Diodos Semiconductores

LIC.
EN FSICA ELECTRNICA
Curso 03-04 Tema 2
F. MUGARRA, DEP. DENGINYERIA ELECTRNICA
FACULTAT DE FSICA Universitat de Valncia
1
TEMA 2. DIODOS SEMICONDUCTORES.

2.1. Tensin de contacto en una unin PN.

Si se forma una barra semiconductora extrnseca con simetra axial sobre el eje
longitudinal, de forma que al fabricarla se ha dopado media barra con una concentracin
impurezas aceptoras N
A
y la otra mitad con una concentracin de impurezas dadoras
N
D
, se ha obtenido una unin PN, es decir lo que se denominar un diodo de unin
PN, figura 2.1.

Fig. 2.1

En el equilibrio trmico, en el seno del semiconductor P habr una concentracin de
huecos p
p0
, portadores mayoritarios, y en el seno del semiconductor N la concentracin
de huecos ser p
n0
, portadores minoritarios. Estas concentraciones, en un intervalo de
temperaturas muy amplio alrededor de la temperatura ambiente, son funcin del dopado
existente en cada zona de la barra segn las expresiones:

D
2
i
0 n
2
i
0 n
A 0 p
N
n
n
n
p
N p

(2-1)

En el ltimo apartado del tema anterior se vio que en una barra semiconductora en la
que en dos puntos de la misma, a y b, haba concentraciones de portadores diferentes,
p(a) y p(b), entre dichos dos puntos exista una diferencia de potencial dada por:

) b ( p
) a ( p
ln V V
T ba
(2-2)

Aplicando esta expresin a dos puntos de la barra tal que uno est en la zona P y el otro
en la zona N, resulta:

2
i
D A
T
0 n
0 p
T T ba
n
N N
ln V
p
p
ln V
) b ( p
) a ( p
ln V V (2-3)

P N
N
A
N
D
ELECTRNICA LIC. EN FSICA
Tema 2 Curso 03-04

2
Como es de suponer dicha barrera de potencial se ha formado en la unin de las zonas
P y N, y a dicho potencial se le denomina como V
0
. Pero ser conveniente analizar que
es lo que ha ocurrido en la zona de la unin de ambos tipos de semiconductor extrnseco
para que se haya formado esta barrera de potencial.

Para tratar de entenderlo se supondr que inicialmente se tienen dos barras
semiconductoras extrnsecas, una P y otra N, y que en un instante dado se unen. A partir
de ese instante, debido al gradiente de portadores que hay en la unin, p
p0
>> p
n0
y n
n0

>> n
p0
, habr una difusin de huecos de la zona P hacia la N y de electrones de la zona
N hacia la P. A medida que esto ocurre, en la zona ms prxima a la unin van
desapareciendo los portadores de carga por recombinacin y slo quedan las cargas fijas
de las impurezas que se denominarn cargas descubiertas, cargas negativas en la zona
P y positivas en la zona N.

Las cargas descubiertas crean un campo elctrico en la zona de la unin que da lugar a
la existencia de la barrera de potencial en la zona. El equilibrio se alcanza cuando el
valor de la barrera de potencial es suficiente para mantener el gradiente de
concentracin de portadores existente entre ambas zonas semiconductoras, y su valor V
0

depende de la temperatura y de los niveles de dopado.

Fig. 2.2

La zona prxima a la unin se ha quedado sin portadores libres de carga, con las cargas
fijas de las impurezas, figura 2.2, y por ello a dicha zona se la denomina zona de
deplexin, zona de agotamiento o zona de cargas descubiertas.

2.2. Concentracin y corriente de portadores minoritarios en funcin de la tensin
aplicada a una unin pn.

Si ahora se aplica una diferencia de potencial positiva entre los extremos de la unin
mediante una pila externa V
F
, figura 2.3, la barrera de potencial en la unin bajar en
dicho valor.

La disminucin de la barrera rompe el equilibrio y provoca que aumente el paso de
huecos de P a N y de electrones de N a P. Esto equivale a una inyeccin de
portadores minoritarios: huecos en N y electrones en P.

N
A

P
N
D

N
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Curso 03-04 Tema 2
3

Fig. 2.3

Segn se vio en el tema anterior esta inyeccin de portadores minoritarios da lugar a un
gradiente de stos con decrecimiento exponencial. En el caso de los huecos en la zona N
ser:

0 n n
'
n
L
x
'
n
'
n
p ) x ( p ) x ( p e ) 0 ( p ) x ( p
p

(2-4)

Dando lugar a una corriente de difusin de huecos, que en la entrada de la zona N ser:

) 0 ( p
L
D A q
dx
) 0 ( dp
D A q ) 0 ( I
'
n
p
p
n
p pn
(2-5)

Si V
F
es el potencial aplicado externamente a la unin:

T
F
T
0
T
F 0
V
V
0 n n
V
V
p 0 n
V
) V V (
p n
e p ) 0 ( p
e ) 0 ( p p
e ) 0 ( p ) 0 ( p
(2-6)

Luego la corriente de difusin de huecos en el inicio de la zona N valdr:

N
A

P
N
D

N
huecos electrones
V
F

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4

( )
,
_
1 e p
L
D A q
p ) 0 ( p
L
D A q
) 0 ( I
T
F
V
V
0 n
p
p
0 n n
p
p
pn
(2-7)

Similarmente en la zona P, la inyeccin de electrones, portadores minoritarios, da lugar
a una corriente de difusin, que en la entrada de la zona P tomar la expresin:

,
_
1 e n
L
D A q
) 0 ( I
T
F
V
V
0 p
n
n
np
(2-8)

Por tanto la corriente total que atraviesa la unin ser:

,
_
,
_
,
_
+ +
1 e I I
1 e
L
n D
L
p D
A q ) 0 ( I ) 0 ( I I
T
F
T
F
V
V
0
V
V
n
0 p n
p
0 n p
np pn
(2-9)

Donde I
0
se denomina corriente inversa de saturacin:

,
_
,
_
+
A n
n
D p
p
2
i
n
0 p n
p
0 n p
0
N L
D
N L
D
n A q
L
n D
L
p D
A q I (2-10)

la cual es funcin de la geometra de la unin, nivel de dopado y con una fuerte
dependencia trmica.

El nombre con que se denomina a esta corriente es fcil de deducir ya que si se polariza
inversamente la unin y se aumenta paulatinamente esta polarizacin inversa, la
corriente en la unin se satura rpidamente tomando el valor -I
0
.

Cuando se calcula la corriente de difusin de huecos en la zona N, se calcula a la
entrada de la zona, x = 0, pero esta corriente de difusin, fijndose en la expresin de la
cual proviene, decae exponencialmente a medida que penetramos en el semiconductor
N. La expresin que toma la corriente de difusin de huecos a lo largo de la zona N
ser:

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5

p p
L
x
pn
L
x
'
n
p
p
pn
e ) 0 ( I e ) 0 ( p
L
D A q
) x ( I

(2-11)

Como se acaba de ver, la corriente de difusin de huecos que entra en la zona N va
decreciendo exponencialmente a medida que se avanza a lo largo de dicha zona.

Pero la corriente total debe ser la misma en cualquier seccin de la barra
semiconductora, por tanto este decaimiento de la corriente de difusin de huecos debe
ser compensada por una corriente de desplazamiento de electrones hacia la unin, y tal
que en cualquier seccin de la barra semiconductora N se cumpla:

,
_
+ 1 e I ) x ( I ) x ( I I
T
F
V
V
0 nn pn
(2-12)

Un razonamiento similar se puede establecer en la barra semiconductora P.

Estos razonamientos sern vlidos supuesta una recombinacin de portadores nula en la
zona de cargas descubiertas. Esto es bastante cierto en el caso del Ge, pero no as en el
del Si, por ello la ecuacin anterior se modifica introduciendo un parmetro corrector :

,
_

1 e I I
T
F
V
V
0
(2-13)

donde = 1 para el Ge y = 2 para el Si con intensidades de corriente dbiles. Para
corrientes de conduccin intensas = 1 en el Si.

De la relacin tensin-corriente que se ha deducido tericamente se puede obtener una
grfica que en los aspectos ms importantes coincide con la que se puede obtener
experimentalmente de cualquier unin PN, en el futuro a dicho dispositivo se le
denominar diodo.

En la figura 2.4 se representa la curva I-V del diodo 1N4148, en la regin de
polarizacin directa, obtenida con el simulador Pspice, este es uno de los diodos que
ms se usan en el diseo de cualquier sistema electrnico.

Tema 2 Curso 03-04

6

Fig. 2.4

En polarizacin inversa la corriente del diodo alcanza rpidamente la corriente de
saturacin inversa, para el diodo 1N4148 unos nanoamperios, aunque al aumentar la
polarizacin inversa la corriente aumenta algo debido fundamentalmente a las corrientes
superficiales de prdidas. Si la polarizacin inversa se lleva ms all de 100 V, se vera
que a partir de esta tensin el diodo se dispara a conducir, se ha alcanzado la tensin de
ruptura inversa, tensin Zener. Esta tensin se tratar con detalle posteriormente al
hablar del diodo Zener.

En la zona de polarizacin directa cabe destacar la tensin V
, a partir de la cual el
diodo conduce de forma apreciable. Se toma V
como el valor de V que da una corriente

de conduccin del 1% del valor nominal mximo, tpicamente V
toma un valor de 0,1V

a 0,2V para el Ge y 0,5V a 0,6V para el Si. En la resolucin de problemas se suele
tomar como valores V
: 0,15 V para el Ge y 0,5 V para el Si.

La relacin exponencial de I con V para polarizacin directa por encima de V
, se
conserva hasta un cierto valor de I en que pasa a ser cuasi lineal: la resistencia de los
cuerpos semiconductores empieza a imponer su ley.
La corriente de saturacin inversa I
0
, depende de la temperatura. La relacin terica de
esta corriente con la temperatura es de un incremente del 8%/C, pero hay componentes
de I
0
que no son funcin de la temperatura, como fugas superficiales, que hacen que
experimentalmente se rebaje a un 7%/C, como:
(1,07)
10
2 (2-14)
10
T T
1 0 2 0
1 2
2 ) T ( I ) T ( I
(2-15)

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7
I
0
se duplica cada diez grados centgrados, pero se ha de tener en cuenta que a 300K la
cada de tensin en la unin disminuye con la temperatura en 2,2 mV / C, lo cual
compensa en parte el incremento de I
0
.

2.3. Resistencia dinmica del diodo.

Otro aspecto importante a considerar en el diodo es la resistencia dinmica en el punto
de funcionamiento en que est trabajando ste, es decir como vara la tensin al variar la
corriente en un punto de funcionamiento dado, tanto en polarizacin directa como
inversa.

La resistencia dinmica del diodo es por tanto la relacin:

dI
dV
r (2-16)

En polarizacin inversa, y antes de alcanzar la tensin Zener, r toma un valor muy alto.
En polarizacin inversa y por encima de la tensin Zener, r toma un valor muy bajo. En
polarizacin directa, y por encima de V
, r es muy baja:

I
V
dI
dV
r
T
(2-17)

Como V
T
, a temperatura ambiente, se suele aproximar por 25 mV. La expresin 2-17
permite evaluar en funcin del grado de conduccin. Para una corriente de 25mA ,
ya debera de haber bajado a un valor de 1, y por tanto r debera tomar un valor muy
prximo a 1 , pero la resistencia de los cuerpos semiconductores pueden complicar la
medida.

2.4. Capacidades en un diodo.

La distribucin de cargas en un diodo tanto en polarizacin directa como en
polarizacin inversa sugiere un comportamiento con aspectos capacitivos del diodo.

El comportamiento de un diodo en polarizacin directa y en polarizacin inversa es muy
distinto, por tanto es de esperar que tambin sea muy distinta la capacidad equivalente
en ambos estados. Por ello se estudiar separadamente el comportamiento capacitivo del
diodo en ambos tipos de polarizacin.

2.4.1 Capacidad de un diodo polarizado inversamente: Capacidad de carga
espacial.

Se iniciar el estudio analizando el comportamiento capacitivo de un diodo polarizado
inversamente. Con polarizacin inversa la barrera de potencial en la unin aumenta en
el valor de la tensin inversa aplicada al diodo. En estas condiciones la zona de
agotamiento o carga espacial aumenta su profundidad.
Tema 2 Curso 03-04

8
Con polarizacin inversa la capacidad que tiene la unin se denomina capacidad de
carga espacial, C
T
, y se define como una capacidad incremental:

dV
dQ
C
T
T
(2-18)

Partiendo de la suposicin de que el diodo es de unin abrupta, es decir que los niveles
de dopado son constantes en ambas zonas y que la transicin de una zona a otra se
realiza abruptamente, si las concentraciones de dopado son: N
A
en la zona P y N
D
en la
zona N, dado que en la zona de cargas descubiertas de ambas zonas debe de haber la
misma cantidad total de carga descubierta, se cumplir:

l
N N
N
l l
N N
N
l
N N
l l
N
l
N
l
l l l N l N l
D A
A
n
D A
D
p
A D
n p
A
n
D
p
n p D n A p
+
+
+

+
(2-19)

Donde l
p
y l
n
son la profundidad de la zona de carga espacial en la zona P y la zona N
respectivamente, y l es la anchura total de la zona de carga espacial de la unin.

En la zona de cargas descubiertas de las zonas P y N habr una densidad de cargas fijas
por unidad de volumen:

Zona P:
P
= -q N
A

Zona N:
N
= q N
D

Como el diodo tiene simetra axial la relacin del potencial elctrico y del vector
intensidad del campo elctrico, con estas distribuciones de carga ser:

dx dE
dx
dE
dx
V d
2
2

(2-20)

Curso 03-04 Tema 2
9

Fig. 2.5

Sustituyendo para cada zona e integrando se obtiene la variacin del campo elctrico a
lo largo de la zona de carga espacial. En la figura 2.5 se puede observar esta variacin.
El valor mximo del campo elctrico, Eo, lo alcanza en el lmite de la unin y su valor
es:

n
D
p
A
0
l
qN
l
qN
E
(2-21)

Dado que:

N ZONA
P ZONA
N ZONA
P ZONA
np
dx E dV V (2-22)

La segunda integral es el rea del tringulo de la figura 2.5 cambiada de signo, por
tanto:

( ) ( ) l l
qN
2
1
l E
2
1
V
p
A
0 np
(2-23)

La barrera de potencial en la unin es:

2
*
np
l
N
q
2
1
V
(2-23)
E
x lp ln
ZONA P ZONA N
Eo
Tema 2 Curso 03-04

10
donde:

D A
D A *
N N
N N
N
+
(2-24)

Despejando l en la expresin de la barrera de potencial en la unin, (2-23), se obtiene:

2 / 1
*
b
N
V
q
2
l
1
]
1

(2-25)

Esta relacin expresa que la profundidad de la zona de agotamiento es funcin del nivel
de dopado a travs de la expresin 2-24, y de la cada de potencial en la unin.
Volviendo a la expresin de la capacidad en la unin:

( )
( )
l
A
l qN
qN A C
l qN
1
dV
dl
dV
dl
AqN
dV
l AqN d
dV
A l qN d
dV
dQ
C
*
*
T
*
*
*
p A
T

(2-26)

La expresin obtenida de la capacidad en la unin es la misma que la de un condensador
plano.

Si la unin en vez de ser abrupta fuera gradual, con graduacin lineal, el campo
elctrico variara con el cuadrado de x. La profundidad de la zona de cargas
descubiertas variara con la raz cbica de la barrera de potencial en la unin:

) V ( f l ) x ( f ) x ( E
3 / 1 2
(2-27)

Pero la expresin que se obtiene para la capacidad en la unin sigue tomando la misma
expresin que cuando la unin era abrupta:

l
A
C
T

Curso 03-04 Tema 2
11
Variando la tensin inversa aplicada al diodo se vara la profundidad total de la zona de
cargas descubiertas y por tanto la capacidad de la unin. Una aplicacin de este hecho
es los denominados varicaps o varactores; capacidades cuya C es controlada por
tensin, una de sus aplicaciones actuales es en circuitos resonantes de sintona. El valor
tpico de un varicap es de 20 pF para una tensin inversa de unos cuantos voltios.

2.4.2 Concentracin de portadores minoritarios con polarizacin directa:
Capacidad de difusin

Sea una unin PN con N
A
>> N
D
, polarizada directamente. La corriente en la unin ser
debida prcticamente a la inyeccin de huecos en la regin N ya que :

( )
A
2
i
0 p
V / V
0 p
'
p
'
p
n
n
p
n np
D
2
i
0 n
V / V
0 n
'
n
'
n
p
p
n
p pn
N
n
n ) 1 e ( n ) 0 ( n
) 0 ( n
L
D
q
dx
) 0 ( dn
qD ) 0 ( J
N
n
p 1 e p ) 0 ( p
) 0 ( p
L
D
q
dx
) 0 ( dp
qD ) 0 ( J
T
T

(2-28)

Como N
A
>> N
D
, entonces p
n
(0) >> n
p
(0). En primera aproximacin se obtiene:

) 0 ( p
L
D
qA ) 0 ( AJ I
'
n
p
p
pn
(2-29)

El exceso de huecos en la zona N tiene una carga total:

p
2
p
p
p
'
n p
0
'
n
D
L
: que ya
Q
I
) 0 ( p qAL dx ) x ( Ap q Q

(2-30)

La expresin obtenida para la corriente indica que sta es proporcional al exceso de
portadores minoritarios y que esta corriente se invierte en reponer los portadores
minoritarios que se recombinan. Para una polarizacin inversa del diodo, el exceso de
concentracin de portadores minoritarios ) 0 ( p
'
n
pasa a ser negativo anulndose ) 0 ( p
n

Tema 2 Curso 03-04

12
para valores de polarizacin negativos suficientemente elevados. La corriente en esas
condiciones es la de saturacin inversa I
0
.

Como el exceso de carga almacenada es proporcional a la tensin directa, es lgico
definir una capacidad incremental que relaciona las variaciones de la carga almacenada
con las variaciones de la tensin aplicada. Esta capacidad se denomina Capacidad de
difusin

T
d
V
I
r dV
dI
dV
dQ
C
(2-31)

Capacidad que es mayor que C
T
, y es funcin de cmo vara V

2.5 Tiempos de conmutacin en una unin PN

Supuesta una unin PN polarizada directamente mediante una fuente de tensin y
resistencia serie, la corriente de conduccin directa da lugar a un gradiente de
portadores minoritarios con unas corrientes de difusin:

dx
) 0 ( dn
qD ) 0 ( J
dx
) 0 ( dp
qD ) 0 ( J
'
p
n np
'
n
p pn
(2-32)

Fig. 2.6

Si ahora en el circuito bascula el conmutador de la figura 2.6 de la posicin 1,
polarizacin directa del diodo, a la posicin 2, polarizacin inversa del diodo. La carga
de los portadores minoritarios en exceso que existe va a dar lugar a que no se corte la
corriente, sino que simplemente se invierta su sentido, figuras 2.7 y 2.8, y la cada de
tensin en el diodo siga siendo positiva hasta que 0 ) 0 ( p
'
n
. A partir de ese instante
) 0 ( p
'
n
se hace negativo y la corriente disminuye hasta I
0
corriente de saturacin inversa.

Curso 03-04 Tema 2
13

Fig. 2.7

En el transitorio hay que distinguir dos tiempos. El primero es t
s
, tiempo de
almacenamiento, tiempo que tarda en ser nulo el exceso de portadores minoritarios en el
borde de la unin:

0 n n
'
n
p ) 0 ( p 0 ) 0 ( p (2-33)

El segundo es t
p
, tiempo de transicin, tiempo que tarda la concentracin de portadores
minoritarios, en el borde de la unin, en pasar de la concentracin de equilibrio a
anularse:

0 p : ) 0 ( p
0 n n
(2-34)

Tema 2 Curso 03-04

14

Fig. 2.8

El ms importante de los dos tiempos es t
s
. Una estimacin del mismo se da en la
expresin 2-35:

,
_
+
R
F
p s
I
I
1 ln t (2-35)

2.6 Modelos del diodo para gran seal

En primer lugar se va a incluir un diodo en un circuito elemental. Tomando una pila de
tensin V
0
de valor ajustable y una resistencia R
0
cuyo valor tambin se puede hacer
variar, se conectan en serie con un diodo.

La tensin de la pila ser igual a la cada de potencial en la resistencia ms la cada de
potencial en el diodo:

Curso 03-04 Tema 2
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0
0
D
0
D
0 D 0 D
R
V
V
R
1
I
V V R I
+
+
(2-36)

Esta ecuacin lleva a la grfica de la figura 2.9 donde el punto de funcionamiento del
diodo se obtiene grficamente de la interseccin de la curva caracterstica del diodo con
la "recta de carga".

La recta de carga est definida por V
0
y la resistencia externa R
0
. En la figura 2.9 se
puede observar la curva I-V del diodo 1N4148 y la recta de carga para V
0
= 2 V y R
0
=
100 ohms.

Fig. 2.9

Variando V
0
, sin modificar R
0
, la recta de carga se desplazar paralelamente a si misma.
Mientras que si se vara R
0
, sin variar V
0
, aparecen nuevas rectas de carga, con nuevas
pendientes, que pasan todas ellas por V
0
.

La grfica de la figura 2.9 sugiere un primer modelo para el diodo que es el
denominado "lineal por tramos". En este modelo, en la zona V
0
> 0, se aproxima su
curva caracterstica por dos tramos rectos. En el primero de los tramos I
D
= 0 para
V
D
V
(0,6 V en el Si). A partir de este punto se supone que I

D
crece linealmente con
V
D
con pendiente 1/R, por tanto se est aproximando el diodo por un circuito
equivalente, que se muestra en la figura 2.10:

Tema 2 Curso 03-04

16

Fig. 2.10

La figura 2.11 muestra la curva I-V experimental del diodo 1N4148, en la zona de
polarizacin directa, y la aproximacin que se obtiene al sustituirlo por el circuito lineal
de dos tramos Evidentemente la aproximacin es burda, aunque segn se ver puede ser
muy til. Una variante mejor sera la que en vez de sustituir, para V
D
V
D0
, por una
sola recta, sustituirlo por varios segmentos que se van empalmando y aproximando ms
a su curva real. La mejora en la aproximacin no compensa la complejidad de aumentar
el nmero de tramos.

Fig. 2.11

Con polarizacin inversa la resistencia es muy alta. El diodo en polarizacin inversa se
sustituye por una resistencia R
r
>>. Una mejora sera incluir una fuente de corriente, en
paralelo con R
r
, de valor I
0
corriente inversa de saturacin.

El modelo expuesto es para circuitos de continua o en los que si hay variaciones de las
tensiones aplicadas estas varan lentamente con el tiempo. Por ejemplo en circuitos de
continua, circuitos rectificadores, circuitos fijadores o recortadores.

Curso 03-04 Tema 2
17
2.7 Modelo de pequea seal

Si ahora en el circuito de polarizacin del diodo se provocan variaciones de la tensin
aplicada al mismo, y estas variaciones V
D
son pequeos, se ve que el comportamiento
dinmico del diodo equivale a una resistencia, cuyo valor se obtiene de la tangente a la
curva V-I en el punto Q, punto de funcionamiento esttico. El valor de esta tangente se
puede obtener derivando la expresin analtica de la corriente del diodo:

Q
T
D
D
d
I
V
dI
dV
r

(2-37)

El modelo expuesto es un modelo de primera aproximacin ya que un modelo dinmico
ms exacto debera incluir las capacidades: de difusin en polarizacin directa y de
transicin en polarizacin inversa.

2.8 Diodos Zener

Observando la curva caracterstica en la zona de polarizacin inversa de un diodo
Zener, en la figura 2.12 se ve la grfica I-V en polarizacin inversa del diodo Zener
1N750, se observa que para una cierta tensin entra en conduccin con una resistencia
incremental muy baja, salvo en el codo, dicha tensin se denomina tensin Zener y los
diodos usados en dicha regin diodos Zener.

Fig. 2.12

Tema 2 Curso 03-04

18
Los mecanismos que provocan dicha entrada en conduccin brusca, pueden ser dos muy
diferentes:

a) Proceso de ruptura de enlaces en la unin por el fuerte campo elctrico, E 2.10
7

V/cm.
b) Proceso de multiplicacin por avalancha. Los portadores que atraviesan la unin
caen en la barrera de potencial y adquieren tal energa cintica que al chocar con los
iones de la red generan nuevos pares. El efecto es multiplicativo.

Generalmente el proceso es de multiplicacin por avalancha. Para que el proceso sea
por ruptura Zener deben ser diodos bastante dopados, ya que la intensidad del campo
elctrico es proporcional al nivel de impurezas. Si la tensin Zener es menor de 6
voltios, el proceso de disparo a conduccin inversa es por ruptura.

Se ha de constatar que la dependencia trmica de la tensin Zener es de signo contrario
para los de la avalancha y los de la ruptura. En el primer caso es positivo ( +0,1 %
/C) y la explicacin es obvia; la mayor agitacin trmica da lugar a choques ms
frecuentes con lo cual la energa adquirida entre choques es menor, esto implica que se
necesitar aumentar la tensin para llegar a tensin de avalancha.

En el segundo caso la mayor agitacin trmica ayudar a la accin de ruptura de enlaces
con un menor campo elctrico.

Se ha de tener en cuenta que la resistencia dinmica (r
Z
= V
Z
/ I
Z
) puede ser no
despreciable. En los de avalancha con tensiones Zener entre 6 y 10 V suele ser de unos
pocos ohms para una corriente de una decena de miliamperios. Para tensiones Zener por
encima o por debajo, del margen de tensiones Zener previamente indicado, r
Z
puede ser
de cientos de ohms.

Tambin se ha de tener en cuenta la capacidad de carga espacial C
T
ya que el diodo est
polarizado inversamente. Segn se vio era del orden de 20 pF, pero en los Zener de
gran potencia, la seccin de la unin es mucho mayor, puede llegar a los 10 nF (C
T
=
A/l). Los diodos Zener se usan como elementos de referencia de tensin, fijan una
tensin prcticamente constante entre sus extremos, V
Z
, aunque se vare mucho la
corriente que circula por ellos, en problemas veremos esta aplicacin con ms detalle.

Con el mismo fin se usan los diodos de referencia. Estos son diodos normales en serie y
polarizados directamente que se usan como elementos de referencia de tensin, ya que
para corrientes medias y elevadas su resistencia dinmica es ms baja que la de los
zener en el intervalo de las bajas tensiones. En algunos casos se usan en serie con un
diodo Zener para formar un diodo de referencia de tensin con coeficiente de
temperatura despreciable. Para ello se usan Zener de avalancha, coeficiente de
temperatura positivo, en serie con diodos de referencia, coeficiente de temperatura
negativo.

2.9 Diodos Schottky: contactos hmicos

La unin de un metal y un semiconductor extrnseco puede tener un comportamiento
rectificador u hmico. En la unin metal-semiconductor se forma una barrera de
Curso 03-04 Tema 2
19
contacto, si la concentracin de impurezas en el semiconductor no es muy elevada, la
unin es rectificante con unas caractersticas especiales:

a) La tensin V
es menor que una unin p-n

b) La corriente de saturacin inversa es mayor que una unin p-n

Pero hay otra caracterstica que hace estas uniones muy apreciables y con grandes
aplicaciones como posteriormente se ver en circuitos digitales. En estos diodos las
corrientes de conduccin directa son gobernadas por los portadores mayoritarios. En la
conmutacin de conduccin directa a corte el tiempo de conmutacin, el cual para los
diodos normales era fundamentalmente el tiempo de almacenamiento que provocaba el
exceso de concentracin de portadores minoritarios, ser para estos diodos despreciable.

Si en una unin metal-semiconductor se aumenta fuertemente el dopado en el
semiconductor, la anchura de la zona de deplexin disminuye fuertemente, hasta que
predomina en el proceso de conduccin en la unin el efecto tnel. La resistencia en
esta unin ser despreciable comparada con la del cuerpo del semiconductor.

Tema 2 Curso 03-04

20
PROBLEMAS

1. Analiza la forma de la seal Vab en cada uno de los seis circuitos:
a)
El circuito es un rectificador de media onda.

Cuando la seal alterna Vi est en el semiciclo
positivo el diodo D se polariza directamente y
deja pasar la corriente, la cada de potencial Vab
ser la misma que Vi menos la cada de
potencial en el diodo que en el pico de
conduccin es de aproximadamente 0,6V.

Cuando la seal alterna Vi
est en el semiciclo
negativo el diodo D se
polariza inversamente, no
deja pasar la corriente, y la
cada de potencial Vab ser
cero ya que un diodo
polarizado inversamente la
corriente que lo atraviesa es
de intensidad despreciable.
En el dibujo anexo se puede
ver la seal Vi y Vab.

b)

El circuito de la figura es un rectificador de
doble onda.

En el semiciclo positivo de Vi la corriente
circula por:

Del generador Vi va al diodo de arriba a la
derecha, pasa por la resistencia R y vuelve al generador por el diodo de abajo a la
izquierda.

En el semiciclo negativo de Vi la corriente circula por:

Del generador va al diodo de abajo a la derecha, pasa por la resistencia R y vuelve al
generador por el diodo de arriba a la izquierda.

Tanto en el semiciclo positivo de Vi como en su semiciclo negativo la corriente que
pasa por la resistencia R tiene el mismo sentido: de arriba hacia abajo, por tanto la
diferencia de potencial Vab siempre ser positiva e igual al valor en ese instante de Vi
menos la cada de tensin en dos diodos polarizados directamente, salvo cuando Vi sea
muy pequeo y no de para hacer conducir dos diodos conectados en serie.

Curso 03-04 Tema 2
21

En la figura anexa se
muestran las seales
Vi y Vab del
rectificador de doble
onda.

c)
El circuito de esta figura es el mismo que el
caso a, pero al que le hemos aadido un
condensador en paralelo con la resistencia R.
Como veremos al final de la explicacin el
circuito es un rectificador de media onda con
un filtro elemental: el condensador.

La resistencia R y el condensador C estn en paralelo, ambos deben de estar en todo
momento a la misma diferencia de potencial Vab.

En el semiciclo positivo de Vi, segn vimos en el caso a, el diodo D se polarizar
positivamente y deja pasar la corriente, la cada de potencial Vab ser Vi menos la cada
de potencial en un diodo polarizado directamente. En este caso esto es cierto, mientras
la tensin Vi est aumentando y cargando el condensador C. Cuando en el semiciclo
positivo la tensin Vi disminuye, con la rapidez que lo hace la sinusoide, la tensin Vab
puede disminuir ms lentamente y no seguir la cada de la sinusoide. La razn de esto
ltimo reside en que para que Vab disminuya debe disminuir la diferencia de potencial
entre los extremos del
condensador. Para ello el
condensador se debe
descargar a travs de R y
esta descarga es de forma
exponencial con constante
de tiempo RC. Si RC es de
valor elevado la descarga es
lenta y puede ocurrir lo que
vemos en la figura anexa: el
condensador no ha acabado
de descargarse cuando
empieza a recargarse de
nuevo por otro semiciclo
positivo del generador. El condensador hace de filtro.

Tema 2 Curso 03-04

22
d)
El circuito de la figura es circuito recortador.

En el semiciclo positivo de Vi la corriente solo
puede circular por la malla formada por la
rama del generador Vi y la rama que tiene la
pila V2, siempre y cuando el valor de Vi sea
mayor o igual a V2, hasta ese valor no pasa corriente y Vab = Vi. Cuando pase
corriente, Vi>V2, la cada de potencial Vab ser igual a V2 ms la cada de potencial en
un diodo polarizado directamente.

En el semiciclo negativo de Vi la corriente solo puede circular por la malla formada por
la rama del generador Vi y la
rama que tiene la pila V1, pero
cuando el valor de Vi, en
mdulo, sea mayor o igual a
V1, hasta ese valor no pasa
corriente y Vab = Vi. Cuando
pase corriente, |Vi| > V2, la
cada de potencial Vab ser
igual a V1 menos la cada de
potencial en un diodo
polarizado directamente. En la
grfica anexa se muestran Vi y
Vab.

e)
El circuito es un desplazador de nivel.

En el primer ciclo positivo de Vi, suponemos que el
generador arranca a funcionar con el semiciclo
positivo, como el diodo no puede conducir, porque
se polarizar inversamente, y suponiendo que la
impedancia del condensador es mucho ms pequea que la resistencia, la diferencia de
potencial Vab ser prcticamente igual a Vi.

En el primer semiciclo negativo se polariza directamente el diodo y conduce. La
diferencia de potencial Vab ser del orden de -0,6V, pero el condensador se habr
cargado a la tensin de pico del
generador menos la cada de
potencial en el diodo, la tensin
que adquiere el diodo tiene
polaridad + hacia el diodo.

Cuando la tensin del generador
empieza a disminuir, en este
semiciclo negativo, la diferencia
de potencial Vab aumentar hacia
positivo, ya que la tensin Vab es
la tensin a la que se ha cargado
Curso 03-04 Tema 2
23
el condensador menos la que tiene en ese instante el generador, ya que es de polaridad
opuesta.

En el segundo semiciclo positivo, como el condensador ha quedado cargado a un poco
menos de la tensin de pico del generador, la tensin Vab ser la tensin del generador
ms la tensin a la que est cargado el condensador. En la pgina previa se muestra en
un grfico Vi y Vab.

f)
El circuito es un doblador de tensin.

Suponiendo que el generador arranca en el
instante inicial empezando un semiciclo
positivo, mientras Vi aumenta, de los dos diodos
solo conduce D2. Supuesto C1 C2 y que la
impedancia de C2 << R, la diferencia de potencial Vab ser un poco menos que la mitad
de Vi, el poco menos ser la mitad de la cada de potencial en el diodo que est
conduciendo, D2. Cuando en este primer semiciclo positivo Vi empieza a disminuir, D2
se corta y Vab no se modifica ya que C2 empieza una lenta descarga exponencial a
travs de R, que si la constante de tiempo de la descarga (RC2) es grande no se va a
notar.

En el primer semiciclo negativo D2 sigue cortado pero D1 se polariza directamente
entrando en conduccin y cargando el condensador C1 a la tensin de pico del
generador al llegar al valor mximo negativo Vi menos la cada de tensin en un diodo
polarizado directamente, con la polaridad + hacia D2. Cuando la amplitud negativa de
Vi empieza disminuir, en un principio no conducir ningn diodo pero cuando la suma
de la tensin a la que ha quedado cargado C1 ms el valor de Vi, son de signo opuesto,
sea mayor que la tensin a la que est cargado C2, ste ltimo empezar a cargarse de
nuevo aumentado la tensin entre sus extremos (Vab). Este proceso continua durante el
segundo semiciclo positivo, mientras Vi aumentaba en valor positivo. Cuando Vi
empiece a disminuir su amplitud positiva D2 se corta nuevamente.

El proceso explicado sigue indefinidamente, aumentando la tens in de carga de C2
hasta un mximo de dos veces la tensin de pico de Vi menos la cada de tensin en dos
diodos polarizados directamente.

En la figura anexa se puede
ver una simulacin del
funcionamiento del circuito,
donde se visualizan la seal
del generador Vi la
diferencia de potencial Vab.

Tema 2 Curso 03-04

24
2. El generador de tensin del circuito de la
figura anexa, produce una seal cuadrada de
amplitud Vi y periodo T, T>>RC. Analiza la
forma de la seal Vab.

Tomando como valor de la amplitud del generador
5V, la seal de ste bascula entre 5V y +5V.

Suponiendo que en el instante inicial el generador tiene el flanco de subida de 0V a +5V
y que el condensador est descargado, ese salto brusco de tensin atraviesa el
condensador C e inicialmente aparecen +5V en Vab. Esta diferencia de potencial hace
conducir la corriente a travs de R y el diodo, y carga el condensador a la tensin del
generador: 5V. El proceso de carga del condensador es un transitorio exponencial y por
tanto a medida que se carga el condensador, polaridad positiva el borne del condensador
ms prximo al generador, la diferencia de potencial Vab disminuye hacia cero. Como
la constante de tiempo RC, del proceso transitorio de carga del condensador, es mucho
menor que el tiempo en que el generador permanece a tensin constante de +5V, al
condensador le da tiempo a cargarse a casi 5V y la tensin Vab baja a 0,5V, el casi es
debido a que el diodo deja de conducir en forma apreciable cuando la polarizacin
directa baja de 0,5V. El condensador se carga a 4,5V
Cuando al cabo de 1 ms llega el flanco de bajada del generador de +5V a 5V, este
atraviesa el condensador y hace aparecer una diferencia de potencial de (0,5V 10V) en
Vab. Esta diferencia de potencial polariza inversamente el diodo e impide que
conduzca, por tanto no pasa corriente: la carga de 4,5V en el condensador no cambia y
junto con los cinco voltios del generador hacen los 9,5V que hay en Vab. Esta
situacin permanece mientras no cambie la tensin del generador. Al cabo de otro
milisegundo llega de nuevo el flanco positivo del generador, la tensin entre sus
extremos pasa de 5V a +5V. Este salto positivo de +10V atraviesa el condensador y
hace que la diferencia de potencial en Vab pase a 0,5V. A partir de este instante el
proceso pasa a ser repetitivo tal como muestra la figura.
Curso 03-04 Tema 2
25
3. En el circuito de la figura suponer los diodos
ideales y la tensin del diodo zener 5 V. Si Vab
puede tomar cualquier valor positivo o negativo,
analizar el estado de conduccin de cada diodo y la
tensin Vx. (Suponer los diodos ideales es que
cuando estn polarizados directamente la cada de
potencial entre sus extremos se supone
despreciable)

a) V
ab
20V: D en conduccin directa y D
Z
polarizado en zona zener.

Cuando el diodo zener trabaja en la zona zener, la diferencia de potencial Vx debe ser
de 15V: los 5V de cada de tensin en el diodo zener ms los 10V de la pila. Para que la
cada de tensin el zener sea de 5V, por la resistencia que tiene en paralelo deben de
pasar 5 mA, ya que resistencia y diodo zener deben estar a la misma diferencia de
potencial.

En esta situacin la tensin Vab es positiva y lanza corriente hacia el zener polarizando
directamente el diodo D, cada de tensin en el diodo D 0V. La tensin Vab mnima que
consigue esta situacin es cuando la corriente que lanza Vab es de 5 mA. Luego la
diferencia de potencial Vab ser:

Vab = 5 mA 1k + Vz + 10V (pila) = 5V + 5V + 10V = 20V

Si aumentamos la diferencia de potencial Vab, lo que ocurrir es que pasar ms
corriente, ms de 5 mA, y aumentar la cada de potencial en la primera resistencia,
pero no aumentar la cada de potencial en la resistencia que est en paralelo con el
diodo zener, pasando por ella slo 5 mA, la corriente por encima de 5 mA pasa toda por
el diodo zener sin aumentar su diferencia de potencial.

b) 20V > V
ab
> 10V: D en conduccin directa y D
Z
polarizado fuera de zona zener.

Si se disminuye el valor de Vab por debajo de 20V, pasarn menos de 5mA, la cada
potencial en la resistencia que tiene en paralelo el diodo zener bajar de 5V y por tanto
el diodo zener ya no estar polarizado en zona zener pero si inversamente, la corriente
que pasa por l ser despreciable.

Mientras que Vab sea mayor que los 10V de la pila la corriente que manda Vab
polarizar directamente el diodo D. La corriente que pasa ser:

k 1 k 1
V 10 V
I
ab
+

c) 10V > Vab: D en conduccin inversa y D
Z
en conduccin directa.

Si Vab baja de 10V la que manda corriente es la pila de 10V que polarizar
directamente al diodo zener e inversamente al diodo D. La corriente que pasa ser:
k 1 k 2
V V 10
I
ab
+

Tema 2 Curso 03-04

26
4. El diodo zener del circuito tiene de
parmetros caractersticos: Vz = 10V, Izmin = 2
mA Pmax = 350 mW., r
z
0. Determinar los
valores mximo y mnimo de Ro para los cuales
el diodo zener fija entre sus bornes la tensin de
10V, y que intensidad circula por Ro para cada
uno de dichos valores.

Como el diodo zener fija diez voltios entre sus extremos, la corriente que da la pila de
50V ser:

I = (50V 10V) / 1k = 40 mA

a) Valor mximo de Ro.

Cuanto mayor sea Ro menos corriente pasa por ella:

O
R
R
V 10
I
O

por tanto ms corriente, de los 40 mA, pasa por el diodo zener. El mximo de la
corriente que puede pasar por el diodo zener se obtiene de su potencia mxima de
consumo:

mA 35
V 10
mW 350
V
P
I
Z
ZMAX
ZMAX

Luego la corriente mnima que puede pasar por la resistencia R
O
ser:

mA 5 35 40 I
MIN R
O

y el valor mximo de la resistencia R
O
es:

k 2
mA 5
V 10
R
OMAX

a) Valor mnimo de Ro.

Cuanto menor sea la resistencia R
O
ms corriente pasa ella. El mximo se da cuando por
el zener pase la corriente mnima, 2 mA, luego por R
O
deben pasar:

I
Ro MAX
= 40 2 = 38 mA

264
mA 38
V 10
R
OMIN

Curso 03-04 Tema 2
27
5. Calcula V
AB
para valores positivos y
negativos de I
O
, suponer los diodos ideales y
V
Z
= 4V y r
Z
= 0.

Aplicamos el teorema de Thevenin para transformar la fuente de corriente I
O
y la
resistencia que tiene en paralelo en una fuente de tensin V
O
con una resistencia en serie
r
O
:

V
O
= I
O
(mA) 1k = I
O
voltios

r
O
= || 1 k = 1 k

a) Para I
O
< 0 (mA)

La corriente circula solo por la malla que forman la rama de la pila de 6V y la rama del
zener, girando en el sentido contrario a las agujas del reloj. Por la rama de la pila de 8V,
el diodo D1 impide el paso de corriente.

Como el diodo zener estar polarizado directamente, cada de tensin en l nula, la
corriente que pasa ser:

k 1 k 1
) I ( 6
I
O
+

Luego:

V
ab
= 6V I (mA) 1k

b) Para 6mA > I
O
> 0

La situacin es la misma que en el caso anterior, pero la expresin de la corriente es:

k 1 k 1
I 6
I
O
+

pero la diferencia de potencial V
ab
sigue siendo:

V
ab
= 6V I (mA) 1k

El diodo D1 est polarizado inversamente

c) Para 10mA>I
O
>6mA

La corriente no circula por ninguna rama, ya que el diodo zener estar polarizado
inversamente pero con una cada de tensin menor que la tensin zener.

V
ab
= 6V

Tema 2 Curso 03-04

28
El diodo D1 est polarizado inversamente

c) Para 14mA>I
O
>10mA

El diodo zener ya est polarizado en zona zener, la corriente pasa por la malla del diodo
zener y la pila de 6V, con giro en el sentido de las agujas del reloj. La corriente ser:

k 1 k 1
4 6 I
I
O
+

La diferencia de potencial V
ab
es:

V
ab
= 6V + I (mA) 1k

d) Para I
O
>14mA

El diodo zener sigue polarizado en zona zener, pero tambin entra en conduccin la
rama del diodo D1 bloqueando la diferencia de potencial V
ab
= 8V

6. El diodo zener del circuito anexo, tiene de
caractersticas: V
Z
= 10 V., I
ZMIN
= 1 mA. e I
ZMAX
=
80 mA. (r
Z
0). calcula:

a) Valor mnimo de R
S
para que el diodo zener
est bien polarizado, cuando R
O
toma el valor
infinito.
b) Usando dicho valor de R
S
, cual es el valor mnimo de R
O
que hace que el
diodo zener siga bien polarizado.

a) Al disminuir la resistencia R
S
cada vez pasa ms corriente por el diodo zener. El
lmite estar en la resistencia R
S
que hace que por el diodo zener pase la corriente
mxima que soporta:

50V = I
ZMAX
R
S
+ 10V

500
mA 80
V 40
R
S

b) Cuanto ms pequea sea la resistencia R
O
, menos corriente pasa por el diodo zener.
El lmite estar cuando por el zener pase la corriente mnima que lo polariza en la zona
zener, I
ZMIN
. La corriente que pasa por R
S
es :

mA 80
500
V 10 V 50
I
S

Luego por R
O
pasa una corriente 80mA I
ZMIN
= 79mA, por tanto el valor de R
O
ser:

127
mA 79
V 10
R
S

Curso 03-04 Tema 2
29
7. El diodo zener es de caractersticas:

V
Z
= 10,1 V. para I
Z
= 25 mA.
I
ZMIN
= 0 mA., I
ZMAX
= 50 mA. y r
Z
= 4

Si R
O
= 400 calcula:

a) Los valores mximos y mnimos de la tensin en el zener, cuando est bien
polarizado, y que corrientes circulan en cada caso por R
O
.
b) Entre que valores se puede variar Vi, estando el zener bien polarizado.

a) Como: V
Z
= V
ZMIN
+ I
Z
r
Z

10,1V = V
ZMIN
+ 25mA 4 V
ZMIN
= 10V
I
RoMIN
= 10V / 400 = 25mA

V
ZMAX
= V
ZMIN
+ r
Z
I
ZMAX
= 10V + 4 50mA = 10,2V
I
RoMAX
= 10,2V / 400 = 25,5mA

b) Para V
ZMAX
:

V
i
= (I
ZMAX
+ I
RoMAX
) 50 + 10,2V = (50mA + 25,5mA) 50 + 10,2V = 13,98V

Para V
ZMIN
:

V
i
= (I
ZMIN
+ I
RoMIN
) 50 + 10V = (0mA + 25mA) 50 + 10V = 11,25V

8. En el circuito de la figura calcula:

a) La corriente que pasa por cada diodo para R =
1k.
b) Si aumentamos paulatinamente R cual de los dos
diodos dejar primero de estar polarizado en la
zona zener.
c) Si para R =1k se aumenta el valor de la tensin
de la pila, cual de los dos diodos se destruir
antes.
( D1: V
Z
= 10V. r
Z
= 4 I
ZMIN
= 1 mA. Pot
MAX
= 200 mW.)
( D1: V
Z
= 15V. r
Z
= 4 I
ZMIN
= 1 mA. Pot
MAX
= 200 mW.)

a)

22,02V = (I
Z1
+ I
Z2
) 1k + 15V + 4 I
Z2

10V + 4 I
Z1
+ 1k I
Z1
= 15V + 4 I
Z2

Resolviendo el sistema de ecuaciones se obtiene:
Tema 2 Curso 03-04

30

I
Z1
= 5 mA I
Z2
= 2 mA

b) Sale de zona zener antes el diodo D2 ya que cuando por D1 pasa la corriente mnima,
I
Z1MIN
= 1mA, por el diodo D2 no pasa corriente ya que la diferencia de potencial en la
rama que contiene a D1 ser:

10V + 4 I
Z1MIN
+ 1k I
Z1MIN
= 11V < 15V

que es inferior a la tensin mnima para que D2 est polarizado en zona zener.

c) La diferencia de potencial que hay entre los extremos de D2 cuando por el pasa la
mxima corriente.

I
Z2MAX
= 200 mW / 15V = 13,3 mA

V
D2MAX
= 15V + r
Z2
I
Z2MAX
= 15V + 4 13,3mA = 15,07V

Como la rama que contiene al diodo D1 est en paralelo:

15,07V = V
Z1
+ r
Z1
I
Z1
+ 1k I
Z1
I
Z1
= 5,05mA

El valor mximo de I
Z1
es:

I
Z1MAX
= Pot
MAX
/ V
Z1
= 200 mW / 10V = 20mA

Por tanto al aumentar la tensin de la batera el primer diodo zener que alcanza la
potencia mxima de consumo es el diodo D2.

9. Calcula y representa Vs si la
seal del generador de alterna
tiene una amplitud de 5V y el diodo
zener es de 4V de tensin zener y
resistencia zener despreciable.
Supn que cuando cualquiera de
los dos diodos est polarizado
directamente la cada de potencial
en l es despreciable.

a) Semiciclo positivo del generador

Solo puede conducir la rama del diodo D1 ya que cuando la tensin del generador pasa
por el mximo positivo, segn comprobaremos, la diferencia de potencial en dicha rama
es de 3,5V que es menos que la tensin zener del diodo D
Z
y por lo tanto el diodo zener
estar en todo este semiciclo del generador, polarizado inversamente pero sin llegar a la
tensin zener, la corriente que pasa por l es despreciable.

Suponiendo que solo conduce la rama del diodo D1, la diferencia de potencial en dicha
rama cuando la seal del generador pasa por el mximo positivo es:

Curso 03-04 Tema 2
31

V 5 , 3 V 5 , 1 V 2 R
R R
V 2 V 5
V 2 IR V 2 +
+
+ +

La rama del diodo D1 conducir cuando la seal del generador es 2V.

Por tanto en este semiciclo la seal V
S
, en funcin de la seal del generador, V
G
, hay
que distinguir dos zonas:

1) V
G
2V V
S
= V
G

2) V
G
> 2V V
S
= 2V + (V
G
2V) / 2

c) Semiciclo negativo del generador

Solo puede conducir la rama del diodo zener, por tanto:

V
S
= V
G
/ 2

En la grfica adjunta se puede observar una simulacin del circuito real para R = 1k

Tema 2 Curso 03-04

32
10. Suponiendo que cuando un diodo est polarizado directamente tiene una
diferencia de potencial entre sus extremos de 0,5V, y que cuando est polarizado
inversamente la corriente que circula por l es despreciable.

Calcula las tres intensidades de
corriente: i, i1 e i2, cuando

a) Vo = 10V.
b) Vo = 2V.

a) Si Vo = 10V, el diodo D3 impide el paso de corriente por su rama, i2 = 0.

Luego se cumple que i = i1, y por tanto

mA 4
2
5 , 0 5 , 0 1 10
1 1
V V V V
1 i i
2 d 1 d 1 0
+

V
AB
= V
1
+ V
d1
+ i1 1k = 1 + 0,5 + 4 = 5,5 V

b) Si V
0
= 2 V

Vamos a demostrar por razonamiento al absurdo que i2 es distinto de cero. Para ello
suponemos inicialmente que i2 =0, entonces:

mA 0
2
5 , 0 5 , 0 1 2
1 1
V V V V
1 i i
2 d 1 d 1 0
+

Lo cual nos llevara a que D1 y D2 estaran cortados.

Pero si la fuente de tensin V
o
no lanza corriente hacia la rama de D2, lo har la fuente
de tensin V2, circulando una corriente por las ramas de D2 y D3 en el sentido de la
corriente i1:

mA 5 , 0
2
5 , 0 5 , 0 1 3
1 1
V V V V
2 i 1 i
3 d 2 d 1 2
+

V
AB
= V
1
+ V
d2
+ i1 1k = 1 + 0,5 + 0,5 = 2 V

Como V
0
= 2 V y V
AB
= 2 V, esto implica que el diodo D1 est cortado.

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LIC.

como el valor de V que da una corriente

toma un valor de 0,1V

: 0,15 V para el Ge y 0,5 V para el Si.

(0,6 V en el Si). A partir de este punto se supone que I

es menor que una unin p-n

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