0.R E=Vd (que o ponto do eixo das abscissas)
2) Para Vd = 0, temos: E= 0 + I . R I = E . (que o ponto do eixo das ordenadas) R
A reta que passa por estes pontos chamada de reta de carga e sua interseo com a curva caracterstica do diodo, indica o ponto de operao do diodo ou ponto quiescente.
Na figura acima a reta de carga intercepta a caracterstica do diodo no ponto de operao do mesmo e atravs de duas perpendiculares passando por esse ponto em relao a Id e Vd, determinamos a tenso de trabalho (Vdq) e a corrente de trabalho (Idq) do diodo.
Exemplo : Dada a curva caracterstica de um diodo, mostrada na figura abaixo, determinar o seu ponto quiescente e sua potncia de dissipao, sabendo-se que ele est ligado em srie com um resistor de 50 e alimentado por uma fonte de 2,2V. Primeiramente, deve-se determinar a reta de carga: Vc = Vcc Vc = 2,2V Is = Vcc/RL Is = 2,2/50 Is = 44mA Traa-se agora a reta de carga sobre a curva caracterstica do diodo:
Assim, o ponto quiescente resultante : Vd = 1,2V e Id = 20mA Finalmente, a potncia dissipada pelo diodo vale: PD = Vd * Id PD = 1,25 * 20 * 10-3 PD = 25mW
2.7 Modelos de diodos 2.7.1 Modelo 1 - Diodo Ideal Dizemos que um diodo ideal quando conduz, diretamente, ao ser polarizado e sua resistncia igual a zero; porm quando polarizado inversamente, sua resistncia infinita, o diodo no conduz.
2.7.2 - Modelo 2 - Diodo com V
2.7.3 - Modelo 3 - Diodo com V e RD ( Modelo Linear ) Este modelo o mais prximo do real e considera o diodo comportando-se como um condutor em srie com uma bateria de valor V e uma resistncia RD correspondente inclinao de sua curva caracterstica na polarizao direta. .............. Exemplos:
Para efeito de comparao, estes exemplos mostram os resultados dos clculos das correntes num diodo, utilizando-se os trs modelos em duas condies diferentes de circuitos: Circuito 1
Neste caso, percebe-se que as diferenas entre os resultados obtidos so pequenas em relao ordem de grandeza da corrente no diodo e, portanto, qualquer modelo pode ser adotado, dependendo apenas da preciso desejada.
Neste caso, percebe-se que as diferenas entre os resultados obtidos so quase da mesma ordem de grandeza da corrente no diodo e, portanto, o modelo 3 deve ser o preferido, pois a corrente resultante certamente muito prxima do valor real.
TRANSISTOR BIPOLAR 1 - TRANSISTOR 1 .1 - Introduo No estudo de diodo, analisamos uma juno PN. Para o transistor, estudaremos duas junes. Para cada juno do transistor, existir uma barreira de potencial. Temos 02 (dois) tipos de transistores, NPN e PNP, apresentando 03 (trs) terminais: o emissor, a base e o coletor, e duas junes: juno base-emissor e a juno base-coletor, conforme a figura abaixo.
Neste caso, o emissor composto de um material tipo N, tem a funo de emitir eltrons. O coletor, que tambm de material tipo N, coleta os eltrons. A base, formada por material tipo P, a parte comum. 1.2 - Polarizao do transistor No transistor, a juno base-emissor polarizada diretamente, e a juno base-coletor polarizada inversamente, independente do tipo NPN ou PNP. Como sabemos, ao polarizar uma juno PN diretamente, teremos uma reduo na barreira de potencial e uma resistncia de pequeno valor. Ao polarizar inversamente a juno PN, teremos um aumento na barreira de potencial e uma resistncia de valor elevado.
Os eltrons que so portadores majoritrios do material tipo N, saem do emissor e so injetados na regio da base, devido polarizao direta da juno base-emissor. Como a juno base-coletor possui polarizao inversa, os eltrons que saem do emissor so injetados na base, e so atrados para o coletor, devido a base ser fina e possuir uma quantidade pequena de lacunas. A corrente do emissor (IE) relativamente grande, dada em mili-ampre (mA), a corrente da base (Ib) pequena, dada em micro-ampre ( A) e a corrente do coletor (IC) tambm grande, dada em mili-ampre (mA). A corrente de base pequena devido a ela ser praticamente resultante de poucas recombinaes na base. Pela figura 2 podemos escrever a equao: IE = IB + IC, e como a corrente da base IB pequena, temos IE IC. Outra equao que podemos escrever a seguinte: VCE = VBE + VCB, onde VCE a tenso entre coletor e emissor. 1.3 - Convenes e simbologia Os smbolos convencionados para o transistor so os seguintes:
Polarizando o transistor, teremos as tenses e corrente indicadas na figura abaixo.
1.4 - Relaes entre correntes no transistor Sabemos que: IE = IB + IC; mas IB muito menor que IC e representa a parte do fluxo de eltrons atingiu o coletor. Para relacionarmos IC e IE podemos introduzir um parmetro (ganho em corrente contnua). = IC . IE Como IC menor que IE, teremos que ser sempre menor que 01 (um). Podemos tambm relacionar IC com IB. Neste caso, temos o parmetro S (ganho em corrente contnua), que relaciona a corrente de sada (IC), com a corrente de entrada (IB). ou = IC . = /(1+) = /(1-) IB NOTA: Algumas vezes, o ganho de corrente do transistor (), representado por outro parmetro que denominado h fE. 1.5 - Configurao em que se apresentam os transistores Existem 03 (trs) tipos de configuraes em que podemos montar um transistor: emissor comum, base comum e coletor comum. O tipo de configurao est relacionado com o terminal de entrada e sada, tendo um elemento comum entrada e sada. a) Configurao emissor comum Dizemos que um transistor est na configurao de emissor comum, quando a entrada na base e a sada no coletor, tendo o emissor como elemento comum.
b) Configurao base comum Dizemos que um transistor est na configurao. coletor, tendo a base como elemento comum.
c) Configurao Coletor Comum Dizemos que um transmissor est em configurao coletor comum (ou seguidor de emissor), quando a entrada na base e a sada no emissor, tendo o coletor como elemento comum.
medio
1.6 - Curvas caractersticas do transistor As curvas caractersticas do transistor estabelecem relaes entre entrada e sada para cada configurao, sendo a mais utilizada a configurao emissor comum. As curvas so de grande importncia para conseguirmos o ponto de timo funcionamento do transistor, de acordo com o projeto adotado. a) Caractersticas VCE x IC Fornece-nos a caracterstica de sada do transistor na configurao emissor comum, sendo IB constante para cada variao de VCE e IC.
b)Caracterstica VBE x IB Fornece-nos a caracterstica de entrada do transmissor na configurao emissor comum, quando VCE constante.
Exemplos: Dadas as curvas caractersticas de entrada e sada de um transistor NPN, determinar: a) A corrente na base para VBE = 0,8V ; b) O ganho de corrente nas condies do item a ;
c) O ganho de corrente na configurao BC ; d) O novo ganho de corrente, caso iB dobre de valor, mantida a tenso VCE; e) O novo ganho de corrente na configurao BC. a) Para VBE = 0,8V , tem-se que iB = 300A .
b) A curva caracterstica de entrada foi obtida para VCE = 5V. Entrando com esse valor na curva caracterstica de sada, juntamente com a corrente de entrada iB obtida no item a, tem-se que a corrente de sada iC = 110mA.
Com os valores de iC e iB , tem-se que o ganho de corrente do transistor, nestas condies, vale: = iC/iB = 110*10-3/300*10-6 = 367 c) Na configurao BC, o ganho de corrente vale: = / ( 1+ ) 367 / ( 1+367 ) = 0,9973
d) Se a corrente de base dobrar de valor, tem-se iB = 600A. Pela curva caracterstica de sada ( mostrada anteriormente ), chega-se ao novo valor da corrente de coletor: iC = 280mA Assim: =iC/ iB = 280*10-3 / 600*10-6 = 467 e) Na configurao BC , o ganho de corrente vale: = / ( 1+) = 467 / ( 1+ 467 ) = 0,9979
1.7 - Ponto de operao de um transistor Ao polarizarmos o transistor devemos verificar os limites de operao do mesmo, ou seja, a tenso mxima coletor-emissor (VCE mx), a corrente mxima de coletor (IC mx), a tenso mxima baseemissor (VBE mx ), a tenso mxima coletor-base (VCB mx), a Potncia mxima (PC mx) e a
temperatura mxima. Se ultrapassarmos estes limites, poderemos danificar o transistor ou faz-lo trabalhar com distores. O ponto de operao de um transistor, tambm denominado ponto de trabalho ou ponto quiescente, deve ser localizado na regio de operao limitada pelos valores mximos de tenso, corrente e potncia.
Alm da regio de operao (regio ativa), onde o transistor trabalha sem distores, devem ser levadas tambm em considerao as regies de corte e de saturao. Na regio de corte, a tenso VBE menor que VBE de conduo, logo no haver corrente IB circulando, IC tambm ser zero, e VCE estar com valor elevado. Na regio de saturao, a tenso VBE um pouco maior que VBE de conduo. Neste caso, a corrente de entrada IB e consequentemente IC so muito grandes, o que implica em VCE baixo, em torno de 0,2 Volts (dependendo do transistor) 1.8 - Corrente de fuga do transistor (ICBO) Quando polarizamos uma juno PN inversamente, circular pela portadores minoritrios. A corrente de fuga (ICBO) circula do coletor para a base com o emissor em aberto, conforme a figura abaixo.
A corrente ICBO varia com a temperatura. Para cada 10 C de aumento na temperatura, a corrente ICBO dobra o valor. 1.9 - Circuito simples do transistor
Vamos considerar o seguinte circuito:
a) Relao entre IB e VBE Pela malha de entrada, podemos escrever a seguinte equao: E1= R1 . IB + VBE Para determinarmos o ponto de operao do transistor, suponhamos: 1) VBE = 0, teremos IB = E1 (1 ponto) R1 2) IB = 0, teremos VBE = E1 Pela curva caracterstica VBE x IB, teremos: (2 ponto)
b) Relao entre IC e VCE Pela malha de sada do circuito, podemos escrever a seguinte equao E2 = R2 . IC + VCE
Para determinarmos o ponto de operao do transistor para esta caracterstica suponhamos: 1) VCE = 0, teremos: IC= E2 (1 ponto) R2 2) IC = 0, teremos: VCE = E2 (2 ponto) Por esses dois pontos determinamos a reta de carga., e pela corrente IBQ determinamos o ponto de operao do transistor (Q), conforme a figura abaixo.
1.10 - Circuito de polarizao em emissor comum Nesta configurao, a juno base-emissor polarizada diretamente e a juno base-coletor. Para isso, utilizam-se duas baterias e dois resistores para limitar as correntes e fixar o ponto quiescente do circuito. Considerando apenas o transistor NPN, pode-se fazer a anlise das malhas de entrada e
sada.
Malha de entrada: RB*IB + VBE = VBB Portanto, a equao de RB : RB = ( VBB VBE ) / IB Malha de sada: RC*IC + VCE = VCC Portanto a equao de RC : RC = (VCC VCE ) / IC Existem vrias formas de simplificar este circuito, eliminando-se uma das fontes de alimentao, como sero vistas a seguir. Circuito de polarizao EC com corrente de base constante Para eliminar a fonte de alimentao da base VBB , pode-se fazer um divisor de tenso entre o resistor de base RB e a juno base-emissor, utilizando apenas a fonte VCC, como mostra a figura 7.8. Para garantir a polarizao direta da juno base-emissor, e reversa da juno base-coletor, RB deve ser maior que RC .
Reescrevendo-se as equaes das malhas de entrada e sada, tem-se: Malha de entrada: RB*IB + VBE = VCC Portanto, a equao de RB : RB = ( VCC VBE ) / IB Malha de sada: RC*IC + VCE = VCC Portanto a equao de RC : RC = ( VCC VCE ) / IC
Neste circuito, como VCC e RB so valores constantes e VBE praticamente no varia, a variao da corrente de polarizao da base desprezvel. Por isso, este circuito chamado de polarizao EC com corrente de base constante. Exemplo: Polarizao EC com corrente de base constante Dado um transistor com = 200 e uma fonte de alimentao de 12V , determinar os resistores de polarizao ( valores comerciais ) para o ponto quiescente: VCEQ = VCC / 2, ICQ = 15mA e VBEQ = 0,7V . Clculo de RC : RC = ( VCC VCEQ ) / ICQ = ( 12 6 ) / 15*10-3 RC = 400 Valor comercial adotado: RC = 470 Potncia de RC : PRC = RC*ICQ2 = 470*( 15*10-3)2 = 106mW Clculo de RB : IBQ = ICQ / IBQ = 15*10-3 / 200 IBQ = 75A RB = ( VCC VBEQ ) / IBQ RB = ( 12 0,7 )/ 75*10-6 RB = 150667 Valor comercial adotado : RB = 150 K Potncia de RB : PRB = RB*IBQ2 = 150*10-6*( 75*10-6 )2 = 0,84 pW ( 1/8 W ) ( 1/4 W )
Observao: Ao se adotarem os valores comercias para os resistores de polarizao, impe-se um pequeno deslocamento no ponto quiescente. Porm este erro no relevante, dado que todos os parmetros do transistor so, tambm, valores estimados pelos fabricantes, sem contar a tolerncia dos resistores de polarizao.
O circuito de polarizao EC com corrente de base constante tem o inconveniente de ser muito sensvel a variaes de temperatura. Influncia da temperatura no comportamento dos transistores. O cristal semicondutor um material sensvel temperatura, isto , seu aumento pode fornecer energia suficiente aos tomos do cristal, gerando novos portadores. Assim sendo, os diodos e transistores sofrem influncia da temperatura. No caso dos transistores, a variao da temperatura altera principalmente o parmetro , VBE e corrente de fuga. Na figura 7.9, est esboada graficamente a influncia da temperatura para o parmetro e VBE.
Influncia da Temperatura no Transistor
A variao de VBE com a temperatura desprezvel ( por exemplo: o aumento da temperatura
de 25C para 50C causa uma diminuio aproximada de 0,05V em VBE ). Porm, a corrente de fuga e o podem Ter variaes acentuadas ( no caso de , a mesma variao de temperatura pode dobr-lo ). Isto ocasiona uma grande variao na corrente de coletor, sem que haja variao na corrente de base, deixando o circuito instvel. Com a determinao do ponto quiescente, o que se deseja fixar a corrente e a tenso de sada do circuito. No caso do circuito de polarizao na configurao EC , reproduzido na figura 7.10, o ponto quiescente deve fixar os valores de ICQ e VCEQ.
Variao do Ponto Q por Influncia da Temperatura
Analisando a malha de sada, formada por VCC, RC e VCE , observa-se que o aumento da temperatura faz com que a corrente de coletor ICQ aumente ( aumento da corrente quiescente ), aumentando a tenso VRC. Sendo VCC constante, esse aumento de VRC tem que ser compensado pela diminuio de VCEQ ( diminuio da tenso quiescente ).
A diminuio de VCEQ provoca novo aumento de ICQ , resultando numa realimentao positiva, ou seja, numa instabilidade do circuito. Portanto, uma forma de contornar este problema, forar uma realimentao negativa, sempre que houver uma tendncia de instabilidade no circuito. A soluo para isto colocar em srie com o emissor um resistor RE.
Circuito de polarizao EC com corrente de emissor constante.
Neste circuito de polarizao, inserido um resistor RE entre o emissor e a fonte de alimentao, como mostra a figura 7.11, para transistores NPN e PNP.
Polarizao EC com Corrente de Emissor Constante
Analisando o circuito de polarizao do transistor NPN, percebe-se que, se ocorrer um aumento na corrente de coletor devido ao aumento da temperatura, a corrente de emissor tambm aumenta. Consequentemente, aumentam VRC e VRE. Isto provocaria uma diminuio de VCEQ, dando incio realimentao positiva ( instabilidade ). Porm, o aumento de VRE causa uma diminuio de VRB na malha de entrada, j que VBEQ mantm-se praticamente constante. A diminuio de VRB , por sua vez, provoca a diminuio de IBQ e , consequentemente, de ICQ, compensando o seu aumento inicial. A resposta dada por RE para o aumento de ICQ , chama-se realimentao negativa, e garante a estabilidade do circuito e do ponto quiescente.
Como a realimentao negativa faz ICQ voltar ao seu valor original, o mesmo acontece com IEQ, que mantm-se, portanto, constante. Por isso, esse circuito de polarizao conhecido por polarizao EC com corrente de emissor constante. Equacionando o circuito de polarizao NPN, tem-se: Malha de entrada : RB*IB + VBE + RE*IE = VCC Portanto, a equao de RB : RB = ( VCC VBE RE*IE ) / IB Malha de sada : RC*IC + VCE + RE*IE = VCC
Portanto, a equao de RC : RC = ( VCC VCE RE*IE ) / IC Neste caso, tem-se duas equaes para trs incgnitas: RB , RC e RE . Na prtica este problema resolvido, adotando-se um dos seguintes critrios: 1) Adota-se um valor para RE compatvel com as tenses e correntes do circuito, ou 2) Adota-se uma tenso para VRE de valor pequeno em relao VCC, para que o resto da tenso possa ser utilizada para determinar a tenso e a corrente de sada quiescentes, respectivamente, VCEQ e ICQ ( esta ltima, atravs de VRC ). Normalmente, utiliza-se VRE = VCC/10 .
Exemplo : Polarizao EC com corrente de emissor constante Dado um transistor com = 250 e uma fonte de alimentao de 20V, determinar os resistores de polarizao ( valores comerciais ) para o ponto quiescente: VCE = VCC/2 , ICQ = 100mA e VBEQ = 0,7V . Clculo de RC : Adotando-se VRE = VCC/10 = 2V : RC = ( VCC VCEQ VRE ) / ICQ = ( 20 10 2 ) / 100*10-3 RC = 80 Valor comercial adotado : RC = 82 Potncia de RC :
PRC = RC*ICQ2 = 82*(100*10-3)2 = 0,82W Clculo de RB :
( 1,5W )
IBQ = ICQ / IBQ = 100*10-3 / 250 IBQ = 400A RB = ( VCC VBEQ VRE ) / IBQ RB = ( 20 0,7 2 ) / 400*10-6 = 43250 Valor comercial adotado: RB = 47K Potncia de RB : PRB = RB*IBQ2 = 47*103*( 400*10-6 )2 = 7,52mW Clculo de RE : IEQ = ICQ + IBQ IEQ = 100*10-3 + 400*10-6 = 100,4mA RE = VRE / IEQ RE = 2 / 100,4*10-3 RE = 19,92 Valor comercial adotado : RE = 22 Potncia de RE: PRE= RE*IEQ2 = 22*( 100,4*10-3 )2 = 222mW ( 1/2 W ) ( 1/8 W ) RB
Circuito de polarizao EC com divisor de tenso na base
Uma outra forma de solucionar o problema de instabilidade com a temperatura o circuito de polarizao mostrado na figura 7.12, conhecido como polarizao por divisor de tenso na base.
Polarizao EC com Divisor de Tenso na Base
A anlise feita a seguir, refere-se ao transistor NPN.

O circuito de polarizao por divisor de tenso na base projetado de forma a fixar o valor de VRB2. Da malha de entrada, tem-se: VRB2 = VBE + VRE Fixado o valor de VRB2 , como VBE praticamente constante com a temperatura, VRE tambm permanece constante. Isto garante a estabilizao de IEQ e ICQ, independente da variao de . O valor de RB2 pode ser fixado a partir da sua corrente, adotando-se o seguinte critrio: IB2 = 10*IB Equacionando este circuito, tem-se: Malhas de entrada: RB2*IB2 = VBE + RE*IE RB1*IB1 + VBE + RE*IE = VCC Portanto, as equaes de RB2 e RB1 : RB2 = ( VBE + RE*IE ) / IB2 e RB1 = ( VCC VBE RE*IE ) / IB1
Malha de sada: RC*IC + VCE + RE*IE = VCC Portanto, a equao de RC : RC = ( VCC VCE RE*IE ) / IC Para este tipo de polarizao, devido ao nmero de incgnitas, vale tambm o seguinte critrio prtico: VRE = VCC / 10
Determinao da reta de carga Ponto de saturao : VCEsat = 0 Pela equao da malha de sada, tem-se: RC*ICsat + VCEsat + RE*IEsat = VCC RC*ICsat + RE*IEsat = VCC Mas, IC = IE , portanto :
( RC + RE )*ICsat = VCC ICsat = VCC / ( RC + RE ) Ponto de corte : ICcorte = IEcorte = 0 Pela equao da malha de sada, tem-se :
RC*ICcorte + VCEcorte + RE*IEcorte = VCC VCEcorte =VCC Com esses dois pontos, traa-se a reta de carga sobre a curva caracterstica de sada da configurao EC , onde se localizar o ponto quiescente, como mostra a figura 7.13 .
Reta de Carga na Configurao EC
Exemplo :Polarizao EC com divisor de tenso na base Dado um transistor com = 250 e uma fonte de alimentao de 9V , determinar os resistores de polarizao ( valores comerciais ) para o ponto quiescente: VCEQ = VCC / 2 , ICQ = 20mA e VBEQ = 0,65V e traar a sua reta de carga.
Clculo de RC : Adotando-se VRE = VCC / 10 = 0,9V : RC = ( VCC VCEQ VRE ) / ICQ = ( 9 4,5 0,9 ) / 20*10-3 RC = 180 Valor comercial adotado: RC = 180 Potncia de RC : PRC = RC*ICQ2 = 180*( 20*10-3 )2 = 72mW Clculo de RB1 e RB2 : IBQ = ICQ / IBQ = 20*10-3 / 250 IBQ = 80A IB2 = 10*IBQ IB2 = 10*80*10-6 IB2 = 800A IB1 = IBQ + IB2 = 80*10-6 + 800*10-6 = 880A Da malha inferior de entrada, tem-se : RB2 = ( VBE + VRE ) / IB2 RB2 = ( 0,65 + 0,9 ) / 800*10-6 RB2 = 1937 Valor comercial adotado : RB2 = 2K2 Potncia de RB2: PRB2 = RB2*I2B2 = 2,2*103*(800*10-6)2 = 1,41mW Da malha formada por VCC, RB1, VBE e VRE, tem-se: RB1 = VCC VBE VRE/ IB1 RB1 = 9 0,65 0,9/ 880*10-6 RB1 = 8466 Valor comercial adotado: RB1 = 8K2 Potncia de RB1: PRB1 = RB1*IB12 = 8,2*103*(880*10-6)2 =6,35mW Clculo de RE: IEQ = ICQ + IBQ IEQ = 20*10-3 + 80*10-6 = 20,08mA RE = VRE / IEQ RE = 0,9/ 20,08*10-3 RE = 44,8
( 1/8W )
(1 / 8W)
( 1/8W )
Valor comercial adotado : RE = 47 Potncia de RE: PRE = RE* IEQ2 = 47*( 20,08*10-3 )2 = 19mW Determinao da reta de carga: Para VCEsat = 0 ICsat = VCC / ( RC + RE ) ICsat = 9/(180 + 47) = 40mA Para ICcorte = 0 VCEcorte = VCC = 9V Portanto, a reta de carga com o respectivo ponto quiescente fica como mostrada a seguir: ( 1/8W )
Uma outra forma de analisar o circuito de polarizao EC com divisor de tenso na base, substituindo-se o divisor de tenso por seu circuito equivalente Thvenin , visto da base do transistor. A resistncia equivalente de Thvenin (RTH) obtida curto-circuitando-se a fonte VCC. Com isso, os resistores RB1 e RB2 ficam em paralelo, sendo RTH determinada por: RTH = RB1*RB2 / ( RB1 + RB2 ) A tenso equivalente de Thvenin ( VTH ) a tenso aplicada pelo divisor de tenso base do transistor, isto : VTH = [ RB2 / ( RB1 + RB2 ) ]*VCC
Portanto, o circuito de polarizao fica como mostra a figura:
Este circuito, com exceo de RE , anlogo ao primeiro circuito de polarizao EC analisado, com duas fontes de alimentao. A diferena que neste, a Segunda fonte VTH apenas um artificio usado para o equacionamento do circuito. Equacionando este circuito, tem-se: Malha de entrada: RTH*IB + VBE + RE*IE = VTH Malha de sada: RC*IC + VCE + RE*IE = VCC Pelas equaes das malhas, observa-se que existem mais de duas incgnitas. Este problema resolvido, adotando-se os seguintes valores prticos: VRE = VCC/10 IB = IB2/10
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET) O transistor de efeito de campo (FET) tem o princpio de funcionamento diferente do transistor bipolar. um dispositivo sensvel tenso, com impedncia de entrada elevada, e impedncia de sada relativamente alta. O FET utilizado tanto nos circuitos analgicos como nos digitais, como amplificador ou chave. Existem dois tipos bsicos de FET: o FET de juno e o MOSFET de metal xido semicondutor. 2.1 - Fet de Juno O FET de juno consiste em uma fina camada de material tipo n ou tipo p com dois contatos hmicos, a fonte (S) e o dreno (D), e dois contatos retificadores interligados denominados portas (G).
Os eltrons livres entram na fonte e saem do dreno (Canal N). A camada condutora entre a fonte e o dreno chamada de canal. O FET pode ser do tipo n, no qual o canal do tipo n e as portas so do tipo p; ou do tipo p, sendo o canal tipo p e as portas tipo n.
2.2 - A corrente no FET tipo juno Vamos considerar o circuito:
A porta (G) de um FET de juno tem sempre polarizao reserva para impedir corrente de porta e tambm para criar camadas de depleo em volta das regies P (canal N), possibilitando o estreitamento do canal condutor e, consequentemente, a diminuio da corrente entre a fonte e o dreno. A corrente de dreno (ID) controlada pela tenso de VGS. Como existe o canal, mesmo que a tenso VGS seja igual a zero, haver corrente percorrendo o elemento. O aumento da polarizao reserva (VGS), diminui a largura do canal N, o que provoca uma diminuio na corrente do dreno (ID).
VGS = 0 Condio da porta em curto. A corrente de dreno se nivela e torna-se praticamente horizontal; o FET se comporta como uma fonte de corrente.
VGS corte - Tenso de constrio Quando a tenso da porta for suficientemente negativa, as camadas de depleo tocam-se e o canal condutor desaparece, ID=0. IDSS - Corrente de dreno para fonte com a porta em curto. O grfico da figura 19.b relaciona-se a corrente de sada versus a tenso de entrada Essa curva conhecida como curva de transcondutncia, que um trecho de uma parbola. A sua equao a seguinte: ID = IDSS [ 1 Onde: ID = corrente de dreno. IDSS = corrente de dreno para fonte com a porta em curto circuito VGS = tenso entre a porta e fonte. VGS corte = tenso de constrio. Polarizao do JFET VGS . ]2 VGS corte
Autopolarizao
Esta polarizao utiliza apenas uma fonte de alimentao.
O resistor RS produz uma realimentao negativa. Se a corrente de dreno ID aumenta, a tenso sobre RS tambm aumenta. Isto faz aumentar a tenso reversa porta-fonte ( VGS ) estreitando o canal, reduzindo novamente o canal, reduzindo novamente a corrente ID. Por isso o nome autopolarizao. Existem duas formas de se determinar os valores dos resistores de polarizao: pela reta de carga traada sobre as curvas de dreno e pela reta de autopolarizao traada sobre a curva de transferncia. Especificamente para o JFET , mais interessante utilizar a curva de transferncia para definir a polarizao, pois os manuais sempre fornecem pelo menos os parmetros IDSS e VP que a definem, alm de possibilitar a melhor visualizao do problema das tolerncias do transistor.
Determinao da Reta de Autopolarizao

A reta de autopolarizao ( ou reta de RS ) traada sobre a curva de transferncia, e corresponde lei de Ohm aplicada ao resistor de fonte RS. Da malha de entrada, obtm-se:
-VGS = RS . ID RG . IG Como IG praticamente nula devido alta impedncia de entrada, tem-se:
-VGS = RS . ID Pela curva de transferncia com valores tpicos, atravs dos pontos IDQ ou VGSQ previamente escolhidos, tem-se um ponto da reta de autopolarizao. O outro ponto a prpria origem da curva de transferncia. O ponto timo de polarizao deve ser escolhido de tal forma que fique localizado no meio da curva de transferncia.
Anlise das tolerncias do JFET

Conhecendo-se as tolerncias do JFET dadas pelos manuais atravs de valores ou na prpria
curva de transferncia, percebe-se que , uma vez definida a reta de autopolarizao, o ponto quiescente pode estar localizado em qualquer posio entre Q1 e Q2 .
Portanto, alm da variao possvel de IDQ na autopolarizao ser menor que no processo de polarizao anterior ( com VGS constante ), a realimentao negativa imposta por RS para variaes de IDQ garante uma melhor estabilidade do circuito.
Determinao dos resistores de polarizao

Da equao da reta de autopolarizao, obtm-se: RS = - VGSQ/IDQ
Da malha de sada , obtm-se: VDD = RD.IDQ + VDSQ + RS.IDQ RD = ( VDD VDSQ + VGSQ ) / IDQ
Como a curva de transferncia praticamente a mesma para todo VDS > VPO ( regio ativa da curva de dreno ), o valor de VDSQ fixado por RD. Exemplo : Dada a curva de transferncia do JFET BF245A ( PDmax = 300mW ) , determinar os valores
de RS e RD do circuito de autopolarizao para IDQ = 1mA e VDSQ = 15V .
Determinao da reta de autopolarizao: 1 Ponto: Q 2 Ponto: Origem
Do ponto Q da reta de autopolarizao, obtm-se: VGSQ = -1V Clculo de RS e RD : RS = -VGSQ / IDQ = -( -1 )/ 1*10-3 RS = 1K RD = ( VDD VDSQ + VGSQ ) / IDQ = ( 25 15 1 ) / 1*10-3 = 9K Valor comercial adotado : RD = 10K O fato de o valor adotado para RD ser um pouco maior que o calculado, diminui VDSQ de 15V para 14V. Porm, as variaes de IDQ e VGSQ so desprezveis, pois o ponto quiescente est na regio ativa. Potncia dissipada pelo JFET :
PD = VDSQ* IDQ = 14*1*10-3 = 14mW --------- /// ---------
( menor que PDmax )
Uma outra forma de se polarizar o JFET pela reta de autopolarizao, porm, sem a curva de transferncia, utilizando os parmetros mximos e mnimos de IDSS e VP , fornecidos pelos manuais: Os dois pontos ( IDSS , -VP ) e a origem definem uma reta de autopolarizao aproximadamente no centro da curva de transferncia. Assim, como os parmetros ( IDSSmax , -VPmax ) e (IDSSmin , -VPmin ) , calculam-se dois valores para o resistor RS , sendo um para a parbola mxima e outro para a mnima: RSmax = -VPmax / IDSSmax RSmin = -VPmin / IDSSmin
Neste caso, um valor de RS intermedirio de RSmin e RSmax garante um ponto quiescente prximo ao da parbola correspondente dos parmetros tpicos do JFET . Para o JFET BF245A , o manual do fabricante fornece os seguintes parmetros : min 2,0 -0,5 max 6,5 -8,0
IDSS ( mA ) VP ( V ) Clculo de RS:
RSmax = -VPmax/ IDSSmax = -( -8 ) /6,5*10-3 = 1230 RSmin = -VPmin/IDSSmin = -( -0,5 )/2*10-3 = 250 Portanto, pode-se utilizar RS = 1K , como no exemplo anterior.
2.3 - Mosfet O MOSFET um elemento largamente empregado na construo de circuitos integrados, devido a caractersticas de construo.
O MOSFET de canal n constitudo de um substrato tipo p no qual so difundidas duas regies tipo n. Estas regies formam a fonte (S) e o dreno (D). A porta (G) formada por uma camada de dixido de silcio (isolante), em cima da qual depositada uma placa de metal. A porta isolada do canal. O diodo PN que existe num FET de juno foi eliminado no MOSFET.
Formao do canal no MOSFET A porta (G) formada por uma camada de dixido de silcio (SiO2) na qual depositada uma placa de metal. Quando colocamos a porta (G) em um potencial positivo em relao ao substrato, haver ento acumulao de eltrons, formando o canal.
O MOSFET se subdivide em dois grupos: MOSFET tipo depleo e o MOSFET tipo crescimento. 2.4 - Mosfet tipo depleo O MOSFET tipo depleo tem seu aspecto tsico conforme a figura abaixo.
Este tipo de construo apresenta uma estreita camada tipo N que interliga a fonte (S) e que permitir o fluxo de corrente mesmo quando nenhuma tenso for aplicada porta.
2.5 - Polarizao do Mosfet tipo depleo Vamos considerar o circuito da figura abaixo:
Se a tenso VGS for igual a zero, ir circular uma corrente ID no circuito, uma vez que existe canal para que essa corrente possa fluir. Sendo a porta (G) negativa em relao fonte (S), teremos que a camada de metal fica negativa e polariza o isolante. Haver um estreitamento do canal N, diminuindo a corrente ID no dispositivo.
Este estreitamento do canal tanto maior, quanto maior for a polarizao negativa da porta (G). Se aplicarmos uma tenso positiva porta (G), haver um alargamento no canal, aumentando a circulao da corrente ID .
O mesmo princpio aplicado ao MOSFET tipo depleo de canal P.
2.6 - Mosfet tipo crescimento O funcionamento do MOSFET tipo crescimento semelhante ao MOSFET tipo depleo. O aspecto fsico do MOSFET tipo crescimento est representado na figura abaixo.
Para este tipo de construo o canal de conduo da corrente ID s vai aparecer quando houver tenso VGS. 2.7 - Polarizao do Mosfet tipo crescimento Vamos considerar o circuito da figura abaixo:
No caso da figura acima em que o MOSFET de canal N, quando polarizamos a porta (G) negativamente em circular entre estes dois elementos ser funo da relao fonte (S), no haver conduo. Fazendo a porta (G) positiva em relao fonte (S) e aumentando a tenso de VGS estabelecemos um contato entre a fonte (S) e o dreno (D), onde a corrente ID que agora circular entre estes dois elementos ser funo da tenso positiva porta (G) que controlar a largura do canal.
rel
VGS min - Tenso de limiar Tenso necessria para criar uma fina camada no material tipo N prximo do dixido de silcio ligando a fonte ao dreno. Para o MOSFET tipo crescimento de canal p, teremos uma mudana de polarizao.
CIRCUITOS BSICOS DE AMPLIFICADORES 1 - CIRCUITOS BSICOS DE AMPLIFICADORES O amplificador linear um circuito eletrnico que multiplica a amplitude constante. Para usarmos o transistor como amplificador de tenso ou corrente, do transistor. Essa polarizao nos mostra em que regio o transistor. Essa polarizao nos mostra em que regio o transistor est operando. 1.1 - Circuito simples de amplificao Vamos considerar o circuito da figura abaixo.
No circuito acima, temos: E a bateria de polarizao; R1 e R2 so as resistncias de polarizao e C1 e C2 so capacitores de acoplamento que permitem somente a passagem de corrente alternada, bloqueando a corrente contnua. A tenso de entrada (Vi) produz uma variao na tenso de base-emissor (VBE) que, por sua vez, produz uma variao na corrente de base (IB) e esta produz uma variao de vezes na corrente de coletor (IC), onde IC = IB, fazendo com que haja uma variao de tenso no resistor R2. Como a tenso E constante, a tenso VCE variar de forma inversamente proporcional variao da tenso em R2, produzindo a tenso de sada (Vo).
Podemos representar as tenses de entrada e sada conforme figura abaixo.
As tenses de entrada (Vi) e sada (Vo) esto defasadas de 180. O ganho de tenso dado por: Av = Vo Vi 1.2 - Estrutura de circuito amplificador Consideremos o circuito abaixo.
Como vemos no circuito anterior, o sinal que aplicamos na entrada uma tenso alternada, e a polarizao do transistor feita com uma tenso contnua. Os capacitores de acoplamento C1 e C2 permitem a passagem de um sinal alternado, bloqueando a corrente contnua. Como a reatncia capacitiva (Xc) inversamente proporcional freqncia (Xc = 1/2 f.c), podemos considerar os capacitores C1 e C2 como curto-circuito para corrente alternada e um circuito aberto para corrente contnua. Baseado nesses conceitos, podemos escrever o circuito equivalente em corrente contnua, ou circuito de polarizao, conforme figura abaixo.
Para corrente alternada, temos o circuito conforme a figura 5.
OBSERVAO: A fonte E pode ser considerada como um curto-circuito para CA, devido sua pequena resistncia interna. NOTA: Para evitar confuso entre as correntes e tenses contnuas e alternadas, usaremos letras e ndices maisculos para corrente e tenses contnuas, e ndices minsculos para as correntes e tenses alternadas, ou seja: IE,IC,IB para correntes contnuas VBE, VCE, VCB para tenses contnuas ie, ic, ib para correntes alternadas Vbe, Vce, Vcb para tenses contnuas
Tipos de amplificadores Os amplificadores podem ser divididos em vrias categorias: Quanto amplitude dos sinais: Amplificadores de pequeno sinal ou baixa potncia, cujos sinais de entrada so da ordem de unidades de V a dezenas de mV , ou correntes de coletor da ordem de unidades a centenas de mA , ou potncias de coletor de centenas de mW; Amplificadores de mdia potncia, cujos sinais de entrada so da ordem de centenas de mV , ou correntes de coletor da ordem de centenas de mA a unidades de Ampre, ou potncias de coletor da ordem de centenas mW a unidades de Watt; Amplificadores de potncia, cujos sinais de entrada so da ordem de centenas de mV, ou correntes de coletor da ordem de unidades a dezenas de Ampre, ou potncias de coletor da ordem de unidades a centenas de Watt. Quanto frequncia dos sinais: Amplificadores de baixa frequncia, que operam com frquncias entre 0,1Hz a 30KHz ( abaixo da faixa de udio at VLF ) ; Amplificadores de mdia frequncia, que operam com frquncias na faixa de LF; Amplificadores de alta frequncia, que operam com frequncias acima de LF ( sendo classificados conforme a faixa de operao: VHF , UHF , microondas etc ) . Obviamente, o principal determinante da faixa de operao de potncia e de frequncia de um amplificador o transitor utilizado, sendo fabricados especialmente para cada uma delas. Porm, para efeito de estudo dos amplificadores, eles podem ser divididos apenas em trs categorias: amplificadores de baixa potncia e frequncia, amplificadores de potncia e amplificadores de alta frequncia , uma vez que tais categorias englobam todos os conceitos de amplificadores.
Observao : Faixas de frequncia
VLF LF MF HF VHF UHF SHF EHF
Very Low Frequencies Low Frequencies Medium Frequencies High Frequencies Very High Frequencies Ultra High Frequencies Super High Frequencies Extra High Frequencies
Frequncias Muito Baixas Baixas Frequncias Mdias Frequncias Altas Frequncias Frequncias Muito Altas Frequncias Ultra Altas Frequncias Super Altas Frequncias Extra Altas
3KHz a 30KHz 30KHz a 300KHz 300KHz a 3MHz 3MHz a 30MHz 30MHz a 300MHz 300MHz a 3GHz 3GHz a 30GHz 30GHz a 300GHz
A faixa de frequncia de udio ( sinais audveis ou sonoros ) est compreendida entre 20Hz e 20KHz , ou seja, comea abaixo da faixa VLF e termina dentro desta faixa. Entre 20KHz e 3MHz est a faixa denominada de ultra-som , compreendendo parte da faixa VLF e totalmente as faixas LF e MF . As frequncias denominadas microondas ocupam a faixa entre 3GHz e 300GHz , ou seja, SHF e EHF . Finalmente, acima de EHF , esto as frequncias pticas e os raios, na seguinte sequncia: infravermelho, luz visvel, ultra violeta, raios X e raios gama.
FONTES DE ALIMENTAO Essencialmente todos os dispositivos eletrnicos requerem uma fonte de corrente contnua. Chamamos de FONTE DE ALIMENTAO ao circuito eletrnico que retifica, filtra e geralmente regula uma dada tenso alternada. O diagrama em bloco de uma fonte segue abaixo:
1) RETIFICADORES : a) Retificador de meia onda: a tenso de entrada varia de maneira senoidal . Como o diodo da figura 02 s conduz quando polarizado diretamente (anodo (+) , catodo (-) ) somente no semiciclo positivo haver corrente circulando pela carga. No semiciclo negativo o diodo estar polarizado reversamente e portanto: i = 0.
Diodo Ideal: Vm = V2p/ Diodo com V: V2p - V/ Im = Vm/ RL
Ento, para que o diodo no queime, ele deve suportar tanto esta corrente mdia quanto a tenso de pico reversa, ou seja: IDM Im Exemplo: A figura abaixo mostra um transformador com tenso no secundrio de 12 Vrms ligado a um retificador de meia onda (diodo de silcio) com uma carga de 10. Considerando o valor de V do diodo (modelo 2), determinar: e VBr V2p
Retificador de Meia Onda
a) Tenso mdia na carga: A tenso de pico na sada do transformador vale: V2ms = V2p / 2 V2p = 12* 2 V2p = 17V
Considerando V, a tenso mdia na carga vale: Vm = V2p - V / Vm = 17 0,7/ Vm = 5,2V b) Corrente mdia na carga: Im = Vm/ RL Im = 5,2/ 10 Im = 520mA c) Especificao do diodo: Como a corrente mdia no diodo igual da carga e como no semiciclo negativo toda a tenso do transformador cai sobre o diodo, suas especificaes devem ser as seguintes: IDM 520mA e VBr 17V
d) Formas de onda na carga e no diodo:
b) Retificador de onda completa com CENTER TAP: o transformador com CENTER TAP do retificador da figura 4 possui 2 secundrios iguais mas com tenses defasadas de 180. Quando a tenso no enrolamento superior cresce, o diodo D1 polarizado e conduz uma corrente que passa por R. Ao mesmo tempo a tenso no enrolamento inferior diminui, polarizando D2 inversamente. Quando termina o semiciclo a situao se inverte, ou seja, D2 fica polarizado diretamente, enquanto D1 cortado. Assim, durante os dois semiciclos haver corrente circulando pela carga.
Diodo Ideal: V2p/ Diodo com V: Vm = ( V2p - 2V ) / Im = Vm/ RL
Em relao s especificaes dos diodos, tem-se uma grande vantagem neste circuito. Como cada diodo conduz corrente somente num semiciclo, a corrente que eles devem suportar corresponde metade da corrente mdia na carga. Por outro lado, a tenso reversa que os diodos devem suportar a tenso total de pico secundrio j que suas duas metades somamse sobre os diodos quando estes esto cortados. Assim: IDM Im/ 2 Exemplo: A figura abaixo mostra um transformador com derivao central e tenso total no secundrio de 4Vrms ligado a um retificador de onda completa (diodos de silcio) com uma carga de 10. Considerando o valor de V do diodo (modelo 2), determinar: e VBr V2p
Retificador de Onda Completa com Derivao Central
a) Tenso mdia na carga: A tenso de pico na sada do transformador vale: V2ms = V2p / 2 V2p = 4* 2 V2p = 5,66V
Considerando V, a tenso mdia na carga vale: Vm = V2p - 2V / Vm = 5,66 1,4/ Vm = 1,36V b) Corrente mdia na carga: Im = Vm/ RL Im = 1,36/ 10 Im = 136mA c) Especificaes do diodo: IDM 68mA e VBr 5,66V
d) Formas de onda na carga e nos diodos:
c) Retificador de onda completa tipo ponte: Durante o semiciclo positivo de Vi, h um potencial positivo aplicado ao nodo de D2 e ao catodo de D1 e um potencial negativo aplicado ao catodo de D4 e ao nodo de D3. Desta forma, D2 e D4 esto polarizados diretamente e permitem circular uma corrente pelo resistor. Quando vi passar para o semiciclo negativo, a polarizao dos diodos se inverte e passando agora a conduzir D1 e D3. Com isso vemos que h sempre uma corrente circulando pelo resistor com uma mesma polaridade.
Diodo Ideal: 2*V2p/ Diodo com V: Vm = 2*(V2p - 2V) / Im = Vm/ RL Em relao s especificaes dos diodos, como cada diodo conduz corrente somente num semiciclo, a corrente que eles devem suportar corresponde metade da corrente mdia na carga. Quanto tenso reversa, os diodos devem suportar a tenso de pico da tenso de entrada. Assim: IDM Im/ 2 Exemplo: A figura abaixo mostra um transformador com tenso no secundrio de 25rms ligado a um retificador de onda completa em ponte (diodos de silcio) com uma carga de 10. Determinar: e VBr V2p
Retificador de Onda Completa em Ponte
a) Tenso mdia na carga: Como a tenso de entrada grande em relao a V, neste caso ser adotado o modelo do diodo ideal. A tenso de pico na sada do transformador vale: V2ms = V2p / 2 V2p = 25* 2 V2p = 35,4V
Assim, a tenso mdia na carga vale: Vm = 2*V2p / Vm = 2*35,4/ Vm = 22,5V b) Corrente mdia na carga: Im = Vm/ RL Im = 22,5/ 10 Im = 2,25A c) Especificaes do diodo: IDM 1,125A e VBr 35,4V
d) Formas de onda na carga e nos diodos:
2-DOBRADORES DE TENSO: a) Dobrador de tenso de meia onda: O dobrador de tenso um circuito que retifica e filtra um sinal senoidal, dando na sada o dobro do valor mximo desse sinal. Funcionamento: Durante o semiciclo negativo, o diodo D1 est conduzindo carregando assim o capacitor C1 com o valor mximo da tenso de entrada.
- Durante o semiciclo positivo, o diodo D1 est cortado e D2 conduzindo. Desta maneira, a corrente i circula por C1 e D2 carregando C2. Como o capacitor C1 estava carregado com a tenso mxima de entrada, a sua polarizao faz com que C2 seja carregado com duas vezes a tenso mxima de entrada. Portanto, teremos sobre a carga uma tenso mxima de 2 . E . . 2
b) Dobrador de tenso de onda completa: Este circuito, alm de dobrar a tenso de entrada, faz uma retificao de onda completa, e por isso conhecido como dobrador de onda completa. O seu funcionamento assemelha-se a uma onda.
3- FILTRO CAPACITIVO: Para que a fonte de alimentao fique completa, falta ainda fazer a filtragem do sinal retificado para que o mesmo se aproxime o mximo possvel de uma tenso contnua constante. A utilizao de um filtro capacitivo, com capacitor de filtro na sada em paralelo com a carga, muito comum nas fontes de alimentao que no necessitam boa regulao, ou seja, que podem Ter pequenas oscilaes na tenso de sada. Um exemplo o eliminador de bateria, cujo circuito vem todo montado na caixinha que vai ligada rede eltrica.
O valor de pico a pico do ripple pode ser calculado pela equao abaixo: Vr = Vmf / f.RL.C Onde: Vmf = tenso mdia na carga aps a filtragem f = frequncia da ondulao ( depende do tipo de retificador ) RL = resistncia da carga C = capacitor de filtro Assim, para o projeto de uma fonte de alimentao deve-se, antes, estipular a tenso mdia de sada e o ripple desejados para, em seguida, calcular o capacitor necessrio para a filtragem, as especificaes dos diodos e as especificaes do transformador. Exemplo de aplicao: Projeto de uma fonte de alimentao Projetar uma fonte com tenso de entrada de 110Vrms/60Hz e tenso mdia de sada de 5V com ripple de 0,1V , para alimentar um circuito que tem uma resistncia de entrada equivalente a 1K. Utilizar o retificador de onda completa em ponte. O valor do capacitor de filtro pode ser calculado pela equao: Vr = Vmf / f.RL.C C = Vmf / f.RL.Vr C = 5 / 120*1000*0,1 C = 417F
Neste caso, ser utilizado um capacitor eletroltico comercial de 470F, o que acarretar numa pequena reduo do ripple, melhorando o desempenho da fonte. Para definir as especificaes ( IDM e VBr ) dos diodos, preciso calcular a corrente mdia na carga e a tenso de pico no secundrio do transformador. Assim, a corrente mdia na carga vale: Imf = Vmf / RL Imf = 5/1000 Imf = 5mA O valor da tenso de pico na carga pode ser aproximado para: VRLp = Vmf + Vr/2 VRLp = 5 + 0,1/2 VRLp = 5,05V Como a tenso de pico na carga relativamente baixa, deve-se considerar V , e como a carga tem uma resistncia muito maior que a resistncia do diodo RD , esta pode ser desprezada. Assim, o modelo 2 para os diodos perfeitamente adequado para os clculos neste projeto.
No retificador em ponte, deve-se considerar, ento, uma queda de tenso de 2*V ( dois diodos conduzindo em cada semiciclo ) . Assim, a tenso de pico no secundrio do transformador dever ser de: V2p = VRLp + 2* V V2p = 5,05 + 2*0,7 V2p = 6,45V
Portanto as especificaes dos diodos devero respeitar as seguintes condies: IDM Imf / 2 IDM 5*10-3 / 2 VBr V2p VBr 6,45V Finalmente, necessrio determinar as caractersticas do transformador. A tenso eficaz no secundrio : V2rms = V2p /2 V2rms = 6,45 /2 V2rms 4,6V IDM 2,5mA
O transformador tem que ser dimensionado para uma potncia maior que a de trabalho. Como a corrente na carga praticamente constante j que o ripple pequeno, a potncia de trabalho do transformador pode ser estimada por: PT = V2p*Imf PT = 6,45*5*10-3 PT = 32,25mW
Portanto, o transformador utilizado deve Ter as seguintes especificaes: V1 = 110V ( rms ) V2 = 4,6V ( rms ) P > 32,25mW
Assim, o circuito da nossa fonte de alimentao fica como mostra a figura abaixo :
DIODO ZENER Simbologia:
Funcionamento: O Zener um diodo semicondutor, construdo especialmente para trabalhar na regio da ruptura, sem se danificar, o que no acontece com os diodos retificadores. Podemos observar pela figura 15, que o Zener deve ser polarizado reversamente, para que possa operar corretamente. Existe uma corrente mnima (Izmin), que deve ser mantida atravs do dispositivo, para que este permanea na regio de ruptura. Izmax determinado em funo da potncia do diodo (P = Vz . Izmax ). Note que depois que a tenso no dispositivo atinge Vz, a corrente varia por uma extensa faixa de valores, limitada por Izmax , enquanto que a tenso praticamente constante. Esta caracterstica encontra uma enorme aplicao nos reguladores de tenso. Circuito regulador de tenso com carga As aplicaes do circuito regulador de tenso so, principalmente: Estabilizar uma tenso de sada para uma carga fixa a partir de uma tenso de entrada constante; Estabilizar uma tenso de sada para uma carga varivel a partir de uma tenso de entrada constante; Estabilizar uma tenso de sada para uma carga fixa a partir de uma tenso de entrada com ripple; Estabilizar uma tenso de sada para uma carga varivel a partir de uma tenso de entrada com ripple. As duas primeiras aplicaes visam, principalmente, a estabilizao num valor menor de tenso de uma bateria ou de uma fonte de alimentao j estabilizada, e as duas ltimas aplicaes visam, principalmente, a estabilizao de fontes de alimentao com ripple. Ainda, pelas caractersticas da ltima aplicao acima, pode-se afirmar que se trata do caso mais geral, pois tanto a tenso de entrada quanto a carga so variveis.
Fonte de Alimentao Estabilizada com Carga Varivel
Assim, faz-se necessria uma anlise mais detalhada do circuito regulador de tenso quando neste ligada uma carga. Basicamente, o projeto de um regulador de tenso com carga consiste no clculo da resistncia limitadora de corrente RS , conhecendo-se as demais variveis do circuito, a saber: caractersticas da tenso de entrada ( constante ou com ripple ), caractersticas da carga ( fixa ou varivel ) , tenso de sada ( valor desejado ) e especificaes do diodo zener.
Este circuito possui trs equaes fundamentais: Equao da corrente de entrada: IS = IZ + IRL Equao da tenso de sada: VZ = VRL = RL.IRL Equao de regulao: VE = RS.IS + VZ
Carga varivel e tenso de entrada com ripple A figura abaixo mostra um circuito regulador de tenso com carga varivel e tenso de entrada com ripple.
O valor do resistor RS deve satisfazer as condies dadas pela variao existente na tenso de entrada ( ripple ), pela variao desejada para a carga e pelas especificaes do diodo zener. Corrente zener mnima Izm Como RL e VE so variveis e VZ constante, esta condio mais crtica no caso em que VE assume seu valor mnimo VEm e IRL seu valor mximo IRLM , ou seja, quando a corrente IS mnima: ISm = IZm + IRLM Esta condio limita RS a um valor mximo RSM : VEm = RSM.( IZm + IRLM ) + VZ Corrente zener mxima IZM : Neste caso, esta condio mais crtica no caso em que VE assume seu valor mximo VEM e IRL seu valor mnimo IRLm , ou seja, quando a corrente IS mxima: ISM = IZM + IRLm Porm, esta condio limita RS a um valor mnimo RSm : VEM = RSm.( IZM + IRLm ) + VZ RSm = ( VEM VZ ) / ( IZM + IRLm ) Assim, tem-se que RS deve ser: RSm RS RSM RSM = ( VEm VZ ) / ( IZm + IRLM )
Exemplo de aplicao: Eliminao do ripple de uma fonte de alimentao para uma carga varivel Uma fonte de alimentao possui uma tenso mdia de sada de 30V com ripple de 3V. Determinar RS do regulador de tenso que elimina o ripple desta fonte e estabiliza sua tenso em 15V , sabendo-se que ela ser utilizada para alimentar cargas de 50 at 100K e que o diodo zener do circuito tem as especificaes dadas abaixo :
Especificaes do diodo zener: VZ = 15V IZM = 700mA IZm = 30mA Condio de IZm : IRLM = VZ / RLm IRLM = 15/50 IRLM = 300mA VEm VE Vr/2 VEm = 30 3/2 VEm = 28,5V RSM = ( VEm VZ ) / ( IZm + IRLM ) RSM = ( 28,5 15 )/( 30 + 300 )*10-3 RSM = 41 Condio de IZM : IRLm = VZ / RLM IRLm = 15 / 100*103 IRLm = 150A VEM VE + Vr/2 VEM = 30 + 3/2 VEM = 31,5V RSm = ( VEM VZ )/( IZM + IRLm ) RSm = ( 31,5 15 )/( 700*10-3 + 150*10-6) RSm = 24 Portanto, RS deve ser: 24 RS 41 Valor comercial escolhido : RS = 33 Fixado o valor de RS , pode-se calcular a potncia dissipada por ele no circuito no pior caso, ou seja, quando a tenso VE mxima: PRSM = VRSM2 / RS PRSM = ( 31,5 15 )2 / 33 PRSM = 8,25W Portanto, RS pode ser um resistor de 10W.
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS - GENERALIDADES O nome Amplificador Operacional (A.0) deve-se ao fato do dispositivo ser empregado para realizar operaes matemticas, como multiplicao, integrao, diferenciao e tambm para uma infinidade de funes. 0 smbolo caracterstico do elemento, vem representado na figura l.
AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL
Um amplificador operacional ideal deve apresentar as seguintes caractersticas: a) Impedncia de Entrada Infinita b) Impedncia de Sada Nula c) Ganho Infinito d) Atraso Nulo e) Tenso de Sada igual a zero, para tenso no ponto 1 igual a do ponto 2. f) Reduzida deriva de tenso de sada com a temperatura (drif-trmico) (Caso ideal nula). Aspectos Gerais sobre os Amplificadores Operacionais Consideremos inicialmente a fig. 2
0 sinal de sada (es), proporcional a eBA, (eB - eA), sendo o mesmo independente de eA e eB em separado. Atravs de uma rpida anlise do circuito da figura 3, extrairemos algumas consideraes vlidas para o emprego dos A.0 em diversos circuitos.
Como sabemos, nosso elemento apresenta uma impedncia de entrada infinita, logo a corrente I passar de Z1 para Z2, de onde podemos tirar a relao. Vi - Ve = - (Vs -Ve) Z1 Z2 -Z2 = Vs - Ve (1) Z1 V1 - Ve Como A.0 apresenta um ganho , temos: Vs = A . Ve Ve = Vs A A= Ve = 0
Logo, a expresso (1) pode ser escrita como: Vs = - Z2 V1 Z1 OBS.: a) O n B representado na figura 3, e denominado d ponto de terra virtual, pois para grandes valores de A, se potencial se aproxima de zero. b) Podemos aqui designar o ganho de malha aberta A = - Vs Ve c) Podemos aqui designar como ganho de malha fechada (Amf) a relao: Amf = - Z2 Z1 ( - ) devido ao circuito da figura 3 ser um inversor
O AMPLIFICADOR OPERACIONAL REAL
Vamos aqui estabelecer em todos os itens um paralelo com o componente ideal, pois ser a partir deste que chegaremos s correes a serem feitas no componente real visando aproxim-lo do ideal. a) Impedncia de Entrada e Sada 0 A.0 real apresentar na entrada, uma impedncia no infinita, e na sada uma impedncia no nula. b) Resposta em Freqncia O A.0 real ter seu ganho reduzido em funo do aumento da freqncia, como mostra a curva da figura 4, para um determinado A.0.
c) Deriva da Tenso de Sada com a temperatura. (Drift) O ponto do quiescente do A.0 desloca-se em funo da temperatura, e do tempo de funcionamento, sendo por conseguinte especificado em funo dessas duas variveis, tempo e temperatura. Devemos prover as entradas um e dois de nosso dispositivo, figura l, de uma necessria polarizao, cuja finalidade a obteno de um ponto quiescente. Gostaramos de salientar, que uma simetria em termos de polarizao (caso ideal) no alcanada, e as diferenas entre tenso e corrente nas respectivas entradas recebem a denominao de tenso e corrente de offset. No caso ideal, figura 1, para V1 = V2 tnhamos V0 = 0, o que j no acontece com o A.O. real, sendo o motivo a diferena de caractersticas apresentadas pelos transistores de Entrada, pelos quais circularo diferentes correntes. Para melhor entendimento, consideremos a figura 5.
d1) Corrente de Entrada de Offset A corrente de entrada de offset (Iio) a diferena entre as correntes aplicadas aos terminais de entrada para o balanceamento do amplificador. IB1 - IB2 => Vo = 0 d2) Tenso de Entrada de Offset Tenso de entrada offset(Vio) a tenso que devemos aplicar entre os terminais de entrada para o balance mento do amplificador. d3) Corrente de Entrada de Deriva de Offset A corrente de entrada de deriva de offset a relao entre a variao da corrente de entrada de offset..com a variao da temperatura, e expressa pela relao Iio T.
d4) Tenso de Entrada de Deriva de Offset A tenso de entrada de deriva de offset 2 a relao entre a variao da tenso de entrada de offset com a varia da temperatura, e expressa pela relao: Vio T d5) Tenso de Sada de Offset A tenso de sada de offset, a diferena entre os nveis d.c. presentes aos terminais de sada quando as entra l e 2 estiverem aterradas.
Obs.: d1) Input Offset Current d2) Inout Offset Voltage d3) Input Offset Current Drift d4) Input Offset Voltage Drift d5) Output Offset Voltage MTODOS PARA O BALANCEAMENTO DO OPERACIONAL De acordo com o j exposto a respeito do A.0, faz-se necessrio seu balanceamento, para tanto, fornecemos a seguir um circuito capaz de tal tarefa, balanceando a tenso de offset.
Na figura 6, podemos atravs de R4, R3 e R5 corrigir a tenso de offset do circuito a representado. Daremos a seguir na figura 7, o mesmo tipo de correo apresentado, porm para um circuito no inversor.
Para o amplificador operacional, necessitamos de uma fase diferente de 180 quando a freqncia for igual a F, para evitarmos oscilaes do sistema. Quando em malha aberta, dependendo dos elos de realimentao estabelecidos, o sistema pode oscilar. Causas que provocam a Instabilidade a) Elementos Parasitrios Para que melhor possamos compreender o j exposto, lancemos mo da figura 9.
A capacidade parasita entrada junto com a capacidade devido a fiao, provocam o aparecimento de uma capacitncia em paralelo com a entrada, provocando uma defasagem no elo de realimentao estabelecido, podendo conduzir o sistema a uma instabilidade. Podemos como maneira corretiva, introduzir um capacitor no circulo (C2), para que possamos compensar a defasagem introduzida por Cl, logo podemos utilizar a seguinte expresso: Rl,C1 = R2,C2, onde C1 varia numa faixa de 20 a 40 pF.e: C2 pode ser obtido com facilidade a partir dos dados fornecidos .
b) Malha de Realimentao Mal Projetada APLICAES DO AMPLIFICADOR OPERACIONAL Daremos a seguir, algumas das aplicaes bsicas do operacional onde outras de maior ou menor relevo basear-se- o nos aqui apresentados. a) Circuito Inversor
Pela figura 10; temos que para R1 = R2, o ganho do circuito ser de -1, logo um sinal aplicado entrada do operacional, sofrer uma inverso de fase. Obs.: Caso desejemos uma inverso de fase com variao da amplitude do sinal aplicado, a relao ( - R1 / R2 ), na figura 10, dever acompanhar tal variao solicitada.
Circuito no inversor:
Seguidor de Tenso ou Buffer:
b) Circuito Somador
Aplicando-se a Lei de Kircchoff ao n A da figura 11, temos. i = i1 + i2 + .............................in (1) Podemos ainda reescrever a equao (1) de outra forma: I = V1 + V2 + ....................... Vn (2) R1 R2 Rn Para o caso particular R1 = R2 ............................ Rn = R, temos: I = 1 . (V1 + V2 + ........................+ Vn) R Como - V0 = + R0.i, temos: -V0 = + R0 , (V1 + V2 ................+ Vn) (3) R Como podemos observar pela expresso (3), a sada proporcional soma das entradas.
Subtrator:
c) Diferenciador
Podemos isolar o valor de V0 da expresso (1), e ficamos que - V0 = +RC dv1 / dt, que indica que o sinal de sada proporcional derivada do sinal de entrada (V1). C.1) Fazendo um dos conceitos dados acima, podemos obter um circuito que faa a soma e subtrao de derivadas, como o da figura 13.
OBS.: Apesar de no se acharem inclusos na figura 13, os capacitores (C1 e C2) devem ser introduzidos por questes de estabilidade, conforme j discutido anteriormente. d) Integrador
i1 = i => V1 = - C dvo R dt Dvo = - V1 dt RC -V0 = 1 RC
vldt (1)
Para n entradas, figura 15, temos a expresso: - V0 = + 1 RC
(V1 + V2+ ....................+ Vin)dt
d.1) Fazendo uso do conceito acima, podemos obter um circuito que faa soma e subtrao de integrais, conforme figura 16.
Obs.: Para o caso de integradores, devemos inserir um resistor em paralelo com o capacitor de integrao, para que tenhamos na sada uma resposta desejada, caso o contrrio o circuito tenderia a saturao. d.2) No caso de desejarmos fazer uma dupla integrao, podemos lanar mo do circuito da figura 17.
Exemplo1 : No circuito a seguir, se R1 = 100 determinar o ganho do circuito e R2. Vcc = 15 V
Av = Vo / Vi = - 12 / 1 = - 12 Av = - R2 / R1 - 12 = - R2 / 100 R2 = 1200 ou 1,2K Exemplo 2: No circuito a seguir, determine Vo:
Av = Vo / Vi = 1 + R2 / R1 Vo / 1 = 1 + 100 / 100 Vo = 1 + 1 Vo = 2V
Exemplo 3 : No circuito esquematizado a seguir pede-se: a) a corrente na carga (IL) em mA; b) o valor da carga (RL) em ; Dado: Vce = 0V Vbe = 0V
O A. O. est sendo utilizado como um Buffer, ou seja, a tenso aplicada sua entrada ser transmitida sada, sem sofrer qualquer alterao. O transistor no circuito tem a funo de amplificar a corrente que sai do A.O. A tenso de entrada A.O., a tenso que cabe sobre o diodo Zener logo: Vi = Vz Vi = 5V
Mas:
Portanto:
Vi = Vo,
Vo = 5V
pois A.O. um Buffer
logo a tenso cobre RL = 5V, pois a sada do A.O., por conseguinte o transistor s amplifica a corrente, sem alterar o valor da tenso. a) Como a queda de tenso em Vce = 0. Ento podemos dizer que: IC = IL Vc = 12 Vz = 12 6 = 6V Logo: Ic = Vc / Rc Ic = 6 V / 500 Ic = 12 mA IL = 12 mA RL = VL / IL RL = 6V / 12 mA RL = 500
Portanto: b)
TIRISTORES 1 - TIRISTORES O tiristor um dispositivo de quatro camadas e membro da famlia dos semi-condutores que tem dois estados estveis de operao: um estado apresenta corrente aproximadamente igual a zero, e o outro tem uma corrente elevada; limitada apenas pela resistncia do circuito externo. O tiristor pode ser considerado uma chave unidirecional que substitui, com vantagens, por exemplo, contatores e rels de grande capacidade. Tornou-se vantajoso no controle de grandes potncias, devido a diversos fatores: um dispositivo leve, pequeno, confivel, de ao rpida; pode ser ligado com correntes muito reduzidas e no apresenta problemas de desgaste mecnico porque no possui partes mveis. 1.1 - S.C.R. (Silicon Controled Rectifier) a) smbolo de circuito equivalente:
b) Funcionamento 0 S.C.R. um .dispositivo de 4 camadas (PNPN) e 3 terminais como podemos observar na figura 1. Para melhor entendermos o seu funcionamento, vamos utilizar o circuito equivalente com os 2 transistores. Aplicando-se uma tenso E [ (+) no anodo (A) e (-) no catodo (K)] veremos que o transistor PNP e o NPN no conduzem porque no circula a corrente i2 e a corrente i1. Aplicando agora um pulso positivo no gate (G) em relao ao catodo, (o pulso deve ter amplitude maior que 0,7 V, pois entre G e K existe uma juno PN formando um diodo), vamos fazer circular a corrente i1 que far o transistor NPN entrar em conduo. Com isso i2 tambm ir circular fazendo com que o transistor PNP conduza. Assim, sendo, o pulso no gate no mais necessrio pois o transistor PNP mantm o NPN conduzindo e vice-versa. Como podemos observar, esse estado de conduo permanecer indefinidamente. A nica maneira de desligar o SCR fazer a tenso E (entre anodo e catodo) igual a zero.
OBSERVAES: 1) No possvel simular um SCR com 2 transistores pois, a corrente i2 (da base do transistor PNP) ser muito pequena. 2) Ateno, para sempre colocar uma carga em srie com a alimentao quando for utilizar um SCR. c) Curva caracterstica da tenso de bloqueio:
Pela figura 2 observar que o SCR pode ser disparado tambm pela tenso VAK (VAK = E, enquanto o SCR no est conduzindo). Esta tenso chamada tenso de bloqueio, que a tenso mxima que o SCR admite ;entre anodo e catodo, sem romper a barreira de potencial da juno NP (no centro), e entrar em conduo, Quanto maior a corrente Ig, menor ser a tenso de bloqueio e consequentemente, o SCR ir entrar em conduo com um tempo menor. VRM - Tenso de pico repetitiva p/ estado desligado. a tenso de pico mxima que pode ser aplicada entre o anodo e o catodo para o SCR desligado. Se for aplicado tenso maior do que esta, pode ocorrer ruptura das junes (breakdowm). Relao critica de subida da tenso no estado desligado dv / dt - o menor tempo que um pulso pode ter quando aplicado entre anodo e catodo. Caso contrrio a juno NP (do meio) funcionando como um capacitor, far com que o SCR entre em conduo.
d) Caractersticas de conduo de um SCR I - Caractersticas de Gate:
A curva da figura 3 ilustra a regio em que o disparo de SCR pelo Gate seguro e garantido. Esta regio limitada pelas curvas de impedncia mxima e mnima, pelos valores de VG mximo e IG mximo e tambm pela curva de potncia mxima dissipada no gate (PG max). Portanto, os valores de IG,e VG devem estar dentro da regio ACDB e com valores maiores do que IG mnimo e VG mnimo. A regio de disparo incerto, aquela em que o fabricante no garante que o SCR ser disparado com valores menores do que IG mnimo e VG mnimo. II - Caractersticas de comutao de desligado para ligado ( TURN-ON) - Tempo de atraso (delay - time) - o tempo que SCR demora para reagir ao (gatilho) recebido do gate. - Tempo de subida (rise-time) - o tempo que o SRC gasta para sair do 0,9 (VDM-VT), at atingir 0,1 (VDM-VT).
III - Corrente de manuteno ( IH ) o valor mnimo de corrente capaz de manter o SCR no estado de conduo. Para SCRs de 35 A(RMS),por exemplo, a corrente IH est na faixa de 14 a 90 [mA] (ex: 2N6173) IV - Corrente de inicio de conduo (Latching Currente)
Existem casos em que cargas indutivas no circuito, faro com que a corrente, pelo SCR, cresa mais lentamente. Na subida, se aplicarmos pulsos no gate, ocorrero pulsos de conduo como mostrado na figura 5. Isso ocorre porque necessrio que a corrente de conduo possa alcanar um valor de 1,5 a 3 vezes IH para conseguir manter o SCR em conduo, quando for gatilhado; caso contrrio vai conduzir e depois cortar enquanto a corrente de conduo no for maior do que IL. V - Corrente mdia de conduo: - IT (AV) - o valor mdio mximo de corrente para um ngulo de conduo de 180.
Quando for usado um ngulo de conduo menor que 90 (1/2 onda), e o menor que 180 (onda completa) deve-se determinar novo valor de IT (AV). Esse valor de IT (AV) ser tambm menor que o anterior. O valor de IT(AV) para onda completa senoidal e diferente do valor de IT(AV) para meia onda 1/2. O valor precisa ser determinado no grfico da figura 6 (a) e 7 (a). O ngulo de conduo dado por: = 1 + 2 (onda completa). - IT(RMS) - Valor da corente IT para corrente contnua. IT(RMS) = /2 . IT(AV) VI - Corrente de pico de curto-circuito (surge on-state current) Valor mximo de corrente permitida que possa passar pelo SCR num perodo de 1 ciclo. iguala aproximadamente 15 x IT(AV). VII - Queda de tenso esttica direta (on state voltage) a queda de tenso entre anodo e catoto quando SCR est em conduo.
Normalmente na ordem de 1,5V. VIII - Tempo de Desligamento (turn-off time) Aps a tenso de alimentao atingir 0 volts, necessrio esperar um certo tempo para aplicar novamente alimentao sem que o SCR entre em conduo. Isso ocorre porque, mesmo quando a alimentao atingir 0 volts, internamente o SCR no atingiu 0 volts, e, portanto, se for aplicado a alimentao logo depois ele ir conduzir. E) Circuito de Proteo: I - Circuito de Gate: a) Funes de R - Evitar gatilhamento por corrente de fuga devido a temperatura. - Ajudar a evitar gatilhamento por dv/dt. - Diminuir o tempo de turn-off time. - Valor tpico: R = 1 k. b) Funo de C - Retirar rudo de alta freqncia. c) Funo de D. - Evitar tenses negativas no Gate
II - Circuito para compensao de tenso indutiva da carga: a) Funo de C. - Compensar o efeito da indutncia no circuito. b) Funo de R. - Amortecer as oscilaes (tericas) devido indutncia e o capacitor C.
F) Funes Bsicas de um SCR: 1) Chave Esttica.
Vamos analisar o circuito da figura 10 quando a chave S esta fechada. A tenso no Gate (G) vai aumentando proporcionalmente ao aumento da tenso de alimetao. Quando atingir a tenso de disparo, o SCR entra em conduo e circula a corrente pela carga. No smi-crculo negativo o SCR fica cortado s conduzindo quando for atingido o valor de disparo (que positivo). O resistor R tem como finalidade limitar a corente de Gate.
Valor mxima de r = valor mximo da tenso de alimentao Corrente permitida de Gate
O valor prtico de R pouco maior do que o valor mximo por motivo de segurana.
II) Controle do ngulo de conduo: - ngulo de conduo de 180 a 90.
Circuito da figura 11 tem o mesmo funcionamento do circuito da figura 10. A nica diferena que temos agora o resistor R varivel, o que permite a mudana do ngulo de conduo do SCR controlando o nvel de tenso de Gate (e consequentemente o nvel da corrente IG). Pelas formas de onda da corrente G podemos notar que o valor de R para curva (1 maior do que o da curva 2) que maior do que o do curva 3.
R1 >R2 > R3 Assim sendo, podemos observar que o menor ngulo de conduo conseguido com esse circuito de 90 (1). E a variao mxima de aproximadamente 180 a 90:
- ngulo de conduo de 180 a 0.
1 O capacitor C carregado atravs de D2. 2 O capacitor C se descarregado por R1 e R2. 3 Descarga de C para R2 maior. 4 Descarga de C para R2 menor. Para melhor compreendermos o funcionamento do circuito da figura 12 vamos partir do ponto t = 0, indicado na figura 13. A partir deste instante o sinal de entrada inicia o semiciclo negativo polarizando o diodo D2 diretamente e D1 inversamente. Desta forma o capacitor C ir se carregar at que seja atingido o valor mximo negativo.
Quando a tenso sobre o capacitor atingir valor mximo, o diodo D2 no estar mais conduzindo. A partir deste instante o capacitor passa a se descarregar por R1 + R2. O diodo D1 continua polarizado reversamente pois a tenso do capacitor negativa em relao a (d). Depois que a tenso do ponto C atingir o valor positivo, D1 ir conduzir disparando assim o SCR. Podemos perceber que variando o valor de R2 varia-se tambm o tempo de descarga do capacitor, mudando ento o ngulo de conduo do SCR. G) Circuitos de Disparo: I - Circuito oscilador UJT. (unijuction transistor) Transistor de Unijuno (UJT)
O UJT basicamente uma barra de slicio, tipo N, onde pressionado um emissor, tipo P, mais perto da base 2. Desta forma obtm-se uma juno PN. Na figura 14 (a) podemos notar que existe uma barreira de potencial devido a juno PN (regio (#)). Para melhor compreendermos o funcionamento de UJT, vamos analisar a curva caracterstica da tenso VE x IE, como mostrado na figura 15. Existem 3 regies distintas na curva caracterstica da figura 15, a primeira a regio de corte ( de VE = 0 at atingir VP), a segunda a regio de resistncia negativa (de VP at Vv) e a terceira a regio de saturao.
Quando a tenso de emissor se iguala a VP, a juno do emissor se torna polarizada diretamente deixando circular uma pequena corrente de emissor que injeta um nmero suficiente de portadores de corrente no material N, reduzindo RB1 a um valor muito baixo. A corrente de emissor cai do valor de pico (DP) para a tenso de vale (Vv) a medida que sobre o valor de IE. Circuito oscilador UJT
Vamos supor a condio inicial em que o capacitor esteja de descarregado (Vc = 0). A partir do instante em que o circuito for ligado, o capacitor CE comea a se recarregar atravs do resistor RE, at atingir o valor de VP. A partir deste instante o UJT comea a conduzir (pois o ponto (a) tem potencial positivo em relao a base 1). Neste instante o valor da resistncia RB1 cai muito e a corrente de descarga do capacitor ser limitida praticamente por R1. O UJT continua conduzindo at que a tenso Ve caia abaixo do valor da tenso de vale, fazendo ento com que UJT entre em corte novamente. A partir da, o capacitor comea a se carregar novamente e o ciclo se repete e o circuito oscila. O valor de Vp dado por: Vp = . VEE + VD onde VD = 0,6 [V] da juno PN e VEE = tenso de alimentao O valor de (relao intrseca de posio) constante e varia normalmente de 0,5 a 0,8. O perodo de oscilao do circuito dado por: T = RE . CE . ln (1/1-) = 2,3 . RE .CE . log 1/1- Se for igual a 0,63 teremos que: T = RE .CE OBS.: 1 - Na forma de onda de VB1 da figura 16 (b), est presente uma componente contnua.
Isso se deve ao fato de que a resistncia entre B2 e B1 se finita, permitindo circular uma corrente que provoca uma queda de tenso sobre R1. 2 - O valor de R1 tem de ser pequeno ( R1 < 100) para que quando ligado ao Gate de SCR, a queda de tenso sobre o mesmo, no venha a disparar o SCR. 3 - Devido ao pequeno valor de R1, o tempo de descarga do capacitor (Tempo de conduo do UJT) muito pequeno. 4 - Normalmente no necessrio utilizar o resistor R2, mas quando colocado no circuito, serve como segurana evitando que a corrente de fuga aumente muito com o aumento da temperatura. II - Circuito de Disparo para SCR sincronizado com a rede: Este circuito sincroniza o primeiro pulso para gatilhar o SCR na frequencia de alimentao alternada. Sem o mesmo, o SCR seria gatilhado, em cada ciclo em tempos diferentes.
No circuito da figura 17 o diodo Zemer limita a tenso no semiciclo positivo em 12Volts. No ciclo negativo, D1 est polarizado reversamente. Portanto, a tenso Vab praticamente zero e o oscilador no tem alimentao.
Durante o semiciclo positivo o oscilador se comporta como explicado anteriormente. O resistor RE atua modificando o intervalo entre os pulsos permitindo um controle de conduo de 180 a 0. Neste caso o primeiro pulso de gatilhamento ocorrer sempre em sincronismo com a alimentao, pois, a cada semiciclo positivo, o primeiro pulso ocorrer com o mesmo intervalo de tempo que o primeiro do semiciclo positivo anterior. III - Transistor de Unijuno Programvel - PUT (Programable Unijunction Transistor)
O PUT, como o seu nome j diz, o componente que pode ser programado para disparar com determinada tenso. Para compreendermos o seu funcionamento, vamos analisar o circuito equivalente do PUT. (Figura 19 (c)). Entre o anodo e o Gate temos a juno emissor-base do transistor PNP. Como j sabemos, para que o transistor (PNP) conduza, potencial do emissor (anodo) tem que ser 0,6Volts maior que o potencial da base (Gate). Desta forma, se aplicarmos uma
determinada tenso no Gate (VG), o PUT conduzir quando o potencial do anodo for VG + 0,6 [V]. Assim sendo, possvel determinar o nvel de tenso para o disparo do PUT. Uma vez conduzido o PUT se mantm, at que a tenso entre anodo e catoto cai abaixo do nvel de vale (Vv), quando ento entra em corte novamente. (Figura 19 (d)). Circuito de Disparo com PUT
No circuito de disparo com PUT, a tenso no Gate definida pelo divisor de tenso formado por R1 e R2. VG = R2 . V R1+R2
e VP = VG + 0,6 [V] Quando a tenso do capacitor atingir VP (5,6[V], neste caso) o PUT conduzir descarregando o capacitor C, produzindo um pulso na sada. O intervalo de tempo entre cada pulso dado por: T = R . C . ln (1 + R2) R1 h) Exemplo de circuitos.
I - Chave de Corrente contnua
Quando usamos o SCR como chave de C.C., ns nos deparamos com grande problema, que o de desligar (cortar) o SCR , uma vez que este tenha sido disparado. O circuito da figura 21 nos permite ligar e desligar a alimentao da carga usando SCRs. Vejamos como funciona: - Com o circuito alimentado, movimentamos a chave S1 para aposio on (ligado). Desta forma, aplicamos uma tenso no Gate, que dispara o SCR1, alimentando assim a carga. Quando o SCR1 conduz (SCR2 est cortado) o potencial do ponto A vai praticamente a zero, enquanto que o potencial do ponto B permanece com +Vcc . - Quando for necessrio desligar a alimentao da carga basta mudarmos a posio S1 de on para off (desligado). Quando ns fazemos isso, disparado o SCR2, pois, haver agora a tenso no Gate de SCR2. Como a conduo de SCR2 muito rpida o potencial no ponto B passa rapidamente de +Vcc para aproximadamente zero volts. Como ns sabemos, um capacitor no muda instantaneamente a diferena de potencial entre suas placas, portanto, como C tender a manter a mesma diferena de potencial entre A e B, e B caiu de +Vcc para zero, implica que A tambm cai de zero para -Vcc. Esse pulso negativo no modo do SCR1 suficiente para cort-lo, desligando assim a alimentao da carga. - Se quisermos ligar novamente a alimentao da carga, basta mudarmos S1 para on, que o SCR1 conduzir provocando o mesmo efeito no capacitor (-Vcc em B), desligando SCR2. Os valores de R1, R2 e C, so calculados da seguinte forma: R1 > Vcc / IGm Onde: Vcc - alimentao do circuito IGm - corrente de Gate mxima
R2 < Vcc / IH
C = K . tq . I / Vcc
IH - corrente de conduo mnima K - fator de segurana (1,5 a 2) Tq - turn-off time do SCR I - corrente de carga do capacitor II - Controle de velocidade de um motor
O motor universal pode funcionar com correntes contnuas ou alternadas. Devido a isso, muito utilizada em enceradeiras, liquidificadores, mquinas de costura e furadeiras. Quando alimentado com uma tenso Va, este ir girar com uma determinada velocidade. Se retirarmos a alimentao ir aparecer entre os terminais A e B uma tenso Vb produzida pelo motor (como um gerador) e proporcional a velocidade do motor, contraria em sentido, a tenso Va. Funcionamento do circuito: Vamos analisar o circuito da figura 22, no instante em que ligarmos a alimentao. A situao inicial de que o SCR est cortado e o motor parado (consequentemente V2 = 0) o pontencimetro R2 est em sua posio intermediria.
- Sem o capacitor C1 Os resistores R1 e R2 fomam um divisor de tenso do ciclo positivo do sinal de alimentao (VAC). O diodo D1 est conduzindo no semiciclo positivo e cortado no negativo. Desta forma, a tenso V1 ser sempre uma parcela do semiciclo positivo do sinal de entrada. Como V1 acompanha o sinal da alimentao, e V2 inicialmente igual a zero, um pequeno valor de V1 proporcionar uma corrente de Gate que ir disparar o SCR logo no incio do semiciclo positivo de VAC. O motor ter ento, alimentao durante todo o semiciclo (o que implica dizer que fornecido maior potncia para a partida do motor). O motor comea a girar provocando assim um valor de V2 diferente de zero. Com a velocidade do motor estabilizada teremos as formas de onda mostradas na figura 23 (a) . A alimentao do motor agora no aplicada desde o incio do semiciclo. Isso acontece porque a tenso V1 tem que ser maior que V2 para disparar o SCR. Vamos supor agora, que ser aplicada uma carga no motor, isso provoca uma diminuio da velocidade do mesmo, e consequetemente V2 ser menor. Se o valor de V2 diminui, o SCR ser disparado mais cedo, que implica em alimentaodurante mais tempo sobre o motor (logo mais potncia) . Como foi fornecido maior potncia, o motor tender a manter a velocidade constante . Assim sendo, podemos controlar a velocidade domotor, variando o potencimetro R2 que determina ao nvel de V1, e portanto, tambm varia a velocidade domotor . Com o capacitor C1 Quando colocado o capacitor C1 que tem um valor elevado de capacitncia (ex: 10F), a tenso V1 ter a forma mostrada na figura 23 (b). O valor de R2 para V1 (S) maior que o de V1 (R) e a defesagem de V1 (S) para o sinal de entrada menor do que o de V1 (R). Logo, V1 atinge o valor de V2 em tempos diferentes fazendo o circuito funcionar como explicado anteriormente .
III - Carregador de bateria
Funcionamento do circuito: Vamos supor, inicialmente que SCR1 esteja cortado e que a bateria esteja descarregada (VBAT = VBi) . O resistor R2 e o diodo Zener (Dz) definem o nvel de conduo de SCR2 (V1). Como a tenso da bateria est com um valor pequeno (VBi) o SCR2 no disparado.
Quando ligamos a alimentao, o potencial do ponto (C) ser prximo do potencial do ponto (A) (devido ao SCR2 estar cortado). Desta forma, quando o potencial do ponto (C). Ultrapassar o potencial do ponto (B) (VBi), o SCR1 conduzir aplicando assim a alimentao sobre a bateria . (figura 25(b)) Quando o potencial do ponto B ultrapassar o nvel de tenso de V1, o SCR2 ser disparado fazendo com que o potencial do ponto C seja dividido por 2. (para o SCR2 conduzindo : VC = R3/R3 + R3 . VA VC = VA/2 . (Figura 25(d)) A tenso de alimentao passa por um ponto mximo e depois decresce. A bateria aumenta sua tenso pois recebeu carga. Com isso, quando a tenso cair a abaixo de VBAT, o potencial do ponto (3) ser mantido pela bateria (figura 25 (d)) Para o semiciclo 2 (figura 25 (a) ) , tudo se repete, apenas a tenso VBAT ser maior e o tempo de conduo de SCR1 ser menor (figura 25 (c) ) . No semiciclo 3, a tenso da bateria ultrapassa a tenso de V1 isso indica que quando a alimentao cair abaixo de V1, o SCR2 continuar conduzindo, e tambm durante o semiciclo 4 . Com o SCR2 conduzindo durante o semiciclo 4 , o potencial do ponto C no consegue ultrapassar o potencial do ponto B, de maneira que SCR1 no conduzir neste semiciclo. Supondo que durante o semiciclo 4 a bateria possa ter descarregado um pouco por R1 e R2 de modo que VBAT tenha cado um pouco abaixo de V1, para o semiciclo 5, teremos navamente o funcionamento explicado para o semiciclo 3. Desta forma, teremos carregado a bateria colocada no circuito. OBSERVAO: Na realidade uma bateria no adquiri carga com apenas 4 ou 5 semiciclo da alimentao. Para melhor compreeno a explicao foi feita como se tudo ocorresse em apenas 4 semiciclos. 1.2 - TRIAC
O TRIAC funciona com 2 SCRs em paralelo (figura 26 (b)) com sentidos de conduo contrrios. Esta a principal diferena do TRIAC para o SCR. A figura 27 ilustra a curva caracterstica de um TRIAC.
Existem 4 maneiras distintas para disparar um TRIAC com pulsos aplicados ao Gate. - Modo 1: Pulso positivo no Gate com T2 positivo; - Modo 2:Pulso negativo no Gate com o T2 positivo; - Modo 3:Pulso negativo no Gate com T2 negativo; - Modo 4:Pulso positico no Gate com T2 negativo. Normalmente o modo 4 menos usado. Isso porque apresenta menor sensibilidade de Gate (precisa de sinal maior no Gate para disparar). 1.3 - DIAC Existem casos de utilizao de TRIACs em tenso alternada, que se torna conveniente a utilizao de diodos com conduo controlada nos dois sentidos. Esses diodos so denominados de DIACs, e so construdos como mostrados na figura 28. O DIAC constitudo de duas sees PN e PN em anti - paralelo, o que permite fluir corrente nos dois sentidos. O DIAC no tem terminal de controle (Gate), tendo em vista que sua mudana de estado controlada pela tenso aplicada entre seus terminais. Os valores tpicos das tenses para ligar o DIAC esto entre 20 e 40 volts. A figura 28 (b) e (c) mostram o seu smbolo e sua curva caracterstica.stica.
1.4 - Exemplos de circuito a) Controle de intensidade de luz
Vamos supor que inicialmente o DIAC e o TRIAC esto cortados e a tenso VAC est no incio do semiciclo positivo; o capacitor C ir se carregar atravs de R1 e R2 at que seja atingida a tenso de conduo do DIAC. Com a conduo do DIAC o TRIAC recebe um pulso no Gate e comea a conduzir permitindo assim, que circule corrente de alimentao pela carga. O DIAC corta logo depois, porque com o disparo do capacitor se descarrega e a tenso do capacitor (VC) cai para prximo de zero. Quando a tenso de alimentao passar por zero. O TRIAC corta e s conduzir novamente quando o DIAC for disparado no semiciclo negativo. O valor mximo de R dado por: Rmax = VRmax / IRmax O valor mnimo dado por: Rmin = VRmin / IRmin
OBSERVAO: Podemos observar pelas formas de onda da figura 30, que haver um efeito de histerese no valor de conduo mnimo de TRIAC entre os sentidos de diminuio e aumento da intensidade da luz. Isto , o valor de R para o limite de mnima conduo do TRIAC quando diminumos a luz, maior do que o valor de R para o ponto de incio de conduo do TRIAC quando comeamos a aumentar a intensidade da luz, logo, possvel obtermos menor intensidades de luz do que quando comeamos a aumentar a luz.
No circuito da figura 29 estudamos o controle de luminosidade, mas com uma histerese entre os valores para a conduo de TRIAC vamos agora verificar como esta histerese pode ser diminuda . Vejamos agora o funcionamento da figura 31. Vamos comear no semiciclo positivo. O diodo D1 conduz enquanto D2 e D3 esto cortados fazendo com que o capacitor C se carregue por R1 e R2 . No instante ta, a tenso de um capacitor atinge a tenso de disparo do DIAC, e a tenso do capacitor (VC) faz com que D3 conduza . Desta forma, o capacitor C comea a se descarregar por R3 . A tenso no capacitor atinge (zero) 0 no instante tb. Este tempo corresponde ao limite mnimo de conduo do TRIAC para o sentido de diminuio de luminosidade (figura 32). Para o sentido de aumento da luminosidade, quando a tenso do capacitor VC fica maior do que a da entrada, o diodo D3 comea a conduzir (semiciclo positivo) e o capacitor se descarrega por R3 e R1 + R2 . VC atinge (zero) 0 V no instante tc . Apesar do valor de VC ser maior agora do que no caso anterior, tb est bem prximo de tc, pois o resistor que descarrega C muito pequeno . Assim, quase no haver histerese. (Para um semiciclo negativo tudo acontece da mesma maneira, apenas quem ir conduzir sero os diodos D2 e D4 e o resistor que o descarrrega C ser R4 e R1 + R2 (que igual a R3 e R1 + R2, pois R3 = R4).
c) Controle de luz com fotoresistor
- Fotoresistor - (ou LDR - Light Dependent Resistor) Um fotoresistor um componente cuja resistncia eltrica tem seu valor modificado pela ao da luz. Quando a luz incide seu valor de resistncia cai sensivelmente constituda de uma fina camada semicondutora sensvel a luz geralmente fabricada de sulfito de cdmio se for para ser usado na a faixa de radiaes visveis (ou sulfito de chumbo para radiaes infravermelhas). O fotoresistor possui as seguintes caractersticas - A sua resistncia diminui proporcionalmente ao aumento da intensidade da luz; - Suas caractersticas variam pouco com a variao de temperatura; - Alta sensibilidade na faixa de luz visvel; - Baixo custo. Funcionamento do circuito: Vamos partir da condio de que a luz incidindo sobre o fotoresistor. Desta forma, a resistncia do fotoresistor baixa e a tenso no ponto B maior que a do ponto A (nesta condio, A igual a aproximadamente 5,1[V] ). Com esta polarizao entre base e emissor o transistor Tr1 no conduzir. Fazendo com que Tr2 tambm esteja cortado . Como Tr2 est cortado, a corrente I2 no circula e, portanto, no h corrente no Gate do TRIAC mantendo-o cortado (luz apagada). Quando a luminosidade sobre o fotoresistor dimimui, sua resistncia aumenta isso faz com que a tenso no ponto B tambm diminua. Quando a tenso em B for aproximadamente 4,5 [V] , Tr1 ir conduzir fazendo com que Tr2 tambm conduza. Consequentemente o TRIAC entra em conduo acendendo a lmpada, pois a corrente I2 pode agora circular. Tr3 tambm conduz curto-circuitando a resistncia de 470 e fazendo com que a tenso no ponto A suba de 5,1 [V] para 6,8 [V] mantendo assim a conduo de Tr1 conduzindo. Esta condio de elevar o potencial para 6,8 [V] decorre da necessidade de eliminar a oscilao de
Tr1, quando ocorrem oscilaes em torno de 4,5 no ponto B. Aumentando novamente a luminosidade sobre o fotoresistor, sua resistncia diminura novamente. Quando a tenso no ponto B for maior que 6,8 [V], Tr1 ir cortar o mesmo acontecendo com Tr2 e Tr3 . A corrente I2 cai para zero e consequentemente no prximo semiciclo do sinal de entrada, o TRIAC no ter mais corrente no Gate e ficar cortado (lmpada apagada). Desta forma, temos o circuito automtico que liga uma lmpada quando no houver luz incidindo sobre o fotoresistor. d) Circuito utilizando o termistor: - Termistor: um componente que varia a sua resistncia com a temperatura constitudo de uma mistura de mangans, nquel, ferro, cobalto, cobre e outros, que forma uma cermica . Existem trs tipos de termistores : 1- NTC (Negative Temperature Coefficient) Termistor com coeficiente negativo de temperatura, isto , sua resistncia varia de maneira inversa com a temperatura. 2- PTC (Negative Temperature Coefficient Termistor com coeficiente positivo de temperatura, isto , sua resistncia varia proporcionalmente com a temperatura. 3- CTR (Critical Temperature Resistor) Termistor com coeficiente crtico de temperatura, isto , em uma determinada temperatura a resistncia abaixa rapidamente.
Funcionamento : Para melhor compreendermos o circuito vamos verificar primeiramente alguns pontos: - Circuito de pulso para gatilhamento do TRIAC
No circuito da figura 35, para ser possvel variar a freqncia dos pulsos na sada de 0,3 a 8,33 ms (T = meio perodo de 60 hertz ) precisaramos de um valor de R3max = 27 . R3min para o controle automtico, fica muito difcil obter uma variao de R3, portanto, vamos verificar uma maneira de conseguirmos obter esta variao com modificaes no circuito.
Este circuito apresenta alto ganho, o que no permite um controle de freqncia dos pulsos na sada. Uma pequena variao de R (no sentido de 0% a 100%), provoca um valor mximo na sada, isto , freqncia mxima de pulso . Portanto, este circuito ainda no permite obtermos um bom controle. - Circuito, rampa e pedestal
Neste circuito, a tenso sobre o capacitor sobe rapidamente at atingir V pedestal (V pedestal menor que VP). Quando a tenso no capacitor V pedestal - 0,6 [V], o diodo D1 no conduz
mais e o capacitor se carrega atravs de R1 (cujo tempo de carga (inclinao) depende do valor de R1). Desta forma podemos Ter o controle da variao da freqncia de pulso de 0,3 a 8,33 ms, como desejado. Depois que estudarmos um circuito para controle linear de freqncia de pulsos, vamos passar agora para o estudo do circuito da figura 34. Este circuito controla a alimentao sobre a carga, atravs do tempo de conduo do TRIAC . O tempo de conduo do TRIAC depende da freqncia de pulsos aplicados ao Gate. A freqncia de pulsos funo do resistor R1 e do termistor do circuito, rampa e pedestal que est no circuito da figura 34. Desta forma, supondo que a carga seja um aquecedor e que o termistor esteja dentro do ambiente aquecido pela carga, o circuito ir controlar a alimentao sobre o aquecedor pela variao do valor da resistncia do termistor. Com isso, no exemplo, obtemos um controle automtico de temperatura. OBSERVAO: O resistor R1 no est ligado ao resistor de 4,7k (figura 34) , como foi mostrado no circuito rampa e pedestal. Isso se deve ao fato de que esta ligao permite uma melhor linearidade no controle da temperatura.
EXERCCIOS 1. O que recombinao e por que ela ocorre? 2. O que camada de depleo e como ela se forma? 3. O que barreira de potencial e qual o seu valor para os diodos de silcio e germnio? 4. O que acontece com os portadores majoritrios na polarizao direta? 5. Por que os portadores no circulam pelo diodo na polarizao reversa? 6. O que corrente de fuga? 7. Explique quais so as principais especificaes do diodo semicondutor, destacando-se na sua curva caracterstica. 8. Determine a reta de carga, o ponto quiescente e a potncia dissipada pelo diodo no circuito abaixo, dada a sua curva caracterstica.
9. Esquematize os trs modelos do diodo do exerccio anterior, calculando, inclusive, o valor de RD e determine os pontos quiescentes resultantes com uma anlise dos resultados. 10. O circuito abaixo apresenta um problema. Identifique-o, propondo uma soluo.
11. Identifique a condio das lmpadas (I, II ou III) no circuito abaixo:
Condies: I - Lmpada acende II - Lmpada no acende III - Lmpada acende com sobrecarga de tenso podendo danificar. Especificaes das lmpadas: VL = 6V PL = 120m 12. Determine Eo na figura abaixo:
13. Determine Eo na seguinte figura:
14. A figura abaixo mostra um transformador com relao de espiras N1/N2 = 55 e com tenso no primrio de 110V(rms) ligado a um retificador de meia onda (diodo de germnio) com uma carga de 40. Considerando o valor de V do diodo (modelo 2), determine:
a) As formas de onda das tenses na carga e no diodo com suas respectivas amplitudes; b) A tenso mdia da carga; c) A corrente mdia na carga; d) As especificaes do diodo. 15. A figura mostra um transformador com tenso no secundrio de 30V(rms) ligado a um retificador de onda completa com derivao central (diodo de silcio) com uma carga de 300W. Utilizando o modelo 1 para os diodos, determine:
a) As formas de onda das tenses na carga e nos diodos com suas respectivas amplitudes; b) A tenso mdia na carga; c) A corrente mdia na carga; d) As especificaes do diodo. 16. Refaa o exerccio proposto 15, utilizando um retificador de onda completa em ponte. Compare e analise os resultados. 17. Explique o efeito avalanche no diodo e justifique por que no diodo zener no ocorre a ruptura da juno PN. 18. Dados o circuito abaixo e a curva caracterstica do diodo zener, trace a reta de carga, determine o ponto quiescente e calcule a potncia dissipada pelo diodo zener.
19. O que acontece quando a resistncia limitadora de corrente do circuito do exerccio proposto 18 dobra de valor? 20. Determine analiticamente o ponto quiescente e a potncia dissipada pelo diodo zener no circuito a seguir.
21. Qual o problema apresentado pelo circuito abaixo e que soluo a mais adequada?
22. Determine os valores mximo e mnimo da resistncia limitadora de corrente para que o diodo zener funcione corretamente.
23. Determine RS dos reguladores de tenso a seguir:
24. Determine os valores mximo e mnimo da tenso de entrada, do circuito abaixo para que o diodo zener funcione corretamente.
25. Um transistor na configurao EC tem as seguintes curvas caractersticas:
Completar a tabela a seguir (com valores aproximados), para cada uma das situaes:
26. Polarize o transistor ( = 150) do circuito a seguir no ponto quiescente: V CEQ = 7V, I CQ = 50mA e V BEQ = 0,7V.
27. Determine RB e os demais valores do ponto quiescente do transmissor do circuito a seguir, de forma que a tenso entre coletor e emissor seja metade da tenso de alimentao.
28. O potencimetro RB foi ajustado para que o ampermetro e o voltmetro marquem, respectivamente, 320A e 4V. Determine :
a) Reta de carga VCEQ = VCC/2; b) Corrente de Saturao; c) e do transistor .
29. Mostre na curva caracterstica de sada do exerccio anterior. O que acontece com o ponto quiescente, quando o transistor impe as correntes de base de 400A e de 160A. 30. Polarize o transistor ( = 180) do circuito a seguir no ponto quiescente VCEQ = VCC/2, ICQ= 40mA e VBEQ = 0,68V. Utilize os valores comerciais mais prximos para os resistores. VRB = Vcc/10
31. Polarize o transistor PNP ( = 220) do circuito a seguir no ponto quiescente VECQ = VCC/4, IEQ= 55mA e VEBQ = 0,7V. Utilize os valores comerciais mais prximos para os resistores. VRB = Vcc/10
32. Determine os resistores de polarizao do transistor ( = 120) do circuito a seguir no ponto quiescente VCEQ = VCC/3, ICQ= 18mA e VBEQ = 0,7V. Utilize os valores comerciais mais prximos para os resistores. VRB = Vcc/10 IRB1 = 10* IB
33. Qual o equivalente Thvenin do circuito do exerccio anterior? 34. Um transistor tem a curva caracterstica de sada mostrada a seguir. Deseja-se polariz-lo com IBQ = 20A e VBEQ = 0,7V. Determine: a) VCEQ, ICQ e IEQ; b) e do transistor; c) Relao entre RB1 e RB2.
35. Polarize um transitor num circuito com divisor de tenso na base, sendo: VCC = 12V, VCEQ= VCC/2, ICQ = 150mA, VBEQ = 0,7V e = 200. Adote VRE = VCC/10. 36. Qual a funo dos capacitores C1, C2 e C3 no esquema abaixo?
37. Como feito e qual a importncia do casamento de impedncias entre uma fonte de sinal AC e um amplificador? 38. A figura a seguir, representa um amplificador. Determine vL, i1, iL, Ap(dB) e Ai.
39. Classifique os amplificadores A1, A2 e A3 quanto amplitude e freqncia dos sinais, baseando-se nos seguintes dados: A1: vBE = 2mV; A2: pC = 20W; A3: iC = 2A; iC = 50mA; f = 500MHz; f = 120KHz vCE = 5V; f = 10KHz
40. Calcular o ganho do A.O. realimentado:
41. No circuito a seguir, o A.O. ideal, calcular o ganho.
42. No circuito a seguir, sabe-se que V1 = 0,5V e Vo = 10V e o A.O. ideal. Calcule o ganho de dB.
43. No exerccio anterior se adotarmos R1 = 220, qual dever ser o valor de R2, sem que alteremos o valor do ganho?
44. No circuito a seguir, determine o valor de Vo em Volts.
45. Calcule o valor de Vo, no esquema a seguir:
46. No circuito esquematizado a seguir, pede-se: a) A corrente na carga mA; b) O valor da carga RL em
47. No circuito esquematizado, qual o valor de Vo?
48. Determine o valor de R que Vo = -5V, no circuito esquematizado a seguir:
49. Projete um circuito que execute a funo: f (x, y, z) = 5x + 2z + 4y Utilizar um amplificador operacional.
50. No circuito a seguir esboce Vo x t.
51. Apresentar um circuito que sintetize a funo f (x, y, z) = 6x - 8y + 2z

52. A figura 21-29a mostra um smbolo alternativo para um diac. O diac MPT32 se interrompe quando a tenso do capacitor atinge 32V. O capacitor leva exatamente uma constante de tempo para atingir essa tenso. Quanto tempo depois da chave estar fechada o triac se liga? Qual o valor ideal da corrente da porta quando o diac se interrompe ? Qual o valor da corrente de carga depois do triac ter sido fechado? 53. A freqncia da onda quadrada na figura 21-29b de 10kHz. O capacitor leva exatamente uma constante de tempo para atingir a tenso de interrupo do diac. Se o MPT32 se interromper em 32V, qual o valor ideal da corrente da porta no instante em que o diac se interrompe ? Qual o valor da corrente de carga ideal?
54. O UJT da figura 21-30a tem um de 0,63. Permitindo uma tenso de 0,7V atravs do diodo emissor, qual o valor de V necessrio apenas para ligar o UJT? 55.A corrente de vale do UJT da figura 21-30a de 2mA. Se o UJT for chaveado, temos que reduzir V para obter o desligamento por baixa corrente. Fazendo 0,7V passar atravs do diodo emissor, qual o valor de V necessrio apenas para abrir o UJT? 56. A razo de afastamento intrnseca do UJT da figura 21-30b de 0,63. Desprezando a queda atravs do diodo emissor, quais as freqncias de sada mnima e mxima?

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Wenceslau de Oliveira (CST)

SENAI Servio Nacional de Aprendizagem Industrial

__________________________________________________________________________________________ CST 2 Companhia Siderrgica de Tubaro

__________________________________________________________________________________________ CST 4 Companhia Siderrgica de Tubaro

Um tomo possui no mximo 7 (sete) camadas, assim denominadas: k, l, m, n, o, p, conforme abaixo:

__________________________________________________________________________________________ Senai 5 Departamento Regional do Esprito Santo

__________________________________________________________________________________________ CST 6 Companhia Siderrgica de Tubaro

__________________________________________________________________________________________ Senai 7 Departamento Regional do Esprito Santo

__________________________________________________________________________________________ CST 8 Companhia Siderrgica de Tubaro

As formas fsicas de alguns diodos de juno, mostramos na figura abaixo.

__________________________________________________________________________________________ CST 12 Companhia Siderrgica de Tubaro

2) Para Vd = 0, temos: E= 0 + I . R I = E . (que o ponto do eixo das ordenadas) R

__________________________________________________________________________________________ Senai 15 Departamento Regional do Esprito Santo

2.7.2 - Modelo 2 - Diodo com V

__________________________________________________________________________________________ CST 16 Companhia Siderrgica de Tubaro

__________________________________________________________________________________________ CST 18 Companhia Siderrgica de Tubaro

__________________________________________________________________________________________ Senai 19 Departamento Regional do Esprito Santo

Polarizando o transistor, teremos as tenses e corrente indicadas na figura abaixo.

__________________________________________________________________________________________ CST 20 Companhia Siderrgica de Tubaro

__________________________________________________________________________________________ Senai 21 Departamento Regional do Esprito Santo

__________________________________________________________________________________________ CST 22 Companhia Siderrgica de Tubaro

__________________________________________________________________________________________ Senai 23 Departamento Regional do Esprito Santo

__________________________________________________________________________________________ CST 24 Companhia Siderrgica de Tubaro

Vamos considerar o seguinte circuito:

__________________________________________________________________________________________ Senai 29 Departamento Regional do Esprito Santo

__________________________________________________________________________________________ CST 30 Companhia Siderrgica de Tubaro

A variao de VBE com a temperatura desprezvel ( por exemplo: o aumento da temperatura

Circuito de polarizao EC com corrente de emissor constante.

Polarizao EC com Corrente de Emissor Constante

__________________________________________________________________________________________ CST 32 Companhia Siderrgica de Tubaro

PRC = RC*ICQ2 = 82*(100*10-3)2 = 0,82W Clculo de RB :

Circuito de polarizao EC com divisor de tenso na base

A anlise feita a seguir, refere-se ao transistor NPN.

Reta de Carga na Configurao EC

__________________________________________________________________________________________ CST 36 Companhia Siderrgica de Tubaro

__________________________________________________________________________________________ CST 38 Companhia Siderrgica de Tubaro

Portanto, o circuito de polarizao fica como mostra a figura:

__________________________________________________________________________________________ Senai 39 Departamento Regional do Esprito Santo

__________________________________________________________________________________________ CST 40 Companhia Siderrgica de Tubaro

2.2 - A corrente no FET tipo juno Vamos considerar o circuito:

__________________________________________________________________________________________ Senai 41 Departamento Regional do Esprito Santo

__________________________________________________________________________________________ CST 42 Companhia Siderrgica de Tubaro

Determinao da Reta de Autopolarizao

-VGS = RS . ID RG . IG Como IG praticamente nula devido alta impedncia de entrada, tem-se:

__________________________________________________________________________________________ Senai 43 Departamento Regional do Esprito Santo

Anlise das tolerncias do JFET

Determinao dos resistores de polarizao

de RS e RD do circuito de autopolarizao para IDQ = 1mA e VDSQ = 15V .

Determinao da reta de autopolarizao: 1 Ponto: Q 2 Ponto: Origem

PD = VDSQ* IDQ = 14*1*10-3 = 14mW --------- /// ---------

( menor que PDmax )

IDSS ( mA ) VP ( V ) Clculo de RS:

__________________________________________________________________________________________ CST 46 Companhia Siderrgica de Tubaro

__________________________________________________________________________________________ Senai 47 Departamento Regional do Esprito Santo

O mesmo princpio aplicado ao MOSFET tipo depleo de canal P.

__________________________________________________________________________________________ Senai 49 Departamento Regional do Esprito Santo

__________________________________________________________________________________________ CST 50 Companhia Siderrgica de Tubaro

__________________________________________________________________________________________ Senai 51 Departamento Regional do Esprito Santo

__________________________________________________________________________________________ CST 52 Companhia Siderrgica de Tubaro

Podemos representar as tenses de entrada e sada conforme figura abaixo.

__________________________________________________________________________________________ Senai 53 Departamento Regional do Esprito Santo

PRC = RCICQ2 = 82(100*10-3)2 = 0,82W Clculo de RB :

PD = VDSQ* IDQ = 14110-3 = 14mW --------- /// ---------