RELATRIO DE ELETRNICA ANALGICA Exp.

Transistor Bipolar

Paulo Henrique Stenico Abner Ribeiro Sozim Bruno Gregolin Bruno Ricardo de Moraes

RA 100192-4 RA 100102-3 RA 100210-4 RA 100170-2

Professor Jos Erick de Souza Lima 4 Engenharia de Controle e Automao 16/11/2011

SUMRIO Introduo................................................................................3 Materiais utilizados......................................................................3 Procedimento............................................................................4 Tabela de valores.........................................................................5 Questes.......................................................................................5 Datasheet parcial BC337................................................................6 Bibliografia..................................................................................8

EXPERINCIA 8: Transistor bipolar Introduo Como uma aproximao para o comportamento de um transistor, ns usamos o modelo de Ebers-Moll: o diodo emissor age como um diodo retificador enquanto o coletor age como uma fonte de corrente controlada.A tenso no diodo emissor de um transistor de pequeno sinal tipicamente de 0,6V a 0,7V para VBE.Nesta experincia ,voc obter dados para calcular cc e cc a queda VBE.Quando os valores mximos de um transistor so excedidos,ele pode ser danificado de varias formas.O defeito mais comum em transistores coletor-emissor em curto-circuito em que ambos,diodo emissor e diodo emissor e diodo coletor, so curto-circuitados. Outro defeito muito comum em transistores coletor-emissor aberto em que tambm os dois, diodo emissor e diodo coletor, so abertos. Alm destes, possvel ter apenas um diodo em curto, apenas um diodo aberto,um diodo com fuga etc.Para cumprir a verificao de defeitos,enfatizaremos os dois tipos de defeitos mais comuns:coletoremissor em curto fazendo uma ponte entre o coletor,a base e o emissor; isto curto-cicuita os trs terminais juntos. Vamos simular um coletor emissor aberto, removendo o transistor do circuito; isto abre os dois diodos. MATERIAIS UTILIZADOS: 1-fonte de alimentao DC de 15V. 3-resistores:100,1k,470k,todos de 1/4W. 2-transistores 2N3904(ou outro transistor NPN de silcio para pequeno sinal). 1-multmetro(analgico ou digital).

PROCEDIMENTO TESTES COM OHMMETRO 1-Mea a resistncia entre o coletor e o emissor de um dos transistores.A resistncia deve ser extremamente alta (centenas de mega-ohms)como qualquer polarizao. 2-Mea as resistncia direta e reserva do diodo base-emissor e do diodo coletor-base.Para os dois diodos a razo entre as resistncia reserva/direta deve ser pelo menos de 1000/1. CARACTERSTICAS DE TRANSFERCIA 1-Monte o circuito da figura da figura 1. 2-Mea e anote Vbe e Vce na tabela 1. 3-Mea e anote Ic e Ib na tabela 1. 4-Calcule os valores Vcb, Ie, Bcc e acc na Figura 1, e anote na tabela 2. 5-Repita os passos de 4 a 7, usando um dos outros transistores. (se houver). VERIFICAO DE DEFEITOS 6-Na figura 2 estime e anote a tenso da referencia ao coletor Vc, para cada defeito listado na tabela 3. Obs. Para simular um coletor-emissor em curto, faa uma ponte entre os terminais do coletor, emissor e base, de modo a curto-circuitar os trs terminais ao mesmo tempo. Para simular um coletor-emissor aberto, remova o transistor do circuito. 7-Monte o circuito com cada um dos defeitos indicados. Mea e anote a tenso no coletor para cada defeito. PROJETO 8-Monte o circuito da figura 2, mea e anote a tenso do coletor em relao referencia do circuito.

9-Com os dados obtidos no passo 13, calcule Bcc e projete o resistor de base que produza uma tenso de alimentao. Anote este resistor com valor comercial e a tenso do coletor na tabela 4. 10-Monte o circuito com o resistor de base que voc projetou. Complete os valores pedidos na tabela 4. TABELA DE VALORES Transistor 1 2 VBE 615mV 617mV VCE 13,9V 13,78v 30uA 29uA IB IC 8,35mA 8,15mA

Tabela 1 Tenses e correntes do transistor (BC 337) Transistor 1 2 VBE 650mV 650mV VCE 14,35V 14,35v IB 15Ua 15uA IC 8,5mA 8,5mA

Tabela 2- Clculos Defeitos Resistor 470kR aberto Resistor 1kR em curto Resistor 1kR aberto Coletor-emissor em curto Coletor-emissor aberto Vc estimado 14,3V 14,3V 0V 0V 15V Vc Medido 14,55V 14,3 0V 0V 14,5V

Tabela 3- Verificao de defeitos QUESTES 1- A tenso VBE do transistor foi prxima de (C) 0,7V 2- O valor de Bcc do transistor foi prximo de