IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor) Introduo Desde a inveno do primeiro tiristor de juno PNPN, pelos laboratrios Bell

em 1957, houve um grande avano nos dispositivos semicondutores de potncia. Para serem aplicados em sistemas de elevada potncia e substiruirem as rudimentares valvular ignitron phanotron e thyratron, os dispositivos semicondutores devem ser capazes de suportar grandes correntes e elevadas tenses reversas em seu chaveamento. Alm disso, em varias aplicaes de eletrnica de potencia, h necessidade de uma operao em elevadas freqncias de chaveamento dos dispositivos semicondutores, como por exemplo, os inversores de tenso, necessrios para a construo de filtos ativos de potencia. Dessa forma, os dispositivos semicondutores devem possuir vaixas perdas de potencia durante o chaveamento. At 1970, os tiristores convencionais foram exclusivamente usados para o controle de potncia em aplicaes industriais. Desde 1970, vrios tipos de dispositivos semicondutores de potencia foram desenvolvidos e se tornaram disponveis comercialmente. Estes dispositivos podem ser amplamente dividos em cinco tipos: os diodos de potncia, os tiristores, os transistores bipolares de juno de potncia, os MOSFETs de potncia, os SITs, (Static Induction Transistor ) e os IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor). O IGBT rene a facilidade de acionamento dos MOSFETs e sua elevada impedncia de entrada com as pequenas perdas em conduo dos TBP (Transistores Bipolares de Potncia). Sua velocidade de chaveamento determinada, a principio, pelas caractersticas mas lentas as quais so devidas s caractersticas do TBP. Assim, a velocidade dos IGBTs semalhante dos TBP; no entanto, nos ltimos anos tem crescido gradativamente, permitindo a sua operao em freqncias de dezenas de kHz, nos componentes para correntes na faixa de dezenas at centenas de Ampres. O IGBT, um componente que se torna cada vez mais recomendado jpara comutao de carga de alta corrente em regime de alta velocidade. A estrutura de um tpico IGBT de canal tipo N. Apresentarei aqui assuntos relacionados com o dispositivo de canal tipo N, pois o canal tipo P anlogo e possui uma operao fsica dual quela apresentada para o de canal tipo N. Sua esturura muito semelhante quela apresentada por um transistor MOSFET. Onde, no caso o IGT, teremos uma dupla difuso de um aregio do tipo P e uma do tipo N. Abaixo da regio da porta (Gate), uma camada de inverso pode ser formada a partir da aplicao de uma certa tenso entre a porta e o emissor (emitter), tal como feito em um MOSFET para fase-lo entrar em conduo. A principal diferena entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET a incluso de um substrato P+ (O smbolo + foi colocado para indicar que esta regio fortemente dopada, enquanto que o smbolo - indica que a regio fracamente dopada) onde conectado o terminal de coletor (collector). Esta mudana tem como efeito a incluso de caractersticas bipolares ao dispositivo. Esta camada P+ tem como

objetivo a incluso de portadores positivos lacunas na regio de arrastamento (Drift region) como feito em um transistor bopolar do tipo pnp. Na estrutura do IGBT, importante notar que o terminal de porta est conectado duas regies isoladas do material semicondutor atravs de uma camada isolante de xido de silcio (SiO) ao invs de ser apenas uma regio como costumamos ver em MOSFETs. O IGBT frequentemente utilizado como um achave, alternando os estados de conduo (On-state) e corte (Off-state) os quais so controlados pela tenso de porta, assim como em um MOSFET. Se aplicarmos uma pequena tenso de porta positiva em relao ao emissor, a juno J1 ela ficar reversamente polarizada e nenhuma corrente ir circular atravs dessa juno. No entanto, a aplicao de uma tenso positiva no terminal de porta far com que se forme um campo eltrico na regio de xido de silcio responsvel pela repulso das lacunas pertencentes ao substrato tipo P e a atrao de eltrons livres desse mesmo substrato para a regio imediatamente abaixo da porta. Enquanto no houver conduo de corrente na regio abaixo dos terminais de porta, no haver conduo de corrente entre o emissor e o coletor porque a juno J2 estar reversamente polarizada, bloqueando a corrente. A nica corrente que poder fluir entre o coletor e o emissor ser a corrente de escape (leakage). Uma caracterstica desta regio de operao a tenso direta de breakdown, determinada pela tenso breakdown da juno J2. Este um fator extremamente importante, em particular para dispositivos de potncia onde grandes tenses e correntes esto envolvidas. A tenso de breakdown da juno J2 dependente da poro mais fracamente dopada da juno, isto , a camada N- . Isto se deve ao fato de que a camada mais fracamente dopada resulta em uma regio de depleo desta juno mais larga. Uma regio de depleo mais larga implica em um valor mximo de campo eltrico na regio de depleo que o dispositivo poder suportar sem entrar em breakdown mais baixo, o que implica no fato de que o dispositivo poder suportar altas tenses na regio de corte. Esta a razo pela qual a regio N- da regio de arrastamento mais levemente dopada que a regio tipo P da regio de corpo (Body). Os dispositivos prticos geralmente so projetados para possurem uma tenso de breakdown entre 600 V e 1200 V. Os IGBTs so componentes usados principalmente como comutadores em conversores de freqncia, inversores etc. Nestas aplicaes, normalmente uma carga indutiva ligada e desligada, podendo com isso aparecer tenses inversas elevados, contra as quais o dispositivo deve ser protegido. Essa proteo feita com o uso de diodos ligados em paralelo com o coletor e o emissor para evitar que uma elevada tenso reversa seja aplicada ao IGBT. Quando o IGBT liga novamente, o fluxo de corrente no diodo funciona inicialmente como se fosse praticamente um curto. A carga armazenada tem que ser removida inicialmente para que o diodo bloqueie a tenso. Isso faz com que aparea uma corrente que se soma corrente de carga a qual chamada de corrente reversa de recuperao do diodo IRR. O mximo de corrente IRR ocorre quando a soma das tenses instantneas sobre o IGBT e o diodo se iguala tenso de alimentao. Quando o IGBT desliga, o resultado uma variao de corrente, e isso faz com que o pico de sobretenso aparea devido variao de corrente nas indutncias

parasitas. Este pico de tenso responsvel por perdas e exige um aumento no tempo morto entre a conduo de dois dispositivos semelhantes quando usados numa configurao de meia-ponte, como o que ser mostrado no exemplo de aplicao desse dispositivo.

Aplicaes de IGBT Um Inversor de Tenso.

Uma das aplicaes de IGBT que mais so utilizadas em eletrnica de potncia a construo de inversores de tenso, os quais produzem tenso alternada atravs de tenso contnua. Tal processo muito utilizado na construo de filtros ativos de potncia e em sistemas de transmisso HVDC (High Voltage Direct Current) de energia eltrica. A Usina de Itaipu pertencente ao Brasil e ao Paraguai (que durante muitos anos foi a maior usina hidreltrica do mundo) produz energia com o sistema de corrente alternada, sendo que metade da produo (pertencente ao Brasil) gerada em 60Hz e a outra metade (pertencente ao Paraguai) gerada em 50Hz. No entanto, boa parte da energia produzida pela parte paraguaia vendida ao Brasil que consome tenso alternada em 60Hz. O problema foi resolvido instalando-se um retificador de potncia que transforma a tenso a ser transmitida em tenso contnua e a energia transmitida em DC at os centros consumidores (o principal a cidade de So Paulo) onde novamente alternada, agora em 60Hz para ser enviada aos transformadores que iro abaixar a tenso para a distribuio entre os consumidores de energia. Este inversor de tenso pode geralmente ser construdo com o uso de GTOs (Gate Turn-Off Thyristor) ou IGBTs. No caso de inversores de tenso que sero aplicados na construo de filtros ativos de potncia d-se preferncia ao emprego de IGBTs devido sua possibilidade de operar em elevadas freqncias.